(完整版)模电复习题总结,推荐文档
模电复习资料及部分答案(终极版)
12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（B）
A．共射组态B．共集组C．Fra bibliotek基组态D．共源组态
13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（C）
A．电流串联B．电流并联C．电压串联D．电压并联
A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定
9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（）
A．-10VB．-6VC．-4VD．0V
10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（B）
A．UBE<0,UBC<0B．UBE>0,UBC>0C．UBE>0,UBC<0D．UBE<0,UBC>0
11．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（D）
4．用一个集成运放设计一个电路，满足u0=-3ui1-7ui2的关系，要求电路的最大输入电阻为40K。
(1)画出设计的电路图；
(2)计算电路的输入电阻R1和R2及反馈电阻RF。
相似题：
答案：
5．稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=7V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为200mW，限流电阻R=600 。试求：
C．截止状态D．不确定状态
4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B)
A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极
C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极
5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C)
A．共射极放大电路B．共集电极放大电路
模电复习总结-习题集1.doc
《模拟电子技术复习》1一.设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v\-5sincotN吋的输出仏波形以及图（b）电路的输出电Vo 3V D2(a) (b)丄提不:一、解:解：（a）吃0.7V, D导通，v o=0.7V； Vj<0.7V, D截止,v o=V{O输出波形如下:压Vol。
R---3V卩i(b) D2 导通，D1 截止，Vol二(—3+0.7)二-2.3V 。
二•放大电路如图所示。
已知:Rbi=62K, 7?b2=15K, Rs=10K,R C =1K, &=3K, C I =C2=10)I ,0220)1, %c=+15V, 0=80,V BE 二0. 7Vo 1 •说明电路属于何种组态，画出该电路的直流通路；(5分)2•计算该电路的静态工作点。
（5分）3 •画小信号等效电路，4•求电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
丄提示：二、解：解：1 •共发射极放大电路，直流通路见右图。
2.Q 点:i^ 15=292V=2.22mA1R = ^ = 0.02»nA B P乙丿= 15—222(3 + 1 丿= 6.12U（3）微变等效电路图R C =3K ,Rbl + Rb2 Rb2 Re(4)求电压放大倍数Av 、输入电阻和输出电阻；A v =-pRc/r b e=(50x3yi .6=-94丄【提示：r bc ： i b 支路电阻，不考虑外电阻Rbl 、Rb2o 不考虑Re,因为有 Ce]%=300+(1+0)26 (mV) /I E (mA)=1.6(kQ)Ri=Rbi 〃Rb2// r be =60//24//1.6^1.6 (kQ)R (尸Rc=3( kQ) 三.放大电路如图所示。
已知C 足够大，场效应管的参数g m =0. 8ms, R 2=6. 8KQ, 三极管的参数0=50,氐二0. 5K,/?3=90KQ,/?4=10KQ,/?5=4KQ,/?6二 1・ 5KQ,/?L =4KQ 。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础.doc
模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。
超详细模电总结复习资料-模拟电子技术基础(完整版)
第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅Si 、锗Ge)。
2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体---- *P 型半导体: *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
* 转型--- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN 结的接触电位差* PN 结的单向导电性8. PN 结的伏安特性--- 硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为。
0.2~0.3V--- 正偏导通，反偏截止。
二. * * * *半导体二极管单向导电性------二极管伏安特性正向导通，反向截止。
---- 同ＰＮ结。
正向导通压降------ 硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。
死区电压------ 硅管0.5V ，锗管0.1V 。
3. 分析方法------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V 阴( 正偏) ，二极管导通( 短路);若V <V 阴( 反偏) ，二极管截止( 开路) 。
阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若若V 阳V 阳阴( 正偏阴( 反偏) ，二极管导通) ，二极管截止( 短路);( 开路) 。
>V<V* 三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路* 稳压二极管的特性接。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模电复习题和答案
