★★硅胶类固晶胶使用方法及电极污染原理分析
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金Pad污染发生原理
非反应性低分子
反应性低分子
非反应性低分子
反应性低分子
初期污染
LED芯片
基板
LED芯片
基板 金Pad
固晶材料
固晶材料
金Pad
金Pad没有收到初期污染（有机物）的情况下， 非反应性低分子不会发生附着。
Shin-Etsu Confidential
金Pad有发生初期污染（有机物）的情况 下，反应性低分子会发生附着现象。
固化条件 挥发量
（标准）100℃/1hr＋150℃/2hr
室温→170℃＋170℃/1hr 120℃/1hr＋170℃/1hr 150℃/1hr＋170℃/1hr
0.50%
0.28% 0.28% 0.19%
170℃/2hr
0.15%
※①150℃/1hr＋170℃/1hr、或②170℃/2hr的固化条件可以减少挥 发量。
Shin-Etsu Confidential 10
金Pad污染解决方法（３） ～固定芯片后，进烤前做等离子清洗
金Pad污染的诱发原因是金Pad在初期就已经收到了有机物的污染。 在固定LED芯片后，进行烘烤钱，做等离子清洗的话可以防止污染发生。
初期污染
LED芯片 基板 固晶材料
等离子清 洗
烘烤
LED芯片 基板
2013.10
硅胶类固晶材料的使用方法
～金Pad污染原因及解决方法～
信越化学工業株式会社 シリコーン事業本部営業第4部 シリコーン電子材料技術研究所第2部
Shin-Etsu Confidential 1
内容
硅胶类固晶材料使用方法及金Pad污染
固晶材料的挥发成分及金Pad上的污染物
金Pad的污染原理考察方法
8
金Pad污染解决方法（１）～固化设备
附着在金Pad上的污染物质为反应性低分子，可以通过降低固化设备内的低分 子浓度来防止金Pad收到污染。
使用热风循环式烤箱。 烤箱设定为“打开风档”。（排气设备排気設備（风道）设定。）
减少放入烤箱中的LED数量。 使用有缝隙空间的烤架。（考虑到通气性。） 缩短固晶工序与进烤之间的等待时间。
Shin-Etsu Confidential
9
金Pad污染解决方法（２）～固化温度变更
由于附着在金Pad上的污染物质为反应性低分子、所以可以通过提高烘烤温度 在减少挥发量，从而防止（或抑制）污染情况发生。另外，从室温升温到高温的 情况下，建议缩短升温时间。
＜固化条件及挥发量的关系＞ KER-3000-M2的加热固化时的重量减少数据。（样品量：1.0ｇ）
初期污染
低分子污染
烘烤
LED芯片 基板 固晶材料 LED芯片 基板
等离子清 洗
金Pad
固晶材料
金Pad
Shin-Etsu Confidential
12
Shin-Etsu Confidential
13
約0.3～0.4%
＜金Pad上的污染物质＞ 低分子附着情况。
挥发物质
非反应性低分子（Dn） 反应性低分子
Shin-Etsu Confidential
金Pad上的附着情况
无 有
7
金Pad的污染原理
金Pad的污染是伴随在LED芯片的种类或不同批号上发生的。 此外，从金Pad的探针部位上无发生污染物附着现象来判断可知，硅胶污染为 金Pad的初期污染（有机物）的诱发现象。
金Pad
固晶材料
金Pad
※通过等离子清洗，金Pad被洗净之外， 固晶材料表面也会形成皮膜，可以抑制 挥发成分。
Shin-Etsu Confidential
11
金Pad污染解决方法４） ～固晶材料固化后的等离子清洗
要除去反应性低分子的污染，进行等离子清洗是有效的方法。 ※但是如果附着量过多，则有可能难以彻底清洗干净。
3
※硅胶并无附着在干净的Au部位。但是，在 被C、O元素的有机物所污染了的Au部位却 容易发生硅胶附着的现象。
Shin-Etsu Confidential
Point-3 プローブテスト跡
5
金Pad污染物的构造分析～显微拉曼分析
在污染物上检出了KER-3000-M2的组成成分的SiH的反应性低分子。 污染化合物与非反应性的低分子（Dn）不一样。
