半导体封装和质量术语(DOC)
常用半导体功能术语
常用半导体功能术语半导体是一种具有特殊电导性能的材料，广泛应用于电子和光电技术领域。
以下是一些常用的半导体功能术语：1. 传导带（Conduction Band）：带电的价电子从价带跃迁到传导带上，形成了电子-空穴对。
2. 价带（Valence Band）：在半导体材料中，价电子占据的能级带。
3. 杂质（Impurity）：被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质，可以影响其电导性。
4. 被激激发（Excitation）：原子或分子吸收外部能量后，其电子从较低能态跃迁到较高激发能态。
5. 能隙（Band Gap）：价带和传导带之间的能量差，决定了半导体的电导性质。
能隙越小，半导体的导电性越好。
6. 上升沿和下降沿（Rising and Falling Edge）：指信号电压在从低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。
7. 倒障层（Barrier）：引入两种不同材料接触处的能级，阻碍电子或空穴跨越此界面。
8. PN结（PN Junction）：由N型半导体和P型半导体通过硅键连接形成的结构。
9. 正偏压（Forward Bias）：PN结中P区的端口连向正电压，N区的端口连向负电压，电子从N区向P区移动。
10. 反偏压（Reverse Bias）：PN结中P区的端口连向负电压，N区的端口连向正电压，电子从P区移动到N区。
11. 势垒（Barrier Potential）：PN结两侧的电场形成的势能差。
12. 整流（Rectification）：将交流信号转化为直流信号的过程。
13. 放大器（Amplifier）：接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。
14. 栅极（Gate）：场效应晶体管中控制电流的电极。
15. 集电极（Collector）：双极晶体管中接收和输出电流的电极。
16. 基极（Base）：双极晶体管中控制和调制电流的电极。
17. 激活（Activate）：将物质暴露在高温环境下，使其具有半导体特性。
半导体行业术语
半导体行业术语引言半导体行业是指研发、制造与销售半导体器件的产业链。
半导体器件是指基于半导体材料制造的电子器件，广泛应用于计算机、通信、消费电子、航空航天等领域。
半导体行业术语是半导体行业内专有的术语或名词，用于描述半导体器件的特性、制造工艺、测试方法等。
本文将对半导体行业术语进行全面、详细、完整和深入的讨论。
半导体行业术语的重要性半导体行业术语是行业内从业人员必备的专业知识，了解和掌握半导体行业术语对于工作和学习都具有重要意义。
掌握行业术语可以提高工作效率、准确理解文档和资料、更好地与同行交流和合作。
二级标题1: 半导体器件分类半导体器件根据其功能和构造特点可以分为多种类型，下面列举了几种常见的半导体器件类型：三级标题1: 硅材料器件•硅二极管•硅三极管•硅功率器件三级标题2: 锗材料器件•锗二极管•锗晶体管三级标题3: 砷化镓材料器件•砷化镓二极管•砷化镓场效应晶体管半导体器件的制造过程涉及多个工艺步骤，其中包括以下几个主要工艺：三级标题1: 晶圆制备1.前道工艺–材料准备–晶体生长–切割晶圆2.中道工艺–保护层形成–电洁净化三级标题2: 固化工艺1.沉积–化学气相沉积（CVD）–物理气相沉积（PVD）2.蚀刻–干法蚀刻–湿法蚀刻三级标题3: 形成工艺1.光刻–掩膜制备–显影–蚀刻2.掺杂–离子注入–扩散三级标题4: 电路制作1.金属薄膜沉积2.金属薄膜蚀刻3.金属薄膜除膜4.电极制作半导体器件在生产过程中需要进行严格的测试以保证其质量和性能，下面列举了几种常见的测试方法：三级标题1: 静态参数测试•电压测量•电流测量•电阻测量三级标题2: 动态参数测试•开关时间测量•放大性能测量三级标题3: 可靠性测试•温度循环测试•电热老化测试•引线拉力测试三级标题4: 封装测试•焊盘测试•引脚测试•外观检查结论本文对半导体行业术语进行了全面、详细、完整和深入的讨论。
通过了解和掌握半导体行业术语，从业人员可以提高工作效率、准确理解文档和资料、更好地与同行交流和合作。
半导体专业名词解释
Cd cadmium
AWS advanced wet station
Manufacturing and Science
Sb antimony
===B===
B billion; boron
Ba barium
BARC bottom antireflective coating
BASE Boston Area Semiconductor Education (Council)
ACF anisotropic conductive film
ACI after-clean inspection
ACP anisotropic conductive paste
ACT alternative control techniques; actual cycle time
Al aluminum
ALD atomic layer deposition
ALE atomic layer epitaxy; application logic element
ALS advanced light source; advanced low-power Schottky
===A===
A/D analog to digital
AA atomic absorption
AAS atomic absorption spectroscopy
