Mega128熔丝位汇总
第2章_ATmega128硬件结构
广州大学 机电学院 庞志
$100CA
$1006:LDI R1,$0A $1008:LDS R2,$FF00 $100A:ADD R2,R1 $100C:STS $$FFFF0000(($$110A)) $FF00,R2
R1=$0A R2=$$11AA0
2020年5月19日星期二
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ATmega128
单 片 机 方 框 图
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ATmega128
单 片 机 指 令 执 行 过 程
2020年5月19日星期二
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$1006
10+(0xFF00$)1=0>0(60:xLFDFI 0R0)1,$0A
当RAMPZ0=1: ELPM/SPM可以访问程序存储器地址 $8000——$FFFF(高64K字节)
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2.2.3 指令执行时序
AVR CPU由系统时钟clkCPU驱动。
并行取指和执行时序
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单时钟周期ALU 操作
模拟比较器
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2.1.2 主要性能 (续)
特殊的处理器特点
上电复位 可编程的掉电检测 片内RC振荡器 片内/片外中断源 6种睡眠模式: 空闲模式、ADC噪声抑制模式、省电模
式、掉电模式、Standby模式以及扩展的Standby模式 可选的时钟频率 可选ATmega103兼容模式 全局上拉禁止功能
Bit 6 – T: 位拷贝存储 Bit 4 – S: 符号位,S=N⊕V Bit 2 – N: 负数标志 Bit 0 – C: 进位标志
AVRmega单片机熔丝位的设置详解及应用举例
比如我们想使用片内的RC振荡(Fra bibliotek不需要接晶振)，可以选择下面三者之一：
[CKSEL=0100 SUT=10] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
[CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
引导(Boot)区大小为xxx个词
Boot start address=$yyyy;
引导(Boot)区开始地址为$yyyy
Boot Reset vector Enabled
引导(Boot)、复位向量使能
Brown-out detection level at VCC=xxxx V;
掉电检测的电平为VCC=xxxx伏
五、AVR Studio熔丝位配置应用举例
通过下图的方法打开连接：
使用操作界面如下：（(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。没有打勾的表示1）
上图的资料有很多相关项，你需要认识以下的代码，以理解意思。英文翻译说明如下
英文
中文
On-Chip Debug Enabled
片内调试使能
JTAG Interface Enabled
二、AVRmega16单片机中重要熔丝位的配置
（1）CLKSEL[3:0]：用于选择系统的时钟源。
（2）SPIEN：SPI下载使能位。默认状态为允许“0”。
（3）WDTON：WDT定时器始终开启设置位。默认为“1”，表示禁止WDT始终开启。
（4）EESAVE：执行擦除命令时是否保留EEPROM中的内容，默认状态为“1”，表示执行片内擦除命令时，EERPOM中的内容和Flash中的内容一同被擦除。
ATMEGA128熔丝位配置详解
ATMEGA12熔8 丝位配置详解熔丝位配置2009-07-29 11:51 在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDE、NJTAGEN和SPIEN等）的配置是不可逆的2009年04月17日星期五11:28 引言AVR系列单片机在仿真调试之前，首先必须对AVR的熔丝位和锁定位进行配置。
如果配置不当，则可能造成单片机不能正常工作，严重时可能导致单片机死锁。
因此，对单片机熔丝位和锁定位的正确配置显得尤为重要。
熔丝位是对单片机具体功能和工作模式的限定，其正确配置与否直接影响到单片机能否正常工作; 锁定位是对单片机的程序和数据进行加密，以防止单片机中的程序和数据被读出或写入。
在进行配置时，一般先配置熔丝位，再配置锁定位。
锁定位又分为引导程序区锁定位和程序及数据存储器锁定位两类。
对引导程序区锁定位进行编程可以实现两套保护模式，即应用区保护模式和Boot Loader 区保护模式；不同的编程配置可以实现不同的加密级别。
对程序及数据存储器锁定位进行编程可以禁止对并行和SPI/JTAG 串行编程模式中Flash 和EEPRO进M一步编程，从而对程序和存储器中的数据进行保护。
由于引导程序锁定位和程序及数据存储器锁定位的配置具有可逆性，因此可根据不同的需要多次编程，灵活改变。
但是，在配置熔丝位时应特别注意，部分熔丝位（如OCDE、N JTAGEN 和SPIEN 等）的配置是不可逆的。
在采用单一编程下载情况下（例如只采用JTAG下载或者只采用AVRISP并行下载），一旦配置后将不可改变。
鉴于熔丝位配置的重要性，本文以AVR系列的ATmega128单片机为例，详细介绍熔丝位的配置以及在配置过程中常出现的一些问题，并给出相应的解决办法，成功地解决了因熔丝位配置不当而引起的单片机不能正常工作和死锁等一系列问题。
1熔丝位的配置ATmega128的熔丝位共有3 个字节：熔丝位扩展字节、熔丝位高字节和熔丝位低字节。
表1、表2和表3 分别描述了所有熔丝位的功能、默认值以及它们是如何映射到熔丝位字节的。
[熔丝位]AVR_ISP接口定义与熔丝位
![[熔丝位]AVR_ISP接口定义与熔丝位](https://img.taocdn.com/s3/m/6137ea0a7cd184254b353521.png)
