介质损耗角

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介质损耗详解

介质损耗详解

1、介质损耗什么就是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导与介质极化得滞后效应,在其内部引起得能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过得电流相量与电压相量之间得夹角(功率因数角Φ)得余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,就是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数得定义如下:如果取得试品得电流相量与电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic与电阻电流IR合成,因此:这正就是损失角δ=(90°-Φ)得正切值。

因此现在得数字化仪器从本质上讲,就是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备得绝缘状况就是一种传统得、十分有效得方法。

绝缘能力得下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降得原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损得同时,也能得到试品得电容量。

如果多个电容屏中得一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显得变化,因此电容量也就是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数就是功率因数角Φ得余弦值,意义为被测试品得总视在功率S中有功功率P所占得比重。

功率因数得定义如下:有得介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不就是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

(1) 容量与误差:实际电容量与标称电容量允许得最大偏差范围、一般使用得容量误差有:J级±5%,K 级±10%,M级±20%、精密电容器得允许误差较小,而电解电容器得误差较大,它们采用不同得误差等级、常用得电容器其精度等级与电阻器得表示方法相同、用字母表示:D级—±0、5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%、(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受得最大直流电压,又称耐压、对于结构、介质、容量相同得器件,耐压越高,体积越大、(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量得相对变化值、温度系数越小越好、(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小得、一般小容量得电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆、电解电容得绝缘电阻一般较小、相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小、(5) 损耗:在电场得作用下,电容器在单位时间内发热而消耗得能量、这些损耗主要来自介质损耗与金属损耗、通常用损耗角正切值来表示、(6) 频率特性:电容器得电参数随电场频率而变化得性质、在高频条件下工作得电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小、损耗也随频率得升高而增加、另外,在高频工作时,电容器得分布参数,如极片电阻、引线与极片间得电阻、极片得自身电感、引线电感等,都会影响电容器得性能、所有这些,使得电容器得使用频率受到限制、不同品种得电容器,最高使用频率不同、小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ、不同材质电容器,最高使用频率不同、COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差、贴片电容得材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同得材质规格,不同得规格有不同得用途、下面我们仅就常用得NPO、X7R、Z5U与Y5V来介绍一下它们得性能与应用以及采购中应注意得订货事项以引起大家得注意、不同得公司对于上述不同性能得电容器可能有不同得命名方法,这里我们引用得就是敝司三巨电子公司得命名方法,其她公司得产品请参照该公司得产品手册、NPO、X7R、Z5U与Y5V得主要区别就是它们得填充介质不同、在相同得体积下由于填充介质不同所组成得电容器得容量就不同,随之带来得电容器得介质损耗、容量稳定性等也就不同、所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同得电容器、一NPO电容器NPO就是一种最常用得具有温度补偿特性得单片陶瓷电容器、它得填充介质就是由铷、钐与一些其它稀有氧化物组成得、NPO电容器就是电容量与介质损耗最稳定得电容器之一、在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率得变化小于±0、3ΔC、NPO电容得漂移或滞后小于±0、05%,相对大于±2%得薄膜电容来说就是可以忽略不计得、其典型得容量相对使用寿命得变化小于±0、1%、NPO电容器随封装形式不同其电容量与介质损耗随频率变化得特性也不同,大封装尺寸得要比小封装尺寸得频率特性好、NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器得槽路电容,以及高频电路中得耦合电容、二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型得陶瓷电容器、当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意得就是此时电容器容量变化就是非线性得、X7R电容器得容量在不同得电压与频率条件下就是不同得,它也随时间得变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%、X7R电容器主要应用于要求不高得工业应用,而且当电压变化时其容量变化就是可以接受得条件下、它得主要特点就是在相同得体积下电容量可以做得比较大、三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器、这里首先需要考虑得就是使用温度范围,对于Z5U电容器主要得就是它得小尺寸与低成本、对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同得体积下Z5U电容器有最大得电容量、但它得电容量受环境与工作条件影响较大,它得老化率最大可达每10年下降5%、尽管它得容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)与等效串联电阻(ESR)低、良好得频率响应,使其具有广泛得应用范围、尤其就是在退耦电路得应用中、Z5U电容器得其她技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃温度特性+22% ---- -56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器就是一种有一定温度限制得通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%、Y5V得高介电常数允许在较小得物理尺寸下制造出高达4、7μF电容器、Y5V电容器得其她技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---- -82%介质损耗最大5%For personal use only in study and research; not for mercial use。

介质损耗角测量方法

介质损耗角测量方法

(a)
(b)
QS-1型西林电桥原理接线图
4.2.1 西林电桥测量法的基本原理
4-6 西林电桥原理接线图
图中Cx,Rx为被测试样的等效并联电容与电阻,
R3、R4表示电阻比例臂,Cn为平衡试样电容Cx的标准, C4为平衡损耗角正切的可变电容。
根据电容平衡原理,当: ZxZ4 ZnZ3
(4-6)
式中Zx、Zn、Z3、Z4分别是电桥的试样阻抗,标
短接BD点,干扰电流 I 和 原设该电电流流I x为同I '时x 。通过验流计G,
调节移相器,改变电源相 位,使电流I ' x 最小,此时干 扰电流与原电流相位相同,不 影响介质损耗角正切值的测量。
撤 消 BD 短 接 , 再 调 节 测 量 介质损耗角正切值。
(3)倒相法
不用移相器,接一反向开 关,分别测量开关正向和开关 反向时的介质损耗角正切值。
图4-8 西林电桥反接线原理图
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4.2.2 西林电桥测量法的电磁干扰
在现场进行测量时,试品和桥体往往处在周 围带电部分的电场作用范围之内,虽然电桥本体 及连接线都如前所述采取了屏蔽,但对试品通常 无法做到全部屏蔽。这时等值干扰电源电压就会 通过对试品高压电极的杂散电容产生干扰电流, 影响测量。
图4-9 外接电源引起的电磁干扰
小结
➢ 测量tg 值是判断电气设备绝缘状态地一项灵敏 有效的方法。
➢tg 值的测量,最常用的是西林电桥。 ➢tg 的测量受一系列外界因素的影响。试验中应尽
可能采用屏蔽,除污等方法消除这些影响。
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(本节完)
为了确保人身和设备安全,在低压臂上并联 有放电管(A、B两点对地),以防止在R3、C4等需 要调节的元件上出现高压。

