半导体测试系统

YB6500高速多用途半导体分立器件测试系统广泛应用于航天、航空、兵器、中船、电子多个领域，以产品性价比好、可测器件和参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、稳定性可靠性高、故障率极低、软件丰富、操作使用方便、售后服务为宗旨。

1、电学指标

A-K 极间加压范围: ±2.500mV--2000V A-K 极间测流范围: ±1nA--49.90A

A-K 极间加流范围: ±100nA--49.90A

A-K 极间测压范围: ±2.500mV--2000V

G-K 极间加压范围: ±2.500mV--20V

G-K 极间测流范围: ±1nA--10A

G-K 极间加流范围: ±100nA--10A

G-K 极间测压范围: ±2.500mV--20V

最大电压分辨率: 1mV

最大电流分辨率: 1nA

A-K 极间加/测压精度: 1%+10mV

A-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V

G-K 极间加/测压精度: 1%+5mV

G-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V

电参数测试重复性： 1%

2、可测试器件（DUT）种类共计19大类, 27分类分立器件。

序号类型名称符号

1 二极管DIODE

2 稳压（齐纳）二极管ZENER

3 晶体管TRANSISTOR（NPN/PNP）

4 单向可控硅（普通晶闸管）SCR

5 双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC

6 金属-氧化物-半导体场效

MOSFET（N-CH/P-CH）

应管

7 结型场效应管J-FET（N-CH/P-CH）

8 绝缘栅双极大功率晶体管IGBT（N-CH/P-CH）

9 达林顿阵列器件DARLINGTON

10* 光电耦合器OPTO-COUPLER（NPN/PNP）

11* 光电逻辑器件OPTO-LOGIC

12* 光电开关管OPTO-SWITCH

13* 固态过压保护器SSOVP

14* 硅触发开关STS，SBS

15* 继电器RELAY（A，B，C型）

16* 金属氧化物压变电阻MOV

17* 压变电阻VARISTOR

18* 双向触发二极管DIAC

19* 三端稳压器REGULATOR

* 需要另行定制专门的测试适配器和测试夹具。

1)、二极管DIODE

IR；BVR ；VF

2)、晶体管TRANSISTOR

ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEV；IEBO；BVCEO (电流大于10mA，脉冲宽度300us)；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE(间接参数)；

3)、J型场效应管J-FET

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；IDSON；RDSON；GFS；VGSOFF

4)、MOS场效应管MOS-FET

IDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

5)、双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC

IDRM；IRRM；IGKO；；VD+；VD-；BVGKO；VT+ ；VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

6)、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH

7)、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS

8)、硅触发可控硅STS

IH+；IH-；VSW+ ；VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-

9)、达林顿阵列DARLINTON

ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；

BVEBO；hFE ；VCESAT；VBESAT；VBEON

10)、光电耦合器件OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；；CTR；hFE；VCESAT；VSAT；VF(Opto-Diode)

11)、稳压二极管、齐纳二极管ZENER

IR；BVZ；VzMIN；IR；VF；ZZ

12)、三端电源稳压器件REGULATOR

V o Input；Output ；IIN；

13)、光电开关管OPTO-SWITCH

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

14)、光电逻辑器件测OPTO-LOGIC

IR；VF；VOH；VOL；IFON；IFOFF；ITH+B；ITH-B；ITH+I；ITH-I；

15)、金属氧化物压变电阻MOV

ID+ ID-；VN+；VN-；VC+ ；VC-

16)、固态过压保护器SSOVP

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- ；VT+ VT-；

3、技术特征

该系统产品为供方引进的合作技术项目，功率电源等方面采用新的航天技术做了改进，各项技术指标同于进口产品，测试稳定性、可靠性高于进口产品，故障率明显低于进口产品。代表了目前国际先进技术水平。具有下面特征：

* 采用嵌入式计算机，运行速度快，扩展能力强，实现脱机运行；

* 采用高速16位并行D/A、A/D和专用并行内部总线技术设计，速度快、稳定性高；

* 采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，占空比可达1/3000以上；

* 采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确，重复性好；

* 在线系统状态、测试结果、故障定位显示功能，使得使用方便简单；