半导体激光器P-I特性测试

实验一 半导体激光器P-I 特性测试实验

一、 实验目的

1. 学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理

2. 了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系

3. 掌握半导体激光器P （平均发送光功率）-I （注入电流）曲线的测试方法

二、

实验仪器

1. ZY12OFCom13BG 型光纤通信原理实验箱

1台 2. 光功率计 1台 3. FC/PC-FC/PC 单模光跳线 1根 4. 万用表 1台 5. 连接导线

20根

三、 实验原理

半导体激光二极管（LD ）或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，（处于高

能级E 2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级E 1，这个过程称为光的受激辐射，所谓一模一样，是指发射光子和感应光子不仅频率相同，而且相位、偏振方向和传播方向都相同，它和感应光子是相干的。）是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率（≥10mW ）辐射，而且输出光发散角窄（垂直发散角为30～50°，水平发散角为0～30°），与单模光纤的耦合效率高（约30％～50％），辐射光谱线窄（Δλ＝0.1～1.0nm ），适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速信号（>20GHz ）直接调制，非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。

对于线性度良好的半导体激光器，其输出功率可以表示为

P e ＝)(2th D I I q -ηω （1-1）

其中int

int a a a mir mir D +=ηη，这里的量子效率η

int ，表征注入电子通过受激辐射转化为光

子的比例。在高于阈值区域，大多数半导体激光器的ηint 接近于1。

1-1式表明，激光输出功率决定于内量子效率和光腔损耗，并随着电流而增大，

当注入电流I>I th 时，输出功率与I 成线性关系。其增大的速率即P-I 曲线的斜率，称为斜率效率

D e

q

dI dP ηω2 = （1-2）

P-I 特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选阈值电流I th 尽可能小，

I th 对应P 值小，而且没有扭折点的半导体激光器，这样的激光器工作电流小，工作稳定性高，消光比（测试方法见实验四）大，而且不易产生光信号失真。并且要求P-I 曲线的斜率适当。斜率太小，则要求驱动信号太大，给驱动电路带来麻烦；斜率太大，则会出现光反射噪声及使自动光功率控制环路调整困难。半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点，微小的电流变化会导致光功率输出变化，是光纤通信中最重要的一种光源，半导体激光器可以看作为一种光学振荡器，要形成光的振荡，就必须要有光放大机制，也即激活介质处于粒子数反转分布，而且产生的增益足以抵消所

有的损耗。将开始出现净增益的条件称为阈值条件。一般用注入电流值来标定阈值条件，也即阈值电流I th ，当输入电流小于I th 时，其输出光为非相干的荧光，类似于LED 发出的光，当电流大于I th 时，输出光为激光，且输入电流和输出光功率成线性关系。该实验就是对该线性关系进行测量，以测试半导体激光器的P-I 线性关系。在实验中所用到半导体激光器输出波长为1310nm ，带尾纤及FC 型接口。

半导体激光器作为光纤通信中应用的主要光源，其性能指标直接影响到系统传输数据的质量，因此P-I 特性曲线的测试了解激光器性能是非常重要的。半导体激光器驱动电流的确定是通过测量串联在电路中的R110上电压值。电路中的驱动电流在数值上等于R110两端电压与电阻值之比。为了测试更加精确，实验中先用万用表测出R110的精确值(将BM1、BM2都拨到中档，用万用表的欧姆档测T103、T104之间的电阻)，计算得出半导体激光器的驱动电流，然后用光功率计测得一定驱动电流下半导体激光器发出激光的功率，从而完成P-I 特性的测试。并可根据P-I 特性得出半导体激光器的斜率效率。

四、 实验内容

1. 测量半导体激光器输出功率和注入电流，并画出P-I 关系曲线。

2. 根据P －I 特性曲线，找出半导体激光器阈值电流，计算半导体激光器斜率效率。

五、 实验步骤

1. 将光发模块中的可调电阻W101逆时针旋转到底，使数字驱动电流达到最小值。

2. 用万用表测得R110电阻值，找出所测电压与半导体激光器驱动电流之间的关系（V

＝IR 110）。

3. 拨动双刀三掷开关，BM1选择到半导体激光器数字驱动，BM2选择到1310。

4. 旋开光发端机光纤输出端口（1310nm T ）防尘帽，用FC-FC 光纤跳线将半导体激光器与光功率计输入端连接起来，并将光功率计测量波长调整到1310nm 档。

5. 连接导线：将T502与T101连接。

6. 连接好实验箱电源，先开交流电源开关，再开直流电源开关，即按下K01，K02 (电源模块)，并打开光发模块（K10）和数字信号源（K50）的直流电源。

7. 用万用表测量R110两端电压（红表笔插T103，黑表笔插T104）。

8. 慢慢调节电位器W101，使所测得的电压为下表中数值，依次测量对应的光功率值，并将测得的数据填入下表。

9. 做完实验后先关闭光发模块电源（K10），然后依次关掉各直流开关（电源模块），

以及交流电开关。

I(mA)

图1-1 LD 半导体激光器P-I 曲线示意图

10.拆下光跳线及光功率计，用防尘帽盖住实验箱半导体激光器光纤输出端口，将实验

箱还原。

11.将各仪器设备摆放整齐。

六、实验报告

1.根据实验记录数据，算出半导体激光器驱动电流，画出相应的光功率与注入电流的

关系曲线。

2.根据所画的P-I特性曲线，找出半导体激光器阈值电流Ith的大小。

3.根据P-I特性曲线，求出半导体激光器的斜率效率。

七、注意事项

1.半导体激光器驱动电流不可超过40mA，否则有烧毁激光器的危险。

2.由于光功率计，光跳线等光学器件的插头属易损件，使用时应轻拿轻放，切忌用力

过大。

八、思考题

1.试说明半导体激光器发光工作原理。

2.环境温度的改变对半导体激光器P-I特性有何影响？

3.分析以半导体激光器为光源的光纤通信系统中，半导体激光器P-I特性对系统传输

性能的影响。