介质损耗

介质损耗

绝缘介质在交流电压作用下的介质损耗有两种:一是由电导引起的电导损耗,二是由极化引起的极化损耗。

介质中如无损耗,则流过的电流是纯无功电容电流,并超前电压向量90°。

如介质中有损耗则电流存在有功分量,其大小可代表介质损耗的大小。

这时,总电流与电容电流之间有一δ角,该角正切值等于有功电流与无功电流的比,tgδ越大,有功电流越大,说明介质损耗越大。

1、介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。

通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。

介质损耗详解

介质损耗详解

1、介质损耗之袁州冬雪创作什么是介质损耗:绝缘资料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其外部引起的能量损耗.也叫介质损失,简称介损.2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ). 简称介损角.3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切.介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值.因此现在的数字化仪器从实质上讲,是通过丈量δ或者Φ得到介损因数.丈量介损对断定电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法.绝缘才能的下降直接反映为介损增大.进一步便可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化蜕变等等.丈量介损的同时,也能得到试品的电容量.如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有分明的变更,因此电容量也是一个重要参数.4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重.功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ).一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近.(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围.一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.紧密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采取分歧的误差等级.常常使用的电容器其精度等级和电阻器的暗示方法相同.用字母暗示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中可以长期稳定、靠得住工作,所承受的最大直流电压,又称耐压.对于布局、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大.(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变更1℃,电容量的相对变更值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来标明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通常常使用损耗角正切值来暗示.(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变更的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.别的,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.分歧品种的电容器,最高使用频率分歧.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.分歧材质电容器,最高使用频率分歧.COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容今朝使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等分歧的材质规格,分歧的规格有分歧的用途.下面我们仅就常常使用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来先容一下它们的性能和应用以及推销中应注意的订货事项以引起大家的注意.分歧的公司对于上述分歧性能的电容器可以有分歧的定名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的定名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质分歧.在相同的体积下由于填充介质分歧所组成的电容器的容量就分歧,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就分歧.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用分歧来选用分歧的电容器.一 NPO电容器NPO是一种最常常使用的具有温度抵偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.℃到+125℃时容质变更为0±30ppm/℃,电容量随频率的变更小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来讲是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变更小于±0.1%.NPO电容器随封装形式分歧其电容量和介质损耗随频率变更的特性也分歧,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二 X7R电容器℃到+125℃时其容质变更为15%,需要注意的是此时电容器容质变更是非线性的.X7R电容器的容量在分歧的电压和频率条件下是分歧的,它也随时间的变更而变更,大约每10年变更1%ΔC,表示为10年变更了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变更时其容质变更是可以承受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要思索的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来讲在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.虽然它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、杰出的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -56%介质损耗最大 4%四 Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容质变更可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -82%介质损耗最大 5%For personal use only in study and research; not for commercial use。

介质损耗详解

介质损耗详解

1.介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场感化下,因为介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗.也叫介质损掉,简称介损.2.介质损耗角δ在交变电场感化下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ). 简称介损角.3.介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切.介质损耗因数的界说如下:假如取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分化为电容电流Ic和电阻电流IR合成,是以:这恰是损掉角δ=(90°-Φ)的正切值.是以如今的数字化仪器从本质上讲,是经由过程测量δ或者Φ得到介损因数.测量介损对断定电气装备的绝缘状态是一种传统的.十分有用的办法.绝缘才能的降低直接反应为介损增大.进一步就可以剖析绝缘降低的原因,如:绝缘受潮.绝缘油受污染.老化演变等等.测量介损的同时,也能得到试品的电容量.假如多个电容屏中的一个或几个产生短路.断路,电容量就有显著的变更,是以电容量也是一个重要参数.4.功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重.功率因数的界说如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ).一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值异常接近.(1) 容量与误差:现实电容量和标称电容量许可的最大误差规模.一般运用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.周详电容器的许可误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采取不合的误差等级.经常运用的电容器其精度等级和电阻器的暗示办法雷同.用字母暗示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K 级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中可以或许长期稳固.靠得住工作,所推却的最大直流电压,又称耐压.对于构造.介质.容量雷同的器件,耐压越高,体积越大.(3) 温度系数:在必定温度规模内,温度每变更1℃,电容量的相对变更值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来标明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的感化下,电容器在单位时光内发烧而消费的能量.这些损耗重要来自介质损耗和金属损耗.通经常运用损耗角正切值来暗示.(6) 频率特征:电容器的电参数随电场频率而变更的性质.在高频前提下工作的电容器,因为介电常数在高频时比低频时小,电容量也响应减小.损耗也随频率的升高而增长.别的,在高频工作时,电容器的散布参数,如极片电阻.引线和极片间的电阻.极片的自身电感.引线电感等,都邑影响电容器的机能.所有这些,使得电容器的运用频率受到限制.不合品种的电容器,最高运用频率不合.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.不合材质电容器,最高运用频率不合.COG(NPO)材质特征温度频率稳固性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容今朝运用NPO.X7R.Z5U.Y5V等不合的材质规格,不合的规格有不合的用处.下面我们仅就经常运用的NPO.X7R.Z5U和Y5V来介绍一下它们的机能和运用以及倾销中应留意的订货事项以引起大家的留意.不合的公司对于上述不合机能的电容器可能有不合的定名办法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的定名办法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO.X7R.Z5U和Y5V的重要差别是它们的填充介质不合.在雷同的体积下因为填充介质不合所构成的电容器的容量就不合,随之带来的电容器的介质损耗.容量稳固性等也就不合.所以在运用电容器时应依据电容器在电路中感化不合来选用不合的电容器.一 NPO电容器NPO是一种最经常运用的具有温度抵偿特征的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷.钐和一些其它罕见氧化物构成的.℃到+125℃时容量变更为0±30ppm/℃,电容量随频率的变更小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以疏忽不计的.其典范的容量相对运用寿命的变更小于±0.1%.NPO电容器随封装情势不合其电容量和介质损耗随频率变更的特征也不合,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特征好.NPO电容器合适用于振荡器.谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二 X7R电容器℃到+125℃时其容量变更为15%,须要留意的是此时电容器容量变更长短线性的.X7R电容器的容量在不合的电压和频率前提下是不合的,它也随时光的变更而变更,大约每10年变更1%ΔC,表示为10年变更了约5%.X7R电容器重要运用于请求不高的工业运用,并且当电压变更时其容量变更是可以接收的前提下.它的重要特色是在雷同的体积下电容量可以做的比较大.三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里起首须要斟酌的是运用温度规模,对于Z5U电容器重要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在雷同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受情况和工作前提影响较大,它的老化率最大可达每10年降低5%.尽管它的容量不稳固,因为它具有小体积.等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低.优越的频率响应,使其具有普遍的运用规模.尤其是在退耦电路的运用中.Z5U电容器的其他技巧指标如下:工作温度规模 +10℃ --- +85℃温度特征 +22% ---- -56%介质损耗最大 4%四 Y5V电容器Y5V电容器是一种有必定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃规模内其容量变更可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数许可在较小的物理尺寸下制作出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的其他技巧指标如下:工作温度规模 -30℃ --- +85℃温度特征 +22% ---- -82%介质损耗最大 5%For personal use only in study and research; not for commercial use。

