硅太阳能电池的设计资料
硅太阳能电池设计资料(56页)

§ 4AA_基础太阳能电池设计
第二个因素是假设入射光有髙聚光比。并假设温度和电 阻效应对 聚光太阳能电池的影响很小,而光强的增加能适当増 加短路电流,因 为开路电压vDt受短路电流的影响,V%随着光 强呈对数上升。再者,因 为填充因子也随着V%的提髙而提髙, 所以填充因子同样随着光强的增 加而提髙。因光强的增加而额 外上升的V。。和FF使聚光太阳能电池获 得更髙的效率。
§4^ 光学特性 朗伯 背反射层
朗伯背反射层如下图所描述:
顶角等 于临界 角的椎 体内的 光损失 掉了
ihtulkiiiHd l_ltf
入奔光
diiglKineqflLicdol mto*1*h*e■!c*I Hie al jMiglu is lust
小 于 临 界 角 入 射 liaht le^sthjwii ihe crrtical ari tMe
多晶硅制 绒表面的 电子显微 镜照片
§4.2,4 光学特性 电 池厚度
像减小表面反射一样,充分的吸收入射光也是获得髙转换 效率的必要途径之一。而吸收光的多少则取决于光路径的长度 和吸收系数。下面的动画展示了硅太阳能电池对光的吸收是如 何随着电池厚度变化的。 对于厚度超过的硅 电池来说, 入射光能量大于禁 带宽度的部分 基本全部被吸收, 总电流的100% 指的是所有能被 硅吸收的光都被 吸收了。当硅 材料厚度为10微米 时,只有 30%的可吸收光被吸收, 损失 的光子用橙色和红色表示。
其中,0/2分别是入射角和折射角,而~为光入 射介质 的折射率,《2光射出介质的折射率,
§4^ 光学特性 光陷阱
对上面的折射定律公式进行调整,则可计算光在电池入射 的角度 (即折射角):O2=sin~} (n.sin^ / n2)
第七章 硅太阳能电池的设计讲解

7.4.1 死层
25
为提高收集几率,需降低结深t
s
1
qe NDt
20世纪60年 代的电池中,
t为0.5μm
为降低表面横向电阻带来的功率损
耗,就要降低ρs ,所以t不能无限制降
低,需要提高掺杂浓度ND。
死层
26
磷(P)扩散到硅内,固定扩散温度 下,随着扩散时间的增加:
7.1.3 顶层的横向电阻(薄层电阻)
15
体电流:电池体内电流方向 一般垂直于电池的表面。
横向电流:电池表面的栅状 电极引出电流时,电流须横 向流过电池材料的顶层。
对于均匀掺杂的n型层,其电
阻率为:
1
横向电阻: qe ND
结深t 掺杂ND
横向电阻ρs
横向电阻ρs
s
1
qe NDt
,t为n型层的厚度(结深),单位
•如果体电流刚好从电池内部流到电极附近,路程 短,电阻较小,电流较大。
•如果电流流到两个栅条正中间,则电阻刚好等于 两个栅条距离的一半,电流为零。
横向电阻带来的功率损耗
18
最大功率为VmpJmpbS/2,相对功率损耗p失为:
p失
Ploss Pmp
s S 2 Jmp
12Vmp
当p失上限确定
S2
2.随着离耗尽区边缘的距离增加,收集几率呈指数衰减,其 收集概率将下降。当载流子在与电场的距离大于扩散长度 的区域产生时,那么它的收集概率是相当低的。
3.如果载流子是在靠近电池表面区域产生,表面区域复合 率较高,载流子极易被复合,收集几率几乎为零。
钝化处理
8
要降低表面区域的高复合率,可在表面镀上钝化层(通常 为二氧化硅SiO2),中和硅表面的悬挂键。
晶体硅太阳能电池结构及原理通用课件

行业政策与市场趋势的挑战与机遇
环保政策
随着全球对环境保护意识的增强,各国政府出台了一 系列的环保政策,对晶体硅太阳能电池的生产和应用 提出了更高的要求,但同时也为环保型、高效能的晶 体硅太阳能电池提供了市场机遇。
市场竞争
晶体硅太阳能电池市场竞争激烈,各国企业都在加大 研发和生产力度,提高产品质量和降低成本,以争取 更大市场份额,企业需要保持技术创新和市场敏锐度, 才能立于不败之地。
分类
太阳能电池主要分为硅基太阳能电池、 薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电 池等几大类,其中晶体硅太阳能电池 是硅基太阳能电池的一种。
晶体硅太阳能电池的应用与优势
应用
晶体硅太阳能电池广泛应用于光伏电站、太阳能热水器、太阳能灯具、太阳能 船、太阳能车等方面。
优势
晶体硅太阳能电池具有稳定性好、寿命长、转换效率高等优点,同时,由于其 在制造过程中技术成熟、成本逐渐降低,因此大规模应用较为广泛。
太阳能光伏电站案例分析
光伏电站类型
根据电站规模和应用场景,太阳能光伏电站可分为集中式光伏电站和分布式光伏电站。集中式光伏电 站通常建设在荒漠、戈壁等土地资源丰富地区,而分布式光伏电站则主要建设在建筑屋顶、墙面等闲 置空间。
案例分析
以某大型集中式光伏电站为例,介绍晶体硅太阳能电池在其中的应用,包括电池组件选型、电站布局 设计、发电效率分析等方面。
太阳能交通工具概述
简要介绍太阳能汽车、太阳能船舶、太阳能 飞机等太阳能交通工具的发展现状及趋势。
晶体硅太阳能电池在太阳 能交通工具中的应用
阐述晶体硅太阳能电池在太阳能交通工具中 的关键技术,如高效能量存储系统、轻量化 设计等,并分析其在提高交通工具续航里程、 降低能耗等方面的作用。同时,探讨晶体硅 太阳能电池在未来太阳能交通工具领域的潜
硅基太阳能电池设计(课程设计)