Shin-Etsu Confidential
4
金Pad污染物元素分析～EDX分析
在污染物上检出了Si, O, C元素，由此可知附着物为硅胶类物质。 在金Pad无附着物区域上检出了Au外加少量的Si, O, C元素。 在探针覆盖区域并未检出Si, O, C元素。（只检测出Au元素。）
＜EDX分析結果＞
6
固晶材料的挥发成分及金Pad上的污染物质
＜加热固化时的挥发量＞ KER-3000-M2加热固化时重量减少数据。（样品量：1.0ｇ）
固化条件 100℃/1hr＋150℃/2hr 挥发量 0.50%
＜挥发物质＞ 加热固化时的挥发成分数据。
挥发物质 非反应性低分子（Dn） 挥发量 约0.1～0.2%
反应性低分子
金Pad：无污染
Shin-Etsu Confidential
金Pad：有污染物附着
3
金Pad污染物的状态观察～SEM分析
如下面照片所示，金Pad的污染程度不一。 虽然在金Pad上几乎都覆盖有附着物，但是在探针覆盖位置上并无污染物附 着在上面。
＜SEM分析结Hale Waihona Puke Baidu＞
无附着物的 区域
附着物
探针覆盖区 域(无附着 物)
＜显微拉曼分析结果＞
1400
CH
1200
1000 Intensity (a.u.)
SiH
800
600
Ref.) 反应性低分子
400
200
Ref.) 非反应性低分子（Dn）
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 Wavenumber (cm-1)
Shin-Etsu Confidential
金Pad污染解决方法
Shin-Etsu Confidential
2
硅胶类固晶材料使用方法及金Pad污染
＜使用方法＞（以KER-3000-M2为例） 把硅胶类固晶材料KER-3000-M2涂布于基板上后进行固晶，并用100℃/1hr ＋150℃/2hr的条件进行加热固化。 ＜关于金Pad污染＞ 在使用不同种类(或不同批号)的LED芯片时，固晶材料在固化的过程中，在金 Pad上有客户会发生有污染物附着，导致无法打金线的不良情况。
非反应性低分子
反应性低分子
非反应性低分子
反应性低分子
初期污染
LED芯片
基板
LED芯片
基板 金Pad
固晶材料
固晶材料
金Pad
金Pad没有收到初期污染（有机物）的情况下， 非反应性低分子不会发生附着。
Shin-Etsu Confidential
金Pad有发生初期污染（有机物）的情况 下，反应性低分子会发生附着现象。
固化条件 挥发量
（标准）100℃/1hr＋150℃/2hr
室温→170℃＋170℃/1hr 120℃/1hr＋170℃/1hr 150℃/1hr＋170℃/1hr
0.50%
0.28% 0.28% 0.19%
170℃/2hr
0.15%
※①150℃/1hr＋170℃/1hr、或②170℃/2hr的固化条件可以减少挥 发量。
Shin-Etsu Confidential 10
金Pad污染解决方法（３） ～固定芯片后，进烤前做等离子清洗
金Pad污染的诱发原因是金Pad在初期就已经收到了有机物的污染。 在固定LED芯片后，进行烘烤钱，做等离子清洗的话可以防止污染发生。
初期污染
LED芯片 基板 固晶材料
等离子清 洗
烘烤
LED芯片 基板
2013.10
硅胶类固晶材料的使用方法
～金Pad污染原因及解决方法～
信越化学工業株式会社 シリコーン事業本部営業第4部 シリコーン電子材料技術研究所第2部
Shin-Etsu Confidential 1
内容
硅胶类固晶材料使用方法及金Pad污染
固晶材料的挥发成分及金Pad上的污染物
金Pad的污染原理考察方法
8
金Pad污染解决方法（１）～固化设备
附着在金Pad上的污染物质为反应性低分子，可以通过降低固化设备内的低分 子浓度来防止金Pad收到污染。
使用热风循环式烤箱。 烤箱设定为“打开风档”。（排气设备排気設備（风道）设定。）
减少放入烤箱中的LED数量。 使用有缝隙空间的烤架。（考虑到通气性。） 缩短固晶工序与进烤之间的等待时间。
