模电各章重点内容及总复习
模电各章重点内容及总复习.
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电各章节主要知识点总结
（2）若是开环（无反馈），或正反馈，则放大器处于饱和状态 2、理想运放条件： Ri ,由此得到虚断， i i 0
Avo ,由此得到虚短， v v
3、虚短和虚断：
RO 0 KCMRR
各种运算（比例，加减法，积分微分电路等）中，
i i 0,说明两个输入端无电流 ； v v,说明两个输入端等电位
2
Rb2
VCC
,
VE
VB
VBE
IE
VE RE
IC
VCE
VCC
IC (RC
RE )
（2）图解分析方法：
要求： （a）用图解分析方法，判断什么情况下会发生截止和饱和失真现象，如何解决？ （b）对于共射极放大器，用直流负载线和交流负载线求解最大不失真输出电压幅度
Vom VCEQ VCES ,以及ICQ RL ' 二者取最小的，即为最大不失真输出电压幅度。
Feedback Amplifier
反 馈 判 一、反馈性质判断（瞬时极性） 断 总 结 ： 下图是常见器件的瞬时极性，务必掌握！
输入
-
+
+
+
输入 +
输入
+
+
+
输入
二、输入端的链接方式（串联还是并联）
并联负反馈
(+) X i
(-) X f
串联负反馈
X(+i) (+) X f
并联负反馈
(+)
1、K1、K3闭合，K2断开； 2、K2、K3闭合，K1断开； 3、K1、K2闭合，K3断开； 4、K1、K2、K3闭合。
模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
模电重点知识总结(1-3章)
分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ 分析方法：图解法、估算法、大信号等效 分析指标： rbe、gm、rce、ib、ic
交流分析法
分析方法：图解法、小信号等效电路法
图解分析法
图解法 直流分析 利用三极管的输入、输出特性曲线与管外电路所 确定的负载线，通过作图的方法进行求解 优点：便于直接观察 Q 点位置是否合适，输出信号 波形是否会产生失真 要求：已知三极管特性曲线和管外电路元件参数
共发射极
IC
电路模型 IB IC
C B
直流简化电路模型
IB 0
CBLeabharlann IC 0CIB
B E
T
E
VBE
E
+ -
E
E
E
混合 型小信号电路模型
若考虑rbb、忽略rbc影响，整理后即可得出混合 型电 路模型。 ib r c b c ic
b IEQ过大rbe过小 时，才考虑rbb
bb
3kΩ
V2 + 9V D1 A
VAO O
V1 + 6V
3kΩ V2 +
+ VAO -
VAO也等于 - V1= - 6V
9V -
O
例2.在0≤t≤10ms内，画出图中所示电路输出电压vO（t） 的波形。①二极管是理想的②使用恒压模型
R1 200Ω D 5V
vI + （ t） -
①将D两端断开,求vD R2 v I + vD 5 0.2v I 5 R1 R2 R2 vO （t） v <0V,0.2V -5<0时,V <25V,D截 50Ω -
vI
（t） -
-
模电考试复习资料
-3dB，对应电压和电流是变为原来的 倍 c.BW（带宽）= （上限频率）- （下限频率） ⑥线性失真与非线性失真
幅度失真（不同频率 增益不同） a. 线性失真
相位失真（不同频率 相移不同） 线性失真无新频率产生 b. 非线性失真：元器件非线性特性引起的失真，非线性失真系数：
∞2
γ= =2 x100%，其中分子是高次谐波开方，分母是基波分量的
d. 电压增益=20lg 丨 丨 dB,电流增益=20lg 丨 丨 dB，功率增益
=10lg 丨 丨 dB（先有）
⑤频率响应 a. （jw）=丨 （ ）丨 [
（）
− （ ）]，前者为
幅频响应，后者为相频响应，P12 的 1.5.4 是波特图
b.半功率点是功率下降一半的点，对应到波特图是下降 3dB，也就是
第二章：运算放大器
①集成电路运算放大器:该知识点没太多考点，主要是让大家了解运 算放大器，其中要知道一些符号含义： 同相输入端， 反向输入 端， 为输出电压，输入电阻 (很大)，输出电阻 （很小），开环 增益 （很大）。其简化模型如下
此外还需了解 p20 运算放大器的传输特性 ②理想运算放大器：其特性可以归结为两点：虚短 = ，虚断 = =0, 这是这一章做题的最重要的条件。 ③六大放大电路（准确说只有四大）：
抗干扰能力）P9 的 1.4.3 就是该模型。
c. 输入电阻 ，输出电阻 ，电压增益
这里还要说一下这三个参数的求法，输入电阻 使用的方法是去掉信
号源，在输入端加 ，利用 = 。输出电阻 是用的方法是电压
源置零，负载换 ，利用 = 。电压增益要回到四大模型各自解
决，这里同学们可以去思考一下四大模型 ， 的大小要求
号的含义比较熟悉：
模电主要章节知识点归总
PN结V-I 特性表达式
iD=IS(evD/VT 1)
其中
IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量
且在常温下（T=300K）
VT
=
kT=0.026V=26mV q
PN结的伏安特性
3.2.4 PN结的反向击穿
当PN结的反向电压 增加到一定数值时，反 向电流突然快速增加， 此现象称为PN结的反向 击穿。
形成：向本征半导体中掺入少量的 5 价元素
特点：（a）含有大量的电子——多数载流子 （b）含有少量的空穴——少数载流子
(2) P 型半导体（空穴型半导体）
形成：向本征半导体中掺入少量的 3 价元素
特点：（a）含有大量的空穴——多数载流子 （b）含有少量的电子——少数载流子
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
放大状态下BJT中载流子的传输过程
2. 电流分配关系
又设= 1
根据 IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
= I nC IE
且令 ICEO= (1+ ) ICBO （穿透电流）
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
rd
=VT ID
=
26(mV) ID(mA)
（a）V-I特性 （b）电路模型
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电教材（PDF）
1．正向特性2．反向特性3．反向击穿特性4．温度对特性的影响1.2.3 半导体二极管的主要参数1．最大整流电流IF2．最大反向工作电压URM3．反向饱和电流IR4．二极管的直流电阻R5．最高工作频率fM1.2.4 半导体二极管的命名及分类1．半导体二极管的命名方法第2章半导体三极管及其放大电路本章重点内容�晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线�基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式�利用估算法求静态工作点�微变等效电路及其分析方法�三种基本放大电路的性能、特点2.1 半导体三极管2.1.1 三极管的结构及分类1．三极管的内部结构及其在电路中的符号N PP2．输出特性曲线(1)放大区(2) 饱和区(3) 截止区2.1.4 三极管正常工作时的主要特点1．三极管工作于放大状态的条件及特点2．三极管工作于饱和状态的条件及特点3．三极管工作于截止状态时的条件及特点＊2.1.5 特殊晶体管简介1．光电三极管2.1.6 三极管的主要参数1．电流放大系数2．反向饱和电流ICBO3．穿透电流ICEO4．集电极最大允许电流ICM5．集电极、发射极间的击穿电压UCEO。
6．集电极最大耗散功率PCM2.1.7 三极管的检测与代换1．国产三极管的命名方法简介2．三极管三个电极（管脚）的估测（aωωωωω2.4.2 放大电路的图解分析法1．用图解法确定静态工作点的步骤：（1）在i c 、u ce 平面坐标上作出晶体管的输出特性曲线。
（2）根据直流通路列出放大电路直流输出回路的电压方程式：U CE = V CC －I C ·R C（3）根据电压方程式，在输出特性曲线所在坐标平面上作直流负载线。
因为两点可决定一条直线，所以分别取（I C =0，U CE =V CC ）和（U CE =0，I C =E C /R c ）两点，这两点也就是横轴和纵轴的截距，连接两点，便得到直流负载线。
（4）根据直流通路中的输入回路方程求出I BQ 。
模拟电子技术基础 各章节重难点
各章节重难点
第1章半导体器件
•PN结及其单向导电性
•半导体二极管电路分析
•半导体三极管及其特性曲线
•场效应管的原理及特性
第2章基本放大电路
•放大电路的结构
•微变等效电路
•三种组态放大电路的分析
•放大电路的频率特性
第3章集成运算放大器
•集成电路的特点
•多级放大电路的分析
•差分放大电路的分析和计算
第4章放大电路中的负反馈
•负反馈的概念及分类
•负反馈的判断
•深度负反馈下电路的计算
第5章集成运算放大器的应用
•集成运放的基本运算
•集成运放的非线形应用
•有源滤波器的分析
第6章功率放大电路
•功率放大电路的特点
•互补对称功率放大电路的分析
第7章波形产生电路
•正弦波振荡电路的振荡条件
•RC正弦波振荡电路的原理
•L C正弦波振荡电路的原理
第8章直流稳压电源
•单相桥式整流电路的分析
•滤波电路的分析
•稳压电路的分析与设计
•开关稳压电源的分析与设计。
完整版模拟电路总复习知识点1
1.模拟信号和数字信号•模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图 1.1.8）。
-数字信号：时间、幅度离散的信号（图 1.1.10）2.放大电路的基本知识即为输出电阻。
-放大器各种增益定义如下:互阻增益:A 、A 、A R 、&的分贝数为20lg|y& ； A p 的分贝数为20lg A p 。