微电子课程设计硅太阳能电池结构设计与参数提取第二章选题及要求2.1课题名称与背景课题名称:硅太阳电池结构设计与参数提取课题背景:1、太阳能利用太阳能是一种新型能源,具有无污染、可再生的特点。
太阳能电池/光伏电池(Solar Cells)是一种将太阳能转化为电能的元器件,其基本结构是PN结。
硅太阳电池因工艺成熟、成本低廉而占据全球光伏产业80%以上的份额。
图2.1 太阳能光谱图2、光伏效应太阳能电池的基本结构是半导体PN结,当存在光照时,光子被吸收而产生光生载流子,光生载流子发生扩散而在PN结中形成与内建电厂相反的光生电场。
称为光生伏特效应。
3、等效电路与负载特性在光照下,太阳电池的基本结构的等效电路如图2.2所示图2.2 等效电路电流公式为s 0()=exp(1)s ph sh q V IR V IR I I I nkT R ++---其中n 为二极管理想因子,s R 为串联电阻,sh R 为旁路电阻。
其负载特性曲线如图2.3所示图2.3 负载特性曲线定义FF 为填充因子,oc V 为开路电压,sc I 为短路电流,其中max .oc sc P FF V I =即两矩形面积之比,..oc sc inV I FF P η=2.2 课题内容(1)太阳电池结构设计:利用太阳能电池基础知识,完成电池PN结衬底、结深、掺杂浓度的设计,以及电极材料选择、电极宽度设计;(2)太阳电池虚拟制造:利用现代TCAD工艺仿真软件对太阳电池进行工艺仿真和虚拟制造,显示制造结果,并保存电池结构以进行下一步操作;(3)太阳电池性能仿真:利用现代TCAD工艺仿真软件对步骤2中的电池进行响应特性、负载特性等器件性能仿真,并与设计指标进行比对;(4)太阳电池参数提取:通过参考书和参考文献调研等方式,根据太阳电池等效电路模型,设计和编写响应的软件程序,从步骤3输出的负载特性曲线中提取电池性质参数,包括理想因子n,串联电阻Rs和旁路电阻Rsh;(5)太阳电池优化设计:若所设计电池的能量转换效率等指标未达到设计要求,则进一步根据步骤4获得的性质参数,分析改进电池的设计方案,并重复步骤1~4,直至电池开路电压、短路电流和能量转换效率达到设计的指标要求。
新型硅太阳能电池的设计与制造技术

新型硅太阳能电池的设计与制造技术太阳能是一种非常环保而且资源丰富的能源,它的应用范围越来越广泛,从家用太阳能光伏发电系统到商业太阳能发电站,从移动太阳能充电器到太空探索,都有着重要的应用。
而太阳能电池是太阳能的核心组成部分,它将太阳能转化为电能,是太阳能利用的关键。
传统太阳能电池大多采用多晶硅制造,但是这种制造方式有着许多的缺点,比如金属化贵、耽误时间长、生产成本高等。
为了解决这些问题,现代科学家开始着手研发新型硅太阳能电池。
下面,我们就来一起探索一下新型硅太阳能电池的设计与制造技术。
一、单晶硅太阳能电池的设计与制造技术单晶硅太阳能电池是一种由单个晶体硅片制造而成的太阳能电池,它有着高效、美观、特殊生产工艺等特点。
相较于多晶硅太阳能电池,单晶硅太阳能电池的转换效率更高,可以达到20%以上,而且外观美观,适用于各种场合。
单晶硅太阳能电池的制造工艺相对来说比较复杂,生产周期长、成本高,但是由于它的高效与高质量,科学家们一直在研究如何提高单晶硅太阳能电池的制造效率与降低成本。
目前,新型单晶硅太阳能电池的设计与制造技术主要分为以下几个方向:1. 柔性单晶硅太阳能电池的设计:将钙钛矿薄膜和柔性底片相容后,再用CVD等技术在底片表面沉淀出单晶硅层,最后经过刻蚀等工艺制成柔性单晶硅太阳能电池。
这种制造方式的好处在于可以根据需求制成不同尺寸和形状的电池,方便应用于各种场合。
而且生产成本相对来说比较低,设备及工艺相对单一,生产效率高。
2. 纳米结构单晶硅太阳能电池的设计:由于单晶硅太阳能电池的能量传导效率不高,科学家们开始研究利用纳米结构提高单晶硅太阳能电池的效率。
通过改变单晶硅太阳能电池的结构,将其改造成纳米结构,并在其表面添加氧化物等材料,可以大大提高单晶硅太阳能电池的光吸收、电子传导和电荷转移能力,从而大大提高太阳能电池的效率。
3. 有机-无机混合单晶硅太阳能电池:将半导体聚合物和纳米结构单晶硅材料混合起来,可以制造出一种能够抵抗光照变化的有机-无机混合单晶硅太阳能电池。
单晶硅太阳能电池优化结构设计和制造技术

