可控硅资料及工作原理和测试方法

(完整版)单向可控硅的原理及测试

单向可控硅的原理及测试可控硅的意思：可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路配合，应用于交、直流调压电路。

可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器件。

单向可控硅的等效原理及测量电路见下图1：AKGP N P NKGGKGA图1 可控硅器件等效及测量电路单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构，由最外层的P 层、N 层引出两个电极——阳极A 和阴极K ，由中间的P 层引出控制极G 。

电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极——控制极或触发极G 。

SCR 或MCR 为英文缩写名称。

从控制原理上可等效为一只PNP 三极管与一只NPN 三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。

一旦从G 、K 回路输入NPN 管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。

可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。

控制信号U GK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。

单向可控硅的导通需要两个条件： 1）、A 、K 之间加正向电压；2）、G 、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。

若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 2）、使A 、K 之间电压反向。

可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流的话，则可控硅会一直保持开通状态。

除非将电源开断一次，才能使其关断。

若用于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。

在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因A 、K 间电压反向，而保持于截止状态。

可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值与导通压降，很难有统一的标准。

可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。

单向可控硅的原理及测试

单向可控硅的原理及测试单向可控硅（SCR）是一种半导体器件，用于控制交流电流。

它具有单向导电特性，即电流只能在一个方向上流动。

SCR由四个层组成，从P型材料到N型材料依次排列。

在P型材料和N型材料之间有两个PN接触，称为PN接触1和PN接触2、SCR的关键组成部分是PN接触1处的“栅源结”（Gate-Anode junction）。

SCR的原理是通过在栅源结上施加一个足够大的正向压力来激活器件。

这个压力通常通过外加一个短脉冲来实现。

一旦栅源结激活，它将形成一个低阻值通道，使得大量电流可以通过器件流动。

一旦电流开始流动，栅源结开始导电，SCR进入导通状态。

一旦SCR被激活，它会保持导通状态，直到通过器件的电流降低到零或到达特定的关闭电压。

测试SCR的一个常用方法是使用OHMMeter或DMM（数字万用表）测试器件的导通性。

在测试之前，确保电路电源已断开，并且SCR已从电路中移除。

对于一个正常的SCR测试，在DMM中选择二极管测试模式，并将其连接到测试器件的两个引脚。

如果DMM显示一个迅速下降到几百欧姆的电阻值（如0.1欧姆），那么这表明SCR是正常工作的。

这是因为SCR在导通状态下表现为一个非常低的电阻。

另一种测试方法是使用直流电源和电阻。

在这种情况下，通过在栅源结上施加足够的电压来激活SCR。

在SCR导通状态下，电流将通过其并且压降几乎为零。

对于一个正常的SCR，这个电流应该是稳定的。

如果电流随着时间的推移而增加，那么可能存在SCR失效的问题。

此外，还可以使用示波器来测试SCR的导通和关断状态。

将示波器连接到器件的引脚，并观察电压波形。

在SCR导通状态下，波形应该是近乎零的平坦线。

当SCR关断时，波形应该是一个或多个脉冲。

总结起来，单向可控硅的原理是通过在栅源结上施加足够的正向压力来激活器件，进而控制电流的流动。

测试SCR的方法主要包括使用OHMMeter或DMM测试器件的导通性、使用直流电源和电阻测试器件的电流稳定性以及使用示波器测试器件的导通和关断状态。

用万用表测试可控硅

用万用表测试可控硅小功率可控硅，由于所需的触发电流较小，故可以只用万用表来测试。

一、单向可控硅的测试１．极性的判别用万用表的Ｒ×１００欧姆档，分别测量各管脚间的正反向电阻。

如果测得其中两管脚的电阻较大（约为８０ＫΩ），而对换表笔再测这两个管脚的电阻值又较小（约为２ＫΩ），这时，黑表笔所接的一极为控制极Ｇ，红表笔所接的一极为阴极Ｋ，余者为阳极Ａ。