•不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须 A P•任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图•频率响应及带宽：A/（ j ）Vo （ j ）或A A/（） （）V i （ j ）A/（）—— 幅频相应（图1.2.7）:电压增益的模与角频率的关系。
（）――相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。
BW ――带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差 BW f Hf L 。
•线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真（图 1.2.9）•非线性失真：器件的非线性造成。
一、半导体知识1.本征半导体•单质半导体材料是具有 4价共价键晶体结构的硅（Si ） 前者是制造半导体IC 的材料，后者是微波毫米波半导体器件和•本征半导体：纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。
第一章绪论第二章晶体二极管及应用电路-输入电阻R :是从放大器输入口视入的等效交流电阻。
R i 是信号源的负载，R 从信号源吸收信号功率。
•输出电阻R o :放大器在输出口对负载R L 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载 R L 输出功率P o ），该信号源的内阻端电压增益:源电压增益:电流增益:互导增益:馬VF 鬆v s & 咼 & V&负载开路电压增益 （内电压增益）：A V 0R L ，A /功率增益：A P¥ lA v llA I l P1.2.2 ）。
和锗（Ge ）（图2.1.2）, 一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓 IC 的重要材料。
GaAs 。
模电总结复习资料 模拟电子技术基础
第一章半导体二极管一。
半导体的基础知识1。
半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge)。
2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。
3。
本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性＊载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.＊体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7。
PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0。
6~0.8V,锗材料约为0。
2～0。
3V。
＊ PN结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二。
半导体二极管＊单向导电性--——-—正向导通，反向截止.＊二极管伏安特性-———同ＰＮ结。
*正向导通压降---——-硅管0.6～0。
7V，锗管0。
2～0。
3V.＊死区电压——--—-硅管0.5V，锗管0。
1V。
3.分析方法-——-——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）;若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段————将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴( 正偏），二极管导通（短路);若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止（开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电重点总结复习必备
u
+
－
A
+
∞
i
f
R
i
i
f
i
i
i+
i-
i
+
+
T
-
i
+
u
R
i
i
i
b
i
f
2
虚短
3
虚断
1
串联负反馈，输入端电压求和
6
并联负反馈，输入端电流求和
5
虚断
4
虚短
判断能否自激的方法
（1）画出 的波特图
（2）找出两个特定的频率
（3）判断
（4）若不自激，则判断幅度裕度和相位裕度
方法一：
方法二:
02
01
分析方法：分频段研究法和时间常数法
直流稳压电源
工作原理
整流
计算
稳压
滤波
g
g
d
S
d
i
工作在非线性区时的特点
工作在线性区时的特点
虚断
虚短 虚断
运算放大器
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
基本放大电路
01.