介质损耗角正切公式

介质损耗角正切公式

介质损耗角正切公式介质损耗角正切(tanδ)是一个在电学中经常会遇到的概念,它在电力工程、电子电路等领域都有着重要的应用。

咱们先来聊聊什么是介质损耗角正切。

简单来说,当一个电介质在电场作用下,会出现电能的损耗,这个损耗的程度就可以用介质损耗角正切来表示。

想象一下,电流通过一个电容器,电容器里面的介质并不是完美的,会有一部分电能被消耗掉,就好像电流在这个介质里跑的时候遇到了一些小阻碍,消耗了一些能量。

这个消耗的程度,就是介质损耗角正切啦。

公式是tanδ = P / ωCU² 。

这里面的 P 代表的是有功功率,也就是实实在在被消耗掉的那部分功率;ω 是角频率;C 是电容;U 是电压。

给大家讲个我曾经遇到的真实事儿。

有一次,我们学校的实验室里要做一个关于电容器性能的实验。

同学们都兴致勃勃地准备着,我在旁边指导。

有一组同学在计算介质损耗角正切的时候,把公式里的各个参数弄混了,结果怎么也算不对。

我走过去一看,发现他们把有功功率和无功功率给搞混了。

我就耐心地跟他们解释,有功功率是真正被消耗掉的能量,就像我们跑步时实实在在出的力,而无功功率只是在电路里来回转悠但没真正做功的那部分。

经过我的讲解,他们终于弄明白了,算出了正确的结果,那兴奋劲儿,别提了!在实际应用中,比如在电力变压器中,介质损耗角正切的值如果过大,就意味着变压器的绝缘性能可能下降,会影响变压器的正常运行,甚至可能引发故障。

所以,准确测量和计算介质损耗角正切对于保障电力设备的安全稳定运行至关重要。

再比如说,在高频电路中,由于频率很高,介质损耗可能会变得比较显著。

这时候,如果不考虑介质损耗角正切,设计出来的电路可能就达不到预期的性能。

总之,介质损耗角正切公式虽然看起来有点复杂,但只要我们理解了它背后的物理意义,搞清楚每个参数的含义和作用,就能很好地运用它来解决实际问题。

就像我们在学习的道路上,遇到一个又一个的难题,只要我们不害怕,认真去钻研,总能找到解决的办法。

关于介质损耗的一些基本概念

关于介质损耗的一些基本概念

第一篇关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗与介质损耗因数:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

介质损耗指的是电介质在电场作用下引起的能量损耗,主要分为三种形式:漏导引起的损耗、电介质极化引起的损耗、局部放电引起的损耗。

直流电压作用下电介质里的损耗主要是漏导损耗,用绝缘电阻或漏导电流表示就可以了,因此平常讨论的介质损耗均为针对交流电压作用下电介质中的损耗。

2、介质损耗角δ:在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角为φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ:又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值。

简称介损角正切。

根据推导当电介质、外加电压及其频率一定时,介质损耗P与介质损耗因数tgδ成正比,所以可以用tgδ来表征介质损耗的大小,工程上都是通过测量计算tgδ值来表示介损的大小。

4、高压介质损耗测量仪:简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。

一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。

5、外施:使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验,对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。

6、内施:使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验,直接得到测量结果的方法。

7、正接线:用于测量不接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于地电位。

8、反接线:用于测量接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于高电位,他与外壳之间承受全部试验电压。