AVR的ISP接口定义大部分AVR MCU的ISP数据端口亦为 SCK、MOSI、MISO引脚（如Attiny13/24/2313，Atmega48/88/168，Atmega16/32/162，Atmega8515/8535等），如下：MISO MISOVCC VCCSCK SCKMOSI MOSIRESET RESETGND GND少部分AVRMCU的ISP数据端口则不是使用这些接口，而是：SCK、PDI、PDO引脚（如ATmega64/128/1281等），如下：MISO PDOVCC VCCSCK SCKMOSI PDIRESET RESETGND GND以上仅例举出常用的AVR型号的连接方式，若您使用的AVR型号没有被列举到，请查看相关型号的PDF文档，里面的编程章节将有介绍使用ISP时，需连接哪些引脚。
下面是标准的接口排列：ATMEL指定的ISP_10PIN标准接口ATMEL指定的ISP_6PIN标准接口USB AVR SKII V2.0(usb avr仿真器/调试器)问：USB AVR SKII V2.0 与 V1.0 的区别？答：USB驱动IC不同，V2.0 版本采用的USB芯片FT232，V1.0版本的PL2303，在JTAG仿真调试方面兼容性、稳定性稍差。
·基于ATMEL原厂提供的方案而设计：支持AVRStudio，借鉴了ATMEL原厂生产的JTAGICE仿真器与AVRISP下载器，使用方法同它们一致，简单易用，稳定可靠。
·支持的软件：- 直接支持AVRStudio、WINAVR(GCC)、IAR- 支持IAR、ICCAVR、CVAVR等生成的调试与烧写文件·自动识别JTAG与AVRISP：- 接入目标板的JTAG接口，使用“JTAG ICE”方式进行连接，调试器识别为JTAGICE仿真器。
- 接入目标板的ISP接口，使用“STK500 or AVRISP”方式进行连接，调试器识别为AVRISP下载器。
XMEGA128A1 的溶丝位设置
XMEGA128-A1 的溶丝位设置(第一讲)-德国工程师郭督写于08.11.2012 -买了一块XmegaXplan。
用USB做烧写程序不太习惯就先用atmel avrISP MKII 来烧录HEX码。
先用AVR STUDIO6新版啊刚开始接入烧时报错:(。
啊原来是FUSES要先设定.xmega 和 atmega 不一样的是系统哦时钟不用FUSES来设定了而是通过程序来定。
不用怕怕了。
(:没设定前图FusesJITAG设定JTAG User ID (JTAGUID) = 0xff (原来设定: 0x00) Watchdog Configuration看门狗Watchdog Window Timeout Period (WDWPER) = n.a.Watchdog Timeout Period (WDPER) = n.a.复位Reset ConfigurationReset Vector (BOOTRST) = Application ResetBOD operation in power-down mode (BODPD) = BOD disabledStart-up Configuration外部复位不使能 (RSTDISBL) = noStart-up time SUT(STARTUPTIME) = 0Watchdog Timer lock (WDLOCK) = noJTAG enabled (JTAGEN) = yes在没有JTAG时请用JTAG enabled (JTAGEN) = no第5: BODACT, BODLEVEL, EESAVE 设定BOD operation 在主动模式(BODACT) = BOD disabledEEPROM内容在清空芯片时不保留 (EESAVE) = noBOLVL 电平 (BODLEVEL) = 1.6VAUTO RED 不勾做了这些设定后VERFIY 一片绿。
mega128-128L原理与开发应用指南（中文）
产品特点•高性能、低功耗的 AVR® 8位微处理器•先进的 RISC 结构–133条指令 – 大多数可以在一个时钟周期内完成–32 x 8 通用工作寄存器 + 外设控制寄存器–全静态工作–工作于16 MHz时性能高达16 MIPS–只需两个时钟周期的硬件乘法器•非易失性的程序和数据存储器–128K 字节的系统内可编程Flash寿命: 10,000次写/擦除周期–具有独立锁定位、可选择的启动代码区通过片内的启动程序实现系统内编程真正的读-修改-写操作–4K字节的EEPROM寿命: 100,000次写/擦除周期–4K 字节的内部SRAM–多达64K字节的优化的外部存储器空间–可以对锁定位进行编程以实现软件加密–可以通过SPI实现系统内编程•JTAG接口(与IEEE 1149.1标准兼容)–遵循JTAG标准的边界扫描功能–支持扩展的片内调试–通过JTAG接口实现对Flash, EEPROM, 熔丝位和锁定位的编程•外设特点–两个具有独立的预分频器和比较器功能的8位定时器/计数器–两个具有预分频器、比较功能和捕捉功能的16位定时器/计数器–具有独立预分频器的实时时钟计数器–两路8位PWM–6路分辨率可编程（2到16位）的PWM–输出比较调制器–8路10位ADC8个单端通道7个差分通道2个具有可编程增益（1x, 10x, 或200x）的差分通道–面向字节的两线接口–两个可编程的串行USART–可工作于主机/从机模式的SPI串行接口–具有独立片内振荡器的可编程看门狗定时器–片内模拟比较器•特殊的处理器特点–上电复位以及可编程的掉电检测–片内经过标定的RC振荡器–片内/片外中断源–6种睡眠模式: 空闲模式、ADC噪声抑制模式、省电模式、掉电模式、Standby模式以及扩展的Standby模式–可以通过软件进行选择的时钟频率–通过熔丝位可以选择ATmega103兼容模式–全局上拉禁止功能•I/O和封装–53个可编程I/O口线–64引脚TQFP与 64引脚 MLF封装•工作电压–2.7 - 5.5V ATmega128L–4.5 - 5.5V ATmega128•速度等级–0 - 8 MHz ATmega128L–0 - 16 MHz ATmega128微处理器，具有128K字节的系统2ATmega1282467L–AVR–05/04引脚配置Figure 1. ATmega128的引脚综述ATmega128为基于AVR RISC 结构的8位低功耗CMOS 微处理器。
关于atmega128下载器熔丝位的配置心得
关于安atmega128写进程序，但运行不了的问题
今天搞了一天，本来以为atmega128坏了，然后又重新自己做了一块。
结果还是不行，后面慢慢查找资料，终于知道是熔丝位配置不对的问题。
搞了一天终于知道他是如何的：
我用的是这个下载器下载的，我写程序是用ICCA VR写的程序，在选择芯片的时候必须要注意，你选择的芯片类型，我选的是
128（pelease see notes）；编译完了后，在配置下载器时，必须要注意了，上图是我的配置。
