LED制程介绍
LED制程介绍
理想白光：0.33，0.33介于目前的技术还达不到，只能接近
LED优点︰
●壽命長,一般大於10萬小時。 ●功耗小,亮度高,可與積體電路匹配。 ●體積小,重量輕,可封裝成各種類型的顯示器。 ●堅固耐用,不怕震動。 ●多色顯示,可實現彩色顯示。 ●工作溫度穩定性好。 ●響應時間快,一般為毫微秒(ns)級。 ●冷光，不是熱光源。 ●當與光電晶體結合時可以作為低噪音光開關。 ●電壓低,可以用太陽能電池作電源,並易與積體電路相匹配。
Peak Wavelength λp:610nm(峰值波長)
1.0
Dominant Wavelength λd:624nm(主波長) 0.8
△ λ:22nm(半波寬)
0.6
0.4
△λ
Normalized Response
0.2
0.0
520 540 560 580 600 620 640 660 680 700 Wave Length(nm)
接近
熱線
紅
長
光性質 (熱能
外
波
也稱為
線
長
熱波)
區
有大熱能
1mm
極超短波
電波
紅橙黃綠藍靛紫，為人眼可見之光，是人類所能察覺光的波長，介於380～780nm之間。 紫色光波以下的波長稱為紫外線，大約介於100nm~380nm。 紅色光波以上的波長稱為紅外線，大約介於780nm~1mm。
可见光区分
380nm 430nm 490nm 505nm 515nm 535nm 585nm 600nm
進料檢驗
固晶
烘烤
光電特性測試
切腳
烘烤
捲帶
包裝出貨
打線 封膠
➢ LED的五大物料與五大製程
LED制程初步介绍及基本流程
LED製程初步介绍在LED工厂生產中主要步骤是：清洗－装架－压焊－封装－焊接－切膜－装配－测试－包装。
其中封装工艺尤为重要，下面的过程提供给各位网友简单瞭解一下目前LED的製程情形。
一、晶片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及细微的坑洞。
二、扩片由於LED晶片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利於后工序的操作。
我们採用扩片机对黏结晶片的膜进行扩张，是LED晶片的间距拉伸到约0.6mm。
也可以採用手工扩张，但很容易造成晶片掉落浪费等不良问题。
三、点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。
（对於GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿晶片，採用银胶。
对於蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED晶片，採用绝缘胶来固定晶片。
）製程难点在於点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的製程要求。
四、备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。
备胶的效率远高於点胶，但不是所有產品均适用备胶製程。
、手工刺片将扩张后LED晶片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED晶片一个一个刺到相应的位置上。
手工刺片和自动装架相比有一个好处，便於随时更换不同的晶片，适用於需要安装多种晶片的產品。
、自动装架自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装晶片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED晶片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。
自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。
在吸嘴的选用上儘量选用胶木吸嘴，因为钢嘴会划伤晶片表面的电流扩散层。
、烧结烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。
银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。