9、常用介损仪的分类:现常用介损测试仪有西林型和M型两种。

QS1和KD9000属于西林型。

10、常用抗干扰方法:目前介质损耗测量中常见抗干扰方法有以下几种:倒相法、移相法、变频法和移相跟踪抗干扰法等。

11、准确度的表示方法tgδ:±(1%D+0.0004)CX:±(1%C+1pF)加号前表示为相对误差,加号后表示为绝对误差。

介质损耗角的正切tgδ的意义

介质损耗角的正切tgδ的意义

介质损耗角的正切tgδ的意义1. 介质损耗角是什么?介质损耗角,这个名字听起来有点吓人,但其实它就像是一个介质在电场中“偷懒”的程度。

想象一下,你在上课的时候,那些玩手机的小伙伴,他们是不是总是离开老师讲的重点?介质损耗角就是描述这种“跑题”行为的一个指标。

简单来说,它告诉我们一个介质在电场作用下,能量有多少被转化为热量,而不是被存储在电场中。

tgδ,就是一个让我们量化这种“跑题”行为的数字。

1.1 tgδ是什么?tgδ,就是正切(tan)的δ。

没错,就是那个三角函数里的正切。

δ,这个角度代表了介质损耗角,tgδ则是这个角度的正切值。

你可以把它想象成一个介质在电场下的“懒惰指数”。

如果tgδ值大,就说明介质很“懒”,大部分电能都变成了热量;而tgδ值小,则说明介质比较“勤奋”,能量存储得更多。

1.2 为什么要关心tgδ?了解tgδ的意义非常重要,尤其是在电气和电子领域。

想象一下,你的手机电池如果效率低下,发热严重,那可是会让你烦恼的!电力设备和材料的tgδ值高,意味着它们会产生更多的热量,导致能量浪费。

这就像是你去超市买的冰箱,如果它不够节能,那冰箱的热量也会“偷跑”出来,让你的电费账单一涨再涨。

2. tgδ的实际应用2.1 电缆和电线的选择在选择电缆和电线时,我们特别注意tgδ值。

因为tgδ高的材料会导致更多的热量,可能会影响电缆的安全性和寿命。

比如说,如果你家电线的tgδ值很高,那就像是你的电线一直在“发烧”,时间久了可就要小心短路或着火了。

2.2 电容器的性能在电容器的世界里,tgδ也是一个重要的参数。

tgδ值高的电容器,其内部的电能转化为热量的比例大,这样的电容器效率就低,工作时容易发热。

就好比你家里的旧冰箱,不仅冷冻效果差,还老是发热,让你总是感觉到一股“暖意”。

3. 如何降低tgδ?3.1 选择合适的材料降低tgδ的关键在于选择合适的材料。

例如,某些先进的高分子材料具有较低的tgδ值,它们能更有效地存储电能,而不是浪费在热量上。

介质损耗角tanδ的解释

介质损耗角tanδ的解释

介质损耗角tanδ的解释序号:1介质损耗角tanδ的解释在电学和电子领域中,我们经常会遇到一个参数,被称为介质损耗角(tanδ)。

这个参数用于衡量介质中电能转化为热能的能力。

在本文中,我们将深入探讨介质损耗角的定义、原因、测量方法以及其在实际应用中的重要性。

2. 介质损耗角的定义和解释介质损耗角(tanδ)是指在交流电场中,介质对电能的损耗程度。

它是介质电导率和介质电容率之间相对的比例。

介质损耗角的具体定义是介质中的有功损耗与无功损耗之比的正切值。

3. 介质损耗角的原因介质损耗角的存在是由于介质中的散射、吸收、导电等因素造成的。

当交流电场作用于介质中的分子或原子时,它们会因为电场的变化而发生运动,导致能量的转化和损耗。

4. 介质损耗角的测量方法测量介质损耗角是通过使用特定的测试仪器来完成的。

其中最常用的方法是使用沉浸在介质中的金属电极。

通过施加不同频率和电压的交流电,测量介质中的电流和相位差,从而计算出介质损耗角的值。

5. 介质损耗角在实际应用中的重要性介质损耗角在许多领域中都有重要的应用。

在电力系统中,高压电缆和电力变压器中的绝缘材料的损耗角直接影响电能的传输效率。

在电子器件中,介质损耗角的大小与电容器和电感器的性能密切相关。

它还在射频和微波电路设计中发挥关键作用,因为介质损耗角的大小会影响电路的带宽和纹波。

在无线通信和光纤通信领域中,了解介质损耗角有助于提高信号的传输质量和系统的可靠性。

6. 我对介质损耗角的观点和理解介质损耗角是一个非常重要的参数,它揭示了介质中电能转化为热能的过程。

在我看来,了解介质损耗角的原因和测量方法对于工程师和科研人员来说都至关重要。

只有通过深入理解和准确测量介质损耗角,我们才能提出有效的解决方案来改善介质中电能的传输和转化效率。

通过本文的讨论,我们希望读者对介质损耗角有了更清晰的认识,并且能够将其应用于实际工程和科学研究中。

介质损耗角是电学和电子领域中一个复杂而又有挑战性的概念,但它也是推动技术进步和创新的重要因素之一。

介质损耗详解

介质损耗详解

1、介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围.一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级.常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同.用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压.对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大.(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通常用损耗角正切值来表示.(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.不同品种的电容器,最高使用频率不同.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.不同材质电容器,最高使用频率不同.COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途.下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意.不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同.在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器.一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%.NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的.X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃温度特性+22% ---- -56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---- -82%介质损耗最大5%For personal use only in study and research; not for commercial use。

介质损耗详解

介质损耗详解

1、介质损耗之宇文皓月创作什么是介质损耗:绝缘资料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从实质上讲,是通过丈量δ或者Φ得到介损因数。