ABC activity-based costing
ABM activity-based management
AC alternating current; activated carbon
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是专门用于描述和解释半导体技术和相关概念的专业词汇。
在描述半导体行业的相关术语时，需要确保清晰度和准确性。
以下是一些常见的半导体行业术语及其解释：1.半导体：半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。
半导体材料通常可以控制电流的流动，是构成电子器件和集成电路的基本元件。
2.集成电路（IC）：集成电路是一种由多个电子元件（如晶体管、电容、电阻等）以及连接器件（如导线、金属线等）组成的电路系统。
集成电路可用于执行各种计算、存储和处理任务。
3.晶体管：晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
晶体管由三层材料组成，其中包括一个控制区域、一个输入区域和一个输出区域。
晶体管被广泛用于电子设备和电路中。
4.功耗：功耗是指半导体器件在正常运行时消耗的电能。
功耗通常以瓦特（W）为单位进行衡量，是半导体行业中一个重要的考虑因素。
5.时钟频率：时钟频率是计量半导体器件工作速度的指标，通常以赫兹（Hz）为单位。
时钟频率越高，半导体器件的数据处理和运行速度越快。
6.互连：互连是指将不同的半导体器件或电子组件连接在一起的过程。
互连通常使用导线、金属线、连接器等来完成。
7.工艺技术：工艺技术是指用于制造半导体器件和集成电路的特定技术过程。
包括一系列的步骤，如沉积、蚀刻、掩膜制备等，用于制造和构建电子器件。
8.掩膜：掩膜是一种用于制造半导体器件的模板。
掩膜通常是由光刻工艺制备的，可以在半导体材料上形成特定的图案和结构，用于制造电子器件的特定组件。
9.封装：封装是将半导体芯片和连接线封装在外壳中的过程。
封装有助于保护芯片和电路，并提供适当的物理连接和支持。
10.微纳加工技术：微纳加工技术是一种用于制造微小尺度结构和器件的技术。
在半导体行业中，微纳加工技术被广泛应用于制造芯片和集成电路，以及其他微小尺度的器件。
以上是一些常见的半导体行业术语及其解释。
了解和熟悉这些术语对于了解半导体技术和行业发展趋势非常重要。
半导体专业术语.doc
1. acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子20. Asher ：去胶机2. Acid ：酸21. Aspect ration ：形貌比（ ETCH中的深度、宽度比）3. Active device ：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）22. Autodoping ：自搀杂（外延时 SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）4. Align mark(key) ：对位标记23. Back end ：后段（ CONTACT以后、 PCM测试前）5. Alloy ：合金24. Baseline ：标准流程6. Aluminum：铝25. Benchmark：基准7. Ammonia：氨水26. Bipolar ：双极8. Ammonium fluoride ： NH4F 27. Boat ：扩散用（石英）舟9. Ammonium hydroxide ： NH4OH 28. CD：（Critical Dimension ）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为10. Amorphous silicon ：α -Si ，非晶硅（不是多晶硅）多晶条宽。
11. Analog ：模拟的29. Character window ：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
12. Angstrom ：A（1E-10m）埃30. Chemical-mechanical polish （ CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
13. Anisotropic ：各向异性（如POLY ETCH）31. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工14. AQL(Acceptance Quality Level) ：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质艺。
半导体封装常用词汇表
半导体封装常用词汇表BQFP缓冲四方扁平封装有缓冲器的四方扁平封装CA V . BGA 腔体 球栅矩阵放置芯片的型腔 带焊球格栅矩阵CBGA 陶瓷球栅矩阵陶瓷带焊球格栅矩阵CDIP陶瓷双列直插封装陶瓷双列直插封装CERDIP陶瓷双列直插封装陶瓷双列直插封装. 是一种密封封装，由两片干压陶瓷包围带已加工倾角的引线框组成CERPAK陶瓷组件式封装结构与Cerdip 相似。
但引脚外形是未加工的扁平形。
引脚从两边或是四边引出。
Chip ScalePackaging芯片尺寸级封装是一种高密度封装，封装尺寸近似芯片尺寸，有更高的芯片/封装面积比率（大于50％）COB芯片板上贴装芯片直接贴装在电路板上CPGA 陶瓷针栅阵列陶瓷针栅阵列CQUADJ 形陶瓷四方封装J 形引脚陶瓷四方封装CQFP 陶瓷四方扁平封装陶瓷四方扁平封装DCA芯片直接贴装芯片直接贴装DIP Dia D/A双列封装 直径 芯片贴装腔体双列封装 直径 芯片贴装腔体Epoxy Seal E/O环氧树脂密封 只是末端一种非气密性的密封方法。