根据实际情况可以调整到170℃，1小时。
绝缘胶一般150℃，1小时。
银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的產品，中间不得随意打开。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（发光二极管）是一种半导体光源，具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，因而在照明、显示和通信等领域得到广泛应用。
下面将介绍LED的制造工艺流程。
第一步：晶片生长晶片生长是LED制造的第一步，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等技术，在蓝宝石衬底上生长GaN等半导体材料，形成LED的发光层。
第二步：晶片分割晶片分割是将生长好的LED晶片切割成小尺寸的方形或圆形芯片，以便后续工艺处理。
第三步：晶渣去除晶渣是晶片分割后产生的残留物，需要通过化学腐蚀或机械研磨等方法去除，以保证晶片表面的平整和光洁。
第四步：金属化通过蒸镀、溅射或印刷等工艺，在LED晶片的表面覆盖金属电极，以便连接外部电路。
第五步：芯片封装LED芯片通过封装工艺，将其封装在透光的塑料封装体内，同时加入辅助材料如荧光粉等，以改变发光颜色。
第六步：测试对封装好的LED芯片进行光电参数测试，包括亮度、颜色、波长等，以保证其品质。
第七步：分选分级根据测试结果对LED芯片进行分类，分为不同等级，以满足不同应用需求。
通过以上工艺流程，LED芯片的制造过程完成，最终可用于LED照明、显示屏和其他应用中，为人们的生活和工作提供更加高效、节能和环保的光源。
LED（发光二极管）制造工艺是一个高度技术化的过程，需要精密的设备和复杂的工艺流程。
通过不断的研究和创新，LED技术在不断进步，成为照明、显示和通信等领域的主流光源之一。
下面将继续介绍LED制造的相关内容。
第八步：组装组装是LED制造的关键环节之一。
在组装过程中，LED芯片通常会与散热器、电路板和透光的封装体结合，组装成LED灯具或LED显示屏等成品。
第九步：包装LED成品需要通过包装，以保护其不受外部环境的影响，同时便于运输和存储。
常见的LED灯具包装材料包括泡沫塑料、纸盒和塑料膜等。
第十步：品质控制LED制造过程中需要严格的品质控制，对原材料、工艺和成品进行全面的检测和监控，确保LED产品符合规定的质量标准。
led生产流程
LED生产流程引言LED（Light-Emitting Diode）是一种半导体发光器件，具有高效能、低功耗和长寿命等优点，广泛应用于照明、显示和信号等领域。
本文将介绍LED的生产流程，包括芯片制作、封装和测试等环节。
芯片制作1. 材料准备LED芯片制作的第一步是准备材料。
主要材料包括半导体材料（如GaN、GaAs等）、衬底材料（如蓝宝石、硅等）以及金属材料（如金、银等）。
2. 外延生长外延生长是将半导体材料在衬底上沉积并生长出一层外延层的过程。
这一步骤可以使用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法进行。
3. 掩膜制作掩膜制作是为了选择性地将外延层进行刻蚀，形成所需的器件结构。
常用的方法是光刻技术，通过将光敏胶涂覆在外延层上，然后通过照射、显影等步骤形成想要的图案。
4. 蚀刻和离子注入蚀刻是将外延层不需要的部分去除的过程，常用的方法是湿法或干法蚀刻。
离子注入是为了调控外延层的离子浓度，常用的方法是离子注入设备。
5. 金属化金属化是为了形成电极，用于连接外延层和其他元器件。
常用的金属化方法包括真空蒸镀、电镀和化学气相沉积。
6. 检测和分选最后一步是检测和分选。
通过电学测试和光学测试，对芯片进行质量筛选和分类，以确保成品的质量和性能。
封装1. 晶粒分选在封装之前，需要对芯片进行晶粒分选。
晶粒分选是根据芯片的亮度和电性能进行分类，以提高产品的一致性。
常用的晶粒分选设备包括测试仪和自动分选机。
2. 接合接合是将LED芯片连接到支架或底座上的过程。
常用的接合方法包括焊接、黏合和电镀。
3. 封装材料封装材料是用于保护LED芯片并提供光学效果的材料。
常用的封装材料包括封装胶、透明树脂和玻璃等。
