模拟电子技术 习题解答1
(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
网络教育期末考试模拟电子技术 1答案
模拟电子技术-2005-0001 (题目数量：42 总分：100.0)1.单选题(题目数量：16 总分：48.0)1. 互补输出级采用射极输出方式是为了使A.电压放大倍数高B.C.D.带负载能力强答案: A2. 某放大电路如图所示，已知三极管的，电容C1, C2 和Ce对交流视为短路,则该放大电路的组态为（D）A.共射B.共集C.共基D.选项都不是答案:D3. 为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。
A.电压B.电流C.串联D.并联答案: 电压4. 某放大电路如图所示，已知三极管的，电容C1, C2 和Ce对交流视为短路，该放大电路的电压放大倍数约为（D）A.92B.-92C.100D.选项都不对答案:D5. 功率放大电路的转换效率是指（）A. B. C. D.都不对答案: 最大输出功率与电源提供的平均功率之比6. 电路如图3所示，电阻R B1=120K，R B2=80K，Re=2K，R L=3K；晶体管T的β=50，r bb’=0，V BE=0.7V，r ce=∞, V CE(sat)=0.2V，该放大电路的输出电阻为（）A.3KB.24.5C.1.2KD.都不对答案:B7. 电路如图1所示，电路的反馈系数为A.10B.9C.1D.0.1答案: C8. 电路如图1所示，该电路开环传函引入的负反馈类型为A.电压串联B.电流并联C.电压并联D.电流串联答案:A9. 电路如图2所示，说法正确的是（）：A.电路不能放大B.电路可以放大C.去掉R1就可以放大。
D.选项都不对答案:D10. 电路如图1所示，运放为单极点，开环增益为105，带宽为10Hz，则该放大电路的带宽为A.105B.106C.10D.104答案:B11. 电路如图1所示，电路的电压放大倍数为A.-9B.9C.10D.-10答案:C12. 若图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES│，则最大输出功率P OM=A. B. C. D.都不对答案:C13. 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为A. B. C. D.都不对答案:A14. 如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A.击穿B.电流为0C.电流过大使管子烧坏D.正常导通答案:D15. 电路如图所示，输入信号为正弦波，当幅度逐渐增大，首先出现波形的（）失真。
模拟电子技术——第1章习题及答案
思考与习题11.1填空题1.Si或载流子；另一类是在Si或Ge是多数载流子，___单向导电性___3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______限流。
5.，其反向，正常工作电流为6.7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。
8.11.12.13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于16.W7805的输出电压为 5 V17.1.1 选择题1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C）A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。
（C）A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。
（A）A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成C ．少数载流子扩散形成D ．少数载流子漂移形成4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
（ C ）A ．大于 变宽 B. 小于 变窄C. 大于 变窄D. 小于 变宽5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。
A ．0V 电压B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降6.二极管的反向电阻（ B ）。
A ．小B ．大C ．中等D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。
（ C ）A. 正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A )A.24VB.18VC.9VD.28.2V10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。
《模拟电子技术基础》A卷及答案[1]
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一、选择题1.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；A、电流负反馈B、电压负反馈C、直流负反馈D、交流负反馈2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真，下半周失真时为____ A ____失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____A、5vB、9vC、12vD、8v4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
A、βB、β2C、2βD、1+β5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是____C____。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可6.集成运放的互补输出级采用 B 。
A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。
A、正向导通B、反向截止C、饱和D、反向击穿8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。
A、放射结正偏，集电极正偏B、放射结正偏，集电极反偏C、放射结反偏，集电极正偏D、放射结反偏，集电极反偏9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为 A 。