丈量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化蜕变等等。

丈量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变更,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围.一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采取分歧的误差等级.经常使用的电容器其精度等级和电阻器的暗示方法相同.用字母暗示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压.对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大.(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变更1℃,电容量的相对变更值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来标明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通经常使用损耗角正切值来暗示.(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变更的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.分歧品种的电容器,最高使用频率分歧.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.分歧材质电容器,最高使用频率分歧.COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等分歧的材质规格,分歧的规格有分歧的用途.下面我们仅就经常使用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及推销中应注意的订货事项以引起大家的注意.分歧的公司对于上述分歧性能的电容器可能有分歧的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质分歧.在相同的体积下由于填充介质分歧所组成的电容器的容量就分歧,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就分歧.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用分歧来选用分歧的电容器.一 NPO电容器NPO是一种最经常使用的具有温度抵偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变更为0±30ppm/℃,电容量随频率的变更小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变更小于±0.1%.NPO电容器随封装形式分歧其电容量和介质损耗随频率变更的特性也分歧,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变更为15%,需要注意的是此时电容器容量变更是非线性的.X7R电容器的容量在分歧的电压和频率条件下是分歧的,它也随时间的变更而变更,大约每10年变更1%ΔC,表示为10年变更了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变更时其容量变更是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -56%介质损耗最大 4%四 Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变更可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -82%介质损耗最大 5%For personal use only in study and research; not for commercial use。

介质损耗详解

介质损耗详解

1、介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围.一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级.常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同.用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J 级—±5%;K级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压.对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大.(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通常用损耗角正切值来表示.(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.不同品种的电容器,最高使用频率不同.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.不同材质电容器,最高使用频率不同.COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途.下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意.不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同.在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器.一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一.在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%.NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器.当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的.X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大.三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本.对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃温度特性+22% ---- -56%介质损耗最大4%四Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器.Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---- -82%介质损耗最大5%。

介质损耗详解

介质损耗详解

1、介质损耗之欧侯瑞魂创作创作时间:二零二一年六月三十日什么是介质损耗:绝缘资料在电场作用下, 由于介质电导和介质极化的滞后效应, 在其内部引起的能量损耗.也叫介质损失, 简称介损.2、介质损耗角δ在交变电场作用下, 电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ). 简称介损角.3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数, 是指介质损耗角正切值, 简称介损角正切.介质损耗因数的界说如下:如果取得试品的电流相量和电压相量, 则可以获得如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成, 因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值.因此现在的数字化仪器从实质上讲, 是通过丈量δ或者Φ获得介损因数.丈量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法.绝缘能力的下降直接反映为介损增年夜.进一步就可以分析绝缘下降的原因, 如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化蜕变等等.丈量介损的同时, 也能获得试品的电容量.如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路, 电容量就有明显的变动, 因此电容量也是一个重要参数.4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值, 意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重.功率因数的界说如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ), 而不是介质损耗因数(DF:tgδ).一般cosΦ<tgδ, 在损耗很小时这两个数值非常接近.(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最年夜偏差范围.一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%.精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较年夜,它们采纳分歧的误差品级.经常使用的电容器其精度品级和电阻器的暗示方法相同.用字母暗示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K 级—±10%;M级—±20%.(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所接受的最年夜直流电压,又称耐压.对结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越年夜.(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变动1℃,电容量的相对变动值.温度系数越小越好.(4) 绝缘电阻:用来标明漏电年夜小的.一般小容量的电容,绝缘电阻很年夜,在几百兆欧姆或几千兆欧姆.电解电容的绝缘电阻一般较小.相对而言,绝缘电阻越年夜越好,漏电也小.(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单元时间内发热而消耗的能量.这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗.通经常使用损耗角正切值来暗示.(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变动的性质.在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小.损耗也随频率的升高而增加.另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,城市影响电容器的性能.所有这些,使得电容器的使用频率受到限制.分歧品种的电容器,最高使用频率分歧.小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ.分歧材质电容器,最高使用频率分歧.COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差.贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等分歧的材质规格,分歧的规格有分歧的用途.下面我们仅就经常使用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及推销中应注意的定货事项以引起年夜家的注意.分歧的公司对上述分歧性能的电容器可能有分歧的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产物请参照该公司的产物手册.NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质分歧.在相同的体积下由于填充介质分歧所组成的电容器的容量就分歧,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就分歧.所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用分歧来选用分歧的电容器.一 NPO电容器NPO是一种最经常使用的具有温度赔偿特性的单片陶瓷电容器.它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的.℃到+125℃时容量变动为0±30ppm/℃,电容量随频率的变动小于±0.3ΔC.NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对年夜于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的.其典范的容量相对使用寿命的变动小于±0.1%.NPO电容器随封装形式分歧其电容量和介质损耗随频率变动的特性也分歧,年夜封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好.NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容.二 X7R电容器℃到+125℃时其容量变动为15%,需要注意的是此时电容器容量变动是非线性的.X7R电容器的容量在分歧的电压和频率条件下是分歧的,它也随时间的变动而变动,年夜约每10年变动1%ΔC,暗示为10年变动了约5%.X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变动时其容量变动是可以接受的条件下.它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比力年夜.三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器.这里首先需要考虑的是使用温度范围,对Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低本钱.对上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最年夜的电容量.但它的电容量受环境和工作条件影响较年夜,它的老化率最年夜可达每10年下降5%.尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串连电感(ESL)和等效串连电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围.尤其是在退耦电路的应用中.Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -56%介质损耗最年夜 4%四 Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变动可达+22%到-82%.Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF 电容器.Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃温度特性 +22% ---- -82%介质损耗最年夜 5%For personal use only in study and research; not for commercial use。

介质损耗角计算公式

介质损耗角计算公式

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咱们先来说说啥是介质损耗角。

想象一下,在一个电路中,有一种材料,它不像是导线那样畅通无阻地让电流通过,而是会有一些小小的“阻碍”,导致电能在传输过程中有一部分变成了热能啥的消耗掉了,这就产生了介质损耗。

