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VGS= ±30V VDD=300V,ID=4.0A RG=12Ω,VGS=10V VGS=0V,VDS=25V
f=1.0MHZ
G. 栅极 D. 漏极 S. 源极
额定值
4.0 ±30 4.0 1.25 36 150 - 55 ~ 150
单位
A V A ℃ /W W ℃ ℃
最小值 典型值 最大值 单位
TEL:0755-29799516 FAX:0755-29799515
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百度文库
CM4N60F
Jingdao Electronic Corporation V01 2/3
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL:0755-29799516 FAX:0755-29799515
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CM4N60F N 沟道 VDMOS
* 主要用途 :
◆ 主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路
* 主要特点:
◆ 通态电阻小 , 输入电容小 ◆ 开关速度快 ◆100% 雪崩能量测试
*注意:
◆ 防静电
极限值:( Tc=25 ℃ )
参数
连续漏极电流 栅源电压 雪崩电流 热阻(结到壳) 耗散功率
名称
结温 贮存温度
电特性: ( Tc=25 ℃ )
参数名称
漏源反向电压 通态电阻 阈值电压 跨导 漏源漏电流 栅源漏电流
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封装形式: TO-220F ( 单位:mm,无其他特别说明公差 ±0.1mm)
×
CM4N60F
Jingdao Electronic Corporation V01 3/3
关断延迟时间
符号
VDS R DSON VGS(TH)
gFS I DSS I GSS
td (off)
输入电容
C iSS
a:脉冲测试:tP ≤ 300us, δ ≤ 2%
符号
ID VGS I AR RθJC Ptot Tjm Tstg
测试条件
VGS=0V,ID=250uA VGS=10V,ID=2.5A VDS=VGS,ID=250uA VDS=50V,ID=2.5A VDS=600V,VGS=0V
600
V
2.2
Ω
2
4
V
2.5
S
25
uA
±100
nA
44
nS
660
pF
Jingdao Electronic Corporation V01 1/3
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
封装形式: TO-220F ( 单位:mm,无其他特别说明公差 ±0.1mm)
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