A、60B、61C、100D、5010.射极输出器的特点是 C 。
A、。
uA＜1，输入电阻小，输出电阻大B、。
uA＞1，输入电阻大，输出电阻小C、。
uA＜1且。
uA≈1，输入电阻大，输出电阻小D、。
uA＞1，输入电阻小，输出电阻大11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压稳定12.对于结型场效应管，当| u GS | ＞ | U GS （off ） | 时，管子一定工作在 C 。
A 、恒流区B 、可变电阻区C 、截止区D 、击穿区13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。
A 、AF=1B 、1-=。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
模拟电子技术习题1及答案
习题1 解答1.1填空题(1) 电力系统的主要作用是实现 的生产、变换、传输、分配和使用。
（2）电子系统的主要作用是实现 的产生、获取、放大、变换、传输、识别和应用等功能。
（3）信号幅度与频率的关系称为 ，信号相位与频率的关系称为 ，它们统称为信号的频谱。
（4）如果周期信号)(t v 满足 ，则可表达为正弦级数。
（5）周期电压的有效值的平方等于直流分量有效值、 、各次谐波有效值的平方和。
（6）如果非周期信号绝对可积，则存在 。
（7） 是由若干互相联接和相互作用的基本电子电路组成的、实现特定功能的电路整体。
(8) 电子学或电子技术是一门研究 、 及其应用的科学和技术。
(9) 目前，集成电路上所能容纳的晶体管数量每 将翻一番。
答案：（1）电能 （2）电信号 （3）幅度频谱；相位频谱 （4）狄里赫利条件（5）基波有效值(6) 傅里叶变换对。
(7) 电子系统（8）电子器件；电子电路（9）1.5年-2年1.2 电子系统的功能是（ ）。
A ．电能传输 B.电信号处理 C.能量转换答案： B1.3 多项选择题（1） 下面选项中，（ ）是电力系统的组成部分。
A.发电厂B.输电网C.配电网D.电力用户E.无线电发射机（2）下面选项中，（ ）可能是电子系统的组成部分。
A.传感器B.滤波器C.放大器D.信号运算电路（3）电子系统处理的信号是（ ）。
A.电压B.电流C.力D.位移E.速度（4）下面选项中，（ ）是模拟信号。
A.正弦波电压B.三角波电流C.矩形波电压（5）模拟信号处理操作包括下述哪些选项（ ）。
A.信号放大 B.信号运算 C.逻辑运算 D.频谱变换 答案：（1） ABCD （2）ABCD （3）AB （4）AB （5） ABD1.4判断题：判断下列陈述是否正确。
（1）传感器将非电信号转换为电信号（电压或电流）。
（2）模拟电路处理数字信号。
答案：（1）正确 （2）错误1.5问答题（1） 何谓信号？信号包含的重要信息是什么？解答：信号是随时间变化的某种物理量，是信息的表现形式与传送载体。
模拟电子技术习题解1
外加电压的正、负极分别接PN结的P、N区——正向偏 置，简称正偏；
反之，则为反偏。
14
第3章 二极管及其基本电路 3.2.3 PN结二极管处于反向偏置时，耗尽区的的宽度是增加 习 还是减少，为什么？
题 解 答 │ │ 模 拟 电 子 技 术
外加电场使得P、N两区中的多数载流子进一步离开PN结， 耗尽区的的宽度增加。 3.2.4 PN结的单向导电性在什么外部条件下才能显示出来？
解 整流电流大， PN结导通功耗大；超过“最高反向工作电压”， 答 可能发生反向击穿，反向电流剧增， PN结功耗大。——管子 │ 发热，过热烧毁 │ 模 3.3.3 比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中，为什 拟 电 么硅二极管应用得较普遍？ 子 硅管：导通压降大，耐压可以做得很高，电流容量大。自 技 然界中，硅元素多，容易得到。 术
外加电压时。
3.2.5 PN结的电容效应是怎样产生的？ PN结外加电压变化，将引起PN结耗尽层内的空间电荷量 和耗尽层外的载流子数量的变化——电容效应。是扩散电 容和势垒电容的综合反映。
15
第3章 二极管及其基本电路 3.3.1 为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大 习 题 整流电流和最高反向工作电压？
2.4.5 同相输入加法电路如图题2.4.5a、b所示。（1） 求图a中输出电压vo表达式。当所有电阻值都相同时， vo=？（2）求图b中输出电压vo表达式。当所有电阻值 都相同时，vo=？
解： （1）
12
第3章 二极管及其基本电路
习 题 解 答 │ │ 模 拟 电 子 技 术
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
解： （1）由“虚短”概念，有vn=vp=vi=0.8V，则
《模拟电子技术基础》习题答案
第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础学习指导与习题解答第一章
第一章思考题与习题解答1-1 名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。
解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。
例如硅(Si)和锗(Ge)，这两种半导体材料经常用来做晶体管。
载流子——运载电流的粒子。
在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。
空穴——硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。
最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。
当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。
空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。
自由电子——位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。
本征半导体——不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。
杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。
N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P)，就形成含有大量电子的N型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称N型半导体。