模电复习题和答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出，所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时的IC是穿透电流ICEO。
4、某同学用万用表测量一电子线路中三极管的管脚电压，得VE=3V，VC=8V，VB=3.7V，则该管是NPN 、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流ICEO将增加。
9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数AVO为_无穷大，共模抑制比KCMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值UO=0.45 U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值UO=0.9 U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。
模拟电子技术基础-总复习最终版
R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压 为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生 了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章 基本放大电路
知识点： 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计
模拟电子技术复习题及答案【范本模板】
一、填空题: （要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等.半导体中中存在两种载流子: 和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体.杂质半导体分为两种: 型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区.为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成.4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件.场效应管分为型和型两大类.5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器.11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时,尽量保留其中的成分.滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
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模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。
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（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模电期末复习总结(大二)
U = V − I R +U
CEQ CC CQ C
BEQ
2.5 放大电路的三种组态
2.5.2
共基极放大电路
动态分析 动态分析
ɺ U βR ɺ = = A ɺ U r + (1 + β ) R
o C u i be
e
r R =R + 1+ β
be i e
R =R
o
c
2.5 放大电路的三种组态
2.5.2
R ′D = RD // RL
ɺ Uo ɺ Au = = −gmR ′D ɺi U
Ri = RG + ( R 1 // R 2)
Ro = RD
共源组态基本放大器 未接C 等效电路如图: 未接 S时:等效电路如图 等效电路如图
一般 rds >> RD// RL >> RS; rds可忽略。 可忽略。 •电压增益为 电压增益为
很高
很高
1 // R s // rds gm
电压增益小于1, 但接近于1,输入 输出电压同相, 输入电阻高,输 出电阻低。
1/ gm
R D // rds
电压增益高,输 入输出电压同 相,输入电阻低, 输出电阻主要 取决于RD。
R D // rds
电压增益高,输 入输出电压反 相,输入电阻高, 输出电阻主要 取决于RD。
EQ
BQ
U =V I R
CEQ CC EQ
e
2.5 放大电路的三种组态
2.5.1
共集电极放大电路
二、动态分析
电压放大倍数
ɺ ɺ u = U o = (1 + β ) R ′e A ɺ U i r be + (1 + β ) R ′e
《模电试题及答案》word版
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
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12讲
4、如图2（a）所示，电路的静态工作点从图2（b）中Q 移到Q1，则可能是（
C ）
图二 (a) 图二(b)
A b R 增大
B c R 减小
C c R 增大
5、若静态工作点在图2（b）中Q1 位置，其输出电压的波形将可能出现（B ）。
A. 截止失真
B. 饱和失真
C.交越失真
7、上限截止频率为1.5MHz，下限截止频率为100Hz 的两个相同的单级放大电路组成一个两级放大电路，这个两级放大电路的上、下限截止频率约为（C）。
A 2MHz，70Hz
B 1.5MHz，100Hz
C 1MHz，150Hz
11. 测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、−0.7V 和
−4.7V，则该管为（C ）。
A NPN 型锗管
B NPN 型硅管
C PNP 型硅管
12. 放大电路图6（a）的静态工作点Q 如图6（b），当温度升高时工作点Q 将( B )。
A 不改变
B 向Q1 移动
C 向Q2 移动
图6(a) 图6(b)
13 若静态工作点在图6（b）中Q2 位置，其输出电压的波形将可能出现（B ）。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
14、若出现上题中的失真，可通过（C ）来改善这种失真。
A 增大c R
B 增大b R
C 减小b R
17. 某放大电路的波特图如下图，则电路的中频电压增益和带宽分别为（A ）