将周边用硫化环氧树脂与封装密封。
. 只是末端Flip Chip 倒装芯片 半导体芯片倒置（面朝下）封装连接到基板或是电路板。
通常在芯片外围（在键合盘上）带有焊球或是设计成矩阵形.FritSeal GR/GRDH/S L/F LD熔接密封接地端热沉引线架引线一种气密密封的方法，将陶瓷盖板用重熔的玻璃与陶瓷封装密封连接接地端热沉引线架引线LDCC有引线芯片载体有引线芯片载体LLCC无引线芯片载体无引线芯片载体MBGA金属球栅阵列封装金属球栅阵列封装mBGA微球形格栅阵列微球形格栅阵列MCM-PBGA多芯片模块－塑料球栅阵列多芯片模块－塑料球栅阵列MCP Mfg多芯片封装生产商多芯片封装生产商MQFP公制四方扁平封装公制四方扁平封装MQUAD NC NEO Ni金属四方扁平封装 无注释 仅靠末端 镍金属四方扁平封装 无注释 仅靠末端 镍lPBGA 塑料球栅阵列塑料球栅阵列PMCM 塑料多芯片模块塑料多芯片模块PQFP塑料四方扁平封装塑料四方扁平封装PDIP 塑料双列封装塑料双列封装PGA 针栅阵列针栅阵列PLCC Proj PPGA 塑料有引线芯片载体 凸缘 塑料针栅阵列塑料有引线芯片载体 焊接凸缘 塑料针栅阵列PWB 印刷电路板 印刷电路板QFP S/R四方扁平封装 密封环一种表面安装封装，四边均有引线，封装体可以是陶瓷，金属或是塑料。
半导体封装术语
半导体封装术语
1. “封装基板”，你知道手机、电脑这些电子设备里都有它的身影吗？就好比是房子的地基一样重要！
2. “引线键合”，这就像是给半导体元件搭起的特殊桥梁，让它们能更好地沟通协作呢！
3. “倒装芯片”，哎呀，这可真是个厉害的家伙，把芯片倒过来安装，效果却出奇地好，神奇吧！
4. “塑封料”，它就像是半导体的保护衣，把它们好好地包裹起来，给予贴心保护呀！
5. “芯片贴装”，这就像是给芯片找个安稳的家，让它能安心地工作哟！
6. “金线”，这细细的金线可不容小觑，它可是半导体里的重要连接线呢，就像我们的神经一样！
7. “封装工艺”，这可是个复杂又精细的过程，就如同雕琢一件艺术品一样呢！
8. “散热片”，它可是半导体的“清凉小助手”，帮助它们散去多余的热量呀！
9. “封装测试”，这就像是给半导体做一次全面的体检，确保它们健康着呢！
10. “管脚”，这些小小的管脚就像是半导体的触角，用来和外界交流沟通呀！
我的观点结论就是：半导体封装术语真的很神奇，每个术语都有着独特的作用和意义，它们共同推动着半导体行业的发展。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体封装和质量术语
质量管理体系文件封装和质量术语以下是 TI 常见封装组、系列和偏好代码的定义，此外还有在评估 TI 封装选项时可能十分有用的其他重要术语。
常见封装组定义BGA球栅阵列CFP同时包括定型和不定型 CFP = 陶瓷扁平封装LGA基板栅格阵列PFM塑料法兰安装封装QFP四方扁平封装SIP单列直插式封装OPTO*光传感器封装 = 光学RFID射频识别设备CGA柱栅阵列COF薄膜覆晶COG玻璃覆晶DIP双列直插式封装DSBGA芯片尺寸球栅阵列（WCSP = 晶圆级芯片封装）LCC引线式芯片载体NFMCA-LID带盖的基体金属腔PGA针栅阵列POS基板封装QFN四方扁平封装无引线SO小外形SON小外形无引线质量管理体系文件常见封装组定义TO晶体管外壳ZIP锯齿形直插式uCSP微型芯片级封装DLP数字光处理模块模块TAB载带自动键合封装封装系列定义CBGA陶瓷球栅阵列CDIP玻璃密封陶瓷双列直插式封装CDIP SB侧面钎焊陶瓷双列直插式封装CPGA陶瓷针栅阵列CZIP陶瓷锯齿形封装DFP双侧引脚扁平封装FC/CSP倒装芯片/芯片级封装HLQFP热增强型低厚度 QFPHQFP热增强型四方扁平封装HSOP热增强型小外形封装HTQFP热增强型薄型四方扁平封装HTSSOP热增强型薄型紧缩小外形封装HVQFP热增强型极薄四方扁平封装JLCC J 形引线式陶瓷或金属芯片载体LCCC无引线陶瓷芯片载体LQFP低厚度四方扁平封装PDIP塑料双列直插式封装SOJ J 形引线式小外形封装SOP小外形封装（日本）SSOP紧缩小外形封装TQFP薄型四方扁平封装TSSOP薄型紧缩小外形封装TVFLGA薄型极细基板栅格阵列TVSOP极薄小外形封装VQFP极薄四方扁平封装DIMM*双列直插式内存模块HSSOP*热增强型紧缩小外形封装LPCC*无引线塑料芯片载体MCM*多芯片模块MQFP*金属四方扁平封装PLCC*塑料引线式芯片载体PPGA*塑料针栅阵列SDIP*紧缩双列直插式封装SIMM*单列直插式内存模块SODIMM*小外形双列直插式内存模块TSOP*薄型小外形封装VSOP*极小外形封装XCEPT*例外 - 可能不是实际封装产品偏好代码定义P首选封装。
半导体 标准术语
半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。
以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。
2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。
3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。
4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。