２．质量的判别用万用表的Ｒ×１０欧姆档，黑表笔接Ａ极，红表笔接Ｋ极。

用黑表笔在保持和Ａ极相接的情况下和Ｇ极接触，这样就给Ｇ极加上一触发电压。

这时由万用表可以看到，可控硅的阻值明显变小，说明可控硅可能由于触发而处于通态。

仍保持黑表笔和Ａ极相接，断开和Ｇ极的接触，如果可控硅仍处于通态，则说明可控硅是好的，否则，一般是可控硅损坏。

二、可控硅的测试由于双向可控硅相当于两个单向可控硅的反极性并联而成，又Ｇ极靠近Ｔ１极，由于工艺方面的原因，Ｇ极和Ｔ１极间的正向电阻都很小，一般为１００Ω左右。

另外，双向可控硅具有四种触发状态，只要满足任何一种触发状态，双向可控硅便可触发导通。

极性的判别：用万用表的Ｒ×１Ｋ或Ｒ×１００欧姆档，分别测量各管脚间的正反向电阻，如果测得其中两管脚的电阻很小（约为１００Ω左右），即为Ｔ１极和Ｇ极，余者为Ｔ２极。

Ｔ１极和Ｇ极的区分：任选其中一极为Ｔ１，将万用表调至Ｒ×１欧姆档，不用分表笔的正负，分别将两表笔接至Ｔ２极和Ｔ１极（假设）。

用和Ｔ２相接的表笔在保持和Ｔ２相接的情况下，和Ｇ（假设）相接。

这时会看到可控硅阻值明显变小，说明双向可控硅可能因触发而导通，再大保持该表笔和Ｔ２相接的情况下和Ｇ极（假设）断开，如果双向可控硅仍处于通态，则对换两表笔，重复上述步骤，如果仍能使可控硅处于通态，则假设是正确的。

否则假设是错误的。

这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。

可控硅基本知识

可控硅的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通 1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。

此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。

此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。

可控硅的工作原理

一、可控硅的工作原理可控硅是可控硅整流器的简称。

它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。

图3-29是它的结构、外形和图形符号。

可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。

当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。

当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。

但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。

加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。

此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。

可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。

就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

图3-30是可控硅的伏安特性曲线。

图中曲线I为正向阻断特性。

无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。

当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。

曲线Ⅱ为导通工作特性。

可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。

若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。

曲线Ⅲ为反向阻断特性。

当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。

只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。

正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。

可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。

可控硅资料及工作原理和测试方法

可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220ABBTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220ABBTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220ABBTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA 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10mA TO-220ABBTB08-400TW 8A 400V 5mA TO-220ABBTB08-400E 8A 400V 5~10mA TO-220ABTB08-400D 8A 400V 1~5mA TO-220ABBTB08-400SAP 8A 400V 5~10mA TO-220AB BTB08-600B 8A 600V 35~50mA TO-220A BTB08-600BW 8A 600V 50mA TO-220AB BTB08-600C 8A 600V 25mA TO-220ABBTB08-600CW 8A 600V 35mA TO-220AB BTB08-600SW 8A 600V 10mA TO-220ABBTB08-600TW 8A 600V 5mA TO-220ABBTB08-600E 8A 600V 5~10mA TO-220ABBTB08-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB BTB08-600SAP 8A 600V 5~10mA TO-220AB BTA10-400B 10A 400V 35~50mA TO-220AB BTA12-400B 12A 400V 35~50mA TO-220AB BTA16-400B 16A 400V 35~50mA TO-220AB BTA20-400B 20A 400V 35~50mA TO-220AB BTA24-600B 25A 600V 35~50mA TO-220ABBTA25-600B 25A 600V 35~50mA TO-220AB BTA25-600BW 25A 600V 50mA TO-220AB BTA26-600B 25A 600V 35~50mA TO-220AB BTA40-600B 40A 600V 35~50mA BTW67 BTA40-600BW 40A 600V 50mA BTW67 BTA41-600B 40A 600V 35~50mA BTW67 BTA41-600BW 40A 600V 50mA BTW67 HBT131A 1A 600V 3~7mA TO-92HBT131CA 1A 600V 3~5mA TO-92HBT131GA 1A 800V 3~5mA TO-92HBT134CI 4A 600V 5~10mA TO-251HBT134DI 4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134GI 4A 800V 5~10mA TO-251 HBT134HI 4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134NE 4A 600V 10~25mA SOT-82 HBT134I 4A 600V 10~25mA TO-251HBT134CNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134DNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134GNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT134HNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT136AE 4A 600V 10mA TO-220AB HBT204I 4A 600V 10mA TO-251HBT204E 4A 600V 15mA TO-220ABHBT136AE 4A 600V 10~25mA TO-220AB HBT136AHE 4A 600V 5~10mA TO-220AB HBT136BE 6A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137DE 8A 600V 25mA TO-220AB HBT138E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT152 20A 800V 32mA TO-220ABHBT169 0.8A 400V 200uA TO-92HBT169M 0.8A 400V 200uA SOT-8可控硅相当于可以控制的二极管，当控制极加一定的电压时，阴极和阳极就导通了。