其中扩展熔丝位M103，假如你选的是兼容103的那这就要选“0”，假如你选的是单单在编写程序时选的是128的，那你这就要选择1，1代表关闭此模式，wdton默认是1，这个是有关于看门狗的，熔丝高位中需注意JTAGN，假如你不是用JTAGN的，那这就要禁止，选择1，用spi下载则spi要选择0,。
熔丝低位中的cksel3到cksel0是配置所选的
这些是基本要命的配置。
注意：配置完了以后记得要点击右边的写
入，不然你所选的的不行的。
以上是我的一点总结，希望对你有用，这仅提供参考。
谢谢阅读。
---------------------老黄。
mega128技术文档
雪松电子开发：/AVR mega128 技术文档1、电路分析图（1）mega128 核心板原理图 一，硬件电路说明 1，电源：1）通过 ISP 连接 USB 进行供电。
2）通过 JTAG 连接 USB 供电。
3）通过 P5 外接 5V 电源供电。
2，外围接口：P1，P2，P3，P4 共 64 位将 mega128 所有的接口全部引出，方便工程设 计和外围扩展。
3，发光二极管 D0 的作用是指示电源是否连接成功，如果外部电源成功的连接上，则发 光二极管发光指示电源连接成功；电阻 R0 的作用是对发光二极管进行限流，一般发光二极 管只能通过 5mA—15mA 左右的电流，且发光二极管上面的压降只需要 1.5V 左右，加到发 光二极管上面的电流如果超出额定值，则会烧毁。
而系统工作的电压是 5V，如果全部加在 发光二极管上， 则发光二极管很容易就会被烧毁。
所以要在电源和发光二极管之间串接一个 限流电阻。
该限流电阻阻值的计算： （VCC-发光二极管上的电压）/流过发光二极管的电流。
一般发光二极管的压降是 1.5V 左右，电流为 10mA 左右，为降低功耗我们在此取 680R 发光二极管 D1 和 R1 的作用是作为程序运行指示，在程序运行的过程中通过跳冒 P0 选 通 4，复位电路：单片机的第 20 脚（RESET，复位管脚）经过按钮 S0 连接到地。
分析：a）AVR 单片机是低电平复位（51 单片机是高电平复位，刚好相反） 。
需要 单片机复位时，最少要在复位管脚加上 1.5 微秒的低电平，才能确保单片机正确复位。
b）按下按钮 S0，复位管脚被直接拉到电源地，这样复位管脚的电平就被 拉低，从而使单片机复位；一般情况下按钮按下的时间超过毫秒级别，这样就能确保单片机“雪松电子开发”你身边的嵌入式开发专家雪松电子开发：/正确复位。
5， ISP 电路（程序下载电路） ：ISP 下载接口不需要任何的外围零件。
ATmega128.64熔丝锁定位详解
ATmega128.64熔丝锁定位详解A ATmega128熔丝位汇总编程与状态说明：在AVR的器件手册中，使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态。
“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）1：未编程（检查框不打钩）0：编程（检查框打钩）AVR的熔丝位可多次编程的，不是OPT熔丝。
熔丝位的配置（编程）可以通过并行方式、ISP串行方式、JTAG 串行方式实现。
AVR芯片加密锁定后（LB2/LB1 = 1/0，0/0）不能通过任何方式读取芯片内部Flash 和E2PROM中的数据，但熔丝位的状态仍然可以读取，但不能修改配置。
芯片擦除命令是将Flash和E2PROM中的数据清除，并同时将两位锁定位状态配置成无锁定状态（LB2/LB1 = 1/1）。
但芯片擦除命令并不改变其它熔丝位的状态。
下载编程的正确的操作程序是：在芯片无锁定状态下，下载运行代码和数据，配置相关的熔丝位，最后配置芯片的加密锁定位。
芯片被加密锁定后，如果发现熔丝位配置不对，必须使用芯片擦除命令，清除芯片中的数据，解除加密锁定。
然后重新下载运行代码和数据，修改配置相关的熔丝位，最后再次配置芯片的加密锁定位。
1．芯片加密锁定熔丝加密锁定位加密锁定方式 LB2 LB1保护类型（用于芯片加密） 1（默认） 1 1 无任何编程加密锁定保护2 1 0 禁止串/并行方式对Flash和E2PROM的再编程禁止串/并行方式对熔丝位的编程3 0 0 禁止串/并行方式对Flash和E2PROM的再编程和校验禁止串/并行方式对熔丝位的编程注：加密锁定熔丝只能使用芯片擦除命令还原为默认的无任何加密锁定保护状态2．功能熔丝说明熔丝名称1 0默认M103C ATmega128工作模式ATmega103 兼容模式0 WDTON 看门狗由软件控制看门狗始终工作，软件只可以调节溢出时间 1 SPIEN 禁止ISP串行编程允许ISP串行编程 0 JTAGEN 禁止JTAG 口使能JTAG口0 EESAVE 芯片擦除时不保留E2PROM数据芯片擦除时保留E2PROM数据 1 BODEN 禁止低电压检测功能允许低电压检测功能1 BODLEVEL 低电压检测门槛电平2.7V 低电压检测门槛电平4.0V 1 OCDEN 禁止JTAG口的在线调试功能禁止JTAG口的在线调试功能 1ATmega1283．有关Bootloader的熔丝上电启动地址的设定：说明熔丝名称1 0默认 BOOTRST 芯片上电后从0x0000地址执行上电后从BOOT 区执行（参考BOOTSZ0/1） 1 Bootloader区大小设置：BOOTSZ1 BOOTSZ0 BOOT区大小 BOOT区地址默认0 0 4096 Word 0xF000 000 1 2048 Word 0xF8001 0 1024 Word 0xFC001 1 512 Word 0xFE00对应用程序区的保护模式设置：BLB0模式 BLB02 BLB01 对应用程序区的保护Mode1 1 1 不限制SPM和LPM指令对应用程序区的操作Mode2 1 0 禁止SPM指令对应用程序区的写操作Mode3 0 0 禁止SPM指令对应用程序区的写操作在执行驻留于引导加载区的引导加载程序过程中，禁止其中LPM 指令对应用程序区的读操作如果中断向量驻留在引导加载区，则在MCU执行驻留于应用程序区的程序过程中，禁止中断响应Mode4 0 1 在执行驻留于引导加载区的引导加载程序过程中，禁止其中LPM指令对应用程序区的读操作如果中断向量驻留在引导加载区，则在MCU执行驻留于应用程序区的程序过程中，禁止中断响应对Bootloader区的保护模式设置：BLB1模式 BLB12 BLB11 对引导加载区的保护Mode1 1 1 不限制SPM和LPM指令对引导加载区的操作 Mode2 1 0 禁止SPM指令对引导加载区的写操作Mode3 0 0 禁止SPM指令对引导加载区的写操作在执行驻留于应用程序区的应用程序过程中，禁止其中LPM指令对引导加载区的读操作如果中断向量驻留在应用程序区，则在MCU执行驻留于引导加载区的加载程序过程中，禁止中断响应Mode4 0 1 在执行驻留于应用程序区的应用程序过程中，禁止其中LPM指令对引导加载区的读操作如果中断向量驻留在应用程序区，则在MCU执行驻留于引导加载区的加载程序过程中，禁止中断响应4. 有关系统时钟源的选择和上电启动延时时间的设置熔丝系统时钟选择：系统时钟源 CKSEL3..0外接石英/陶瓷振荡器 1111-1010外接低频晶振(32.768KHZ) 1001（RTC）外接RC振荡 1000-0101使用可校准的内部RC振荡 0100-0001（默认0001，1MHz）外部时钟源 0000使用外部振荡器时的工作模式配置：熔丝位 CKOPT2CKSEL3..1 工作频率范围(MHz)C1、C2容量(pF)(仅适用石英晶振)1 101 0.4-0.9 仅适合陶瓷振荡器11 110 0.9-3.0 12-221 111 3.0-8.0 12-220 101,110,111 ≥1.0 12-22注: 1、对陶瓷振荡器所配的电容，按生产厂家说明配用。