Shin-Etsu Confidential
9
金Pad污染解决方法（２）～固化温度变更
由于附着在金Pad上的污染物质为反应性低分子、所以可以通过提高烘烤温度 在减少挥发量，从而防止（或抑制）污染情况发生。另外，从室温升温到高温的 情况下，建议缩短升温时间。
＜固化条件及挥发量的关系＞ KER-3000-M2的加热固化时的重量减少数据。（样品量：1.0ｇ）
初期污染
低分子污染
烘烤
LED芯片 基板 固晶材料 LED芯片 基板
等离子清 洗
金Pad
固晶材料
金Pad
Shin-Etsu Confidential
12
Shin-Etsu Confidential
13
約0.3～0.4%
＜金Pad上的污染物质＞ 低分子附着情况。
挥发物质
非反应性低分子（Dn） 反应性低分子
Shin-Etsu Confidential
金Pad上的附着情况
无 有
7
金Pad的污染原理
金Pad的污染是伴随在LED芯片的种类或不同批号上发生的。 此外，从金Pad的探针部位上无发生污染物附着现象来判断可知，硅胶污染为 金Pad的初期污染（有机物）的诱发现象。
金Pad
固晶材料
金Pad
※通过等离子清洗，金Pad被洗净之外， 固晶材料表面也会形成皮膜，可以抑制 挥发成分。
Shin-Etsu Confidential
11
金Pad污染解决方法４） ～固晶材料固化后的等离子清洗
要除去反应性低分子的污染，进行等离子清洗是有效的方法。 ※但是如果附着量过多，则有可能难以彻底清洗干净。
3
※硅胶并无附着在干净的Au部位。但是，在 被C、O元素的有机物所污染了的Au部位却 容易发生硅胶附着的现象。
Shin-Etsu Confidential
Point-3 プローブテスト跡
5
金Pad污染物的构造分析～显微拉曼分析
在污染物上检出了KER-3000-M2的组成成分的SiH的反应性低分子。 污染化合物与非反应性的低分子（Dn）不一样。
Shin-Etsu Confidential
4
金Pad污染物元素分析～EDX分析
在污染物上检出了Si, O, C元素，由此可知附着物为硅胶类物质。 在金Pad无附着物区域上检出了Au外加少量的Si, O, C元素。 在探针覆盖区域并未检出Si, O, C元素。（只检测出Au元素。）
＜EDX分析結果＞
6
固晶材料的挥发成分及金Pad上的污染物质
＜加热固化时的挥发量＞ KER-3000-M2加热固化时重量减少数据。（样品量：1.0ｇ）
固化条件 100℃/1hr＋150℃/2hr 挥发量 0.50%
＜挥发物质＞ 加热固化时的挥发成分数据。
挥发物质 非反应性低分子（Dn） 挥发量 约0.1～0.2%
反应性低分子
金Pad：无污染
Shin-Etsu Confidential
金Pad：有污染物附着
3
金Pad污染物的状态观察～SEM分析
如下面照片所示，金Pad的污染程度不一。 虽然在金Pad上几乎都覆盖有附着物，但是在探针覆盖位置上并无污染物附 着在上面。
＜SEM分析结Hale Waihona Puke Baidu＞
无附着物的 区域
附着物
探针覆盖区 域(无附着 物)
＜显微拉曼分析结果＞
1400
CH
1200
1000 Intensity (a.u.)
SiH
800
600
Ref.) 反应性低分子
400
200
Ref.) 非反应性低分子（Dn）
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 Wavenumber (cm-1)
Shin-Etsu Confidential
金Pad污染解决方法
Shin-Etsu Confidential
2
硅胶类固晶材料使用方法及金Pad污染
＜使用方法＞（以KER-3000-M2为例） 把硅胶类固晶材料KER-3000-M2涂布于基板上后进行固晶，并用100℃/1hr ＋150℃/2hr的条件进行加热固化。 ＜关于金Pad污染＞ 在使用不同种类(或不同批号)的LED芯片时，固晶材料在固化的过程中，在金 Pad上有客户会发生有污染物附着，导致无法打金线的不良情况。