4. 焊接和线焊焊接是将LED芯片与电路板上的引线进行连接的过程。
线焊则是将LED芯片的引线焊接到电路板上的过程。
常用的焊接方法包括手工焊接和自动焊接。
5. 封装测试封装测试是对封装后的LED产品进行质量检测和性能测试的过程。
led生产工序
LED生产工序如下：
1. 清洗：采用超声波清洗PCB或LED支架，并烘干。
2. 装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。
3. 压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。
LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。
（制作白光TOP-LED需要金线焊机）
4. 封装：通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来。
在PCB板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。
这道工序还将承担点荧光粉（白光LED）的任务。
5. 焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED，则在装配工艺之前，需要将LED焊接到PCB板上。
6. 切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。
7. 装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。
8. 测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。
9. 包装：将成品按要求包装、入库。
这些步骤只是基础流程，实际操作中可能还会涉及到更多复杂的环节，需要专业的技术和设备支持。
led生产工艺流程
led生产工艺流程LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种电子发光器件，其工作原理是通过电流通过半导体材料结构时，电子与空穴重新结合产生光。
LED的生产过程可以分为单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
首先，单晶片制造是整个LED生产工艺的第一步。
它包括以下几个关键步骤：1. 材料准备：首先需要准备各种原材料，包括LED芯片所需的半导体材料，如砷化镓（GaAs）、砷化镓铝（AlGaAs）等，还需要金属材料和氮化镓基板等。
2. 晶体生长：将准备好的材料通过熔化、再结晶等过程，在特定温度和压力条件下进行晶体生长。
通常采用的方法有分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。
3. 衬底制备：晶体生长完成后，需要将其粘贴在薄而平整的衬底上，以便后续工艺步骤的进行。
4. 切割和抛光：将已经粘贴在衬底上的晶体进行切割和抛光，制成具有一定尺寸和形状的单晶片。
接下来是LED的包装过程，即将制造好的单晶片进行封装，以便与电路板连接使用。
主要步骤如下：1. 基座制备：首先，需要准备一个金属或塑料的基座，用来固定LED芯片和引出电路。
2. 焊接：将单晶片与基座通过焊接的方式固定在一起，使其能够相互连接。
3. 注射封装：使用注射成型机将造好的LED芯片和引线封装到透明的塑料壳体内，并固化成型。
最后是测试阶段，通过对已封装好的LED进行质量检测和性能测试，以确保其达到设计要求，主要包括以下几个步骤：1. 电性能测试：对封装好的LED进行电流和电压等电性能参数的测试，以确保其正常工作。
2. 光输出测试：通过特定设备测量LED的光输出强度、光谱特性和色温等关键光学参数。
3. 温度测试：将LED芯片加热至一定温度，测试其在高温环境下的工作性能和稳定性。
4. 寿命测试：通过长时间运行和老化试验，测试LED在不同条件下的使用寿命和稳定性。
总的来说，LED的生产工艺流程包括单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
led生产流程
led生产流程LED生产流程是将所需的材料按照一定的规律进行加工、组装而成的过程。