ATMEGA8的熔丝位说明
ATMEGA8的熔丝位说明1、功能熔丝熔丝说明默认1 0RSTDISBL PIN1用作复位引脚PIN1用作IO口，复位为内部复位 1WDTON 看门狗完全由软件控制看门狗始终工作，软件只可以调节溢出时间 1 SPIEN 禁止串行编程允许串行编程0EESAVE 擦除时不保留EEPROM数据擦除时保留EEPROM数据 1BODEN BOD功能禁止BOD功能允许1BODLEVEL BOD门槛电平2.7V BOD门槛电平4.0V 1BOOTRST 复位后从0地址执行复位后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1） 12、BOOT区配置熔丝BOOTSZ1 BOOTSZ0 BOOT区大小BOOT区地址默认0 0 1024WORD 0x0C00 默认0 1 512WORD 0x0E001 0 256WORD 0x0F001 1 128WORD 0x0F803、时钟源选择系统时钟源CKSEL3..0外部石英/陶瓷振荡器 1111-1010外部低频晶振(32.768KHZ) 1001外部RC振荡 1000-0101可校准的内部RC振荡 0100-0001外部时钟00004、外部振荡器外部振荡器的不同工作模式熔丝位工作频率范围(MHz) C1、C2容量(pF)(仅适用石英晶振)CKOPT2 CKSEL3..11 101 0.4-0.9 仅适合陶瓷振荡器11 110 0.9-3.0 12-221 111 3.0-8.0 12-220 101,110,111 ≥1.0 12-22注:1、对陶瓷振荡器所配的电容，按陶振厂家说明。
2、当CKOPT=0（编程）时，振荡器的输出振幅较大，适用于干扰大的场合；反之，振荡器的输出振幅较小，可以减少功耗，对外电磁幅射也较小。
使用外部振荡器时的启动时间选择熔丝位从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V) 推荐使用场合CKSEL0 SUT 1..00 00 258 CK 4.1ms 陶瓷振荡器、快速上升电源0 01 258 CK 65ms 陶瓷振荡器、慢速上升电源0 10 1K CK - 陶瓷振荡器BOD方式0 11 1K CK 4.1ms 陶瓷振荡器、快速上升电源1 00 1K CK 65ms 陶瓷振荡器、慢速上升电源1 01 16K CK - 石英振荡器BOD方式1 10 16K CK 4.1ms 石英振荡器、快速上升电源1 11 16K CK 65ms 石英振荡器、慢速上升电源5、使用外部低频晶振时的启动时间选择可以使用32.768KHZ的手表晶振作为MCU的时钟源（同图一），此时CKSEL应当编程为1001；CKOPT=0（编程）时，选择使用内部和XTAL1/XTAL2相连的电容，没有必要再外接电容；内部电容是36pF，应用时可以参考32.768KHZ晶振的使用手册来选择C1、C2电容。
AVR单片机ATmega128芯片BootLoader详细介绍
TIFR = TIFR|0x02;
}
}
//每秒向 PC 机发送一个控制字符"C"，等待控制字〈soh〉
while(uart_getchar()!=XMODEM_SOH) //receive the start of Xmodem
{
if(TIFR & 0x02)
//timer0 over flow
{
Target: Mega128
Crystal: 16Mhz
Used: T/C0,USART0
*****************************************************/
#include #define SPM_PAGESIZE 256
//M128的一个 Flash 页为256字节(128字)
void quit(void)
{
uart_putchar('O');uart_putchar('K');
uart_putchar(0x0d);uart_putchar(0x0a);
while(!(UCSR0A & 0x20));
//等待结束提示信息回送完成
MCUCR = 0x01;
MCUCR = 0x00;
区本身。引导加载程序还可以对自身进行更新修改，甚至可以将自身删除，使系统的自编程能力消失。引导加载程序区的大小
可以由芯片的熔丝位设置，该段程序区还提供两组锁定位，以便用户选择对该段程序区的不同级别的保护。本节将给出一个实
际的的 Boot Loader 程序，它可以配合 Windows 中的超级终端程序，采用 Xmodem 传输协议，通过 RS232接口下载更新
BOOTLOADER的原理及设计要点
ＭＥＧＡ１２８的Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ区大小可以由ＢＯＯＴ－ ＳＺ熔丝位来配置， 这给用户带来了很大的选择灵 活 性 。 在 出 厂 默 认 配 置 下 ， ＢＯＯＴＳＺ＝００， 也 即 Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ区为从￥Ｆ０００开始的４Ｋ 字。用户可以 通过改写ＢＯＯＴＳＺ来更改其大小。如果ｂｏｏｔ ｌｏａｄｅｒ 区程序非常小， 用户甚至可以将Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ区设 定 为５１２字 以 扩 大 应 用 程 序 的 空 间 。 笔 者 认 为 ， 如果应用程序不是非常大， 最好能保留其４Ｋ字的 配置， 这一方面可减少一步改写熔丝位的工作 量， 另一方面也预留了Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ的扩展能力。