多级放大电路
01.
差分放大电路
01.
反馈放大电路
01.
运算放大器
01.
功率放大器
01.
频率响应
01.
直流稳压电源
01.
三、电路部分
共发射极、共集电极、共基极、 共源、共漏
特点和典型功能：
较大，Ri很大；适于小信号电压放大
共漏放大电路
+
C
g3
模电章节知识点总结
模电章节知识点总结模拟电子技术的核心知识点包括模拟信号的表示与处理、模拟电路的基本元件与分析方法、放大电路、滤波电路、混频电路、调制与解调电路等。
本文将对这些知识点进行总结，以帮助读者更好地理解和掌握模拟电子技术。
一、模拟信号的表示与处理1. 模拟信号的表示模拟信号是连续变化的信号，一般可以表示为关于时间的函数。
常见的模拟信号包括正弦信号、三角波信号、方波信号等，它们可以用数学函数进行表示。
2. 模拟信号的处理模拟信号的处理包括模拟信号的采集、放大、滤波、混频、调制等过程。
其中，模拟信号的采集是将连续的模拟信号转换为离散的数字信号，而放大、滤波、混频、调制等过程则是对模拟信号进行增强、筛选、整合以及变换的过程。
二、模拟电路的基本元件与分析方法1. 电阻、电容、电感电阻、电容、电感是模拟电路中最基本的元件，它们分别用于限制电流、储存电荷和储存能量。
在模拟电路分析中，常常需要对这些元件进行分析，计算其电压、电流和功率等参数。
2. 理想电路元件的模型在实际的模拟电路中，可以将电阻、电容、电感等元件看作是理想的元件，从而简化模拟电路的分析。
这些理想的元件模型可以大大简化模拟电路的分析。
3. 基本的电路分析方法基本的电路分析方法包括基尔霍夫定律、叠加定理、戴维南定理等。
这些方法可以帮助工程师准确、快速地分析模拟电路中的电压、电流和功率等参数。
三、放大电路1. 放大器的基本原理放大器是模拟电路中最常见的电路之一，它可以将输入的弱信号放大到一定的程度。
放大器的基本原理是利用管子的放大作用，从而使得输入信号经过电压、电流的放大后，输出信号获得放大。
2. 常见的放大电路常见的放大电路包括共集极放大电路、共基极放大电路、共射极放大电路等，它们分别适用于不同的放大应用场景。
这些放大电路可以通过适当的电路设计和参数调整，来实现对不同信号类型的放大。
四、滤波电路1. 滤波器的分类滤波器是模拟电路中的重要组成部分，它可以对信号进行频率筛选。
模拟电子电路复习重点
第0章绪论电子系统组成：模电的核心主线：“电压放大”模电/数电的区别与联系：信号上：时间/幅度上是否离散/量化器件：三极管工作区域：放大 / 饱和、截至联系：理论：采样定理/电路：AD/DA转换课程要求：基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合（应用）能力。
第1章常用半导体基础（数/模电基础）本征/杂志半导体中的两种载流子：多子/少子的概念PN结原理：多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果PN结单向导电性：二极管等效电路：三极管特性：（三极2结）放大原理：Ib控制IC（流控电流源—>电流分配）Ube控制IC（压控电流源）三极管的输入输出特性曲线与三个工作区：放大（模拟）/饱和截至（数字电路）温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响： 温度影响电路性能的本质！ICBO：增加1倍/10°。
输入曲线：左移输出曲线：上移动（与二极管相同：沿远点逆时针转动）场效应管（不要求）第2章**基本放大电路（三种放大电路接法）----重点！放大概念：（电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一）衡量电路放大性能的参数及其意义：Ri：从前往后看到底，包含RL，不含RSRo: 从后往前看到底，包含Rs，不含RL负载效应/匹配的概念---》举例：大马拉小车/小马拉大车A U / AUS/AUL定义（负载效应）其他参数：通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等线性失真/非线性失真区别。
放大电路原理：直流偏置与信号放大的关系：非线性系统的分段线性化：y=kx:线性系统y=kx+b线性，本质上非线性系统（齐次性+叠加性）直流分析：正确偏置Q点在线性区!发射结正偏，集电结反偏，会正确判断交流分析：图解法：特征点/交直流负载线参数法：h参数低频交流小信号模型等效参数：三种方法电路的比较：共射/共集/共基等效电阻的“看法”：三种放大电路接法：第3章多级放大电路1、耦合方式：直接耦合/非直接耦合比较2、多级放大电路的计算（输入输出电阻/放大倍数）：Ri：看到底，往往决定于第一级Ro：看到底，往往决定于最后级Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应！)后级输入是前级的负载前级输出是后级的信号源内阻。