而这个介质损耗的程度,就可以用介质损耗角来衡量。

那介质损耗角的计算公式是啥呢?一般来说,介质损耗角正切值(tanδ)可以用下面这个公式来计算:tanδ = 有功功率 P / 无功功率 Q 。

这看起来好像有点抽象,对吧?我给您举个例子。

就说咱们家里用的那个电暖器,它里面有一些绝缘材料。

当电流通过这些绝缘材料的时候,就会有一部分电能因为材料的特性而损耗掉。

咱们假设这个电暖器在工作的时候,有功功率是 100 瓦,无功功率是 50 瓦。

那按照公式,tanδ = 100 / 50 = 2 。

这就说明这个绝缘材料的介质损耗还是比较大的。

再深入一点说,这个公式的推导其实和电磁场的理论有关系。

不过咱别被那些复杂的理论吓到,就记住这个简单的公式就行啦。

在实际的工程应用中,比如在电力系统里,准确计算介质损耗角可是非常重要的。

如果不能准确计算,可能会导致电力设备过热、效率降低,甚至出现故障。

我记得有一次,我们在一个工厂里检查电力设备。

发现有一台大型的变压器工作的时候温度特别高,大家都很担心会出问题。

后来经过仔细检查和计算,发现就是因为变压器内部的绝缘材料老化,导致介质损耗角增大,损耗的电能增多,所以才会温度过高。

我们赶紧更换了新的绝缘材料,问题才得以解决。

总之,介质损耗角计算公式虽然看起来简单,但是它在电学领域里的作用可不容小觑。

掌握好它,能让我们更好地理解和解决很多实际的问题。

希望通过我的讲解,您对介质损耗角计算公式能有更清楚的认识和理解!。

测量介质损耗角正切的方法

测量介质损耗角正切的方法

测量介质损耗角正切的方法我跟你们说呀,测量介质损耗角正切的方法可真是个挺有意思的事儿呢。

我刚开始接触这个的时候呀,那叫一个头疼,完全摸不着头脑。

后来跟着我们实验室的老师一起做实验,才慢慢搞明白一些。

就说那个 QS1 型西林电桥测量法吧,那可是个经典的方法。

我记得当时在实验室里,那台西林电桥就摆在桌子上,看起来挺复杂的,各种按钮、旋钮啥的。

老师站在旁边,戴着副眼镜,看起来特别专业。

他指着电桥跟我们说:“同学们,今天咱就用这个西林电桥来测介质损耗角正切。

”我当时就想,这玩意儿能行吗?老师先给我们讲原理,什么桥臂呀、标准电容呀、可调电阻电容之类的,听得我晕乎乎的。

我就问老师:“老师,这也太复杂了吧,能不能简单点说呀?”老师笑了笑说:“简单来说呢,就是通过调节这些元件,让电桥平衡,然后就能算出介质损耗角正切的值啦。

”我似懂非懂地点点头。

然后就开始实际操作了。

我小心翼翼地按照老师说的步骤,先把被试品接上,再调节那些旋钮。

哎呀呀,那个紧张呀,就怕一不小心弄错了。

旁边的同学也都跟我差不多,一个个眉头紧皱,全神贯注的。

老师在旁边看着,时不时地说:“别着急,慢慢来。

”还有那个正接线和反接线,也是有讲究的。

正接线的时候,感觉还挺顺的,按照步骤来就行。

但反接线就麻烦一些了,因为有些设备是一端接地的,就得注意好多细节。

我弄反接线的时候,老是担心接错,反复检查了好几遍。

老师走过来看了看,说:“不错,挺仔细的嘛。

”我听了心里还挺高兴的。

除了西林电桥法呀,还有那个瓦特表法呢。

这个方法相对来说简单一些,就是用瓦特表来测量有功功率和无功功率,然后根据公式算出介质损耗角正切。

我当时就想,这方法简单是简单,就是不知道准不准呀。

我跟同学讨论这个的时候,同学说:“管它准不准呢,先试试呗。

”哈哈,也是,不试怎么知道呢。

在测量的时候呀,环境也很重要呢。

实验室里得保持安静,大家都轻手轻脚的,就怕影响了测量结果。

有一次,有个同学不小心弄掉了个东西,“哐当”一声,把大家都吓了一跳。

介质损耗角

介质损耗角

介质损耗角
介质损耗角(MHA)是一种用于估算集群中数据性能的重要方法。

它能够用于估测数据的可靠性、系统的传输量和可靠性,以及系统的性能下降等问题。

MHA评估了数据传输时的损耗,这可以帮助系统管理者了解集群的优劣以及更好的设计系统。

MHA的原理是评估每个数据环节的损耗情况,并将这些损耗环节相加以获得总体损耗情况。

这样,系统管理者可以找出特定数据环节存在的性能问题,从而采取合理的解决方案来改善系统效率。

MHA的计算方法可以满足各种不同的系统环境,只要系统环境中提供了必要的信息,它就可以准确地估算出损耗角。

它还可以比较不同的系统环境,以鉴别其中的优劣,并给出最佳的解决方案。

MHA的实际应用非常广泛,可以用于各种类型的网络环境,比如企业网络、国家网络、局域网等。

MHA可以帮助系统管理者识别出可能需要改进的数据传输性能,从而更有效地利用系统资源。

此外,MHA还可以用于检测系统数据安全性。

MHA可以监测不同网络环境中可能存在的数据泄露和攻击,从而帮助系统管理者确保系统数据安全。

总之,介质损耗角是一项非常重要的技术,它能够有效地辅助系统管理者识别出可能存在的性能问题,并采取合理的解决方案,提高系统的可靠性和效率,确保系统数据安全。

因此,介质损耗角在系统管理中起着重要作用,是系统管理者不可或缺的一项重要技术手段。

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介质损耗角的定义

介质损耗角的定义

介质损耗角的定义介质损耗角是电磁波在介质中传播时所发生的能量损耗与传播方向之间的夹角。