利 用 在 应 用 编 程 （ＩＡＰ， Ｉｎ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｐｒｏ－ ｇｒａｍ） 技术， 用户可在数据采集中心对远 程ＲＴＵ 进行升级， 而且更新时间快， 基本不会影响系统 运 行 。 此 外 ， 当 在 单 片 机 中 烧 入 这 样 一 个 Ｂｏｏｔ ｌｏａｄｅｒ程序并建立ＩＡＰ后， 其最基本的开发环境就 简化成了 “ＰＣ＋ＲＳ２３２电缆＋目标板”。
Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ区 的 程 序 一 般 可 分 为 两 个 部 分 ， 一 部 分 是 与 硬 件 单 片 机 相 关 的 ＦＬＡＳＨ 擦 写 功 能 模 块函数， 一般用汇编语言编写， 这也是整个Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ的 核 心 模 块 ； 另 一 部 分 为 应 用 程 序 模 块 ， 一般用Ｃ语言编写， 以增强程序的可读性。
２．２ Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ程序进入方式的选择
Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ的本质就是驻留在ＦＬＡＳＨ中的 一 段程序。要进入Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ程序， 程序指针ＰＣ必 须指向该程序的起始位置。用户可以通过在应用 程序接收到特殊指令后， 通过ＪＭＰ语句直接跳转 到Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ程 序 的 开 始 位 置 去 执 行 更 新 流 程 。 此 外 ， ＭＥＧＡ１２８还 可 通 过 更 改ＢＯＯＴＲＳＴ熔 丝 位 来 将 复 位 向 量 直 接 指 向Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ程 序 ， 这 样 ， 每次ＭＥＧＡ１２８复位时， 都将直接运行Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ 流程。但用户在Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ中必须判断是否需要 更新应用程序， 如果不需要， 经过超时时间后则 退出Ｂｏｏｔ Ｌｏａｄｅｒ， 接着进入应用程序。
AVR studio 4 mega128熔丝位设置详细说明-自学笔记个人总结
首先我们来讲讲设置熔丝位的目的：最基本的就是avr单片机可以使用外部晶振和内部晶振，设置熔丝位就是为了选择内部晶振或者外部晶振，很重要，如果设置不正确会导致程序无法运行1.连接仿真器和控制板，记得给控制板上电，不然找不到串口号，首次连接需要下载串口驱动程序，用下载好的驱动程序或者驱动精灵更新就行2.在avr studio中选中端口号，两种方式方式一：直接点击con按钮方式二：菜单栏Tool->proram AVR->connect在选择相应端口号，如:JTAG ICE(仿真器硬件仿真) ,COM23.进入JTAG ICE设置中的fuses（熔丝位）界面设置端口后自动跳入JTAG ICE设置界面，或者设置完端口以后其他两种方式进入方式一：点击按钮AVR方式二：tools->program avr->auto connect接着进入JTAG ICE设置界面，选择单片机型号megal128，选择型号以后才能进行设置熔丝位下面就可以选择进入fuses界面设置熔丝位设置前说明：下面对AVR STUDIO具体配置信息进行简单说明：英文中文不选中此模式，M103模式取消，使用M128模式，使用外部7.3728M晶振。
选中此项开门狗常开On-Chip Debug Enabled 片内调试使能JTAG Interface Enabled JTAG 接口使能允许JTAG接口期间，JTAG所对应的接口不能作为I/O口使用Serial program downloading (SPI)enabled串行编程下载(SPI) 使能(ISP下载时该位不能修改) Preserve EEPROM memory throughthe Chip Erase cycle;芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words Boot start address=$yyyy; 设置引导(Boot)区的大小xxxx个字（两个字节），后面是对应的引导区启始地址。
ATXmega128A1笔记
ATXmega128A1笔记t=ccabuf时标志位置位，同时caa=caabuf2.系统时钟设置步骤：1）选择时钟源以启用OSC。
2）等待时钟稳定下来。
3）将时钟设为系统时钟。
clk4）关闭其他时钟源。
3.PLL初始化步骤：1)选择时钟源，如果选择的是32m的，必须先对其进行4分频，然后把他选定为系统时钟，2）倍频系数设置3）pll使能4）选择系统时钟例如：选择32m内部时钟源，倍频系数为6，系统时钟为48mclksys_enable(osc_rc32men_bm);do{}while（clksys_isready（osc_rc32mrdy_bm）=0）；clksys_prescalers_config(clk_psadiv_4_gc,clk_psbcdiv_1_1_gc);clksys_main_clock source_select(clk_sclksel_rc32m_gc);clksys_uu禁用（osc_pllen_bm）；clksys_pll_config(osc_pllsrc_rc32m_gc,6);clksys_uu启用（osc_pllen_bm）；clksys_prescalers_config(clk_psadiv_1_gc,clk_psbcdiv_1_1_gc);clksys_main_clock source_select(clk_sclksel_pll_gc);do{}while（clksys_isready（osc_pllrdy_bm）==0）；4.事件系统就像人体的条件反射能力一样，创新的xmega事件系统可以在不使用CPU或DMA资源的情况下完成外围设备之间的通信，从而确保100%的可预测性和快速响应。
外围设备中多达8个同时发生的事件或中断条件可以自动触发其他外围设备中的响应。
该事件系统消除了多次中断和/或频繁触发中断造成的瓶颈效应。
事件处理不需要软件，关键任务的延迟时间保证短于任何中断响应时间。
AVR_Mega128