A 103，104 Hz
B 60dB,105 Hz
C 60dB,1000Hz
20.单管共射放大电路的交、直流负载线如下图所示，则集电极负载电阻RC 和直流电源V CC 的值分别
为（ A ）。
A 2.5kΩ,10V
B 4kΩ,10V
C 10kΩ,4V
D 2.5kΩ,4V
22．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是( B )
A 耦合电容和旁路电容的影响
B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的非线性特性
D 放大电路的静态工作点设置不合适26．稳压管的稳压区是稳压管工作在( C )。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
27.如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状
态为( C )。
A.放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
31.单管共射放大电路的交、直流负载线在（B ）时重合。
A. R L=R C
B.R L=∞
C.R L=0.5 R C
35 下列关于半导体的说法正确的是（b）。
（a）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电（b）稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态（c）整流二极管和稳压二极管可以互换使用（d）以上说法都是错误的
38、射极输出器的主要特点是（b）
（a）电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
（b）电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
（c）电压放大倍数为0，输出电阻低，输入电阻高
40、从放大电路的幅频特性上看，低频段放大倍数的下降主要是受到（b）
(a)三极管级间电容的影响(b)耦合电容的影响(c)旁路电容的影响
41、判断题下图所示中哪个电路的晶体管可能工作在放大状态( b )。
（a）(b) (c)
42、单管放大电路的交、直流负载线的正确画法为下图中的（b ）
（a）(b) (c)
43、放大电路引负反馈后放大倍数下降，通频带增宽，增益-带宽积（c）A．增大B．减小C．不变
二、分析判断
1、判断下图中复合管的等效类型，是NPN 还是PNP，并说明①、②、③分别等效电极的电极（e、b、c）。
解：PNP,1——基极，2——发射极，3——集电极。
3、测得工作在放大电路中某晶体管的三个电极电流如下图所示，判断该三极管是NPN 还是PNP 型，估算晶体管的β值，以及①、②、③分别是哪个电极。
解：PNP 管；①-b，②-c，③-e；β=I C（除以）I
B=6（除以）0.1=60
2、二极管电路如下图（a）所示，设输入电压v ( 1) t 波形如图（b）所示，在0<t<5ms 的时间间隔内，试绘出v (0) t的波形，设二极管是理想的。
（a）（b）
5、电路如下图，运放是理想的，输入信号v i = 0.5sinωvt V，绘出输入、输出信号波形。
解：OA1电压跟随器; OA 2过零电压比较器 ;输入、输出波型如下：
四、分析计算
1、下图所示电路，晶体管的β＝100，r be = 2.73kΩ。
（1）求电路的静态工作
点；（2）画出放大电路的h 参数微变等效电路；（3）求R i，R o；（4）若电容C e 开路，则R i 是否发生变化？如何变化？
(2)
3、下图所示放大电路中，晶体管的β＝50，r be＝1KΩ，U BEQ＝0.7V；要求静
态时I CQ＝2mA，U EQ＝1V，U CQ＝4V，（1）估算R b、R c、R e 的值；（2）试画出放大电路的中频小信号等效电路；（3）设各电容的容量足够大，对交流信号可视为短路，Rl＝Rc求电路的放大倍数Av、输入电阻Ri、输出电阻R0。
5、下图为共发射极放大电路，己知V BE= 0.7V ，r be= 3kΩBE be 0.7 ,β=100,
(1) 估值静态工作点;(2) 画出H 参数小信号等效电路;(3) 求电压增益
，输入电阻i R 、输出电阻0 R ；(4) 如果e C 开路，V A 变为多少？
6、基本放大器如图所示，已知晶体管的β= 100，V BE(on) =0.7V，r bb‘=300Ω
，r ce可忽略，R E= 2.3KΩ，均可视为中频交流短路;（1）欲使I CQ = 1 mA,V CEQ= 6V，试确定R B1,R B2和R C的值；（2）试画出放大电路的中频小信号等效电路（3）设R L = 4.3KΩ，计算该放大器的中频增益
（4）隔直电容C1 和C2 使信号源内阻和负载电阻对电路偏置不产生影响；电容Ce 旁路R E 上的交流信号，
避免电压增益降低。
（5）R E 为直流反馈电阻，其作用是稳定I CQ，因此使用C e 将其交流短路。
7、在下图所示的电路中，BJT 的β=100，V BEQ=0.7V；且
V CC=V EE=15V，R b=100KΩ，R e1=160ΩR L=10KΩ。
电路中的C b1、C b2 和C e 的容抗可以忽略不计。
（1）为使集电极Q 点为（1.27mA，4.4V），设计计算R e2 和R c 的值；（2）计算电路的电压增益A v、输入电阻R i 和输出电阻R o。
8、电路如图，设运放是理想的，计算
13、画出能实现运算关系Y=3X1+2X2+X3 的运算电路。
第20讲
5、试求如图所示差动放大电路的差模输入电压和共模输入电压分别为多少。
T1 和T2 的低频跨导g m 均为1mA/V，且R E 用恒流源替代，计算其差模电压增益。
9、电路如图所示；（1）试说明T1和T2、T3和T4、T5以及T6分别组成什么电路？（2）若要求RL上电压的极性为上正下负，则输入电压UI的极性如何？
28讲
1、如图1 所示简化的高精度运放电路原理图，试分析：（1）T1 和T
2、T3 和T4 构成的电路
类型及其功能；（2）T4 的静态电流由谁提供？为多大？（3）当
V CC=15V、R L=8Ω、T10、T11 管的饱和压降U CES=2V 时，求电路的最大不失真输出功率；
（4）D1 与D2 的作用。
3如图3 所示稳压电源电路，A 为理想运放。
（1）绘制D1-D4 整流电路图；（2）指出复
合调整管T1-T2 的作用；（3）标定运放A 的两输入端口a、b，哪个是同相端，哪个是反相端；（4）当稳压管电压为6V 时，确定该电路稳压输出范围。
（3）b 是同相端， a 是反相端。
（4）8V-12V。
图4。