单晶硅太阳能电池优化结构设计和制造技术随着人类对环境的关注和能源需求的不断增长,太阳能电池作为一种清洁、可再生的能源备受关注。
而单晶硅太阳能电池由于其高转换效率、稳定性和长期性价比较高等特点,在太阳能应用领域被广泛应用。
本文将介绍单晶硅太阳能电池的优化结构设计和制造技术。
一、单晶硅太阳能电池的原理和结构太阳能电池是一种将太阳光转化为电能的半导体元件,其中单晶硅太阳能电池是采用单晶硅作为光电转换材料的太阳能电池。
单晶硅太阳能电池的工作原理是将太阳光能转化为电能,其中太阳光线首先经过防反射层,然后被单晶硅吸收,产生电子和空穴对,通过电势差形成电流,最后经过金属电极和输出电缆输出电能。
单晶硅太阳能电池由四个主要组件组成,包括硅基板、P-N结、金属电极和防反射层。
硅基板是指将硅材料制成薄片,同时将其中某一面加工成P型,另一面加工成N型。
P-N结是指将P型和N型焊接在一起,形成电势差,达到光电转换的目的。
金属电极是指将导电金属在硅基板两端压焊形成电路,输出太阳能转化后的电能。
防反射层是指将透明材料覆盖在硅片表面,起到反射太阳光线的作用。
二、单晶硅太阳能电池的结构优化单晶硅太阳能电池结构的优化主要包括三个方面,分别是提高硅基板的质量、优化P-N结形态和改进金属电极的制造工艺。
1. 提高硅基板的质量硅基板是单晶硅太阳能电池最基本的组成部分,其硅的纯度和晶体结构意味着太阳能转化效率的高低。
因此,提高硅基板的质量是优化太阳能电池结构的关键之一。
目前,人们通过提高硅材料的制备工艺、控制杂质含量等手段来提高硅基板的质量。
2. 优化P-N结形态P-N结是单晶硅太阳能电池中最关键的组件之一,其形态决定了光电转换效率和电池组件的耐久性。
因此,寻求最优的P-N结形态是优化电池结构的重要方面。
在目前的研究中,不同的P-N结形态已经被探索和验证,如深结、分散结等。
3. 改进金属电极的制造工艺金属电极是单晶硅太阳能电池中另一个重要的组成部分,其质量和制造工艺对电池性能有着重要的影响。
单晶硅太阳能电池详细工艺

单晶硅太阳能电池1.基本结构指电极图1太阳能电池的基本结构及工作原理2,太阳能电池片的化学清洗工艺切片要求:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。
②断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。
③提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗。
④提高切割速度,实现自动化切割。
具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类:1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去除。
2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径;0.4仙颗粒,利用兆声波可去除>0.2飘粒。
3、金属离子沾污:该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。
硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类:(1)、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。
(2)、带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如电镀”)到硅片表面。
1、用H2O2作强氧化剂,使电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
2、用无害的小直径强正离子(如H+),一般用HCL作为H+的来源,替代吸附在硅片表面的金属离子,使其溶解于清洗液中,从而清除金属离子。
3、用大量去离子水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。
由于SC-1是H2O2和NH40H的碱性溶液,通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用,使有机物沾污变成水溶性化合物,随去离子水的冲洗而被排除;同时溶液具有强氧化性和络合性,能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等,使其变成高价离子,然后进一步与碱作用,生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。
因此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污,亦能去除某些金属沾污。
在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的清洗效果。
另外SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液,具有极强的氧化性和络合性,能与氧化以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。
被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。
硅太阳能电池的主要原理

硅太阳能电池的主要原理硅太阳能电池是一种光伏电池,通过将太阳能光线转化为电能。
其主要原理是光生电效应和PN结的正反向电荷扩散和再组合。
光生电效应是指当光线照射在半导体材料上时,光子与材料中的电子相互作用,使得光子的能量转移到电子上,使电子从价带跃迁到导带,形成电子空穴对,进而产生电流。
太阳光中的光子能量比较宽,但是只有光子能量高于半导体能带隙时才能发生光生电效应。
这就是为什么只有在太阳光照射下,光生电效应才能发生。
硅太阳能电池的主要组成是PN结。
PN结是由P型半导体和N型半导体通过一种特殊的工艺制作而成的。
其中P型半导体的掺杂原子含有电子给体,因此在P 区内的杂质离子较多,带有正电荷,形成正空穴;N型半导体的掺杂原子含有电子受体,因此在N区内的杂质离子带有负电荷,形成负离子。
当P区和N区接触时,正空穴和负离子因为电势差的作用迫使彼此扩散,形成内建电场,使得P 区内的正荷与N区内的负荷在PN结附近重新组合,形成一个正压电势差。
这种电势差在没有外加电流的情况下是均匀的。
当太阳光照射在硅太阳能电池上时,光子的能量被电池吸收,使得光子中的能量转移到半导体材料中的电子上。
当光子的能量大于硅的能带隙时,电子在吸收光子后跃迁到导带,形成电子空穴对。
在PN结的电场作用下,电子空穴对会分别朝着P区和N区移动。
在移动过程中,电子和空穴会逐渐重新组合,释放出能量。
这样的重新组合产生了一个正电荷层和负电荷层,使得PN结两侧的电位差变大。
当负端与正端相连接时,负电荷层上的电子会流回P区,正电荷层上的正空穴会流回N区,从而形成电流。
这个过程就是硅太阳能电池将太阳能转化为电能的主要原理。
硅太阳能电池的工作效率取决于多个因素,如光照强度、阳光直射角、材料的能带隙等。
此外,为了提高硅太阳能电池的效率,目前还采用了多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池等不同的制备方式。
总的来说,硅太阳能电池的主要原理是利用光生电效应和PN结,在太阳光照射下将光能转化为电能。
硅纳米线太阳能电池总结