AVR_Mega128定时器0（Timer/Counter0）定时计数器0包含以下三个私有寄存器：1、状态控制寄存器（Control Register）----------------------TCCR02、定时计数寄存器（Timer/Counter Register）----------------TCNT03、输出比较寄存器 (Output Compare Register)----------------OCR0定时计数器0包含以下四个公用寄存器：1、中断标志寄存器（Interrupt Flag Register）---------------TIFR2、中断屏蔽寄存器（Interrupt Mask Register）---------------TIMSK3、异步状态寄存器（Asynchronous Status）-------------------ASSR4、特殊函数寄存器（Special Function IO Register）----------SFIOR1、状态控制寄存器（Control Register）---------------------TCCR0FOC0 WGM00COM01 COM00WGM01CS02 CS01 CS00 强制输出比较 波形生成模式比较输出模式 比较输出模式波形生成模式时钟选择模式时钟选择模式 时钟选择模式FOC01)只有工作在非PWM模式时，FOC0才有效。
当置为1时，OC0依据比较输出模式而输出2)工作在PWM模式时，FOC0必须置0.WGM01 WGM001)控制计数器的计数顺序2)控制最大计数值3)控制波形生成模式WGM01（CTC0）WGM00(PWM0)Timer/CounterMode of OperationTOPUpdate ofOCR0 atTOV0 FlagSet on0 0 0 正常模式0xFF Immediate MAX1 0 1 相位修正PWM模式0xFF TOP BOTTOM2 1 0 CTC模式OCR0 Immediate MAX3 1 1 高速PWM模式0xFF BOTTOM MAX COM01 COM001)控制输出比较引脚的动作2)一旦任何一位被置1，OC0脚将被连接。
mega128技术文档
雪松电子开发：/AVR mega128 技术文档1、电路分析图（1）mega128 核心板原理图 一，硬件电路说明 1，电源：1）通过 ISP 连接 USB 进行供电。
2）通过 JTAG 连接 USB 供电。
3）通过 P5 外接 5V 电源供电。
2，外围接口：P1，P2，P3，P4 共 64 位将 mega128 所有的接口全部引出，方便工程设 计和外围扩展。
3，发光二极管 D0 的作用是指示电源是否连接成功，如果外部电源成功的连接上，则发 光二极管发光指示电源连接成功；电阻 R0 的作用是对发光二极管进行限流，一般发光二极 管只能通过 5mA—15mA 左右的电流，且发光二极管上面的压降只需要 1.5V 左右，加到发 光二极管上面的电流如果超出额定值，则会烧毁。
而系统工作的电压是 5V，如果全部加在 发光二极管上， 则发光二极管很容易就会被烧毁。
所以要在电源和发光二极管之间串接一个 限流电阻。
该限流电阻阻值的计算： （VCC-发光二极管上的电压）/流过发光二极管的电流。
一般发光二极管的压降是 1.5V 左右，电流为 10mA 左右，为降低功耗我们在此取 680R 发光二极管 D1 和 R1 的作用是作为程序运行指示，在程序运行的过程中通过跳冒 P0 选 通 4，复位电路：单片机的第 20 脚（RESET，复位管脚）经过按钮 S0 连接到地。
分析：a）AVR 单片机是低电平复位（51 单片机是高电平复位，刚好相反） 。
需要 单片机复位时，最少要在复位管脚加上 1.5 微秒的低电平，才能确保单片机正确复位。
b）按下按钮 S0，复位管脚被直接拉到电源地，这样复位管脚的电平就被 拉低，从而使单片机复位；一般情况下按钮按下的时间超过毫秒级别，这样就能确保单片机“雪松电子开发”你身边的嵌入式开发专家雪松电子开发：/正确复位。
5， ISP 电路（程序下载电路） ：ISP 下载接口不需要任何的外围零件。
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附录A ATmega128熔丝位汇总编程与状态说明：在AVR的器件手册中，使用已编程（Programmed）和未编程（Unprogrammed）定义熔丝位的状态。
“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”（禁止）；“Programmed”表示熔丝状态为“0”（允许）1：未编程（检查框不打钩）0：编程 （检查框打钩）AVR的熔丝位可多次编程的，不是OPT熔丝。
熔丝位的配置（编程）可以通过并行方式、ISP串行方式、JTAG串行方式实现。
AVR芯片加密锁定后（LB2/LB1 = 1/0，0/0）不能通过任何方式读取芯片内部Flash 和E2PROM中的数据，但熔丝位的状态仍然可以读取，但不能修改配置。
芯片擦除命令是将Flash和E2PROM中的数据清除，并同时将两位锁定位状态配置成无锁定状态（LB2/LB1 = 1/1）。
但芯片擦除命令并不改变其它熔丝位的状态。
下载编程的正确的操作程序是：在芯片无锁定状态下，下载运行代码和数据，配置相关的熔丝位，最后配置芯片的加密锁定位。
芯片被加密锁定后，如果发现熔丝位配置不对，必须使用芯片擦除命令，清除芯片中的数据，解除加密锁定。
然后重新下载运行代码和数据，修改配置相关的熔丝位，最后再次配置芯片的加密锁定位。
1． 芯片加密锁定熔丝加密锁定位加密锁定方式 LB2 LB1保护类型（用于芯片加密） 1（默认） 1 1 无任何编程加密锁定保护2 1 0 禁止串/并行方式对Flash和E2PROM的再编程 禁止串/并行方式对熔丝位的编程3 0 0 禁止串/并行方式对Flash和E2PROM的再编程和校验 禁止串/并行方式对熔丝位的编程注：加密锁定熔丝只能使用芯片擦除命令还原为默认的无任何加密锁定保护状态2．功能熔丝说 明熔丝名称1 0默认 M103C ATmega128工作模式 ATmega103 兼容模式 0 WDTON 看门狗由软件控制 看门狗始终工作，软件只可以调节溢出时间 1 SPIEN 禁止ISP串行编程 允许ISP串行编程 0 JTAGEN 禁止JTAG口 使能JTAG口 0 EESAVE 芯片擦除时不保留E2PROM数据 芯片擦除时保留E2PROM数据 1 BODEN 禁止低电压检测功能 允许低电压检测功能 1 BODLEVEL 低电压检测门槛电平2.7V 低电压检测门槛电平4.0V 1 OCDEN 禁止JTAG口的在线调试功能 禁止JTAG口的在线调试功能 13． 