P型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B)，就形成含大量空穴的P型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称P型半导体。
PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为PN结。
1-3 选择填空(只填a、b…以下类同)(1)在PN结不加外部电压时，扩散电流漂移电流。
(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
(a1.大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。
(a2.变宽，b2.变窄，c2.不变)(3)当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章半导体基础知识自测题一、 (1)v (2)X( 3)v (4)X ( 5)v(6)X二、 (1) A(2) C( 3) C(4) B ( 5) AC三、 U oi 〜1.3V U O 2= 0 U 031.3V U O4〜2V U O 5~ 2.3V U O 6~— 2V 四、 U OI = 6V U 02 = 5V五、 根据 P CM = 200mW 可得：U CE = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 I C ~6.67mA , U CE =20V 时I c = 10mA , U CE = 10V 时I C = 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图 略。
六、1、VBB U BER bI C I B 2.6mAU CE V CC I C R C 2VU O = U CE = 2V 。
2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ，所以I B 上28.6讥甩止蚯45.4kI B七、T 1 :恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1 (1) A C(2) A( 3) C( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而 烧坏。
1.3 U i 和u o 的波形如图所示。
V CCU CESC 2.86mA1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 U o 的波形如图所示。
1.6 I D =( V — U D ) /R =2.6mA ,U T /I D = 10Q, l d = U i /r D ~ 1mA 。
1.7 (1 )两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM = P ZM /U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 〜1.2k Q o1.9(1 )当U I = 10V 时，若U O = U Z = 6V ，则稳压管的电流为 4mA ，小于其最小稳定 电流，所以稳压管未击穿。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
图 Pl.14
(a)
(b)
解图 Pl.14
8
解： 在场效应管的恒流区作横坐标的垂线 (如解图 Pl.14 (a)所示 ),读出其与各条曲 线交点的纵坐标值及 u G S 值，建立 i D f ( uG S ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移 特性曲线，如 解图 Pl.14 (b) 所示。
1.15 电路如 图 P1.15 所示，T 的输出特性如 图 Pl.14 所示 ,分析当 u I =4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
因此， u GD u GS u DS
2V ，小于开启电压，
说明假设成立，即 T 工作在恒流区。
当 u I =12V 时，由于 V DD 12V ，必然使 T 工作在可变电阻区。
图 Pl.15
l.16 分别判断 图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a)
(b)
(c)
图 P1.16
其动态电阻 : rD U T / I D 10
故动态电流的有效值： I d U i / rD 1m A
图 P1.4
1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 (1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
U I 15V 时， U O
RL
UI
R RL
5V ；
图 Pl.6
U I 35 V 时， U O
RL
UI
R RL
11.7 V
U Z ，∴ U O U Z 6V 。
0.1 (2) 当负载开路时， I Z
UI UZ R
29 mA I Z max
1模拟电子技术基础(附答案)
第一章半导体二极管和三极管第一部分客观题1、正偏二极管端电压增加5％，通过二极管的电流（）。
A 增大约5％B 增大小于5％C 增大大于5％D 基本不变。
图1-12、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。
当图中电源电压E加倍时，RD会（）。
A 加倍B 变大C 不变D 变小3、工作在放大区的某三极管，如果当从12增大到22时，从1变为2，那么它的约为（）。
A 70B 83C 91D 1004、在本征半导体中加入（）元素可以形成N型半导体。
A 五价B 四价C 三价D 二价5、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
A 前者正偏、后者正偏B 前者正偏、后者反偏C 前者反偏、后者正偏D 前者反偏、后者反偏6、稳压管的稳压区是其工作在（）A 正向导通B 方向截止C 反向击穿7、关于晶体管特性曲线的用途，下述说法中的（）不正确。
A. 判断BJT的质量B. 估算BJT的一些参数C. 计算放大电路的一些指标D.分析放大器的频率特性8、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）9、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA，IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。