太阳能电池的量子效率是指太阳能电池的电荷载流子数目与照射在太阳能电池表面一定能量的光子数目的比率。
因此,太阳能电池的量子效率与太阳能电池对照射在太阳能电池表面的各个波长的光的响应有关。
外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE),太阳能电池的电荷载流子数目与外部入射到太阳能电池表面的一定能量的光子数目之比。
内量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE),太阳能电池的电荷载流子数目与外部入射到太阳能电池表面的没有被太阳能电池反射回去的,没有透射过太阳能电池的,一定能量的光子数目之比。
硅纳米线太阳能电池基于硅纳米线太阳能电池的金属箔进行了阐述【foil - 铝箔】。
此类设备的主要优点是讨论,通过光的反射率,电压,电流和外部量子效率数据一个单元的设计,采用薄非晶硅层上沉积形成的纳米线阵列P - N结。
一个有前途的1.6 mA/cm2的电流密度为1.8平方厘米电池获得,并广阔的外部量子效率测定的最大值为12%,在690纳米。
“。
2007年美国物理研究所。
近年来,一直存在一个显着的,复活在可再生能源系统的兴趣。
太阳能转换特别感兴趣,因为是丰富的源。
今天的绝大多数鈥檚商业太阳能电池模块是基于晶体硅,但有越来越多的薄膜的兴趣,所谓的第二代太阳能电池,以及第三代高效率/低成本太阳能电池,一些需要使用的纳米结构的概念。
基于纳米线净重的太阳能电池是一种很有前途的阶级由于几个性能和光伏太阳能设备处理启用的利益,包括直接路径这样的几何形状所带来的电荷传输纳米结构。
【photovoltaic - 光伏】纳米线和纳米棒,定义中的应用这里有宽高比5:1太阳能电池已试图在几个设备的配置和材料系统。
纳米线/棒功能的太阳能电池的最新展示已主要基于有机-无机混合材料或利用,如化合物半导体硒化镉。
黄长发等人。
作为electronconducting利用的CdSe纳米棒层孔导电聚合物基太阳能电池和生产效率AM1.5照射的1.7%。
【完整】非晶硅太阳能电池资料PPT

( 透1明)流导非电晶基膜硅(/本非Sn晶O上硅2)双无结结贡构 献,这限制了非晶硅太阳电池的转换效率提高。
☼ 光的转换效率不高的原因 ☼ 有两种结构:P-I-N 结构和N-I-P 结构 ☼ 为了提高底电池的长波相应,非晶硅锗合金是理想的本征材料,掺入锗可降低非晶硅薄膜的带隙。
☼ 多晶硅:硅原子以金刚石晶格排列成 许多晶核,晶粒晶面取向不同。
☼ 非晶硅:硅原子按照一定的键长和键角 相互间以无序方式结合形成四面体结构。 由于不饱和或悬挂键而出现微孔。氢原子 可以与悬挂键结合。
2、非晶硅与单晶硅、多晶硅的区别及应用 ☼ 物理性能:一般我们熟悉的单晶硅、多晶硅都是晶态半 导体材料,原子或分子具有周期性排列,这种周期性排列被 称为长程有序。而非晶硅在微观结构上完全不同,它们缺乏 构问成题原:子目周前期广性泛的使长用程的有太序阳性能。电如池图材非料晶都硅是的晶网态络硅模,型图: 非晶硅使用在什么方面?
非晶硅太阳能电池
(1)非晶硅/非晶硅双结结构 (2)非晶硅/非晶硅锗双结结构 (3)非晶硅/微晶硅双结结构 (4)非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗三结结构 (5)非晶硅/非晶硅锗/微晶硅锗三结结构 (6)非晶硅/微晶硅锗/微晶硅锗三结结构
1、三种太阳能电池的区别
☼ 单晶硅:硅原子以金刚石晶格排列成许 多晶核,晶粒晶面取向相同。
光不能被本征层所吸收,对光生电流基本上无贡献,这限制了非晶硅太阳电池的转换效率提高。 ☼ 为了提高底电池的长波相应,非晶硅锗合金是理想的本征材料,掺入锗可降低非晶硅薄膜的带隙。
硅电池的研究重点,如果突破该技术,则非晶硅太阳能电池在 另外,受到光致衰减的限制,本征层不可能太厚,因此导致能量接近于带隙宽度的那部分光子,在有限的本征层之内并不能被充分地
硅太阳能电池的结构及工作原理