在介质中,电磁波的传播会受到一定的阻尼,导致能量逐渐减少。

介质损耗角的大小与介质的性质、频率以及传播角度等因素有关。

介质损耗角的定义为介质中电磁波传播方向与介质内部能量流动方向之间的夹角。

当电磁波传播方向与能量流动方向一致时,介质损耗角为0度,表示能量损耗最小;当电磁波传播方向与能量流动方向垂直时,介质损耗角为90度,表示能量损耗最大。

介质损耗角与介质的性质有关。

不同的介质对电磁波的传播有不同的影响,其中包括介质的导电性和磁导率等。

导电性较高的介质会导致电磁波能量更快地损失,因此介质损耗角会随着导电性的增加而增大。

磁导率的变化也会对介质损耗角产生影响。

介质损耗角还与电磁波的频率有关。

在介质中,电磁波的频率越高,能量损耗越大,因此介质损耗角会随着频率的增加而增大。

这是因为高频电磁波在介质中的传播会导致更多的能量损耗。

介质损耗角也与电磁波的传播角度有关。

当电磁波以不同的角度射入介质时,会发生折射和反射现象,导致能量的损耗。

一般来说,电磁波垂直入射时的介质损耗角最小,而斜入射时的介质损耗角会增大。

在实际应用中,了解介质损耗角的大小对于电磁波在介质中的传播和能量损耗具有重要意义。

通过控制传播角度和选择合适的介质,可以降低能量损耗,提高传输效率。

同时,对于介质损耗角的研究还可以为电磁波在介质中的传播特性提供理论基础。

介质损耗角是描述电磁波在介质中传播时能量损耗与传播方向之间夹角的物理量。

它与介质的性质、频率以及传播角度等因素密切相关。

了解介质损耗角的大小对于电磁波的传播和能量损耗有着重要的意义,可以为电磁波在介质中的应用提供理论支持。

通过研究介质损耗角,我们可以更好地理解电磁波在介质中的传播特性,并为相关领域的研究和应用提供指导。

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介质损耗角是在交变电场下,电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角(即功率向量角ф)的余角δ,简称介损角。

介质损耗角(介损角)是一项反映高压电气设备绝缘性能的重要指标。

介损角的变化可反映受潮、劣化变质或绝缘中气体放电等绝缘缺陷,因此测量介损角是研究绝缘老化特征及在线监测绝缘状况的一项重要内容。

介质损耗检测的意义及其注意问题(1)在绝缘设计时,必须注意绝缘材料的tanδ 值。

若tanδ 值过大则会引起严重发热,使绝缘加速老化,甚至可能导致热击穿。

而在直流电压下,tanδ 较小而可用于制造直流或脉冲电容器。

(2)值反映了绝缘的状况,可通过测量tanδ=f(ф)的关系曲线来判断从良状态向劣化状态转化的进程,故tanδ的测量是电气设备绝缘试验中的一个基本项目。

(3)通过研究温度对tanδ值的影响,力求在工作温度下的tanδ值为最小值而避开最大值。

(4)极化损耗随频率升高而增大,尤其电容器采用极性电介质时,其极化损耗随频率升高增加很快,当电源中出现高次(如3次、5次)谐波时,就很容易造成电容器绝缘材料因过热而击穿。

(5)用于冲击测量的连接电缆,其绝缘的tanδ必须很小,否则所测冲击电压通过电缆后将发生严重的波形畸变,影响到测量的准确性。

数字化测量介质损耗角的方法新闻出处:谢家琪发布时间: 2007年03月12日摘要:总结了介损模拟测量方法存在的不足。

对当前几种典型的介质损耗数字化测量方法进行了介绍,讨论了每种方法的优缺点和实际应用中出现的一些问题,并对介损数字化测量的发展前景进行了展望。

关键词:介质损耗数字化测量 1 引言高压电气设备中,对绝缘介质损耗的测试具有很重要的意义。

在高压预防性试验中,介质损耗因素的测量属于高准确度测量,通常是在被测试品两端加以工频50Hz的高电压(10kV),使被测试品流过一个极其微小的电流,利用电压与电流之间夹角的余角δ的正切值来反映被测试品的介质损耗大小。

这种高电压、微电流、小角度的精密测量要求测量系统应具有很高的灵敏度和准确性,在现场条件下还需要具有较强的抗干扰能力。

过去介质损耗角的测量采用模拟测量方法,主要有谐振法、瓦特表法和电桥法,谐振法只适用于低压高频状态下的测量。

瓦特表法是由介质损失的功率和经过的电流计算求得,瓦特表法由于测量准确度低,现已基本淘汰。

电桥法是采用交流电桥差值比较原理,准确度相对较高,其典型代表是西林电桥,见图1所示。

由电桥平衡条件可得出被试品的电容值Cx及tanδ: CX=(R4/R3)CN tanδ=ωC4R4目前数字化自动电桥其实只是采用数字化技术来调节电桥的平衡,而实际的测量原理仍然是用标准电容和电阻与被试品进行比较的模拟方法。

其缺点是:(1)测量程序复杂,操作工作量大,自动化水平低,易受人为因素的影响。

(2)随着输变电工程电压等级的提高,强电场干扰严重,使变电站高压电器设备的tanδ测量误差过大。

(3)当试验电源有较大谐波干扰时,即使基波电压已获平衡,检流计仍不能为零,不能排除与基波相近的谐波干扰。

2 几种介损的数字化测量方法数字化测量方法的原理是利用传感器从试品上取得所需的信号U和I,经前置预处理电路数字化后送至数据处理计算机或单片机,算出电流电压之间的相位差△ψ,最后得到tanδ的测量值,见图2。