模电1~10章总复习知识点
9 信号处理与信号产生电路
滤波电路的定义、分类
滤波电路的传递函数、幅频特性
正弦波振荡的条件
正弦波振荡电路的组成
RC振荡电路和LC振荡电路
相位平衡条件的判断 桥式、变压器反馈式、三点式、晶体
电压比较器
单门限、迟滞
10 直流稳压电源
桥式整流电路 电容滤波电路 串联反馈式稳压电路
三端集成稳压器
抑制温漂的原理、输出输入关系、共模抑制比
集成运放的参数及典型值、理想运放的特点 实际运放参数的对应用电路的影响
7 反馈放大电路
反馈的概念与分类、反馈类型的判断
负反馈电路闭环增益
不同反馈类型的信号量、增益和反馈系数的含义
负反馈对放大电路性能的影响
提高放大倍数的稳定性、减小反馈环内的非线性失真、抑制噪声、 扩展频带、影响输入输出电阻等
1 绪论
电信号源的电路表达形式 放大电路模型
电压放大模型、电流放大模型、互阻放大模型、互导放大模型
放大电路的主要性能指标
输入电阻、输出电阻、增益、频率响应及带宽、非线性失真
分贝、对数坐标、归一化、波特图、通频带、 半功率点、传输特性
2 运算放大器
运算放大器的电压传输特性 工作在线性区的运放电路
在深负反馈条件下的近似计算 负反馈放大电路的稳定性
自激振荡及稳定工作的条件、稳定性分析 增益裕度、相位裕度
8 功率放大电路
功放电路的特点 乙类双电源互补对称功率放大电路的计算
功率BJT的选择依据
交越失真的产生及消除方法
利用二极管进行偏置的甲乙类互补对称功率放大电路
功率器件安全运行采取的措施
直流负载线、交流负载线 非线性失真的产生及消除
模电知识点总结
模电知识点总结第一篇：模电知识点总结第一章绪论1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。
3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
5.根据输入输出表达式判断电路种类同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。
反相：虚地。
第三章二极管及其基本电路1.二极管最主要的特征：单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。
点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判断5.工作在放大区的三极管，若当Ib以12μA增大到22μA时，Ic 从1mA变为2mA，β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点，若工作点选的太高——饱和失真。
（完整版）模电总结复习资料
（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模电总结复习-模拟电子技术基础
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管~，锗管~。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电各章节主要知识点总结
06
第六章：信号发生器与信号变换器
信号发生器的定义和分类
总结词
信号发生器是用于产生所需信号的电子设备 ，根据产生信号的方式不同，可以分为振荡 器和调制器两类。
详细描述
信号发生器是用来产生各种所需信号的电子 设备，这些信号可以是正弦波、方波、脉冲 波等。根据产生信号的方式不同，信号发生 器可以分为两类：振荡器和调制器。振荡器 是利用自激反馈产生所需信号的电子设备， 而调制器则是利用调制技术将低频信号加载
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限流、分压、反馈等
电阻的串并联
串联增大阻值，并联减小阻值
电容
电容的种类
电解电容、瓷片电容、薄膜电 容等
电容的参数
标称容量、允许偏差、额定电 压、绝缘电阻等
电容的作用
隔直流通交流、滤波、耦合等
电容的充电放电
在交流电下，电容具有“隔直 流通交流”的作用，即让高频 信号通过，阻止低频信号通过
电感
电感的种类
信号变换器的工作原理和应用
• 总结词：模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和 编码，转换成数字信号输出；数字式信号变换器则是将输入的数字信号进行解 码和数模转换，转换成模拟信号输出。