一.引言:太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。
也是清洁能源,不产生任何的环境污染。
当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。
欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。
在国际光伏市场巨大潜力的推动下,各国的太阳能电池制造业争相投入巨资,扩大生产,以争一席之地。
全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍,太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。
2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW,较2005年成长19%,整个市场产值已正式突破100亿美元大关。
2007年全球太阳能电池产量达到3436MW,较2006年增长了56%。
中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。
2002年后,欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。
目前,我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。
2007年全国太阳能电池产量达到1188MW,同比增长293%。
中国已经成功超越欧洲、日本为世界太阳能电池生产第一大国。
在产业布局上,我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。
在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区,已经形成了各具特色的太阳能产业集群。
中国的太阳能电池研究比国外晚了20年,尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入,但投入仍然不够,与国外差距还是很大。
政府应加强政策引导和政策激励,尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。
同时可借鉴国外的成功经验,在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能,充分发挥政府的示范作用,推动国内市场尽快起步和良性发展。
晶体硅太阳能电池结构及原理

射层的原因是由于硅材料在可见光到红外线波段400~1100nm的区域
内有相对于空气较大的折射率3.5~6.0.也就是说,在可见光区域有接
近50%,红外线区域内有30%的反射损失。在三层物质的界面的电磁
波反射系数R为:
R=
2 −0 .
2
2 +0 . 2
18
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
比(111) 面快。
(100)硅片的各向异性腐蚀导致在表面产生许多密布的表面为
(111)面的四面方锥体。形成绒面的硅表面。
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
可通过不同途径实现表面织
构化:晶体硅可通过腐蚀晶
面的刃面来实现织构化
如果晶体硅表面是沿内部原
子排列的,则织构化表面类
似金字塔。商业单晶硅电池
常用的手段。
21
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
电极图形设计:设计原则是使电池的输出最大。要兼顾两个方面:
使电池的串联电阻尽可能小,电池的光照作用面积尽可能大。
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
1.
电极材料的选择
(1) 能与 硅形成牢固的接触;
(2) 这种接触应是欧姆接触,接触电阻小;
(3) 有优良的导电性;
(n=2.3)、Al2O3(n=1.86)、SiO2(n=1.44)
19
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
单晶硅太阳能电池在不同入射角与不同防反射材质条件下的光反射率:
20
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
上电极
上电极的作用是将移动至表面的电子/空穴取出,以形成外部电流,
提供给外部负载。由于电极与硅材料接触,为了降低串联电阻,电极
晶体硅的太阳能电池设计毕业设计论文

毕业设计(论文)设计(论文)题目:基于晶体硅的太阳能电池设计毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文),是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
尽我所知,除文中特别加以标注和致谢的地方外,不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。
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毕业设计(论文)晶体硅太阳能电池的扩散工艺研究

晶体硅太阳能电池的扩散工艺研究摘要近年来,太阳能电池的技术已经取得了很大的进展,很可能成为未来主要电力来源之一,因此研究太阳能电池尤其其光电转化效率有极其重要的意义。
扩散制作p-n结是晶体硅太阳电池的核心,是电池质量好坏的关键之一。
本文所研究的主要问题是低成本晶体硅太阳电池在工业化生产中的扩散制作p-n结工艺。
太阳电池制作中的工艺优化也是非常重要的。
对于扩散工序而言,确保高效电池的高产能面临的最大问题在于如何保障扩散的均匀性,优化扩散的均匀性主要采取温区补偿技术。
论文针对影响扩散均匀性的因素多且关联复杂等特点,重点对难于控制的气氛场因素进行系统实验研究,在气体流量、均流设计、炉内温度等方面提出了较好的优化实验方法,通过将实验方法应用于工业生产,扩散均匀性得到了非常好的控制。
从扩散均匀性对太阳电池电性能的影响角度,本论文通过实验分析了电池表面不同扩散均匀性对填充因子FF、并联电阻Rsh、串联电阻Rs、开路电压Uoc和转换效率Eff的影响。
验证了通过改善扩散工艺提高太阳能电池的转换效率具有广阔的发展前景。
关键词:晶体硅太阳能电池,扩散工艺,均匀性,转换效率The Diffudion Technology of Crystalline Silicon Solar CellABSTRACTSolar cell technology has made great progress, it might be called the main power source of the future, the study of solar cells in particular, the photoelectric conversion efficiency is extremely important.Diffusion mading p-n junction is the core of crystalline silicon solar cells, and is one of the key to the good and bad quality of the battery. The main problem of this paper is the low-cost industrial production of crystalline silicon solar c ells in the production of p-n junction in the diffusion process.Optimization of solar cell production process is also very important. For the diffusion process, the biggest problem to ensure high efficient battery capacity is how to protect the spread of uniformity, optimization of the uniformity of spread mainly take the temperature compensation technology.In this paper,experiment methods are adopted for optimizing diffusion uniform by analyzing diffusion air-flowing environment.the air-flowing environment,which is comprised of quartz boat,quartz block,SiC paddle etc,is controlled difficultly.good experimental method of optimization is proposed in gas flow, current design, the furnace temperature and other aspects , by experimental methods appling to industrial production, the proliferation of uniformity has been very good control.From the proliferation of uniformity on the electrical properties of solar angle, this paper experimentally analyzed the proliferation of different cell surface uniformity in the fill factor FF, shunt resistance Rsh, series resistance Rs, the open circuit voltage Uoc and conversion efficiency of Eff . Proved that by improving the diffusion process to improve the conversion efficiency of solar cells has broad prospects for development.KEY WORDS: crystalline silicon solar cells,diffusion technology, uniformity, efficiency目录第一章绪论 0§1.1太阳能电池的应用领域 0§1.2 我国光伏产业发展的状态及趋势 (1)§1.2.1我国光伏产业的现状 (1)§1.2.2 光伏产业发展中的瓶颈与危机 (2)§1.3 本论文研究内容与研究意义 (2)第二章太阳能电池的制造工艺及工作原理 (4)§2.1常规晶体硅太阳电池结构 (4)§2.2 晶体硅太阳能电池生产工艺 (4)§2.2.1 制绒 (5)§2.2.2 扩散制p-n结 (5)§2.2.3去除边缘p-n结和去磷硅玻璃 (6)§2.2.4 镀膜 (6)§2.2.5 丝网印刷电极 (7)§2.2.6 烧结 (7)§2.3 硅PN结太阳电池的基本工作原理 (8)§2.3.1光生伏特效应 (8)§2.3.2 I-V特性 (9)第三章扩散制作P-N结 (13)§3.1 扩散的基本原理 (13)§3.1.1 扩散的基本知识 (13)§3.1.2 液态源磷扩散原理 (14)§3.2 液态源扩散设备 (15)§3.2.1设备的主要性能指标 (15)§3.2.2设备主要构成 (16)§3.3 扩散参数 (17)§3.3扩散方法和工艺条件的选择 (19)§3.4 扩散质量的检验 (20)§3.4.1表面质量检验 (20)§3.4.2 方块电阻的检验 (20)第四章晶体硅太阳电池的扩散工艺实验与研究 (22)§4.1工艺气体流量对炉内温度的影响 (23)§4.2废气排放位置对炉口均匀性的影响 (24)§4.3 排风量大小对炉口均匀性的影响 (25)§4.4均流板分流设计对扩散片内片间均匀性的影响 (25)§4.5 扩散片内片间均匀性调节实验 (26)§4.5.1 扩散炉温对方阻阻值的影响 (28)§4.5.2调整扩散炉温改善片间扩散的均匀性 (29)§4.6 扩散均匀性对太阳能电池性能的影响 (31)结论 (33)参考文献 (34)致谢 (35)第一章绪论1954年出现了现在的硅太阳能电池的第一代产品。
硅基太阳能电池组件的结构设计背景