单向可控硅的检测方法

单向可控硅的检测方法1. 什么是单向可控硅？说到单向可控硅，哎呀，这个名字听上去就有点高大上，实际上它就是一个电子元件，主要用来控制电流流动的。

就像我们日常生活中的水龙头，开了水就流，关了水就停。

单向可控硅可以让电流“听话”，在需要的时候让它流动，不需要的时候就给它关掉。

嘿，听起来是不是有点像调戏电流？不过它可不是随便调戏，得靠一些检测方法来确保它的健康状况。

1.1 检测的重要性别小看这个检测，假如单向可控硅出了问题，那可是会影响到整个电路的工作。

就像你家冰箱坏了，夏天冰淇淋要化了，那可真是“悲剧”了。

所以定期检查一下，让它保持“身体健康”，是非常重要的。

1.2 检测工具为了检测单向可控硅，我们需要一些工具。

最基本的就是万用表。

就像你去看医生，医生得有听诊器，我们的“医生”就是万用表了。

它能测量电压、电流和电阻，帮我们判断单向可控硅是不是在“罢工”。

另外，还可以用示波器，嘿，这玩意儿就像一位艺术家，能让我们看到电流的波动形状，非常神奇！2. 检测步骤好啦，现在咱们来说说具体的检测步骤。

别担心，步骤不复杂，就像做饭一样，跟着流程来就好。

2.1 断电首先，最最重要的一点，就是得确保设备断电。

想象一下，如果你在厨房炒菜，结果开着煤气，那可真是个大麻烦。

咱们可不想让电流像疯了一样乱窜。

断电后，等一会儿，确保所有的电量都消散了，再动手。

2.2 外观检查然后，得先观察一下单向可控硅的外观。

有没有烧焦的痕迹？有没有裂纹？就像看一件艺术品，表面光滑，才是好货。

记得用手轻轻摸摸，如果觉得温度有点高，那就有问题了，快查查原因。

2.3 测试导通性接下来，拿起万用表，调到二极管测试档。

把红表笔接在阳极，黑表笔接在阴极，看看显示的数值。

正常情况下，应该会有一个小的正向压降，大概在0.6到0.7伏之间。

如果万用表上什么都不显示，那就有点问题了，可能是“失业”状态，得赶紧换掉。

2.4 检查门极别忘了门极的检测！同样用万用表，看看门极和阳极之间的电阻值。

可控硅

1.2.4 可控硅1. 可控硅的结构与工作原理可控硅是在硅二极管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。

它又称“晶体闸流管”简称“晶闸管”。

它具有三个PN结四层结构。

可控硅有三个电极，分别为阳极（A）、阴极（K）、控制极（G）。

其外形及电路符号如图1-20所示。

可控硅主要有螺栓型、平板型、塑封型和三极管型。

通过的电流可能从几安培到千安培以上。

图1-20 可控硅及电路符号图1-21 可控硅工作原理可控硅的工作原理可以通过下面的实验电路加以说明。

如图1-21（a）所示，接好电源，阴极与阳极间加正向电压，即阳极接电源E1的正极，阴极接电源E1的负极，控制极接E2的正极，这时S为断开状态，灯泡不亮，说明可控硅不导通。

如将S闭合，即给控制极加上正电压，这时灯泡亮了，说明可控硅处于导通状态。

可控硅导通后，将S断开，去掉控制极上的电压，灯泡仍然亮了，说明可控硅一旦导通后，控制极就失去了控制作用。

如果给阴极与阳极间加反向电压，如图1-21（b）即阳极接E负极，阴极接E的正极。

这时给控制极加电压，灯泡不亮，说明可控硅不导通。

如将E极性对调，即控制极加反向电压如图1-21（c）所示，阳极与阴极间无论加正、反向电压，可控硅都不导通。

通过以上说明，可控硅导通必须具备两个条件：一是可控硅阴极与阳极间必须加正向电压，二是控制极电路也要接正向电压。

另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

如图1-21（d），当改变RP的触点位置时可使灯泡的亮度逐渐减少，并完全熄灭。

当灯泡熄灭后，不论如何改变RP触点的位置，灯都不会再亮，这说明了可控硅已不再导通。

此试验进一步表明，当可控硅导通后控制极就起动了控制作用，此时要使可控硅再度处于关断状态，就要降低可控硅阳极电压或通态的电流。

可控硅的控制极电压、电流，一般是比较低的，电压只有几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的器件中可以通过很大的电压和电流，电压可达几千伏、电流可达到千安以上。