• 详细描述：模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化 和编码，转换成数字信号输出。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号的 过程，量化是将采样后的离散值进行近似取整的过程，编码则是将量化后的离 散值转换为二进制码元的过程。数字式信号变换器的工作原理是将输入的数字 信号进行解码和数模转换，转换成模拟信号输出。解码是将输入的数字码元进 行解码的过程，数模转换则是将解码后的离散值转换为连续时间信号的过程。 模拟式和数字式信号变换器在通信、测量、控制等领域有着广泛的应用。
模电期末复习重点
模电期末复习重点1、掌握内容2-8章为重点内容；9-10章作为了解内容；以讲授内容为考核范围。
2、需要掌握的电路分析与计算方法（1）放大电路分析，包括直流工作点分析，画出交流等效电路，分析交流参数（六种基本组态放大电路及其两级级联电路）；（2）多级放大电路、差动放大电路与负反馈放大电路的组合分析，包括开环放大电路分析，反馈类型判断，闭环放大倍数与输入输出电阻求解；（3）基本运算电路（比例、加法、减法、积分、微分）的分析，作图，利用虚短、虚断条件进行求解；（4）运算电路和比较器的组合电路分析，包括电路类型识别，表达式分析，波形绘图；（5）弛张振荡器分析，互补跟随乙类功率放大器分析3、需要掌握的概念与分析内容第四章：半导体器件（1）掺杂半导体，漂移扩散电流，PN结单向导电性，PN结击穿特性，PN结电容；（2）二极管特性方程，二极管直流与交流电阻求解，工作状态，电路模型，二极管电路分析，稳压二极管特性，电路分析；（3）双极型晶体管结构、放大状态工作原理，工作区，直流模型，直流工作点分析（4）场效应晶体管结构，工作原理，工作区，类型与符号第五章基本放大电路（1）放大器组成规则（小信号放大器），直流偏置电路与直流工作点求解，晶体管偏置状态与类型判断，直流通路与交流通路绘制（2）放大电路图解法分析：直流与交流负载线，饱和、截止失真，最大不失真输出电压（3）双极型晶体管和场效应晶体管的交流小信号等效模型（H参数模型），模型参数确定（rbe，rce，gm，rds），放大器交流等效电路绘制与交流参数分析（A，Ri，Ro）（4）六种基本组态放大器电路结构、交流特性，对比（5）放大器级联方式，多级放大器交流参数求解第六章集成运放（1）运放组成结构与各部分功能，电流源电路（2）零点漂移，差动放大电路结构、直流工作点（3）差动放大电路的差模和共模特性分析，任意输入信号处理方法（4）交越失真，互补射极跟随器（5）运放电路定性分析，各部分结构与功能，同相与反相输入端第七章：频率响应（1）频率失真，线性失真，非线性失真，上限频率、下限频率、通频带，混合∏等效模型，β与α的上限频率，特征频率，密勒定理（2）三种基本组态放大电路的高频效应的对比，波特图表示法，附加相移与增益下降斜率（3）影响高频、低频响应的电抗元件（4）多级放大器的频率响应第八章：反馈（1）负反馈概念、分类，负反馈优点，反馈类型判断，求反馈系数；（2）深度负反馈放大电路分析，稳定性判断（3）振荡器、正反馈，文氏电桥振荡器第二章：运算电路（1）比例、加法、减法、积分、微分、电流-电压转换等运算电路结构、分析方法，表达式（2）仪表用放大器（3）滤波器种类与用途，有源滤波的优点第三章：电压比较器、弛张振荡器（1）简单比较器、迟滞比较器结构与分析,U OH,U OL,U TH,U TL（2）两种弛张振荡器结构与分析第九章：功率放大器（1）功率放大器的工作状态（A、B、C、AB）与各自特点（2）双电源和单电源互补跟随B类功率放大器结构与分析（3）复合管，桥式功率放大电路第十章：电源电路（1）电源电路结构，整流电路，滤波电路与Uo估算（2）稳压管稳压电路、串联型稳压电路的结构与原理。
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《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
《模电》第二章重点掌握内容：一、概念1、三极管由两个PN结组成。
从结构看有三个区、两个结、三个极。
（参考P40）三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。
基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。
集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。
两个结：集电区——基区形成的PN结。
叫集电结。
（J C）基区——发射区形成的PN结。
叫发射结。
（J e）三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C（或用a、b、c）对应的三个电流分别称基极电流I B、发射极电流I E、集电极电流I C。
并有：I E =I B+ I C2、三极管也有硅管和锗管，型号有NPN型和PNP型。
(参考图A。
注意电路符号的区别。
可用二极管等效来分析。