5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。
6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。
7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。
8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。
9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。
这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。
半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。
半导体封装和质量术语
封装和质量术语以下是 TI 常见封装组、系列和偏好代码的定义，此外还有在评估 TI 封装选项时可能十分有用的其他重要术语。
常见封装组定义BGA球栅阵列CFP同时包括定型和不定型 CFP = 陶瓷扁平封装LGA基板栅格阵列PFM塑料法兰安装封装QFP四方扁平封装SIP单列直插式封装OPTO＊光传感器封装 = 光学RFID射频识别设备CGA柱栅阵列COF薄膜覆晶COG玻璃覆晶DIP双列直插式封装DSBGA芯片尺寸球栅阵列（WCSP = 晶圆级芯片封装)LCC引线式芯片载体NFMCA-LID带盖的基体金属腔PGA针栅阵列POS基板封装QFN四方扁平封装无引线SO小外形SON小外形无引线TO晶体管外壳ZIP锯齿形直插式uCSP微型芯片级封装DLP数字光处理模块模块TAB载带自动键合封装封装系列定义CBGA陶瓷球栅阵列CDIP玻璃密封陶瓷双列直插式封装CDIP SB侧面钎焊陶瓷双列直插式封装CPGA陶瓷针栅阵列CZIP陶瓷锯齿形封装DFP双侧引脚扁平封装FC/CSP倒装芯片/芯片级封装HLQFP热增强型低厚度 QFPHQFP热增强型四方扁平封装HSOP热增强型小外形封装HTQFP热增强型薄型四方扁平封装HTSSOP热增强型薄型紧缩小外形封装HVQFP热增强型极薄四方扁平封装JLCC J 形引线式陶瓷或金属芯片载体LCCC无引线陶瓷芯片载体LQFP低厚度四方扁平封装PDIP塑料双列直插式封装SOJ J 形引线式小外形封装SOP小外形封装（日本）SSOP紧缩小外形封装TQFP薄型四方扁平封装TSSOP薄型紧缩小外形封装TVFLGA薄型极细基板栅格阵列TVSOP极薄小外形封装VQFP极薄四方扁平封装DIMM＊双列直插式内存模块HSSOP＊热增强型紧缩小外形封装LPCC*无引线塑料芯片载体MCM＊多芯片模块MQFP＊金属四方扁平封装PLCC＊塑料引线式芯片载体PPGA＊塑料针栅阵列SDIP＊紧缩双列直插式封装SIMM*单列直插式内存模块SODIMM*小外形双列直插式内存模块TSOP*薄型小外形封装VSOP＊极小外形封装XCEPT＊例外—可能不是实际封装产品偏好代码定义P首选封装. 封装合格并可订购.OK如果首选封装不可用，则使用此项。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语半导体是一种材料，通常是硅，用于制造电子器件。
半导体行业是电子行业中最重要的部分之一，因为几乎所有的电子设备都需要使用半导体器件。
以下是半导体行业中最常见的一些术语。
1. 基板(Substrate)：半导体芯片的基本材料，通常是硅。
基板是生产芯片的第一步，它作为芯片的支撑并提供必要的物理支持和电气性质。
2. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)：一种基于MOS结构的场效应晶体管，具有高电压开关性能，被广泛应用于电源管理、放大器、驱动器和其他电路中。
3. CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)：一种半导体工艺，它是现代集成电路的主要制造工艺，通过使用p型和n型MOSFET来创建互补的电路，最终达到高带宽、低功耗和高整合度等特性。
4. IC(Integrated Circuit)：全称为集成电路，指将数百万个电子元件以微米尺度组成的半导体芯片上，从而实现了各种不同的功能。
这种集成将多个独立的电路集成到一个单一的芯片中，因此可以生产大容量、高速度和低功耗的芯片。
5. 大规模集成电路(Very Large Scale Integration)：简称VLSI，是一种集成电路的制造技术，可以将几百万到几十亿的电子元件集成到一个微处理器芯片上。
这种技术不仅将电路缩小到微小的尺寸，而且也提高了整体性能和耗能效率。
6. SoC(System-on-a-Chip)：是一种完全集成的芯片，包含数字、模拟和射频(流)功能，具有高度的可编程性。
SoC可以在移动设备、智能家居、互联汽车和其他应用中实现！7. FPGA(Field Programmable Gate Array)：可编程的逻辑芯片，可以快速重置、重新配置和重新设计电路，通过内置大量的数据存储器、处理能力和专用的高速通道，可实现快速数据处理。
半导体封装用语