有关Bootloader的熔丝上电启动地址的设定：说 明熔丝名称1 0默认 BOOTRST 芯片上电后从0x0000地址执行 上电后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1） 1 Bootloader区大小设置：BOOTSZ1 BOOTSZ0 BOOT区大小 BOOT区地址 默认0 0 4096 Word 0xF000 000 1 2048 Word 0xF8001 0 1024 Word 0xFC001 1 512 Word 0xFE00对应用程序区的保护模式设置：BLB0模式 BLB02 BLB01 对应用程序区的保护Mode1 1 1 不限制SPM和LPM指令对应用程序区的操作Mode2 1 0 禁止SPM指令对应用程序区的写操作Mode3 0 0 禁止SPM指令对应用程序区的写操作在执行驻留于引导加载区的引导加载程序过程中，禁止其中LPM指令对应用程序区的读操作如果中断向量驻留在引导加载区，则在MCU执行驻留于应用程序区的程序过程中，禁止中断响应Mode4 0 1 在执行驻留于引导加载区的引导加载程序过程中，禁止其中LPM指令对应用程序区的读操作如果中断向量驻留在引导加载区，则在MCU执行驻留于应用程序区的程序过程中，禁止中断响应对Bootloader区的保护模式设置：BLB1模式 BLB12 BLB11 对引导加载区的保护Mode1 1 1 不限制SPM和LPM指令对引导加载区的操作 Mode2 1 0 禁止SPM指令对引导加载区的写操作Mode3 0 0 禁止SPM指令对引导加载区的写操作在执行驻留于应用程序区的应用程序过程中，禁止其中LPM指令对引导加载区的读操作如果中断向量驻留在应用程序区，则在MCU执行驻留于引导加载区的加载程序过程中，禁止中断响应Mode4 0 1 在执行驻留于应用程序区的应用程序过程中，禁止其中LPM指令对引导加载区的读操作如果中断向量驻留在应用程序区，则在MCU执行驻留于引导加载区的加载程序过程中，禁止中断响应4. 有关系统时钟源的选择和上电启动延时时间的设置熔丝系统时钟选择：系统时钟源 CKSEL3..0外接石英/陶瓷振荡器 1111-1010外接低频晶振(32.768KHZ) 1001（RTC）外接RC振荡 1000-0101使用可校准的内部RC振荡 0100-0001（默认0001，1MHz）外部时钟源 0000使用外部振荡器时的工作模式配置：熔丝位 CKOPT2CKSEL3..1 工作频率范围(MHz)C1、C2容量(pF)(仅适用石英晶振)1 101 0.4-0.9 仅适合陶瓷振荡器11 110 0.9-3.0 12-221 111 3.0-8.0 12-220 101,110,111 ≥1.0 12-22注: 1、对陶瓷振荡器所配的电容，按生产厂家说明配用。
2、当CKOPT=0（编程）时，振荡器的输出振幅较大，适用于干扰大的场合；反之，振荡器的输出振幅较小，可以减少功耗，对外电磁幅射也较小。
3、CKOPT默认状态为“1”。
使用外部振荡器时的启动时间选择：熔丝位 CKSEL0 SUT 1..0从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V)推荐使用场合0 00 258 CK 4.1ms 陶瓷振荡器、快速上升电源0 01 258 CK 65ms 陶瓷振荡器、慢速上升电源0 10 1K CK - 陶瓷振荡器BOD方式0 11 1K CK 4.1ms 陶瓷振荡器、快速上升电源1 00 1K CK 65ms 陶瓷振荡器、慢速上升电源1 01 16K CK - 石英振荡器BOD方式1 10 16K CK 4.1ms 石英振荡器、快速上升电源1 11 16K CK 65ms 石英振荡器、慢速上升电源 使用外部低频晶振时的启动时间选择：熔丝位CKSEL 3..0 SUT 1..0从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V)推荐使用场合1001 00 1K CK 4.1ms 快速上升电源或BOD方式1 1001 01 1K CK 65ms 慢速上升电源1001 10 32K CK 65ms 要求振荡频率稳定的场合 1001 11 保留注： 1、这个选项只能用于启动时晶振频率稳定、不是很重要的应用场合。
2、使用32.768K手表晶振作为MCU的时钟源。
此时CKSEL应当编程为1001；3、CKOPT=0时，选择使用内部和XTAL1/XTAL2相连的电容，没有必要再外接电容；内部电容为36pF。
使用外部RC振荡器时的模式配置熔丝位 (CKSEL3..0) 工作频率范围(MHz)0101 ≤0.90110 0.9-3.00111 3.0-8.01000 8.0-12.0注意： 1、频率的估算公式是：f=1/(3RC)2、电容C至少为22pF。
3、当CKOPT=0（编程）时，可以使用片内XTAL1和GND之间的36pF电容，此时不需要外接电容C。
使用外部RC振荡器时的启动时间选择熔丝位 (SUT 1..0)从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V)推荐使用场合00 18 CK - BOD方式01 18 CK 4.1ms 快速上升电源10 18 CK 65ms 慢速上升电源11 6 CK 4.1ms 快速上升电源或BOD方式使用内部RC振荡器的不同工作模式熔丝位 (CKSEL3..1) 工作频率范围 (MHz)00011 1.00010 2.00011 4.00100 8.0注：1、芯片出厂设置状态被校准的内部RC振荡器提供固定的1/2/4/8MHZ的时钟，这些工作频率是在5V，25℃下校准的。
CKSEL熔丝按下表编程可以选择内部RC时钟，此时将不需要外部元件，而使用这些时钟选项时，CKOPT应当是未编程的，即CKOPT=1。
当MCU完成复位后，硬件将自动地装载校准值到OSCCAL寄存器中，从而完成对内部RC 振荡器的频率校准。
使用内部RC振荡器时的启动时间选择熔丝位 (SUT 1..0)从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V)推荐使用场合00 6 CK - BOD方式01 6 CK 4.1ms 快速上升电源 101 6 CK 65ms 慢速上升电源11 保留注：1、芯片出厂设置外部时钟源：当CKSEL编程为0000时，使用外部时钟源作为系统时钟，外部时钟信号从XTAL1输入。
如果CKOPT=0（编程），则XTAL1和GND之间的片内36pF电容被使用。