2.1过零电压比较法过零电压比较法是测量两个频率相同,幅值相等,相角差小的正弦电压波之间的相角差的方法。

满足上述条这种方法的特点是电路简单,对启动采样电路、A/D转换电路要求不高,且以过零点附近两个正弦波的平均电压差来评价两正弦波的相位差,所以抗干扰扰能力强。

但要求满足的测量条件十分苛刻,如要求两个被测的正弦波谐波分量和谐波相位相等,增大了测量难度[1]。

2.2过零时差比较法这是一种将相位测量变为时间测量的方法其原理见图3。

系统先通过采样电路捕捉电流和电压信号的过零点(图3(b), (c)),然后通过一系列的逻辑转换电路形成宽度为△t的方波信号(图3(d))。

由于方波的宽度反映了电流电压信号的相位差,所以通过测量△t即可求出试品的介损值。

该方法具有测量分辨率高、线性好、易数学化的优点。

但误差因素有时对测量结果影响很大,从而限制了应用。

其中最重要的误差原因是由于零线漂移和波形畸变而导致信号过零点偏移。

2.3谐波分析法谐波分析法就是用离散付立叶变换(DFT)对试品的电压和电流信号进行谐波分析,得出基波,再求出介质损耗角。

高次谐波主要以3次和5次谐波为主,试品上的电压和电流可表示为:谐波分析法把对波形的处理放在后期的软件程序中进行,简化了硬件线路和结构,提高了系统可靠性。

由于电网频率不稳,加之同步采样环节的误差,造成对采样信号做DFT时产生较大的误差,所以在对信号DFT计算时应采取相应的措施尽量消除频谱泄漏和栅栏效应带来的误差[2]。

2.4自由矢量法本方法的原理来自于电压/电流法测量元件阻抗的原理,根据被测试品的端电压相量和流过试品的电流相量之比,可以得到被测试品的阻抗相量,根据ZX的实部和虚部,进一步求得介质损耗角正切tanδ。

设to时刻方向上的矢量为参考矢量时,见图4,电压和电流用矢量表示为:自由矢量法实现的电路简单、体积小、重量轻、价格便宜,但存在电源频率不稳,波形不准,外界电磁场干扰等误差因素,限制了该方法的准确度和应用。

2.5异频电源法异频电源法的原理为在介质测量过程中,试验电源频率偏离干扰电源频率,通过频率识别和滤波技术排除干扰电源的影响。

使用DFT或FFT可将异频频率波和干扰频率波分辨开来。

理论上只要满足同步采样条件,DFT或FFT就不会有泄漏效应,可准确地将异频电源频率所对应的频谱抽取出来,也就可得到该频率波的初相位。

实际上,介质随频率的变化而变化,这就出现不同频率下的测量结果的等同性问题。

异频电源频率不能偏离工频太远,否则测量结果与工频下的介损值失去等同性,也不能偏离太近,这样会增大频率分辨的难度,同样会造成较大的误差[4]。

正弦电压和电流在时域的表达式可写为:该方法要求A/D转换的位数N不小于10,采样率不低于1KHz[5]。

由于在方法的设计上把流过试品的电压和电流理想化为标准的正弦波,没有考虑信号中有谐波等干扰成分,容易造成测量的误差。

以上介损的数字化测量方法之间并不是孤立的。

例如在正弦波参数法和自由矢量法中,可先用谐波法滤除高次谐波,得到电压和电流的基波再计算各个参数。

而异频电源的采用是为了克服工频干扰,它几乎可以应用到其他所有的数字化测量方法中。

因每种测量方法的特点,过零时差比较法和过零点电压比较法多用于现场及在线监测的测量仪器,而自由矢量法和正弦波参数法多用于便携式带电检测仪器。

3 结语介损的数字化测量技术在不断地发展和完善。

数字化测量的优点在于它的智能化和多功能趋势,特别是将后级处理与高压设备绝缘的诊断专家系统联系起来,实现自动检测和诊断报警。

介损的数字化测量是有着光明的发展前景,如何提高抗干扰能力和测量准确性仍是当前研究的课题。

◎、介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。

通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。

因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。

接线也十分烦琐。

国内常见高压电容电桥有:6、高压介质损耗测量仪简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。

一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。

AI-6000利用变频抗干扰原理,采用傅立叶变化数字波形分析技术,对标准电流和试品电流进行计算,抑制干扰能力强,测量结果准确稳定。

国内常见高压介质损耗测量仪有:7、外施使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验,对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。

8、内施使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验,直接得到测量结果的方法。

9、正接线用于测量不接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于地电位。

10、反接线用于测量接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于高电位,他与外壳之间承受全部试验电压。

11、常用介损仪的分类现常用介损仪有西林型和M型两种,QS1和AI-6000为西林型。

12、常用抗干扰方法在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种:倒相法、移相法和变频法。

AI-6000采用变频法抗干扰,同时支持倒相法测量。

13、准确度的表示方法tgδ:±(1%D+0.0004)Cx:±(1%C+1pF)+前表示为相对误差,+后表示为绝对误差。

相对误差小表示仪器的量程线性度好,绝对误差小表示仪器的误差起点低。

校验时读数与标准值的差应小于以上准确度,否则就是超差。

摘要:总结了介损模拟测量方法存在的不足。

对当前几种典型的介质损耗数字化测量方法进行了介绍,讨论了每种方法的优缺点和实际应用中出现的一些问题,并对介损数字化测量的发展前景进行了展望。

关键词:介质损耗数字化测量1 引言高压电气设备中,对绝缘介质损耗的测试具有很重要的意义。

在高压预防性试验中,介质损耗因素的测量属于高准确度测量,通常是在被测试品两端加以工频50Hz的高电压(10kV),使被测试品流过一个极其微小的电流,利用电压与电流之间夹角的余角δ的正切值来反映被测试品的介质损耗大小。

这种高电压、微电流、小角度的精密测量要求测量系统应具有很高的灵敏度和准确性,在现场条件下还需要具有较强的抗干扰能力。

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