下面是一个LED生产流程的简要介绍：1. 材料准备：首先需要准备LED所需的原材料，包括半导体晶片、封装材料、支架、导线等。
这些材料通常需要经过精确的筛选和检验，保证其质量和可靠性。
2. 晶片制备：制作半导体晶片是LED生产的关键步骤之一。
晶片制备通常采用外延生长技术，将不同材料的层状结构沉积在晶片基座上，形成具有特定电学和光学特性的半导体材料。
3. 制作芯片：在晶片上进行光刻、蚀刻、氧化、沉积等一系列工艺步骤，将晶片分割成小的独立芯片。
这些芯片通常具有不同的电气参数和发光特性，以满足不同应用的需求。
4. 封装：将芯片放置在封装材料中，并进行焊接和固定。
封装材料通常采用有机树脂或玻璃等材料，以保护芯片免受外界环境的影响，并提供良好的散热效果。
5. 导线连接：将芯片的引线与导线连接起来，形成电气连接。
这通常需要精密的焊接技术和精密的仪器设备来保证连接的可靠性和稳定性。
6. 整合测试：对已封装和连接的LED进行整合测试。
这包括测试芯片的电学和光学性能、温度特性、光谱特性等。
通过测试，可以筛选出合格产品，保证产品的质量和性能。
7. 包装和贴标签：对通过测试的LED进行包装和贴标签，以方便销售和使用。
包装通常包括塑料管、保护盒等，能够保护LED免受物理损坏。
8. 储存和运输：将包装好的LED产品储存和运输到销售地点。
这需要保证产品的安全和质量，并采取适当的包装和运输方式，以避免损坏和损失。
以上是LED生产流程的一个简要介绍，该流程包括了从材料准备到最终产品的制作过程。
随着LED技术的不断发展和进步，LED生产流程也在不断改进和优化，以提高生产效率和产品质量。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程是指将LED芯片通过一系列的加工工艺处理，使其成为一颗完整的LED发光元件的过程。
下面是LED工艺流程的简要介绍：1. 晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础，通常由砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料制成。
制备晶圆的过程包括原料准备、化学气相沉积、研磨抛光等步骤。
2. 掩膜制作：在晶圆上制作掩膜，用于定义LED芯片的结构，包括电极、层次等。
掩膜制作通常采用光刻技术，其中包括溅射法、电子束曝光法等。
3. 晶圆衬底：将晶圆粘贴到衬底上，用于增加机械强度和散热性能。
通常使用金属或陶瓷材料作为衬底。
4. 磷化：在晶圆表面镀上磷化物，用于调节LED的发光颜色。
常见的磷化物有三磷化镓（GaP）、三磷化铝（AlP）等。
5. 架晶：将LED芯片碎片切割成小块，然后将其架设到芯片承载架上。
承载架通常采用金属材料，如镍。
6. 焊接：将上步骤中架设好的芯片与引线进行焊接，形成电子电路连接。
常见的焊接方式有球焊、金线焊接等。
7. 嵌入：将芯片与本体进行结合，形成最终的LED发光元件。
通常使用封装材料，如环氧树脂封装。
8. 散热处理：对LED发光元件进行散热处理，以确保其正常工作和寿命。
常见的散热方式有铝基板散热、风扇散热等。
9. 光电性测试：对LED发光元件进行光电性能测试，包括亮度、色温、色差、电阻等参数的测量。
10. 分选与包装：根据光电性测试的结果，对LED发光元件进行分类和包装，以满足不同应用需求。
常见的包装形式有芯片、贴片、灯珠等。
以上是LED工艺流程的大致步骤，不同厂家和产品可能会有所不同。
LED工艺流程的优化和改进可以提高LED产品的性能和可靠性，降低成本，推动LED产业的发展。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程1. 概述LED（Light-Emitting Diode）是一种半导体光电器件，具有能够将电能直接转化为光能的特性，广泛应用于照明、显示等领域。
LED的制造工艺流程主要包括晶体生长、芯片切割、封装和测试等步骤。
2. 晶体生长晶体生长是LED制造的第一步，其目的是在衬底上形成高质量的半导体晶体。
常用的晶体生长方法包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）等。
在MOCVD过程中，金属有机气相沉积法通过将金属有机化合物和气体源反应，使得半导体原料在衬底上逐层沉积，形成多层结构。