（）13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。
（）14、放大区IC IB。
因>>1, 故BJT适于电流放大，不适于作电压放大。
（）15、放大管集电结反向电压增大，会使集电极电流iC 增大，这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。
（）16、PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用，BJT仍然能正常放大信号。
（）17、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 新
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步)习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V<<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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R1＝1kΩ，故R5至少应取10.3 kΩ。
§9 功率放大电路
9.11 在图P9.11所示电路中，已知VCC＝15V，T1和T2管的饱和管压降 │UCES│＝1V，集成运放的最大输出电压幅值为±13V，二极管的导 通电压为0.7V。
（1）若输入电压幅值足够大，则电路的最大输出功率为多少？
（2）为了提高输入电阻，稳定输出电压，且减小非线性失真，应引入 哪种组态的交流负反馈？画出图来。 （3）若Ui＝0.1V时，UO＝5V，则反馈网络中电阻的取值约为多少？
§8 波形的发生和信号的转换
8.4 判断图P8.4所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简 述理由。设图（b）中C4容量远大于其它三个电容的容量。
图P8.4
解：图（a）所示电路有可能产生正弦波振荡。因为共射放大 电路输出电压和输入电压反相（φA＝－180˚），且图中三级 移相电路为超前网络，在信号频率为0到无穷大时相移为＋ 270˚～0˚，因此存在使相移为＋180˚（φF＝＋180˚）的频率， 即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f0 （此时φA＋φF＝0˚）； F A 且在f＝f0时有可能满足起振条件 ＞1，故可能产生正弦波 振荡
二、电路如图T9.2所示，已知T1和T2的饱和管压降│UCES│＝2V，直流功耗 可忽略不计。回答下列问题： （1）R3、R4和T3的作用是什么？
（2）负载上可能获得的最大输出功率Pom和电路的转换效率η各为多少？
（3）设最大输入电压的有效值为1V。为了使电路的最大不失真输出电压 的峰值达到16V，电阻R6至少应取多少千欧？
R1 R2 R3 R1 R2 R3 U Z U O U Z R2 R3 R3
§10 直流电源
10.18 试分别求出图P10.18所示各电路输出电压的表达式。
解：在图（a）所示电路中，W7812的输出为UREF，基准电压 输出电压的表达式
R2 UR U REF R1 R2
R1 R2 uP uO U REF u N u I R1 R2 R1 R2 求出阈值电压 UT1＝0 V,UT2＝4 V其电压传输特性如解图P8.14（c）所 示。 图（d）所示电路为同相输入的滞回比较器，uO＝±UZ＝±6V。令
R2 R1 uP uI u O1 u N 3V R1 R2 R1 R2
图T9.2
§9 功率放大电路
解：
（1）消除交越失真。 （2）最大输出功率和效率分别为
Pom (VCC U CES ) 2 2 RL 16W π VCC U CES 69.8% 4 VCC
（3）电压放大倍数为
U omax 11.3 A u 2U i 1 R6 11.3 A u R1
§8 波形的发生和信号的转换
图（b）所示电路有可能产生正弦波振荡。因为共射放大电路输 出电压和输入电压反相（φA＝－180˚），且图中三级移相电路为 滞后网络，在信号频率为0到无穷大时相移为0˚～－270˚，因此 存在使相移为－180˚ （φF＝－180˚）的频率，即存在满足正弦波 振荡相位条件的频率f0（此时φA＋φF＝－360˚）；且在f＝f0时有 ，故可能产生正弦波振荡。 A F 可能满足起振条件 ＞1
§8 波形的发生和信号的转换
8.10 分别判断图P8.10所示各电路是否满足正弦波振荡的 相位条件
√
××Biblioteka √§8 波形的发生和信号的转换
8.14 试分别求解图P8.14所示各电路的电压传输特性。
图P8.14
§8 波形的发生和信号的转换
解：图（a）所示电路为单限比较器，uO＝±UZ＝±8V，UT＝－3V， 其电压传输特性如解图P8.14（a）所示。 图（b）所示电路为过零比较器，UOL＝－UD＝－0.2V，UOH＝＋UZ ＝＋5V，UT＝0V。其电压传输特性如解图P8.14（b）所示。 图（c）所示电路为反相输入的滞回比较器，uO＝±UZ＝±6V。令
习题解答
第十章 第九章 第八章 直流电源 功率放大电路 波形的发生和信号的转换
§10 直流电源
六、电路如图T10.6所示。合理连线，构成5V的直流电源。
图T10.6
解：1接4，2接6，5接7、9，3接8、11、13，10接12。 如解图T10.6所示。
解图T10.6
§10 直流电源
10.3 选择合适答案填入空内。 （1）整流的目的是 。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 √ C. 将正弦波变为方波 （2）在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则 。 A. 输出电压约为2UD B. 变为半波直流 C. 整流管将因电流过大而烧坏 √ （3）直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 √ （4）滤波电路应选用 。 A.高通滤波电路 √ B. 低通滤波电路 C. 带通滤波电路 10.4（2）串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 。 A. 基准电压 B. 采样电压 √ C. 基准电压与采样电压之差
R1＝1 kΩ，所以Rf ≈49 kΩ。
§8 波形的发生和信号的转换
自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。 （1）在图T8.1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时， 电路才能产生正弦波振荡。（ ）
