可控硅原理--检测--击穿分析
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法
单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。
可控硅的工作原理
可控硅的工作原理
可控硅（也叫做晶闸管）是一种用于控制电流流动的半导体器件。
它的工作原理基于PN结的特性和未加偏压时的绝缘行为。
可控硅的结构由三个不同区域形成：P型区、N型区和P型区。
根据不同的控制电压，可控硅可以处于三种不同的工作状态：封锁状态、导通状态和关断状态。
在封锁状态下，当两个P-N结之间未加控制电压时，可控硅
表现出绝缘行为，电流无法通过。
然而，一旦加上一个正向偏压，使得P结和N结之间的电势差大于某个阈值电压（称为
开启电压），可控硅进入导通状态。
在导通状态下，可控硅的P-N结产生了电子和空穴对，使得
电流可以通过器件。
而且，一旦可控硅进入导通状态，即使控制电压被移除，它仍将维持导通状态直到电流降至零或反向电压被施加。
为了将可控硅从导通状态切换到关断状态，需要施加一个反向电压或者减小电流至其维持电流以下。
这样，可控硅就会进入关断状态，电流无法通过。
总结来说，可控硅的工作原理是通过施加正向偏压使其进入导通状态，而施加反向电压或减小电流使其进入关断状态。
这使得可控硅成为一种非常有用的电力控制器件。
可控硅的原理
可控硅的原理
可控硅（SCR）是一种半导体器件，它具有双向导通特性，可以实现电流的控
制和整流，广泛应用于电力电子领域。
可控硅的原理是基于PN结的电压控制特性
和电流控制特性，下面我们就来详细了解一下可控硅的原理。
首先，可控硅是一种四层半导体器件，它由P型半导体、N型半导体和P型半
导体三个PN结组成。
当P1-N结极性为正向偏置，P2-N结极性为反向偏置时，可
控硅处于封锁状态，不导电。
当P1-N结极性为正向偏置，P2-N结极性也为正向偏
置时，可控硅处于导通状态，可以通过控制P1端的触发电压来控制其导通。
其次，可控硅的导通是通过触发电流来实现的。
当P1端施加一个触发电流时，可控硅将从封锁状态转变为导通状态，此时可控硅的电压降会迅速下降，从而形成一个低电压低阻态。
一旦可控硅导通，即使去掉触发电流，它也会一直保持导通状态，直到电流下降到零或者反向电压增大到封锁电压。
最后，可控硅的关键特性是具有双向导通性能。
在导通状态下，可控硅可以承
受正向电压和反向电压，同时可以导通正向电流和反向电流。
这使得可控硅在电力控制和电力调节方面有着广泛的应用，例如交流电压调节、交流电压控制和交流电压逆变等领域。
总结一下，可控硅的原理是基于PN结的电压控制特性和电流控制特性，通过
施加触发电流来实现从封锁状态到导通状态的转变，具有双向导通特性，广泛应用于电力电子领域。
希望通过本文的介绍，可以更加深入地了解可控硅的原理和特性，为相关领域的应用提供一定的参考和帮助。
可控硅资料及工作原理和测试方法
可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220ABBTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220ABBTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220ABBTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA 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双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switch）是一种常用的半导体器件，它具有双向导通的特性，可以在两个方向上控制电流的流动。
在电子电路中，双向可控硅常用于交流电的控制和开关电路中。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅由两个PN结组成，其中一个PN结正向偏置，另一个PN结反向偏置。
当双向可控硅的正向电压超过其额定触发电压时，正向PN结会发生击穿，形成一个电流通路，此时双向可控硅处于导通状态。
当正向电压降低到一定程度时，正向PN结会恢复正常，双向可控硅进入封锁状态，不导电。
双向可控硅的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 初始状态：双向可控硅处于封锁状态，两个PN结都没有击穿，不导电。
2. 正向触发：当正向电压超过双向可控硅的额定触发电压时，正向PN结会发生击穿，形成一个电流通路。
此时，双向可控硅进入导通状态，电流可以从正向PN结流向负向PN结。
3. 反向触发：当反向电压超过双向可控硅的额定触发电压时，反向PN结会发生击穿，形成一个电流通路。
此时，双向可控硅同样处于导通状态，电流可以从负向PN结流向正向PN结。
4. 关断状态：当正向电压降低到一定程度时，正向PN结恢复正常，双向可控硅进入封锁状态，不导电。
同样地，当反向电压降低到一定程度时，反向PN结恢复正常，双向可控硅同样进入封锁状态，不导电。
二、双向可控硅的原理图双向可控硅的原理图如下所示：```+---|>|---|<|---+| |+---|<|---|>|---+```在原理图中，上方的箭头表示正向电流的流动方向，下方的箭头表示反向电流的流动方向。
双向可控硅由两个PN结组成，其中一个PN结正向偏置，另一个PN 结反向偏置。
通过控制正向电压和反向电压的大小，可以实现对双向可控硅的导通和封锁状态的控制。
三、双向可控硅的应用双向可控硅在电子电路中有广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如调光灯、电动窗帘等。