可控硅原理_工作过程_可控硅检测方法与经验

可控硅原理_工作过程_可控硅检测方法与经验可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。

它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。

可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。

它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

工作过程晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路双向晶闸管的结构与符号见图2。

它属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。

因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。

表示，不再划分成阳极或阴极。

其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。

反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。

双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

从晶闸管的内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二。

当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。

图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。

因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0，晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：。

可控硅测量方法

可控硅测量方法一、可控硅的基本概念及工作原理可控硅（SCR）是一种半导体器件，也称为晶闸管。

它由四个PN结组成，具有三个电极：阳极、阴极和门极。

在正向偏置下，只有一个PN 结被击穿，形成通道；而在反向偏置下，所有PN结都被截止。

当给门极施加一个正脉冲信号时，通道就会打开，在阳极和阴极之间形成一个电流通路。

二、可控硅测量方法1. 静态特性测量静态特性是指在固定的电压和温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。

这种测试需要使用直流电源和数字万用表等仪器。

首先将SCR 放入测试夹具中，并连接到直流电源上。

然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。

最后将数据绘制成I-V曲线图。

2. 动态特性测量动态特性是指在变化的负载条件下，测量SCR的响应速度和稳定性。

这种测试需要使用脉冲发生器和示波器等仪器。

首先将SCR放入测试夹具中，并连接到脉冲发生器和示波器上。

然后在脉冲发生器中设置一个正脉冲信号，测量SCR的响应时间和保持电流。

最后将数据绘制成响应时间和保持电流的曲线图。

3. 热特性测量热特性是指在不同温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。

这种测试需要使用恒流源和数字万用表等仪器。

首先将SCR放入测试夹具中，并连接到恒流源和数字万用表上。

然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。

最后将数据绘制成I-V曲线图。

4. 参数测量参数测量是指在实际应用中，测量SCR的关键参数，如触发电压、保持电流、耐压能力等。

这种测试需要使用特定的测试仪器和设备，例如触发电路测试仪、保持电流测试仪、耐压试验仪等。

三、可控硅测量方法注意事项1. 测试环境要求：可控硅测试需要在恒定的温度和湿度条件下进行，以确保测试结果准确可靠。

2. 测试前准备：在进行任何类型的可控硅测量之前，必须先检查测试设备和测试夹具是否正常工作，并确保测试仪器的精度和准确性。

3. 测试过程中的注意事项：在进行可控硅测量时，应特别注意防止静电干扰和过电流等问题。

可控硅工作原理及参数详解

可控硅工作原理及参数详解可控硅（Silicon-Controlled Rectifier, SCR）是一种半导体器件，由四层P-N结构组成，具有三个电极：阳极（Anode）、阴极（Cathode）和门极（Gate）。

