CMOS门电路工作原理介绍ppt课件
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
C
C
C1,C0 时,传输门导通。 C0,C1 时,传输门截止。
上页 下页 返回
21
第三节 CMOS门电路
利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种 复杂的逻辑电路, 如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。
用反相器和传输门构成异或门电路
A
B
TG1
A
Y
B
Y
TG2
YAB
22
上页 下页 返回
第三节 CMOS门电路
第三节 CMOS门电路
第三节 CMOS门电路
❖ MOS管的开关特性 ❖ CMOS反相器的工作原理 ❖ CMOS反相器的静态输入、输出特性 ❖ CMOS反相器的动态特性 ❖ 其他类型的CMOS门电路 ❖CMOS电路的正确使用
推出 下页 总目录
1
一、MOS管的开关特性
1. MOS管的结构和工作原理
-
S
上页 下页 返回
10
第三节 CMOS门电路
三、CMOS反相器的静态输入、输出特性
1. 输入特性 因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容,
绝缘介质又非常薄,极易被击穿,
所以必须采取保护措施。
输入保护电路
V DD
ຫໍສະໝຸດ Baidu
C1 T1
vI
RS
vO
C2
T2
输入保护电路
C1 RS
vI
C2
V DD
T1
vO
T2
CC400系列的输入保护电路
2)在VDD可能出现瞬时高电压时, 在CMOS电路的电源输入端加去耦电路。
3)当系统由几个电源分别供电时,
各电源的开关顺序必须合理。
28
上页 下页 返回
3)输入端接长线时,应在门电路的输入端接入保护电阻。
上页 下页 返回
27
第三节 CMOS门电路
3. CMOS电路锁定效应的防护 锁定效应或称为可控硅效应,
是CMOS电路中的一个特有问题。
发生锁定效应以后往往会造成器件的永久失效,
为防止发生锁定效应,可以采取以下防护措施:
1)在输入端和输出端设置钳位电路。
CMOS反相器的电路图
输入与输出之间为逻辑非的关系。
CMOS反相器的静态功耗极小
上页 下页 返回
7
第三节 CMOS门电路
2. 电压传输特性
vO
VDD A B
T1的开 启电压
1 2
V
D
D
VGH(th)N
VGH(th)P
T2的开 O 启电压
CD
1 2 V DD
VDD vI
CMOS反相器的电压传输特性
阈值电 压VTH
(1)CMOS与非门电路
VDD 当A,B两个输入端全为“1”时,
T3
T4
T1和T2都导通,T3和T4都截止,
Y 输出端为“0”。
T2
当输入端有一个或全为“0”时,
A
T1或T2(或都)截止,T3或T4 (或
都)导通 ,
B
T1
输出端Y为“1” 。
CMOS与非门
Y (AB)
缺点:1. 输入端的工作状态不同时影响电压传输特性。
Y
EN
总
DO
G1
DO / DI
D I
G2
线
上页 下页 返回
25
第三节 CMOS门电路
五、CMOS电路的正确使用
1. 输入电路的静电防护 为防止静电电压造成的损坏,应注意以下几点:
1)在存储和运输CMOS器件时,
不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装,
最好采用金属屏蔽层作包装材料。
2)组装、调试时,应使电烙铁和其他工具、仪表、
vI -
- D-S间相当于一个闭合的开关。
若参数选择合理
输入低电平时MOS管截止,输出高电平。
输入高电平时MOS管导通,输出低电平。
上页 下页 返回
5
第三节 CMOS门电路
4. MOS管的开关等效电路
D
D
G CI
G CI
RON
S
S
截止状态
导通状态
CI代表栅极的输入电容, CI的数值约为几皮法。
RON为MOS管导通状态下的内阻,约在1kΩ以内。
V DD
T2
VIH VDD
IOL
RL
V OL
iD 2
VOL
VDD=5V 10V 15V
O
IOL
CMOS反相器的低电平输出特性
上页 下页 返回
13
第三节 CMOS门电路
高电平输出特性 当输出为高电平时,工作状态如下图所示。
VIL 0
V DD T1
V OH
IOH
RL
15V10V VDD=5V
VOH VDD
Y (AB)
存在和与非门类似的问题。
17
上页 下页 返回
2.带缓冲级的CMOS门电路
第三节 CMOS门电路
电路构成: 在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器, 加进的这些反相器具有标准参数,所以称为缓冲器。 优点: 这些带缓冲级的门电路,其输出电阻和输出的高、 低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响, 电压传输特性的转折区也变得更陡。
三态输出的 CMOS反相器
V DD
EN
T1
A
Y
T2
第三节 CMOS门电路 动画
EN
A
Y
EN1时,输出呈现高阻态。
EN0时,反相器正常工作。
上页 下页 返回
24
第三节 CMOS门电路
用三态输出反相器接成 总线结构
EN1
A1
G1
总
EN 2
A2 G2
…
… …
线
EN n An Gn
用三态输出反相器实现 数据双向传输
上页 下页 返回
2
第三节 CMOS门电路
2. MOS管的输入特性和输出特性
iD/mA
iD/mA
iD
+
+
vDS
vGS -
-
共源接法
O
输出特性曲线
vGS=UT
vDS/V
O V G S ( th ) vGS/V
转移特性曲线
共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特 性曲线。
