单向可控硅结构工作原理

单向可控硅结构及工作原理

单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

一．单向可控硅结构

1、结构：

四层半导体

三个PN结

三个电极：阳极A：从P1引出

阴极K：从N2引出

控制极G：从P2引出

2、符号：

图形符号：

文字符号：SCR，CT，KG等

二、单向可控硅工作原理

1、演示实验：

单向可控硅实验电路图如下：

2、解释：可控硅为什么具有上述四个工作特点？这是由其内部结构决定的

3、单向可控硅工作原理

①可控硅导通的条件：

A、在阳极和阴极之间加正向电压

B、同时在控制极加正触发电压

以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

②使导通的可控硅关断的方法：

A、减小阳极电流至一定值（维持电流）

B、切断阳极电源

③可控硅具有控制强电的作用

三、单向可控硅的主要参数：