使用外部时钟源时的启动时间选择熔丝位 (SUT 1..0)从掉电模式开始的启动时间从复位开始的附加延时(Vcc=5.0V)推荐使用场合00 6 CK - BOD方式01 6 CK 4.1ms 快速上升电源10 6 CK 65ms 慢速上升电源11 保留注意：为保证MCU稳定工作，不能突然改变外部时钟的频率，当频率突然变化超过2%时，将导致MCU 工作异常。
建议在MCU处于复位状态时，改变外部时钟的频率。
5． 系统时钟选择与启动延时配置一览表系 统 时 钟 源 启 动 延 时 熔 丝 状 态 配 置外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01外部时钟 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10内部RC振荡1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01内部RC振荡1MHZ（默认） 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10内部RC振荡2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00内部RC振荡2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0010 SUT=01内部RC振荡2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0010 SUT=10内部RC振荡4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00内部RC振荡4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0011 SUT=01内部RC振荡4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0011 SUT=10内部RC振荡8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00内部RC振荡8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0100 SUT=01内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0101 SUT=00外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=01外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0101 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=11外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0110 SUT=00外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=01外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0110 SUT=10外部RC振荡0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=11外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT=00外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=01外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT=10外部RC振荡3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=11外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT=00外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=01外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=1000 SUT=10外部RC振荡8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=11低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1001 SUT=00低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=01低频晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1010 SUT=01低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=11低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1011 SUT=00低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT=01低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1011 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1011 SUT=11中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1100 SUT=01中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT=10中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=11中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1101 SUT=00中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1101 SUT=01中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11 注：在选择不同系统时钟源时，熔丝位CKOPT的状态有不同的意义，请查看每一种时钟源配置时，对CKOPTD的定义。