半导体封装用语（QC为主）--1AHU Room: 공조실空调机房Al：Aluminum：알루미늄铝Approval：승인认可，认证APC: Atmospheric Plasma Cleaning대기압플라스마클리닝大气压电离清洗AQL(Acceptance Quality Level)：합격품질수준合格质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）Argon(Ar)：아르곤/알곤氩气Assembly:조립组装AU:Gold 금金Audit：감시,심사监视，审查Average：평균값平均值Back end：후공정后段(主要包括Argon plasmacleaning-Mold-Marking-PMC-Atmosrheric PlasmaCleaning-SBM-Singulation-EVI)Bake：굽다,베이크烘Bake oven: 베이크오븐烘箱Belt:벨트带子Capillary:Wire bonding공정에서금선을연결하는데사용하는도구(Ball모양을형성해주고, Wire를끊어주는데사용) 劈刀Capacitance：콘덴서电容CAR: Corrective action request 改善措施要求Carrier：케리어载体Cavity: 틀做Mold时承载基板的托Chip：칩芯片Chip out:칩깨지거나뜯어지는거芯片裂开或翘起Cleanroom：청정실/클린룸一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
Cp：process capability공정능력工艺能力，。
Cpk：process capability index공정능력지수工艺能力指数，Contamination:오염污染Crack：금이간다裂缝Cure:큐어/경화硬化Damage：손상损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
半导体用语
半导体用语
1、半导体用语
（一）硅片
1、硅片：半导体器件的基础，是由半导体绝缘体（如硅或硅基）制成的片状结构，平面可有一块。
2、基板：是硅片的基本结构，包括基板片、连接和双面封装用硅片，以及可能存在的外部电极等。
3、印制电路板（PCB）：用于连接硅片上的电路元件，分为直接印制电路板和印制电路板，可以增加元件的密度。
4、热熔带：用于接通硅片上的电路，由熔融状态的热熔料组成，是一种常用的安装电路的简单方法。
5、焊锡：用于将硅片上的元件与PCB相连，由高熔点锡料组成，可根据元件要求进行不同的焊接工艺。
（二）封装
1、封装：半导体器件完成后，需要经过封装工艺，将器件封装到管壳中，以保护其芯片。
2、套管：硅片采用双层结构封装，一层是外部的硅管壳，另一层是内部的硅封装，套管可能是聚氯乙烯、铝箔、陶瓷或塑料。
3、外壳：用于封装硅片，外壳种类多样，如塑料壳、铝合金壳等，可以阻止外部环境的污染，并对结构进行支撑。
4、表面安装封装（SMT）：将器件封装到PCB表面上，可以使器件的安装密度更大。
5、浸渍封装（DIP）：将器件放入陶瓷中，再通过高温和高压，使器件固定在陶瓷中，可以提高封装的可靠性。
半导体封装的常用术语
半导体封装的常用术语1.引言1.1 概述概述部分的内容可以从以下几个方面进行描述：半导体封装是电子器件中至关重要的一个环节，它是将芯片封装到外部环境中，以保护芯片免受机械和环境的损害，并提供与外部系统的连接。
封装是实现芯片与外界互联的关键技术，它起着桥梁的作用，将微小而脆弱的芯片封装成成品，使之能够安全可靠地运行。
半导体封装领域的发展已经取得了令人瞩目的成就。
随着半导体技术的不断进步和市场需求的不断扩大，不同类型的封装技术应运而生。
目前，常见的半导体封装技术包括裸片封装、芯片级封装、模块级封装等。
每种封装技术都有其特点和适应的应用领域。
本文将重点介绍半导体封装中常用的术语。
这些术语涉及到封装材料、封装结构、封装工艺等方面，对于理解和应用半导体封装技术具有重要意义。
通过对这些术语的详细解释和分析，读者能够更好地了解半导体封装的基本原理和技术要点。
在接下来的章节中，我们将逐一介绍这些常用的术语，并对其背后的原理和应用进行深入探讨。
通过阅读本文，读者将能够系统地理解和掌握半导体封装领域的基本概念和技术，为今后的研究和应用提供有力支持。
半导体封装是半导体技术发展的重要环节，对于提高芯片的可靠性、降低成本、提高性能具有重要作用。
因此，深入了解和掌握半导体封装的常用术语是十分必要的。
本文将为读者提供一个系统、全面的半导体封装术语参考，帮助读者更好地理解和应用半导体封装技术，推动半导体封装领域的发展。
接下来的章节将详细介绍各个术语的含义和应用，希望能够对读者有所帮助。
1.2 文章结构文章结构部分应包括以下内容：文章结构部分主要介绍了整篇文章的构成和布局，为读者提供了整体的把握和导航。
在本文中，文章结构分为三个主要部分：引言、正文和结论。
引言部分首先会概述本文的主要内容和研究对象，介绍半导体封装的意义和重要性，引发读者的兴趣。
接下来，文章结构部分会具体介绍三个小节：概述、文章结构和目的。
概述部分会进一步阐述本文对半导体封装的定义和范围，以及封装技术的重要性。
半导体集成电路封装术语-最新国标
半导体集成电路封装术语1 范围本文件规定了半导体集成电路封装在生产制造、工程应用和产品交验等方面使用的基本术语。
本文件适用于与半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。
2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 7092 半导体集成电路外形尺寸GB/T 9178 集成电路术语3 通用术语GB/T 9178界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1封装 package半导体集成电路的全包封或部分包封体，它提供：——机械保护；——环境保护；——外形尺寸。
封装可以包含或提供引出端，它对集成电路的热性能产生影响。
