电子产品失效分析大全

电子产品失效分析大全继电器失效分析1、样品描述所送样品是3种继电器，其中NG样品一组15个，OK样品2组各15个，代表性外观照片见图1。

委托单位要求分析继电器触点的元素成分、各部件浸出物的成分，确认是否含有有机硅。

图1 样品的代表性外观照片2、分析方法2.1 接触电阻首先用毫欧计测试所有继电器A、B接点的接触电阻，A、B接点的位置见图2所示，检测结果表示NG样品B点的接触电阻均大于100 mΩ，而2种OK样品的A、B点的接触电阻均小于100 mΩ。

图2 样品外观照片2.2 SEM&EDS分析对于NG品，根据所测接点电阻的结果，选取B接点接触电阻值高的2个继电器，对于2种OK品，每种任选2个继电器，在不污染触点及其周围的前提下，将样品进行拆分后，用SEM&EDS分析拆分后样品的触点及周围异物的元素成分。

触点位置标示如图3所示。

所检3种样品共6个继电器的触点中，NG品的触点及触点周围检出大量的含碳（C）、氧（O）、硅（Si）等元素的异物，而OK品的触点表面未检出异物。

典型图片如图4、图5所示。

图3 触点位置标识（D指触点C反面）图4 NG样品触点周围异物SEM&EDS检测结果典型图片图5 OK样品触点的SEM&EDS检测结果典型图片2.3 FT-IR分析在不污染各部件的前提下，将2.2条款中剩下的继电器进行拆分，并将拆分后的部件分成3组，即A组（接点、弹片（可动端子、固定端子））、B组（铁片、铁芯、支架、卷轴）、C组（漆包线），分别将A、B、C组部件装入干净的瓶中，见图6所示，处理后用FT-IR分析萃取物的化学成分，确认其是否含有有机硅。

图6 拆分后样品的外观照片结果表明，所检3种样品各部件的萃取物中，NG样品B组（铁片、铁芯、支架、卷轴）和C 组（漆包线）检出有机硅，其他样品的部件未检出有机硅。

典型图片见图7所示。

图7 NG品C组部件萃取物与聚二甲基硅氧烷的红外吸收光谱比较图3、结论1）所检3种继电器样品中，NG品B接点的接触电阻均大于100mΩ，不符合要求；而OK品A、B接点的接触电阻及NG品A接点的接触电阻均小于100mΩ，符合要求；2）所检3种继电器（2个/种）的触点中，NG品的触点及触点周围检出大量的含碳（C）、氧（O）、硅（Si）等元素的异物，而OK品的触点表面未检出异物；3）所检3种继电器（13个/种）部件的萃取物中，NG品B组（铁片、铁芯、支架、卷轴）和C组（漆包线）检出有机硅，其他样品的部件未检出有机硅。

聚合物分析1、样品描述所送样品是2种黑色防紫外线扣，其外观照片见图1。

委托单位要求确定2种样品的主成分是否为尼龙，如果是尼龙，再确定是尼龙6还是尼龙66。

图1 样品的外观照片2、分析方法及结论2.1用显微红外光谱仪（FT-IR）分析样品是否为尼龙，2种黑色防紫外线扣与尼龙的红外吸收光谱比较图如下，由此得出2种样品的主成分相同，均为尼龙（Nylon）。

图2 2种黑色防紫外线扣与尼龙的红外吸收光谱比较图2.2用示差扫描量热仪（DSC）测试样品的熔点，确认样品是尼龙6还是尼龙66。

结果显示所检“11” 黑色防紫外线扣的熔点为260.8℃，“13” 黑色防紫外线扣的熔点为261.2℃，即2种黑色防紫外线扣的熔点与尼龙66的相近。

（备注：尼龙6的熔点为215～225℃，尼龙66的熔点为250～260℃）漏电失效（CAF）一、样品描述：手机开机固定的键开始自动拨号。

图1 按键位置图二、电性能测试电性能测试发现失效品的总线R366与6、7、8号键间的阻值为0.01 MΩ，而正常品R366与6、7、8号键间的电阻值为4.68MΩ，即失效品R366与6、7、8号键有短路。