图T8.1
（2）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（ ） （3）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（ ） （4）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。（ ）
得出阈值电压 U T1 1.5V 其电压传输特性如解图P8.14（d）所示。
U T2 7.5V
§8 波形的发生和信号的转换
图（e）所示电路为窗口比较器，uO＝±UZ＝±5V，±UT＝±3V，其 电压传输特性如解图P8.14（e）所示。
解图P8.14
图P9.11
§9 功率放大电路
解：（1）输出电压幅值和最大输出功率分别为
uOmax 13V (uOmax 2 )2 Pom 10.6W RL
（2）应引入电压串联负反馈，电路如解图P9.11所示。
解图P9.11
（3）在深度负反馈条件下，电压放大倍数为
U R Au o 1 f U R1 i U Au o 50 U i
§10 直流电源
10.15 直流稳压电源如图P10.15所示。 （1）说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、 比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成。
（2）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。写出输出电压的 表达式。
图P10.15
§10 直流电源
解：
（1）整流电路：D1～D4；滤波电路：C1；调整管：T1、T2；基 准电压电路： R '、D'Z、R'、DZ；比较放大电路：A；取样电路： R1、R2、R3。 （2）为了使电路引入负反馈，集成运放的输入端上为“-”下为 “ +” 。 （3）输出电压的表达式为
解：（1）√ （2）×
（3）×
（4）×
§8 波形的发生和信号的转换
习 题 8.1 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。 （1）在图T8.1所示方框图中，产生正弦波振荡的相位条件是φF＝φA。（ ） （2）因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的φF＝0°，单管共集放大 电路的φA＝0°，满足正弦波振荡的相位条件φA＋φF＝2nπ（n为 整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。（ ） （3）在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为 R，电容均为C，则其振荡频率f0＝1/RC。（ ） F ＝1 ，就一定会产生正弦波振荡。（ ） （4）电路只要满足 A （5）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（ ）
R3 R4 R5 R R4 R5 U R U O 3 U R R3 R4 R3
§10 直流电源
在下图所示电路中，调整管为 ，采样电路由 组成， 基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电 路由 组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表 达式为 。
。
解：T1，R1、R2、R3，R、DZ，T2、Rc，R0、T3；
R1 R2 R3 R R2 R3 (U Z U BE2 )， 1 (U Z U BE2 ) R2 R3 R3
§9 功率放大电路
自 测 题 一、选择合适的答案，填入空内。只需填入A、B或C。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时， 输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。 A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率 √ （2）功率放大电路的转换效率是指 。 A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 √ C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中 功放管的集电极最大功耗约为 。 A．1W B．0.5W C．0.2W √ （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。 A．β B．ICM C．ICBO D．U(BR)CEO E．PCM F．fT √
√
√
§9 功率放大电路
（5）若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为 │UCES│，则最大输出功率POM＝ 。
(V U CES ) A． CC 2 RL
2
1 ( VCC U CES ) 2 B． 2 RL
√ C．
1 ( VCC U CES ) 2 2 2 RL
图T9.1
§9 功率放大电路
解：（1）√ （2）× （3）× （4）× （5）×
§8 波形的发生和信号的转换
8.2 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。 （1）只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。（） （2）当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（） （3）一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅 仅引入了正反馈。（） （4）如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当 它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。（） （5）在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器和滞回比 较器的输出电压均只跃变一次。（） （6）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵 敏度高。（） 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）× （5）√ （6）×