)3、三极管的输入电压电流用U BE、I B表示，输出电压电流用U CE、I C表示。
即基极发射极间的电压为输入电压U BE，集电极发射间的电压为输出电压U CE。
（参考图B）三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性）与二极管正向特性很相似，也有：死区电压：硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。
导通压降：硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。
（这两组数也是判材料的依据）5、三极管的输出特性(指输出电压U CE与输出电流I C的关系特性)有三个区:①饱和区:特点是U CE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件J C, J e都正偏.②截止区:特点是U BE ≦0, I B=0, I C=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件J C, J e都反偏.③放大区: 特点是U BE大于死区电压, U CE﹥1V, I C=β I B.其偏置条件J e正偏J C反偏.所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.6、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B)7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是：⑴先画出直流通路（方法是将电容开路，信号源短路，剩下的部分就是直流通路），求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。
⑵画交流通路，H参数小信号等效电路求电压放大倍数A U输入输出电阻R I和R0。
（参考P58图2.2.5）图解法：是在输入回路求出I B后，在输入特性作直线，得到工作点Q，读出相应的I BQ、U BEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线，得到工作点Q，读出相应的I CQ、U CEQ加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出波形，。
若工作点Q点设得合适，（在放大区）则波形就不会发生失真。
（参考P52图2.2.2）8、失真有三种情况:⑴截止失真：原因是I B、I C太小，Q点过低，使输出波形后半周（正半周）失真。
消除办法是调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真：原因是I B、I C太大，Q点过高，使输出波形前半周（负半周）失真。
消除办法是调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
《模电》第三章重点掌握内容：一、概念1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。
共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相，所以又称反相器。
共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相，所以又称同相器。
2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等，相位相反的输入电压。
（是待放大的信号）共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等，相位相同的输入电压。
（是干扰信号）差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。
共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。
差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。
共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。
（电路完全对称时A uc =0）共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比值，电路越对称K CRM越大，电路的抑制能力越强。
3、差分电路对差模输入信号有放大作用，对共模输入信号有抑制作用，即差分电路的用途：用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。