且6、7、8处波形异常。

图2 失效样品波形测试图图3 正常样品波形测试图图4 失效孔位置图三、金相分析图5 失效孔位置阳极导电丝图片四、分析结论间存在阳极导电丝导致漏电失效是引起产品自动拨号的原因。

焊点开裂（黑焊盘）一、样品描述：在测试过程中发现板上BGA器件存在焊接失效，用热风拆除BGA器件后，发现对应PCB焊盘存在不润湿现象。

二、染色试验：焊点开裂主要发生在四个边角上，且开裂位置均为BGA器件焊球与PCB焊盘间。

开裂面积开裂模式Type 1: 器件焊盘与焊球间开裂?Type A: 100%开裂Type 2: PCB焊盘与焊球间开裂?Type B: 50%≤开裂<100%/?Type C: 开裂<50%/ ?Type D: 未开裂/ ?Type E: 无焊点三、金相及SEM分析图2 开裂焊球SEM照片图3 开裂焊球SEM照片图4 失效PCBA焊盘富磷层EDS分析图5 失效PCBA焊盘正常部位Ni层EDS分析四、综合分析对所送PCBA器件焊点进行分析，均发现已失效器件和还未失效器件焊点在IMC与Ni层的富磷层（P-Rich）间存在开裂，且镍层存在腐蚀；在焊接过程中，Sn与Ni反应生成Sn/Ni化合物，而镍层中的磷不参与合金反应，因此多余的磷原子则会留在镍层和合金层界面，过多的P在镍和IMC界面富集将形成黑色的富磷（P-Rich）层，同时，存在的镍层腐蚀会影响焊料与镍层的结合，富磷层和镍层腐蚀的存在会降低焊点与焊盘之间的结合强度；当焊点在组装过程中受到应力时，会在焊点强度最弱处发生开裂，BGA封装角部焊点由于远离中心点，承受的应力更大，故开裂一般会先发生在角部。

由于未发现板子严重翘起、器件机械损伤等异常应力作用的特征，因此导致焊点开裂的应力可能来自于回流焊接或者波峰焊接过程等环境中所受到的正常应力。

同时，同批次及相邻批次PCB样品（生产日期0725和0727）Au/Ni焊盘SEM&EDS 的分析结果也表明，PCB焊盘Ni层也存在一定腐蚀。

由以上分析可得，由于较厚富磷层（P-Rich）及镍层腐蚀的存在，将降低焊点与焊盘之间的结合强度，使得该处成为焊点强度最薄弱的地方，在受到正常应力情况下，发生开裂失效。

五、分析结论（1）BGA器件焊接失效表现为焊点存在100%开裂，开裂位置发生在IMC与PCB焊盘Ni层的富磷层（P-Rich）间。

（2）导致BGA焊点开裂的原因是，焊点中PCB面焊盘镍层存在腐蚀以及镍层表面富磷层的存在降低了焊点与焊盘的机械结合强度，当受到正常应力作用时发生开裂失效。

上锡不良一、样品描述：委托单位称上述PCBA存在明显的吃锡不良现象（图中红色箭头标示处），且上锡不良均发生在第二次焊接面，通过改变锡膏、PCB板及不同的生产线都无法改善。

二、外观检查上锡锡不良焊点在PCB焊盘一侧呈现明显的不润湿或反润湿现象，焊料全部流向元器件可焊端。

三、金相分析PCB焊盘吃锡不良的焊点中焊料在PCB焊盘一侧均存在润湿不良，不润湿处PCB焊盘表面可见明显的金属间化合物，焊料润湿不良处PCB焊盘表面可焊性镀层不明显。

四、分析结论PCB焊盘的可焊性镀层厚度不均匀，局部位置的可焊性镀层偏薄，在经过一次回流焊接后，锡铅可焊性镀层与PCB Cu焊盘之间形成合金，降低了PCB焊盘的可焊性。