可控硅资料及工作原理和测试方法
可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220ABBTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220ABBTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220ABBTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA 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4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134GI 4A 800V 5~10mA TO-251 HBT134HI 4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134NE 4A 600V 10~25mA SOT-82 HBT134I 4A 600V 10~25mA TO-251HBT134CNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134DNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134GNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT134HNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT136AE 4A 600V 10mA TO-220AB HBT204I 4A 600V 10mA TO-251HBT204E 4A 600V 15mA TO-220ABHBT136AE 4A 600V 10~25mA TO-220AB HBT136AHE 4A 600V 5~10mA TO-220AB HBT136BE 6A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137DE 8A 600V 25mA TO-220AB HBT138E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT152 20A 800V 32mA TO-220ABHBT169 0.8A 400V 200uA TO-92HBT169M 0.8A 400V 200uA SOT-8可控硅相当于可以控制的二极管，当控制极加一定的电压时，阴极和阳极就导通了。
可控硅原理
可控硅原理
可控硅是一种半导体元件，它的特点是具有调整电磁场的能力，
能够检测和控制电信号的中间过程。
它通常由一种含有少量硅的材料
构成，比如陶瓷，可以靠这种特殊材料来改变电子束或脉冲信号。
可
控硅的原理是将硅金属与一个电感器和一个电容器相结合，并将它们
连接到交流电源上。
当电源把电压供给给可控硅时，电感作用于电容器，而这会引起硅金属的电容性阻抗发生变化。
当电压变化时，硅的
电容性系数也会发生变化，可控硅的电容性系数能够改变电子束或脉
冲信号的大小。
可控硅的工作原理取决于硅金属的材料与制作方法。
硅金属通常
是由无机物质或元素构成的，比如陶瓷、碳或铝。
当奥氏体硅（奥氏
体是一种金属，硅是一种半导体）接触到调整电磁场的物质时，就会
发生电容性变化，而这正是可控硅的主要特点，也是它得名的由来。
可控硅的主要作用有两个：一是在计算机和电脑系统中提高性能，可以用它调节信号的幅度和持续时间；二是在电子铃声中用它可以调
节音调音量，使声音更加柔和清脆。
可控硅也可以应用到计算机图像，电视和视频等技术中，使图像显示更加饱满、流畅，令人眼前一亮。
总之，可控硅是一种新型的半导体元件，其工作原理是将硅金属
与电感器和电容器结合起来，通过改变电压和电流，来改变其内部结构，从而影响电子束或脉冲信号的大小，从而达到调整电磁场的效果。
它的应用范围很广，日益普及，有望极大提高计算机和电子设备不同
领域的性能。
可控硅的工作原理
可控硅的工作原理可控硅（SCR）是一种电子器件，也被称为双向可控硅。
它在控制电流或电压方面具有很强的能力，常用于电力电子应用中。
下面将详细介绍可控硅的工作原理，并分点列出关键信息。
1. 定义和简介- 实质：可控硅是一种PNP结构的双向控制电流固态开关，具有增益作用。
- 作用：可控硅能够在输入信号控制下，从高阻态转变为低阻态，并保持在这种状态，直到受到逆向电压或电流断开。
2. 结构和特点- PN结构：可控硅由两个P型半导体和一个N型半导体组成。
其中，N型半导体是主阻控极，两个P型半导体则分别为门极和阳极。
- 关键元件：触发极（门极）、阳极和阴极是可控硅的三个主要电极。
- 特点：具有极高的电流和电压承受能力，能够快速响应控制信号。
3. 工作原理- 开关特性：当可控硅的门极电压超过其阈值值时，可控硅开始导通，电流通过主电流路径。
- 关断特性：只有在电流经过可控硅的主电流路径，且电压持续且稳定的持续一段时间后，可控硅才能正常导通。
否则，一旦控制信号被取消，可控硅将立即关闭。
4. 可控硅的应用- 调光控制：可控硅可用于灯光调光，通过改变控制信号的宽度和周期，来控制光源的亮度。
- 电机驱动：可控硅通常用于控制交流电机的启动、停止和速度调节，提高电机的效率。
- 电力控制：可控硅能够控制电力输出，可以用于调整电力系统中的功率流动和电压波动。
- 温度控制：可控硅可以被用于温度控制系统，可通过响应温度变化来切换加热元件。
