荧光淬灭

如果这种能量传递不有效的话，可能荧光就强。另外金的plasmon也会增强荧光材料的光吸收，可能会增强荧光总强度。这两个竞争过程除了与波长有关外，朱要与距离有关，一般

5纳米是界限，距离短被淬灭

荧光淬灭有以下几种说法:

1. 动态淬灭(碰撞淬灭,淬灭剂与发光物质的激发态分子之间的相互作用)

2. 静态淬灭(发光分子基态和淬灭剂形成不发光的基态络合物)

3. 转入三重态淬灭

4. 自吸淬灭(浓度高时，自淬灭)

首先确定荧光物质是否有电性，就是说荧光物质是否带有电荷，而且贵金属，例如纳米金，在

制作过程中，表面由于有柠檬酸根而带有负电荷，可以和带正电荷的荧光物质，如带正电荷水

溶性荧光共轭聚合物，通过静电作用，而使荧光猝灭；如果带相同电荷或者一方不带电荷，猝

灭是不怎么明显的。可以这样说，这种猝灭，是通过电荷作用相互吸附在一起，你可以让两者

相互作用后，做一个TEM，就可以判断了。

荧光淬灭有动态淬灭和静态淬灭两种，稳态的荧光强度都显示出荧光强度的衰减，无法分辨，

而动态淬灭至少分裂为2个荧光寿命，意味着能量转移的发生，而静态淬灭只是淬灭剂与荧光物结合生成非荧光物质，荧光寿命并不发生变化。

Acrylamide和碘离子分别用于疏水淬灭或亲水淬灭，测量蛋白质中Trp残基荧光淬灭的寿命，能够轻易的得知Trp残基是位于蛋白质表面还是内部。

荧光淬灭多用于分析大分子或胶体的结构或构象，用淬灭的方法研究荧光基团在分子内还是分

子表面，有个淬灭的方程，一时写不出来，大概是淬灭剂浓度和荧光变化的关系，有个K常数，和淬灭效率和荧光寿命有关，如果分子构型改变，K会变化，这样就可以用来研究某些化合物

对大分子构型或构象的影响。

荧光漂白，就是用强光把荧光素的激发态全部给消除了，有可逆和不可逆两种，可逆的漂白相

当于清理出一个没有荧光的区域，相当于荧光清零，然后再观察测量某种特定的荧光的扩散、

产生或恢复。漂白是否可以恢复依赖于荧光素的种类和漂白光强，作为副作用，荧光素的漂白

常会发生。

磁性纳米粒子猝灭量子点的荧光很早就有人研究过。

具体原因：

处于导带的电子在回到价带的过程中，由于磁性纳米粒子的存在，发生了电子转移，量子点导

带的电子转移到磁性纳米粒子上，结果荧光发生猝灭。因此，通常制备的磁性-荧光双功能纳

米材料都会在量子点表面修饰一层无机壳、聚合物等材料，降低这种电子转移。

貌似这也与纳米粒子的距离也有关吧。06年的一篇JACS就讲了一个Au@SiO2@Fe3O4核

壳结构对荧光淬灭的影响

量子点的荧光量资产率很高，而且发射光谱与金纳米的吸收光谱有效重叠，这种情况下，将两者的溶液混在一起，会发生淬灭吗？

看到很多文献将量子点用DNA修饰，然后用互补DNA修饰金纳米，DNA杂交之后（两者距离<10 nm）发生荧光淬灭，如果没有DNA杂交过程,混合液就没有淬灭发生吗？

此外，弱问一句，淬灭（quenching）和荧光共振能量转移（FRET）是一回事吗？

直接混在一起应该不会造成荧光淬灭，荧光淬灭一般需要两个分子距离较近从而产生能量转移；而一般未修饰的无机粒子表面都有稳定剂，其斥力不允许两粒子间有较近的接触。

荧光淬灭指的是：荧光物质分子与溶剂分子或其他溶质分子相互作用引起荧光强度降低的现象；荧光共振能量转移：供体荧光分子的激发能诱发受体分子发出荧光，同时供体荧光分子自身

的荧光强度衰减。

也就是说：对于FRET中的供体分子来说是发生了淬灭

直接混合的话要看电荷的，要是相反电荷的话是可以静电吸引结合在一起的，这样的话就可以被猝灭，关于这个有很多机理，什么电子转移和纳米颗粒表面能量转移的，都有，但是这种猝灭很不稳定。这也就是DNA连接的必要性（也有研究量子点的激发偶极子与金纳米颗粒的等

离子体场的相互作用的）

FRET是一个供体的发射峰与一个受体的激发有较大的重叠，同时两者之间的距离满足FRET

要求，就可以发生FRET，这个时候供体的荧光强度是下降的。

猝灭的原因就会有很多，溶剂效应，自猝灭，能量转移等都可以。

如果量子点（供体）的发射光谱和纳米颗粒（受体）的吸收光谱重合有重叠，当两者距离（范围在3nm-8nm）之间，会发生FRET。量子点发射的光通过能量转移到纳米颗粒，纳米颗粒被激发后发射光子。能量传递的效率E=1/(1+(R/R0)^6), 其中R是两者的距离。从光谱上看，

如果两者距离达到FRET的范围，供体受到激发后，发射光谱呈现的是受体的发射波段，而非

供体的发射波段。

要精确控制量子点和纳米颗粒的距离以达到FRET是一个难点。楼主所说的文献当中将量子点

用DNA修饰，然后用互补DNA修饰纳米颗粒，然后DNA杂交，就是用来实现FRET所需的距

离。如果没有这种杂交（或者其他方法），直接将量子点与纳米颗粒混合，理论上有一定几率，量子点和纳米颗粒靠得足够近，会发生FRET。但是这种几率是很小的，可以说是一个小概率

时间，非常难找。如果加大量子点和纳米颗粒的浓度，这种几率可能会增大，又不能保证单个量子点和单个纳米颗粒的FRET，与实验无益。

置于queching和FRET的区别，楼主尽可以理解为供体的荧光被quenching，但是一般不这样说。quenching一般指单量子体系受到周围环境的影响或者人为的操控使得量子体系的发光产

率降低，引起淬灭的机制既有能量的转移，也有量子体系向周围环境的电荷转移（电子转移或者空穴注入）。FRET可以认为是将供体荧光淬灭的手段之一，具体的研究内容还是有区别的。供楼主参考。