而MBE则是通过在真空环境中，将各种原子束束流直接照射到衬底上，使得原子在衬底上沉积，形成单晶生长。
3. 芯片切割芯片切割是将生长好的晶体切割成小块，用于制作LED芯片。
首先，将晶体固定在切割机上。
然后，采用钻头或切割盘等工具，将晶体切割成大小合适的芯片。
切割后的芯片通常是由正方形或圆形构成。
芯片切割的目的是将晶体切割成均匀且尺寸合适的芯片，以便于后续的封装步骤。
4. 封装封装是LED制造的重要步骤，其目的是将LED芯片进行保护，并提供方便的引出电极。
### 4.1 封装材料选择在封装过程中，常见的封装材料有环氧树脂、硅胶等。
这些材料具有耐高温、耐湿、耐腐蚀等特点，能够有效地保护LED芯片。
4.2 封装工艺步骤封装的主要步骤包括以下几个方面：- 准备封装材料：将封装材料进行预处理，如去气泡、搅拌均匀等。
- 封装腔体设计：根据LED芯片的尺寸和要求，设计合适的封装腔体。
- 制作封装模具：根据封装腔体的设计要求，制作相应的封装模具。
- 封装材料注入：将准备好的封装材料注入封装模具中，确保完全填满腔体，并使材料均匀分布。
- 固化封装材料：将注入封装材料的模具经过固化处理，使封装材料完全硬化并与LED芯片牢固结合。
5. 测试测试是LED制造工艺流程的最后一步，其目的是确保LED芯片的品质和性能。
led照明生产工艺流程
led照明生产工艺流程LED（Light Emitting Diode）照明是一种高效、耐用的照明技术，具有节能、环保、寿命长等优点。
下面将介绍LED照明的生产工艺流程。
1. 芯片制备：首先，从半导体原料中制备出GaN（氮化镓）晶体。
接下来，在GaN晶体上进行各种物理和化学处理，以制备出LED芯片。
这包括沉积导电层、制备发光层等步骤。
2. 芯片切割：将得到的LED芯片进行切割，以得到单个的LED芯片。
这个过程通常使用钻石刀片进行切割。
3. 固晶：将切割好的LED芯片固定在支架上，通常使用射频（RF）固晶来实现。
4. 焊接：将固晶好的LED芯片与金线连接。
这一步骤通常使用自动焊接机来完成，将金线精确地连接到芯片的金属引脚上。
5. 封装：将焊接好的LED芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片并提供适当的光学特性。
封装也有不同的类型，如LED球泡灯、LED灯管等。
6. 测试：对封装好的LED产品进行测试，以确保其性能符合要求。
这包括电气参数测试、蓝光波长测试、光通量测试等。
7. 散热处理：LED照明产生的热量需要通过散热器来散发，以保持LED芯片的正常工作温度。
散热器的设计和选型非常重要，可以采用散热铝板、散热风扇等方式。
8. 二次封装：对已测试好的LED产品进行二次封装，如安装支架、外壳等。
这一步骤是为了提供更好的安装和使用便利性。
9. 质量控制：对最终的LED产品进行质量控制，包括外观质量、亮度一致性、颜色一致性等方面的检查。
10. 包装和出货：将经过质量控制的LED产品进行包装，并安排出货。
综上所述，LED照明生产工艺流程包括芯片制备、芯片切割、固晶、焊接、封装、测试、散热处理、二次封装、质量控制和包装出货等多个环节。
这些工艺环节相互配合，确保了最终产品的质量和性能。
随着技术的不断进步，LED照明的生产工艺也在不断演变和改善，以满足不断增长的市场需求。
LED芯片制程简介
P
Ni/Au TCL P-GaN InGaN/GaN MQW N-GaN GaN 成核层 蓝宝石基板
N
Ti/Al/Ti/Au 焊接垫
备注:改变活性层InXGa1-XN的值,就可以改变LED的发光波长, X值越大,发光波长越大, 0≤X ≤ 1
白光发光LED 白光发光LED
①寿命长 ②由电较换为光的效率高、耗量少 ③体积小 ④兼具省电和环保概念
切割制程 a.轮刀式切割法
b.鑽石式切割法
冷却水
轮刀 电极 电极
钻石上视图
雷射光束 电极
c.雷射式切割法
发光效率
影响LED发光效率因素很多，其中包括材料品质、元件结构和制程等，其定义为量子效率。 ㈠内部量子效率 要优化条件，方可得到最大内部量子效率 ㈡外部量子效率 影响外部量子效率的因素有三种； a：费莱斯涅乐损失（FRESNL LOSS） LED所发身的光子必需由半导体进入空气，因此光子必须传输穿越二者 之间的界面，其中一部分光会透射进入空气，一部份光被反射回半导体。 b：临界角损失 考虑光子傾斜入射界面情形，即折射。 c：内部吸收 当LED内部电子和电洞复合而放射光子，待一部分进入空气，一部分被半导体材 料吸收。