5. SCR的优点和缺点- 优点：可控硅具有较高的电流和电压承受能力，快速响应控制信号，且体积小巧，成本相对低廉。
- 缺点：可控硅无法自动恢复正常工作状态，一旦关闭，需要重新施加控制信号才能重新导通。
总结：可控硅是一种双向控制电流固态开关，由PNP结构和三个主要电极组成。
它的工作原理是通过控制信号的导通和关闭来实现电流的控制。
可控硅主要应用于调光控制、电机驱动、电力控制和温度控制等领域。
尽管可控硅具备许多优点，例如高电流电压承受能力和快速响应控制信号，但它也有一些缺点，例如无法自动恢复导通状态和需要重新施加控制信号才能重新导通。
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一、可控硅击穿原因：1、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。
2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。
3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因二、问题例子：最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。
电路图如下实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。
电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。
是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？关于电路图做一下补充：1.电阻R68实际用的是75欧姆2.电容C11用的是103 630V（0.01u）3.压敏电阻R75用的是471V的回答一：对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。
对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。
我认为该处应该用ＣＢＢ电容，其特性有利于浪涌的吸收。
如果受体积限制，类似的电路我也这样用。
ＣＢＢ电容回答二：照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！此电路我用了3年，现在还在用。
左边的电路为恒流，输入5-30V都不会烧坏光耦。
R3一定要用20-50欧以内的电阻，不可以用上百欧的否则可控硅无法完全导通，一直处于调压状态，很容易发热甚至损坏回答三：回答四：其实有一点大家可能都没有注意，就是可控硅的尾缀问题，TW的才是更适合电机类使用的器件！仔细查一下手册看看吧！三、可控硅检测：注：本文中所使用的万用表为指针式，若换为数字式，注意红黑表笔极性正好相反1、判断引脚极性方法一：由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极A1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。
先确定主电极A2：将万用表置在R×10档，用黑表笔接住任—电极，再用红表笔去接另外任一电极，如果头指示为几十欧姆电阻，就说的两表笔所接电极为控制极G和主电极A1，那么余下的电极便是主电极A2；如果指针不动，仍停在∞处，应及时调整表笔所接电极，直到测出电阻值为几十欧姆的两电极，从而确定主电极A2为止。
再区分控制极G和主电极A1：现假定两电极中任一为主电极A1，则另一个就为为控制极G，万用表置于R×10挡，用黑表笔接主电极A2（已确定），再用红表笔去接假定的主电极主“A1”，并用红表笔笔尖碰一下G后再离开，如果表针发生偏转，指示在几或几十欧姆上，就说明假定的主电极"T1”为真正的主电极T1，而另一电极也为真正的控制极G；如果表针没有偏转，说明假定是错的，应重新假定A1和G，即让黑表笔仍接A2，而将红表笔接新“A1”，如果判别结呆同上，即对区分出控制极G和主电极A1。
方法二：先确定主电极A2：将万用表置于R×1k档，现假定双向可控硅任意一个脚为主电极“A2”，并用黑表笔接“A2”，再用红表笔去分别触碰另外两个电极，如果指针没有偏转，指示在∞处，就说朋黑表笔所接为主电极A2，这是因为主电极A2与A1和G之间有多个正反相的PN结，它们之间的电阻是很大的；如果红完笔触碰其中的—个电极时指针不偏转，而触碰另一个电极时发生了偏转，说明原来的假定是错的，应重新假定A2，再按上述方法测试判断，直至找到真正的T2为止。
找到A2后，剩下的两个电极就是G和A1，由于设计上的需要以及内部结构特点决定，G和A1之间仍然存在正反向电阻特性，只是正反向电阻差别不是很大。
将万用表置于R×10档，两表笔与G、A1相接，测试正反向电阻，以阻值小的那次为准，黑表笔接的电极为主电极A1，而红表笔接的电极为控制极G。
测试时请注意，在测量大功率向可控硅时，应尽是量使用低阻档，如不行还可象测试单向可控硅—样，在万用表表笔上串上一节或多节1.5V干电池，使测试更为可靠。
2、判断好坏方法一：测量极间电阻法。
将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，1、若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。
不能使用；2、如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二：检查触发导通能力。
万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。