硅基太阳能电池组件的结构设计背景硅基太阳能电池组件的结构设计背景随着环境保护意识的增强和新能源技术的发展,太阳能电池作为一种清洁、可再生的能源逐渐受到人们的关注。
而硅基太阳能电池由于其高效、稳定、成本低等优点,已成为目前主流的太阳能电池类型。
硅基太阳能电池组件是由多个单元电池串联或并联而成,具有较高的输出功率和可靠性,因此其结构设计至关重要。
硅基太阳能电池组件结构设计原则1. 光伏元件选用光伏元件是硅基太阳能电池组件中最核心的部分,其选择直接影响了整个组件的性能和寿命。
一般来说,选用效率高、稳定性好、光损失小、价格适中的光伏元件是比较合适的。
2. 电路设计硅基太阳能电池组件中采用串联或并联方式连接单元电池,因此需要进行合理的电路设计。
串联方式可以提高输出电压,但一旦其中一个单元出现故障就会影响整个组件的输出;并联方式可以提高输出电流,但需要注意各单元电池的电流平衡。
3. 硅基太阳能电池组件外壳设计硅基太阳能电池组件外壳设计需要考虑防水、防尘、耐腐蚀等因素,以保证组件在户外环境下长期稳定运行。
同时还需要考虑外壳材料的成本和可塑性。
4. 温度控制硅基太阳能电池组件在高温环境下容易发生热失控现象,影响其输出功率和寿命。
因此需要进行合理的温度控制,例如采用散热片、风扇等方式降低组件温度。
5. 光伏面板设计光伏面板是硅基太阳能电池组件最外层的保护层,其设计需要兼顾透光性、耐久性、防反射等因素。
一般来说,采用钢化玻璃或聚碳酸酯材料制作光伏面板比较合适。
6. 输出接口设计硅基太阳能电池组件的输出接口需要与其他设备配合使用,因此需要考虑接口类型、接口位置、接线方式等因素。
同时还需要保证输出电压和电流的稳定性。
硅基太阳能电池组件结构设计实现1. 光伏元件选用目前市场上常见的光伏元件有单晶硅、多晶硅、非晶硅等类型。
其中单晶硅光伏元件具有高效、长寿命等优点,但成本较高;多晶硅光伏元件成本适中,但效率稍低;非晶硅光伏元件价格低廉,但稳定性差。
硅太阳能电池工作原理与结构