3.2底座 header封装体中用来安装半导体芯片并已具备了芯片焊接（粘接）、引线键合和引出端等功能的部分，它是封装结构的基体。
3.3底板 base在陶瓷或金属封装中，构成底座的一种片状陶瓷或金属零件。
3.4盖板（管帽） cap在陶瓷封装或金属底座上，采用金属或陶瓷制成片状或帽状结构，封接后对整个封装形成密封的一个零件。
3.5密封环 seal ring装在陶瓷封装表面上的一个金属或陶瓷件，在其上可焊接一个用于密封的盖板。
3.6引线框架 leadframes采用冲制或刻蚀工艺制造，使具有一定几何图形和规定外形尺寸，提供陶瓷封装、塑料封装或陶瓷熔封引出线的一个或一组金属零件。
引线框架各部位名称见图1a）、图1b）和图1c）。
a）陶瓷封装引线框架b）塑料封装引线框架（成型后）c ） 陶瓷熔封封装引线框架图1 引线框架3.7引线 lead安装在封装底板上用于电接触的金属线。
3.8引岀端 terminal封装上电接触的外接点，通常指引出线或端子。
3.9引岀端识别标志 terminal visual index鉴别第一引出端位置的参考特征（例如标记、凹槽、缺口、切角、凹陷或键等）。
半导体封装不良术语
半导体封装不良术语半导体封装是指将硅片上的芯片封装在包裹材料中，以保护芯片并提供连接电路的技术。
在半导体封装过程中，可能会出现一些不良现象和术语。
下面是一些常见的半导体封装不良术语：1.基材开裂：在封装过程中，基材（如硅片或基板）会发生开裂现象。
这可能是由于温度变化、机械应力或材料瑕疵等原因引起的。
基材开裂会导致封装失效和电性能下降。
2.焊点开裂：焊点是连接芯片和封装材料的重要部分。
如果焊点出现开裂现象，则会导致芯片与封装材料之间的连接不良，从而影响电性能和可靠性。
3.内应力：封装材料在固化过程中会产生一定的内应力。
如果内应力过大，则可能导致封装材料的开裂、位移或变形，从而影响封装质量和芯片性能。
4.气泡：在封装材料中产生的气泡可能会导致封装结构不密封。
气泡通常由残留的挥发性物质或有机杂质引起，会使封装材料的绝缘性能下降，从而对芯片的电性能和可靠性产生负面影响。
5.异物：在封装过程中，可能会有杂质或异物进入封装材料中。
这些异物可能来自环境、生产设备或操作人员，如灰尘、化学物质残留或金属碎屑等。
异物会导致封装材料的绝缘性能下降，同时还可能引起短路、失效和降低芯片可靠性。
6.未覆盖敏感区域：在封装过程中，有些芯片可能具有敏感区域，需要特殊处理，如保护盖或金属屏蔽层。
如果这些敏感区域未得到适当的保护或覆盖，可能会引起电磁干扰、电气失效或硬件故障。
7.漏胶：封装材料在封装过程中可能会发生漏胶现象，即封装材料未充分填充到封装结构内部，导致封装不完整或存在孔隙。
漏胶会导致封装结构不牢固，可能引起失效、短路或电性能下降。
8.异常电气性能：封装过程中可能会出现异常的电气性能，如电阻值过大、电容值不稳定或电感值异常等。
这些异常可能是由封装材料的质量问题、设备故障或操作错误等原因引起的。
9.封装不良率：封装不良率是指封装过程中出现的不良产品数量与总产量之比。
封装不良率高可能是由于生产设备的问题、操作人员的技术水平不高或材料质量的问题等引起的。
半导体用语
半导体用语Siliconingot 硅锭Wafer晶片Mirror wafer 镜面晶圆Patter 晶圆片FAB： fabrication 制造Fabrication Facility 制造wafer生产工厂Probe test 探针测试Probe card 探针板Contact 连接Probe Tip 探头端部ChipFunction 功能EPM： Electrical Parameter MonitoringSummary 总结R&D：Research and Development 研究和开发MCP：Multi Chip Package 多芯片封装POP：Package on Packagee-MMC：embedded Multi Media card 嵌入式多媒体卡WLP：Wafer Level Package 晶圆级封装SDP 一层DDP 两层QDP 四层ODP 八层Pad outBack Grind 背研磨Wafer Grind Back Grind 磨片Overview 概述TPM：T otal Profit Management SKTPM Operation 操作Erase 消除Key Para. ：Key parameter 关键参数Cycling 写入次数、循环次数Retention 保留时间Non-Volatile memoryVolatile memoryRead 读Write 写Refresh 更新Speed 速度、速率、转速Restore 修复、恢复Electrical Signal 电信号WFBI：Wafer Burn-InPT1H：Probe Test 1 Hot TestPT1C：Probe Test 1 Cold TestL/Rep：Laser RepairPurpose 目的Substrate 基片Trend 趋势Small Size 小体积High Density 高集成High Speed 高速度Roadmap 路标TSOP：Thin small outline package 薄型小尺寸封装FBGA：（Fine Ball Grid Array）package 细间距球栅阵列（一种封装模式）Flip Chip Package：在wafer的chip上形成bump直接在substrate 或PCB基板上填充形态，使I/O最高密度化的填充方式。
半导体术语