测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
图1 判断双向可控硅的触发导通能力方法三：检查触发导通能力。
如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。
测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。
图2 判断双向可控硅的触发导通能力应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。
由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。
实物图：四、双向可控硅概念联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。
其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
双向可控硅参数符号•IT(AV)--通态平均电流 Tc=75℃ 40AVRRM--反向反复峰值电压 800VIDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流 Tj=25℃ 100~150mAVGT--门极触发电压 Tj=25℃ 1.5VIH--维持电流 Tj=25℃ 100mAdv/dt--断态电压临界上升率 250V/uSdi/dt--通态电流临界上升率 10A/uSRthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态反复峰值电压 Tj=125℃ 800VIRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流双向可控硅的设计及应用分析引言1958年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。
可控硅分单向可控硅与双向可控硅。
单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护电路。
双向可控硅一般用于交流调节电路，如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制。
双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件，一直为家电行业中主要的功率控制器件。
近几年，随着半导体技术的发展，大功率双向可控硅不断涌现，并广泛应用在变流、变频领域，可控硅应用技术日益成熟。
本文主要探讨广泛应用于家电行业的双向可控硅的设计及应用。
双向可控硅特点双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。
图1为双向可控硅的基本结构及其等效电路，它有两个主电极T1和T2，一个门极G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。
双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。
图1 双向可控硅结构及等效电路双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。
耐压级别的选择：通常把VDRM（断态重复峰值电压）和VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该器件的额定电压。
选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍，作为允许的操作过电压裕量。
电流的确定：由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。
由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。
同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。
通态（峰值）电压VTM的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。
为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。
维持电流：IH是维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
电压上升率的抵制：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。
此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。
由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。
我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。
图2 双向可控硅等效示意图切换电压上升率dVCOM/dt。
驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。
当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。
这时双向可控硅须立即阻断该电压。
产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出，如图3所示。
图3 切换时的电流及电压变化高dVCOM/dt承受能力受二个条件影响：dICOM/dt—切换时负载电流下降率。