可控硅的工作原理如下：当阳极与阴极之间的电压达到一定的电压（称为激励电压），并且在门极上施加一个正脉冲电压时，P-N结上就会有电流通过，使得可控硅导通。

此时，可控硅的状态称为导通状态。

当阳极阴极之间的电压低于激励电压，或者在门极上施加的脉冲电压为零，或者阳极阴极之间的电流下降到可控硅的保持电流以下时，可控硅会进入截止状态。

可控硅具有以下几个重要的参数：1.阻断电压（VBO）：阻断电压是指可控硅在截止状态下能够承受的最高电压。

超过这个电压，可控硅就会击穿，产生电弧。

2.保持电流（IH）：保持电流是指可控硅在导通状态下必须保持的最小电流。

保持电流以下，可控硅会自动进入截止状态。

3.阻止电流（IDRM）：阻止电流是指可控硅在截止状态下流过的最大电流。

超过这个电流，可控硅可能会被损坏。

4.导通电压降（VF）：导通电压降是指当可控硅处于导通状态时，阳极与阴极之间的电压降低。

5.死区时间（tQ）：死区时间是指可控硅在接收到门极脉冲后，需要经过的一段时间才能将晶体管从截止状态切换到导通状态。

6.触发电流（IGT）：触发电流是指施加在门极上的脉冲电流，将可控硅从截止状态切换到导通状态的最小电流。

7.可控硅的响应时间：可控硅的响应时间是指从接收到触发信号到开始导通的时间。

可控硅的应用范围广泛，常见的应用包括交流电控制、瞬态电压抑制、开关电源和电机驱动等领域。

可控硅知识点总结

可控硅知识点总结一、可控硅的基本原理1. 可控硅的结构可控硅由四层P-N结构组成，其中包括一个门极、一个阳极和一个阴极。

在无外加电压的情况下，可控硅处于高阻态，不导通。

当给门极施加一个正脉冲，可控硅就会导通。

当导通后，再给门极加一个负脉冲，可控硅仍在导通状态。

只有当可控硅的阳极电流降到零时，它才会恢复到高阻态。

2. 可控硅的触发方式可控硅有两种触发方式：电压触发和电流触发。

电压触发是指在管子上的门偏置电压随着门极电流而变化，当管子上门极电流增加到一定值时，管子就导通了。

电流触发是指管子的门极没有电压，以一定的电流偏置管子，当外加电流增大到一定值时，管子导通。

3. 可控硅的保持电流可控硅导通后，在继续放大触发电流时，在两极没有电压的条件下，管子会保持导通。

只有当阳阳极或阴极电流小于一定值时，管子才能关断。

这一点和二极管是不同的，二极管只要电流一减小，就关断。

二、可控硅的结构特点1. 由于可控硅为四层P-N-P-N结，无论是阻态还是导通状态都相当于引入了一个完整的PNPN结构，可形象地看作两个晶体三极管反并联，并且两个三极管共享一个发射区。