太阳能电池工艺过程1.清洗腐蚀制绒面。
2.清洗。
3.淡磷扩散。
4.热氧化钝化。
5.开槽。
6.开槽区腐蚀。
7.清洗。
8.槽区浓琳扩散。
9.背面蒸铝。
10.烧制背场。
11.化学镀埋栅。
12.制作背面电极。
13.蒸镀减反射膜。
14.去边烧结。
15.测试。
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。
也是清洁能源,不产生任何的环境污染。
在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。
制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的大阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。
一、硅太阳能电池1.硅太阳能电池工作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。
同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。
黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。
如下图。
N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。
当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层),界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。
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§ 4.2.5
光学特性 光陷阱
对上面的折射定律公式进行调整,则可计算光在电池入射 的角度(即折射角):2 sin1 n1sin1 / n2
对于经过表面制绒的单晶硅太阳能电池,由于晶体表面的 存在而使得角度θ1等于36°,如下图所示
光在经制绒的太阳能电池上的反射和入射
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§ 4.2.6 光学特性 朗伯背反射层
朗伯背反射层是一种特殊的背反射层,它能使反射光的 方向随机化。电池背反射层的高反射率减小了背电极对光的 吸收和光穿出电池的几率,并把光反弹回电池体内。方向的 随机化使得许多反射光都被全反射回去。有些被反射回电池 顶端表面的光与表面的角度大于临界角,则又再次被全反射 回电池内。这样一来,光被吸收的机会就大大增加了,因为 光的路径长度能达到 4n2 , n 为半导体的折射率 (Yablonovitch and Cody, 1982)。使光的路径长度长达电池厚度的 50倍,因 此这是一个十分有效的围困光线的技术。
§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
裸硅 (仅)覆盖玻璃的硅 覆盖有折射率为2.3的最优化抗反膜玻璃的硅
Comparison of surface reflection from a silicon solar cell, with and without a typical anti-reflection coating.
§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
在硅表面制绒,可以与减反射膜相结合,也可以单独使
用,都能达到减小反射的效果。因为任何表面的缺陷都能增 加光反弹回表面而不是离开表面的概率,所以都能起到减小 反射的效果。
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§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
表面制绒有几种方法。一块单晶硅衬底可以沿着晶体表面 刻蚀便能达到制绒效果。如果表面能恰当符合内部原子结构的 话,硅表面的晶体结构将变成由金字塔构成的表面。下图画出 了一个这样的金字塔结构,而紧接着的是用电子显微镜拍摄的 硅表面制绒。这种制绒方式叫“随机型金字塔”制绒,通常在 单晶硅电池制造上使用。 右图便是组成晶硅太
§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
第二个因素是假设入射光有高聚光比。并假设温度和电 阻效应对聚光太阳能电池的影响很小,而光强的增加能适当增 加短路电流。因为开路电压VOC受短路电流的影响,VOC随着光 强呈对数上升。再者,因为填充因子也随着 VOC 的提高而提高, 所以填充因子同样随着光强的增加而提高。因光强的增加而额 外上升的VOC和FF使聚光太阳能电池获得更高的效率。 为获得最高效率,在设计单节太阳能电池时,应注意几项 原则: 1. 提高能被电池吸收并生产载流子的光的数量。 2. 提高pn结收集光生载流子的能力。 3. 尽量减小黑暗前置电流。 4. 提取不受电阻损耗的电流。
§ 4.3.2 减少复合效应 复合引起的电流损失
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
(a)破坏性 干涉导致 反射光为 零
(b)建设性 干涉导致 所有的光 都被反射
所有光 传入半 导体
没有光 传入半 导体
使用厚度为四分之一波长的减反射膜来减少表面反射。
§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
减反射膜的厚度经过特殊设计,刚好为入射光波 长的四分之一。计算过程如下,对于折射率为n1的薄 膜材料,入射光真空中的波长为 λ 0 ,则使反射最小 化的薄膜厚度为 d1 = λ 0 / ( 4 n1 ) 如果减反射膜的折射率为膜两边的材料的折射率 的几何平均数,反射将被进一步降低。即
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§ 4.2.1
光学特性 光的损耗
光的损耗主要以降低短 路电流的方式影响太阳能电 被顶端 池的功率。被损耗的光包括 电极所 本来有能力在电池中产生电 阻挡 子空穴对,但是被电池表面 反射走的光线。对于大多数 太阳能电池来说,所有的可 见光都能产生电子空穴对, 因此它们都能被很好地吸收。
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§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
硅太阳能电池效率的演变
§ 4.1.1 基础太阳能电池设计