可焊性降低最终引起上锡不良。

USB失效分析典型案例1.失效现象：样品为4PCS USB壳，外观照片见图1，申请单位反映这些USB金属壳表面生锈，需分析USB铁壳生锈的原因。

图1 样品外观照片2 分析过程2.1 外观检查目测USB壳外观，发现外被覆有透明塑胶层的USB金属壳表面呈现红色锈斑（见图2），而暴露在外面的未被覆透明塑胶层的USB壳表面则较清洁，呈现金属光泽（见图3）。

图2 外被覆透明塑胶层的USB壳局部外观图片图3 未被覆塑胶层的局部USB壳表面外观图片2.2 SEM观察和EDS分析分别对USB壳锈蚀部位（壳体及尾部）及正常USB壳表面进行SEM&EDS分析，代表性SEM照片及能谱图详见图4、图5，测试样品的SEM 照片显示：USB壳锈蚀部位均检出碳（C）、氧（O）、铁（Fe）、镍（Ni）元素及高含量的强腐蚀性的硫（S）、氯（Cl）元素，同时还检出较高含量的锡（Sn）元素；正常USB壳表面仅检出铁（Fe）、镍（Ni）元素。

图4 USB壳体锈蚀处的SEM&EDS谱图图5 USB壳正常位置的SEM&EDS谱图2.3 红外光谱分析（FT-IR）按GB/T 6040-2002的方法，取适量USB壳外被覆塑胶，将其置于红外显微镜下进行红外光谱分析，检测结果显示USB壳外被覆塑胶材质为聚氯乙烯（PVC）。

3 分析结论1）USB壳在氯（Cl－）、硫（S2－）、锡（Sn）元素、氧（O2）及水（H2O）等的作用下发生腐蚀，同时USB壳的表面镀层存在针孔、裂纹等缺陷也会加速USB壳的腐蚀。

2）腐蚀性的氯（Cl）、硫（S）元素及杂质锡（Sn）元素可能来源于USB产品生产工艺中的过程污染，其中氯（Cl）元素也有可能来源于其外被覆PVC塑胶层的降解。

高压瓷介电容器—吸潮漏电击穿1.样品名称：高压瓷介电容器2.背景：交变潮热后耐压试验。

3.失效模式：漏电击穿。

4.失效机理：潮热吸水造成漏电击穿。

5.分析结论：电容器击穿是由于瓷体存在裂纹，裂纹的存在一方面加剧了电容器边缘电场分布的不均匀程度，另一方面可能使电容器在交变湿热试验后残留水分，降低了电容器的抗电强度。

裂纹形成的原因可能是瓷体烧前的机械划痕或者成型时原料中混入了可燃性异物。

6.分析说明：电容器击穿部位包封料已脱落，击穿部位银电极发生局部熔融，并向四周散开（图1，图2）；击穿部位电容器的侧面有明显的烧痕迹，说明电容器边缘发生击穿。

在显微镜下观察，击穿部位明显的裂纹，图3。

能谱分析表明，击穿通道上玻璃相有微裂纹。

电容器击穿部位银电极熔融照片电容器侧面的击穿位置裂纹照片裂纹放大照片裂纹位置玻璃相形貌电镜照片FCBGA封装器件的失效分析与对策1 引言随着硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。

为满足发展的需要，减少器件的寄生电感、噪声，传统引线键合形式逐步被新型封装形式所取代。

在原有封装品种基础上，倒装芯片球栅阵列封装利用焊球凸点实现芯片与封装基板的电连接，把裸芯片正面朝下安装在基片上，结构示意图见图（1）成为高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择[1]。

向下朝放的芯片表面与基板之间的空隙（solder bump的高度）填充着非导电的填充物underfill，通常为环氧树脂。

该underfill的作用为（1）保护焊球凸点不受潮气、空气或其他化学物质影响；（2）减少芯片与基板之间的热失配问题，减少分层现象或热疲劳损伤引起的失效。

但是，FCBGA封装器件制造过程中会经历多个高温阶段，芯片与封装基板之间的热膨胀系数不同，很容易由于热膨胀不匹配而产生破裂或分层现象，加剧了焊球可靠性的退化。