2. 可控硅的触发特性好，只需很小的功率即可对其进行触发，因此特别适用于大功率系统。

同时，可控硅的闭合速度很快，传导损耗小，导通电压降也小。

3. 可控硅在导通状态时，是一个单向导电器件，在阻态时则是一个双向封锁电压的器件。

4. 可控硅的温度稳定性好，一般情况下在温度变化范围内，其电气性能几乎不变。

5. 可控硅的电流承受能力、耐压能力和耐冲击能力都很强，因此适用于各种复杂的工况。

三、可控硅的工作特性1. 可控硅的导通和关断特性可控硅的导通和关断特性是指在不同条件下，可控硅的导通和关断状态的变化规律。

主要包括可控硅的触发电压、导通电流、关断电流等参数。

2. 可控硅的温度特性随着温度的升高，可控硅的导通和关断特性会发生变化。

一般情况下，可控硅的触发电压会随着温度的升高而降低，而导通电流和关断电流则会随着温度的升高而增加。

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。

可控硅测试指南范文

可控硅测试指南范文一、引言可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于功率电子领域。

为了确保可控硅的正常工作，需要进行一系列的测试。

本文将介绍可控硅的测试方法和注意事项，帮助读者更好地了解和掌握可控硅的测试技能。

二、可控硅测试方法1.静态电特性测试静态电特性测试是可控硅测试的基础，主要包括开启电压（VAK），保持电流（IH）和关断电流（IL）的测试。

测试时需要使用恒流源和恒压源，通过改变源的输出电流或电压，记录对应的电流和电压值，得到开启电压、保持电流和关断电流的数值。

测试时应注意测试电路的安全，尽量避免可控硅因过流或过压而损坏。

2.动态电特性测试动态电特性测试是可控硅测试的重要部分，主要包括开启时间（TQ）和关断时间（TQ）的测试。

测试时需要使用特定的激励脉冲信号，通过改变激励脉冲的宽度和频率，记录对应的可控硅导通和截止时间，得到开启时间和关断时间的数值。

测试时应注意测试电路的稳定性和信号的准确性，确保测试结果的可靠性。

3.热稳定性测试热稳定性测试是为了评估可控硅在高温环境下的工作性能。

通常会使用恒定的温度腔体来进行测试，通过改变腔体内的温度，记录可控硅的电流和电压变化情况，评估其在高温环境下的稳定性。

测试时应注意测试环境的温度控制和稳定性，确保测试结果的准确性。

4.射频特性测试射频特性测试是为了评估可控硅在高频电路中的应用性能。

通常会使用特定的射频信号源和测试设备，通过改变射频信号的频率和功率，记录可控硅的射频参数，如扼流圈电抗、电流调制深度等。

测试时应注意测试设备的校准和信号源的稳定性，确保测试结果的可靠性。

三、可控硅测试注意事项1.安全性可控硅测试时需要使用高电压和高电流，测试电路中可能存在一定的安全风险。

在测试时应确认电路和设备的安全性，使用合适的保护措施，如使用防护手套、眼镜等。

同时，还需要遵守相关的电气安全操作规范，确保自身和设备的安全。

2.测试环境可控硅测试需要使用稳定的电源和测试设备，确保测试环境的稳定性和准确性。

可控硅的检测方法

可控硅的检测方法
可控硅（或称为双向可控硅、双向晶闸管）是一种电子元件，用于控制交流电流的流动。

为了确保可控硅的正常工作和可靠性，常需要进行以下几种常用的检测方法：
1. 静态电压检测：使用数字万用表或示波器测量可控硅上的正向和反向电压，以确保其在正常工作范围内。

正向电压通常应小于可控硅的额定电压。

2. 静态电流检测：使用数字电流表或示波器检测可控硅的正向和反向电流，以确保其在正常工作范围内。

正向电流应小于可控硅的额定电流。

3. 触发电流检测：通过施加一个正向触发电流来测试可控硅是否能正常触发。

触发电流应小于可控硅的额定触发电流。

4. 动态特性检测：使用示波器观察可控硅在不同触发角和负载条件下的电压和电流波形，以确定其动态响应和工作状态。

5. 温度测试：通过红外测温仪或接触式温度计测量可控硅的温度，以确保其不会过热并影响性能。

这些检测方法可以帮助判断可控硅的工作状态和健康程度，以便于及时进行维修或更换。

然而，在进行任何检测之前，应确保在实验室、车间或其他适当的环境
条件下进行，以避免可能的危险或损坏。

可控硅测量方法

可控硅测量方法一、介绍可控硅（SCR）是一种常用的电子器件，广泛应用于功率电子领域。

为了确保SCR的性能和可靠性，需要进行可控硅的测量和测试。

本文将详细探讨可控硅测量方法，包括可控硅的基本原理、测量参数以及常用的测量方法。

二、可控硅的基本原理可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件，由PNPN结构组成。

它具有三个电极，即阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。

当控制极施加一个正向触发脉冲时，可控硅将进入导通状态；当施加一个负向触发脉冲或去掉正向触发脉冲时，可控硅将恢复到阻断状态。

这种可控硅的特性使其在电力控制和电能转换等领域得到了广泛应用。

三、测量参数在进行可控硅的测量时，我们需要了解和掌握一些重要的测量参数，以评估可控硅的性能和工作状态。

1. 触发特性触发特性是指可控硅在不同触发脉冲条件下的导通特性。

通过测量触发特性，我们可以了解可控硅的触发电压、触发电流和触发时间等参数。

2. 关断特性关断特性是指可控硅在去掉触发脉冲后的关断过程。

通过测量关断特性，我们可以了解可控硅的关断电压和关断时间等参数。

3. 动态特性动态特性是指可控硅在正常工作状态下的动态响应。

通过测量动态特性，我们可以了解可控硅的导通电流、导通压降和关断电流等参数。

四、常用的测量方法1. 电压测量方法电压是可控硅测量中最基本的参数之一。

常用的电压测量方法包括直流电压测量和交流电压测量。

直流电压测量直流电压测量是通过连接电压表或示波器来测量可控硅的直流电压。

在测量过程中，需要注意测量电路的阻抗匹配和电压范围选择。

交流电压测量交流电压测量是通过连接交流电压表或示波器来测量可控硅的交流电压。

在测量过程中，需要注意测量电路的阻抗匹配、电压峰值和频率等参数。

2. 电流测量方法电流是可控硅测量中另一个重要的参数。

常用的电流测量方法包括直流电流测量和交流电流测量。

直流电流测量直流电流测量是通过连接电流表或示波器来测量可控硅的直流电流。

在测量过程中，需要注意测量电路的阻抗匹配和电流范围选择。