理论上,光伏电池的最高转换效率能达到 90% 以上。然 而,这一数字的获得是以几个假设为前提的,这些假设在实 际上很难或根本不可能达到,至少在现今人类的科技水平和 对器件物理的理解上很难达到。对于硅太阳能电池来说,其 在一个太阳照射下,比较实际的理论最高效率值大约为 26%28%。现今实验室测得的硅太阳能电池的最高效率为24.7%。 理论值与实际测量值之间的差距主要来自两个方面因素。 首先,在计算理论最大效率时,人们假设所有入射光子的能 量都被充分利用了,即所有光子都被吸收,并且是被禁带宽 度与其能量相等的材料吸收了。为了获得这种理论效果,人 们想出一种由无限多层材料禁带宽度不同的电池叠加在一起 的模型,每一层都只吸收能量与其禁带宽度相等的光子。
n1 n0 n2
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
尽管,通过上面的公式,选用相应厚度、折射率 膜和相应波长的光,能使反射的光减少到零,但是每 一种厚度和折射率只能对应一种波长的光。在光伏应 用中,人们设计薄膜的厚度和反射率,以使波长为 0.6μm 的光的反射率达到最小。因为这个波长的能量 最接近太阳光谱能量的峰值。 如果镀上多层减反射膜,能减少反射率的光谱范 围将非常宽。但是,对于多数商业太阳能电池来讲, 这样的成本通常太高。
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表面反射
被电池的背面反射
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§ 4.2.1
有很多减少光损失的方法:
光学特性 光的损耗
• 尽量使电池顶端电极覆盖的面积达到最小(尽管这样可能 导致串联电阻的增加)。这一点在串联电阻一节中有详细 讨论 。 • 在电池上表面加减反射膜 • 表面制绒 • 增加电池的厚度以提高吸收(尽管任何在与 pn 结的距离大 于扩散长度的区域被吸收的光,都因载流子的复合而对短 路电流没有贡献) • 通过表面制绒与光陷阱的结合来增加电池中光的路径长度
§ 4.2.6 光学特性 朗伯背反射层
朗伯背反射层如下图所描述:
入射光 顶角等 于临界 角的椎 体内的 光损失 掉了 UNSW新南威尔士大学 电池底部的随机散射
小于临界角入射 的光逃出电池
光被全 反射并 围困在 电池内
§ 4.3.1
减少复合效应 复合损耗
复合效应同时造成光生电流(即短路电流)和前置偏压注 入电流(即开路电压)的损失。人们通常依据发生在电池内的 区域不同来对复合进行分类。一般来说,发生在电池表面(表 面复合)和电池体内(体复合)的复合是主要的复合形式。而 耗尽区则是另外一个会发生复合的区域。
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§ 4.3.2 减少复合效应 复合引起的电流损失
电池的前表面和背表面存在局部复合区域,意味着能 量不同的光子将有不同的收集概率。蓝光的吸收率很高, 并且在距离前表面非常近处被吸收,所以如果前表面是个 高复合区域的话,那么蓝光产生的载流子就不怎么可能被 pn 结收集。类似的,如果电池的背表面的复合效应很强, 将主要影响由红外光产生的载流子(红外光在电池深处产 生载流子)。太阳能电池的量子效率量化了复合效应对光 生电流的影响。下图描述了太阳能电池的量子效率。
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§ 4.2.5
光学特性 光陷阱
通常,使光子入射在倾斜面上,随之改变光子 在电池内运动的角度,便能达到光陷阱的效果。一 个经过制绒的表面不仅能像前面所讲的那样减少反 射,还能使光斜着入射电池,因此光的路径长度比 厚度大。光入射到半导体的折射角度可以通过折射 定律求得: n1sinθ1=n2sin θ2 其中,θ1θ2分别是入射角和折射角,而n1为光入 射介质的折射率,n2光射出介质的折射率。
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§ 4.2.2 光学特性 减反射膜
加在太阳能电池上表面的减反射膜与在其他 光学器件(如相机镜头)上的膜相似。它们包含 了一层很薄的介电材料层,膜的厚度经过特殊设 计,光在膜间发生干涉效应,避免了像在半导体 表面那样被反射出去。这些避免被反射出去的光 与其它光发生破坏性干扰,导致被反射出电池的 光强为零。除了减反射膜,干涉效应还能在水面 上的油膜上看到,它能产生彩虹般的彩色带。
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§ 4.3.2 减少复合效应 复合引起的电流损失
为了让 pn 结能够吸收所有的光生载流子,表面复合和 体复合都要尽量减到最小。对于硅太阳能电池,要达到这样 的效果,所需条件为: • 载流子必须在与 pn 结距离小于扩散长度的区域产生,才能 扩散到pn结并被收集。 • 对于局部高复合区域(比如,没有钝化的表面和多晶硅的晶 界),光生载流子与 pn 结的距离必须小于与高复合区域的 距离。相反,在局部低复合区域(比如钝化的表面),光生 载流子可以与低复合区域距离更近些,因为它依然能扩散到 pn结并被收集,而不会复合。
阳能电池制绒表面的金 字塔结构。
单晶硅制绒表面的电子显微镜扫描照片
§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
另一种表面制绒方式叫“倒金字塔型”制绒。这种制绒 方法是往硅表面下面刻蚀,而不是从表面往上刻蚀,如图所 示。
单晶硅制绒表面的电子显微镜扫描照片
§ 4.2.3 光学特性 表面制绒
刻蚀多晶硅表面时,上面讲到的两种方法都不能使用, 因为只有在由 <111> 晶体表面构成的表面才能完成有效的形 态。而多晶硅表面上,只有一小部分面积才有 <111> 方向。 但是多晶硅制绒可以使用光刻技术和机械雕刻技术,即使用 切割锯或激光把表面切割成相应的形状。 多晶硅制 绒表面的 电子显微 镜照片
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§ 4.2.5
光学特性 光陷阱
最佳的电池厚度并不单单是由吸收所有的光这一需要决 定的。例如,如果光在与pn结距离小于扩散长度的区域被吸 收,但产生的载流子却被复合了。此外,就像复合引起的电 压损失一节所讲那样,如果电池的厚度变薄但是吸收的光线 不变,开路电压将比厚电池的大。经过结构优化的太阳电池 通常拥有比电池实际厚度长几倍的光路径长度,所谓电池光 路径长度是指没被吸收的光在射出电池前在电池内所走的距 离。通常称它为器件厚度。举例说,一个没有光陷阱结构的 电池,它的光路径长度可能只相当于电池实际厚度,而经过 光陷阱结构优化的电池的路径长度能达到厚度的 50倍,这意 味着光线能在电池内来回反弹许多遍。