半导体生产常用术语Action Taken……………………………………………………………………采行措施降低不良的发生度﹑影响度或提高不良的检出度所采取的行动AEC(Automotive Customer)……………………………………………汽车电子客户ALARM (Alarm)……………………………………………………………………告警Aluminum Bag ………………………………………………………………………铝袋Aluminum Board……………………………………………………………………铝板AM (Autonomous Maintenance)………………………………………………自主维护ANOVA （Analysis Of Variance）…………………………………………方差分析ANY WAY (Any Way)……………………………………………………如何，总之A.O (Assembly Order)……………………………………………………………装配单A Manufacturing order to an assembly department authorizing it to put components together into an assembly. (给装配部门的生产命令，授权其把原材料组装在一起) ASI (Annual Salary Increase)…………………………………………………年度加薪ASIC(Application Specific Integrated Circuits)………………………应用特种集成电路ASS’ Y (Assembly)…………………………………………………………………装配A group of subassemblies and/or parts that are put together and that constitute a major subdivision for the final product. An assembly may be an end item or a component of a higher level assembly. （把一些部件和/或组件组装在一起形成最终产品的主要组成部分的过程。
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封装和质量术语以下是 TI 常见封装组、系列和偏好代码的定义，此外还有在评估 TI 封装选项时可能十分有用的其他重要术语。
常见封装组定义BGA球栅阵列CFP同时包括定型和不定型 CFP = 陶瓷扁平封装LGA基板栅格阵列PFM塑料法兰安装封装QFP四方扁平封装SIP单列直插式封装OPTO*光传感器封装 = 光学RFID射频识别设备CGA柱栅阵列COF薄膜覆晶COG玻璃覆晶DIP双列直插式封装DSBGA芯片尺寸球栅阵列（WCSP = 晶圆级芯片封装）LCC引线式芯片载体NFMCA-LID带盖的基体金属腔PGA针栅阵列POS基板封装QFN四方扁平封装无引线SO小外形SON小外形无引线TO晶体管外壳ZIP锯齿形直插式uCSP微型芯片级封装DLP数字光处理模块模块TAB载带自动键合封装封装系列定义CBGA陶瓷球栅阵列CDIP玻璃密封陶瓷双列直插式封装CDIP SB侧面钎焊陶瓷双列直插式封装CPGA陶瓷针栅阵列CZIP陶瓷锯齿形封装DFP双侧引脚扁平封装FC/CSP倒装芯片/芯片级封装HLQFP热增强型低厚度 QFPHQFP热增强型四方扁平封装HSOP热增强型小外形封装HTQFP热增强型薄型四方扁平封装HTSSOP热增强型薄型紧缩小外形封装HVQFP热增强型极薄四方扁平封装JLCC J 形引线式陶瓷或金属芯片载体LCCC无引线陶瓷芯片载体LQFP低厚度四方扁平封装PDIP塑料双列直插式封装SOJ J 形引线式小外形封装SOP小外形封装（日本）SSOP紧缩小外形封装TQFP薄型四方扁平封装TSSOP薄型紧缩小外形封装TVFLGA薄型极细基板栅格阵列TVSOP极薄小外形封装VQFP极薄四方扁平封装DIMM*双列直插式内存模块HSSOP*热增强型紧缩小外形封装LPCC*无引线塑料芯片载体MCM*多芯片模块MQFP*金属四方扁平封装PLCC*塑料引线式芯片载体PPGA*塑料针栅阵列SDIP*紧缩双列直插式封装SIMM*单列直插式内存模块SODIMM*小外形双列直插式内存模块TSOP*薄型小外形封装VSOP*极小外形封装XCEPT*例外 - 可能不是实际封装产品偏好代码定义P首选封装。
封装合格并可订购。
OK如果首选封装不可用，则使用此项。
A需要部门/业务单位批准。
N不推荐在新型设计中采用。
X请勿使用。
不再支持。
未通过认证。
不再装备。
质量术语定义JEDEC适用于此封装类型的 JEDEC 标准。
长度器件长度（以毫米为单位）。
最大高度板表面形状的最大高度（以毫米为单位）。
封装TI 器件型号中使用的封装符号代码。
引脚数封装上的引脚或端子数。
封装类型 | 引脚数TI 的器件封装符号/器件引脚数。
间距相邻引脚的中心之间的间距（以毫米为单位）。
厚度封装主体的最大厚度（以毫米为单位）。
类型此封装类型的首字母缩写。
宽度器件宽度（以毫米为单位）。
ePOD 在线的增强型封装（通常包括封装外形、焊盘图案和丝印板设计）。
焊盘图案PCB 上的焊区图案，其中可能存在“无引线”封装。
覆盖面积“无引线”封装的外围引线和散热垫。
共面封装的底表面平行于 PCB 的焊盘表面。
隔热焊盘 = 裸露焊盘 = Powerpad 封装的焊盘表面上的中央垫，以电气和机械连接到电路板，从而实现 BLR 和热性能提升搜索器件型号在初始搜索页面上输入的 TI 或客户器件型号。
TI 器件型号下订单时使用的器件型号。
PN 类型指示该器件型号为无铅类型还是标准类型。
符合资格该器件可立即添加到 ESL 列表中。