表示iD与vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。
4
恒流区 iD的大小基本上由vGS 决定,vDS的变化对iD 的影响很小。
上页 下页 返回
3. MOS管的基本开关电路
第三节 CMOS门电路
VDD RD +
当vI =vGS <vGS(th) 时, VOH ≈VDD , D-S间相当于一个断开的开关。
+
iD vO 当vI >vGS(th) 并继续升高, VOL ≈0,
11
74HC系列的输入保护电路 上页 下页 返回
输入特性曲线
iI
第三节 CMOS门电路 iI
-0.7V O
VDD+0.7V vI
-0.7V O
VDD+0.7V vI
CC400系列的输入特性
74HC系列的输入特性
上页 下页 返回
12
2. 输出特性
第三节 CMOS门电路
低电平输出特性 当输出为低电平时,工作状态如下图所示。
上页 下页 返回
6
第三节 CMOS门电路
二、CMOS反相器的电路结构和工作原理
1. 电路结构
V DD
T1
iD
当vI = VIL= 0时,T1导通,T2截 止,输出为高电平VOH ≈ VDD 。
vI
v O 当vI = VIH= VDD 时, T2导通,
T 2 V SS
T1截止,输出为低电平VOL ≈ 0。
AB段: T1导通, T2截止, VO = VOH ≈ VDD。
CD段: T2导通, T1截止, VO = VOL ≈ 0。
BC段: T1 、T2同时导通, 为转折区。
上页 下页 返回
8
3. 电流传输特性
iD
V G S(th)N
VGS(th)P
AB
CD
O
1 2
V
D
D
v V D D
I
第三节 CMOS门电路
O IOH CMOS反相器的高电平输出特性
上页 下页 返回
14
第三节 CMOS门电路
四、其他类型的CMOS门电路
1.其他逻辑功能的CMOS门电路
在CMOS门电路的系列产品中, 除反相器外常用的还有: 与非门、或非门、与门、 或门、与或非门、异或门等几种。
上页 下页 返回
15
第三节 CMOS门电路
线与连接方法
Y1 VDD
RL
Y
A B
Y2
A
B
VDD
G1 Y1 G2 Y2
RL Y
线与逻辑符号
Y (AB)
(A B )(C D ) (A B C D )
上页 下页 返回
20
第三节 CMOS门电路
4. CMOS传输门和双向模拟开关
C
C
V DD
T2
vI / vO T 1
v O / v I v I / v O TG v O / v I
AB段:T2截止 漏极电流几乎为0
CD段:T1截止 漏极电流几乎为0
BC段: 阈值电压附近 电流很大
CMOS电路不应长时间工作在BC段。
上页 下页 返回
9
4. 输入噪声容限
vO
V NL V N L V N H
0
第三节 CMOS门电路
VDD=15V VDD=10V
V NH
I
适当提高VDD,可提高CMOS反相器的输入噪声容限。
vGS
vDS +
G
+ iD
D
N+
N+
G
P型衬底(B)
第三节 CMOS门电路
D B
S
当vDS> 0,但 vGS= 0 时,D-S间不导通, iD= 0 。
当vDS> 0, 且vGS> vGS(th) (MOS管的开启电压)
时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。 这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有 iD流通。
工作台台面等良好接地。
操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。
3)不用的输入端不应悬空。
26
上页 下页 返回
2. 输入电路的过流保护
第三节 CMOS门电路
由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限, 所以在可能出现较大输入电流的场合, 必须采取以下保护措施: 1)输入端接低内阻信号源时, 应在输入端与信号源之间串进保护电阻, 保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超过1mA。 2)输入端接有大电容时, 应在输入端和电容之间接入保护电阻。
上页 下页 返回
3
iD/mA 可变
电阻区
恒流区
O 截止区
输出特性曲线
vGS=UT vDS/V
第三节 CMOS门电路
漏极特性曲线分为三 个工作区。
截止区 VGS VGS(th) 漏极和源极之间 没有导电沟道, iD≈0。
可变电阻区 当vGS一定时,iD与vDS之比 近似等于一个常数,具有类 似于线性电阻的性质。
2. 输出的高、低电平受输入端数目的影响。
3. 它的输出电阻受输入状态的影响。 上页 下页 返回
16
第三节 CMOS门电路
(2)CMOS“或非”门电
路
VDD
B
T4 当A,B两个输入端全为“1”
A
或 其中一个为“1”时,
T3
输出端为“0”。
Y
T1
T2 只有当输入端全为“0”时,
输出端才为“1”。
CMOS或非门
传输门的另一个用途是作模拟开关,用来传输连续 变化的模拟电压信号。
C
vI / vO
TG v O / v I
C
vI / vO
SW v O / v I
C
vI
SW v O
RL
模拟开关的导通内阻为RTG。 C=0时开关截止。
23
C=1时开关接通。
vO
RL
RL RTG
vI
上页 下页 返回
5. 三态输出的 CMOS门电路
上页 下页 返回
18
第三节 CMOS门电路
3. 漏极开路的门电路(OD门)
VDD1
VDD2
RL
CC40107
A B
Y
A
B
Y (AB)
VSS
用途:输出缓冲/驱动器;输出电平的变换; 满足大功率负载电流的需要;实现线与逻辑。
上页 下页 返回
19
第三节 CMOS门电路
G1
A B
G2
C D
Y Y1 Y2