（即以达到U I =0，U0=0的目的）4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ，R0 。
功率放大器的主要指标要求是（1）输出功率大，且不失真；（2）效率要高，管耗要小，所以功率放大电路通常工作在甲乙类（或乙类）工作状态，同时为减小失真，采用乙类互补对称电路。
为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。
5、多级放大电路的耦合方式有：直接耦合：既可以放大交流信号，也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号；耦合过程无损耗。
常用于集成电路。
但各级工作点互相牵连，会产生零点漂移。
阻容耦合：最大的优点是各级工作点互相独立，但只能放大交流信号。
耦合过程有损耗，不利于集成。
变压器耦合：与阻容耦合优缺点同，已少用。
《模电》第四章重点掌握内容：一、概念1、反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。
2、反馈有正反馈（应用于振荡电路）和负反馈（应用于放大电路）之分。
3、反馈有直流反馈，其作用：稳定静态工作点。
有交流反馈，其作用：改善放大器性能。
包括：①提高电压放大倍数的稳定度；②扩展通频带；③减小非线性失真；④改善输入输出电路。
4、反馈放大电路的基本关系式：A f =A /（1+AF），其（1+AF）称反馈深度，当（1+AF）远远大于是1时为深度负反馈，其A f =1/ F，即负反馈后的放大倍数大大下降，且仅由反馈网络参数就可求放大倍数，而与运放器内部参数无关。
5、负反馈有四种类型：电压串联负反馈；电压反馈可减小输出电阻，从而稳定输出电压。
电压并联负反馈；。
电流串联负反馈；电流反馈可增大输出电阻，从而稳定输出电流。
电流并联负反馈。
串联反馈可增大输入电阻。
并联反馈可减小输入电阻。
6、对集成运算放大器反馈类型的经验判断方法是：当反馈元件（或网络）搭回到反相输入端为负反馈；搭回到同相输入端为正反馈。
当反馈元件（或网络）搭回到输入端为并联反馈，搭回到输入端的另一端为串联反馈。
当反馈元件（或网络）搭在输出端为电压反馈，否则为电流反馈。
而一般的判断方法：若反馈信号使净输入减少，为负反馈，反之为正反馈。
（用瞬时极性判断）若满足Ui=Uid+Uf 为串联反馈，满足Ii=Iid+If为并联反馈。
若反馈信号正比输出电压，为电压反馈，反馈信号正比输出电流，为电流反馈。
（A）（B）如（A）图经验判断：反馈元件搭回到反相输入端，所以是负反馈；反馈元件搭回到输入端，所以是并联反馈；反馈元件搭在输出端，所以是电压反馈，所以图是电压并联负反馈。
如（B）图，由瞬时极性判得电路有两级的电流并联负反馈。
反馈元件为Rf (因Rf搭在输入端，所以是并联，但不是搭在输出端，所以是电流反馈，即If是正比于输出电流IC2）《模电》第七章重点掌握内容：1.信号产生电路包括正弦波振荡器和非正弦波振荡器。
正弦波振荡器有RC、LC振荡器和石英振荡器；LC振荡器又分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点。
2.正弦波振荡器的起振条件和平衡条件是：会求振荡频率。
3.会用瞬时极性判是否满足相位平衡条件（是否为正反馈）4.电压比较器用途，单门限电压比较器电路组成及电路分析。
《模电》第八章重点掌握内容：1.掌握单相半波整流、桥式、全波整流电路工作原理，输入输出波形的画法以及输出电压U0、I0、I D、U RE 振的计算：A、半波整流：U0=0.45U2 (U2为输入电压的有效值)B、半波整流滤波：U0= U2C、桥式整流：U0=0.9 U2D、桥式整流滤波：U0=1.2 U2E、桥式整流滤波：U0=1.4 U2 (空载)2. 掌握串联型稳压电路的组成框图，稳压原理，会求输出电压的变化范围。
3. 掌握三端固定集成稳压器的型号、含义，管脚接线。
4.0 30 V 连续可调电路稳压电路及电路分析。
模拟电子技术小测：一、判断与问答：1、射极输出器的输出电阻很大，所以带负载能力强。
（）2、直接耦合多级放大电路只能放大交流信号。
（）3、差动放大电路中的R E对差模信号不起作用。
（）4、互补对称功放电路工作在甲乙状态,可以消除零点漂移.（）5、共模抑制比K CMR越大，电路的抗干扰能力就强。
（）6、理想运放器U－= U + = 0 称为虚断. （）7、桥式整流滤波电路的输入电压有效值为20V，输出电压应是18V。
（）1、什么是半导电性半导体、本征半导体、半导体的主要特性是；2、P型半导体中多数载流子是：少子是：N型半导体中多数载流子是：少子是3、二极管的特性：二极管的用途：4、三极管的三种工作状态是：所对应的特点是：5、三极管放大电路主要有三种组态。