供货该器件是延长保质期的器件。
组装地点组装 TI 器件的工厂位置。
符合 RoHS 与高温要求（是/指示器件是否符合 TI 的“无铅”定义。
否）无铅TI 定义的“无铅”或“Pb-free”是指半导体产品符合针对所有 6 种物质的现行 RoHS 要求，包括要求铅的重量不超过均质材料总重量的 0.1%。
因在设计时就考虑到了高温焊接要求，因此 TI 的无铅产品适用于指定的无铅作业。
RoHS 2003 年 1 月 27 日，欧盟通过了“电气与电子设备中限制使用有害物质”法规，简称为“RoHS”法规 2002/95/EC，该法规于2006 年 7 月 1 日生效。
无铅 (RoHS) 转换日期特定器件封装、引脚数和组装地点的预计或实际转换日期。
如果显示了实际转换日期，则转换日期代码 (DC yyww) 也将显示，从而帮助客户识别无铅（符合 RoHS 标准）器件。
为确定已经发货的器件是否为无铅（符合 RoHS 标准），请对比封装盒标签上的日期和组装地点与转换日期代码和相应的组装地点位置。
如果组装地点相符，则日期晚于转换日期代码的封装盒包含无铅器件。
客户也可在封装盒标签上查找由 2 个字符组成的环境类别(E-Cat) 代码。
如果该代码的开头为“e”或“G”（e3、e4、G3、G4 等），则该封装盒包含无铅（符合 RoHS 标准）器件（从2004 年 6 月 1 日开始在封装盒上添加 E-Cat 代码）。
最后，如果封装盒标签具有 JEDEC 无铅徽标以及 250-260'C 的回流焊峰等级，则表示器件为无铅（符合 RoHS 标准）。
JEDEC 无铅徽标无铅 (RoHS)可供应日期可采购器件的预计日期或实际日期。
当前铅/焊球涂层器件中铅或焊球的当前金属涂层。
预定铅/焊球涂层无铅器件中铅或焊球的预定金属涂层。
当前 MSL/回流焊等级湿度敏感级别等级和峰值焊接（回流焊）温度。
如果显示了 2 组MSL/回流焊等级，请使用与实际回流焊温度（该温度用于将器件贴装至印刷电路板）相关的 MSL 等级。
符合绿色环保（是/否）指示器件是否符合 TI 的“绿色环保”定义。
绿色环保TI 定义的“绿色环保”表示无铅（符合 RoHS 标准）、无溴 (Br) 和锑 (Sb) 系阻燃剂（均质材料中溴或锑的质量不超过总质量的0.1%）。
绿色环保转换日期特定器件封装、引脚数和组装地点的预计或实际转换日期。
如果显示了实际转换日期，则转换日期代码 (DC yyww) 也将显示，从而帮助客户识别可进行绿色环保转换的器件。
为确定已经发货的器件是否为绿色环保，请对比封装盒标签上的日期和组装地点与绿色环保转换日期代码和相应的组装地点位置。
如果组装地点相符，则日期晚于绿色环保转换日期代码的封装盒包含绿色环保器件。
客户也可在封装盒标签上查找由 2 个字符组成的环境类别(E-Cat) 代码。
如果该代码的开头为“G”（G3、G4 等），则该封装盒包含可进行绿色环保转换的器件（从 2004 年 6 月 1 日开始在封装盒上添加 E-Cat 代码）。
绿色环保可供应日期可采购器件的预计日期或实际日期。
RoHS 限用物质 - ppm 按均质材料级别进行 ppm 计算，所得结果为每种 RoHS 物质在最差情况下的 ppm。
示例：ppm= 1000000 X 组件中铅的总质量 (mg)引线框架电镀总质量 (mg)RoHS 限用物质 - 合计质量(mg)组件中每种 RoHS 物质的合计总质量绿色环保公布物质 - ppm 按均质材料级别进行 ppm 计算，所得结果为每种绿色环保物质在最差情况下的 ppm。
示例：ppm= 1000000 X 组件中锑的总质量 (mg)成型材料总质量 (mg)绿色环保公布物质 - 合计质量 (mg)组件中每种绿色环保物质的合计总质量。
可回收金属 - ppm WEEE 指令（报废电子电气设备）带来了可回收金属利益。
在组件级进行 ppm 计算。
示例：ppm= 1000000 X 组件中金的总质量 (mg)组件总质量 (mg)可回收金属 -合计质量(mg)组件中每种可回收金属的合计总质量。
器件总重(mg)组件质量（毫克）。
JIG 等级如果器件的材料成分低于联合产业指南 (JIG) A 级和 B 级物质表中的阈值，则显示“A 级和 B 级”。
其他选项为“仅限于 A 级”或“无”。
JIG A 级联合产业指南 (JIG) A 级物质为：石棉、偶氮颜料、镉/镉化合物、六价铬/六价铬化合物、铅/铅化合物、汞/汞化合物、臭氧消耗物质、聚溴联苯 (PBB)、聚溴二苯醚 (PBDE)、聚氯联苯(PCB)、聚氯化萘（CL 原子数 3 个以上）、放射性物质、短链氯化石蜡、三丁基锡 (TBT) 和三苯基锡 (TPT) 以及三丁基锡氧化物 (TBTO)。
JIG B 级联合产业指南 (JIG) B 级物质为：锑/锑化合物、砷/砷化合物、铍/铍化合物、铋/铋化合物、溴化阻燃剂（不包括 PBB 或 PBDE）、镍（仅限外部应用）、某些磷苯二甲酸盐（117-81-7、84-74-2 和117-82-8）、硒/硒化合物以及聚氯乙烯 (PVC)。
延长保质期TI提供延长保质期的某些产品，使长达五年的总保质期的时间将产品制造它由TI或TI交付时间授权经销商。
JIG B 级联合产业指南 (JIG) B 级物质为：锑/锑化合物、砷/砷化合物、铍/铍化合物、铋/铋化合物、溴化阻燃剂（不包括 PBB 或 PBDE）、镍（仅限外部应用）、某些磷苯二甲酸盐（117-81-7、84-74-2 和117-82-8）、硒/硒化合物以及聚氯乙烯 (PVC)。
延长保质期TI提供延长保质期的某些产品，使长达五年的总保质期的时间将产品制造它由TI或TI交付时间授权经销商。
质量（mg ）在毫克代表装置的重量（每件）。