优点
缺点 须三种晶片,各晶片需有个别 电路,衰减及寿命不同,成本 高 发光效率低,演色性差,不同 输出电流使光色改变,容易有 光色不均匀之月晕现象 光色随电流而改变可能有月 晕现象,但较不明显 粉体混合数为因难，高效率 粉体不易寻找
高发光效率,光色可调
单一晶片即可发白光,成本低, 制作简单 光谱为三波长分布,演色性较 高,光色及色温可调
芯片制程简介
LED厂 工程部 厂
LED的主要制程可以分为三个阶段:前段、中段、后段（也称：上游、中游、下游。专业术语 为：材料生长、芯片制作、器件封装） 原料开始 上 游 多晶半导体 单晶成长 以 原 成GaAs多晶 长晶 ),成长GaAs单晶 (ingot) Ga/As 原料 成
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程1. 布局设计：首先确定LED芯片的布局设计，包括LED的尺寸、排布和连接方式等。
2. 外延生长：通过外延生长技术，在基板上生长出LED晶片的外延层，外延层的材料包括氮化镓、氮化铟等。
3. 掩模制备：在外延层上制备掩模，用来定义LED芯片的结构和尺寸。
4. 蚀刻制备：利用蚀刻技术，将外延层上不需要的部分去除，保留下LED晶片的结构。
5. 衬底分离：将LED晶片从生长基板上分离出来，以便后续工艺处理。
6. 晶片检测：对LED晶片进行检测，测试其光电特性和质量，筛选合格的LED晶片。
7. 封装：将LED晶片封装在LED灯珠上，通过焊接、封胶等工艺，形成完整的LED灯珠。
8. 脉冲测量：对封装完成的LED灯珠进行脉冲测量，测试其亮度、颜色等参数。
9. 整灯组装：将LED灯珠组装在灯具中，进行电路连接和外壳装配等工艺。
10. 品质检测：对整灯进行品质检测，包括光通量、色温、色彩均匀性等参数的测试。
11. 包装出厂：对通过检测的LED灯具进行包装，并出厂销售。
LED（Light Emitting Diode）作为一种节能、环保的照明产品，已经成为当今照明行业中的主流产品。
LED的制造工艺流程不仅包括了对LED芯片的制备，也涵盖了LED灯珠的封装和整灯的组装。
下面将继续介绍LED制造工艺流程的相关内容。
12. 全球照明标准：在LED制造的过程中，为了确保LED产品的质量和性能，各国及地区都有相应的照明产品标准。
生产制造企业需要严格遵守这些标准，以确保LED产品符合相关标准要求，安全可靠、性能优良。
一般来说，LED产品需要符合的标准包括光通量、色温、寿命、发光效率等。
13. 一致性和可靠性测试：LED产品制造完成后，还需要进行一致性和可靠性测试。
一致性测试是为了保证同一批次的LED产品在光通量、色彩等方面具有一致的性能指标。
而可靠性测试则是为了验证LED产品在长时间使用后的稳定性和可靠性，如耐热、耐湿热等环境适应能力。
LED工艺流程完美讲解
LED工艺流程完美讲解LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种能够将电能转化为光能的半导体器件。
LED具有高效能、长寿命、节能环保等优点，广泛应用于照明、显示屏幕、信号传输等领域。
一、晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础材料，一般采用氮化铝晶圆。
该步骤主要包括基片选择、基片清洗、基片架放置、磨割加工等。
基片清洗能够去除表面污染物，确保芯片质量。
二、外延生长：外延生长是指在晶圆表面逐渐沉积LED材料的过程，主要材料为三五族化合物，如氮化镓等。
该步骤是制备LED芯片的关键，需要严格控制温度、气压、混合气体比例等因素，以保证外延层的质量。
三、击晶：在外延层上，通过模具或激光刻蚀的方式，将外延层进行形状切割，形成各个LED芯片的形状。
击晶的过程需要精确控制切割深度和角度，以免损坏芯片。
四、脱胶：击晶的过程中，会在芯片表面形成胶层。
脱胶的目的是去除这些残留的胶层，以保证后续工序的顺利进行。
常用的脱胶方法包括化学脱胶和热脱胶。
五、划线：划线是在芯片表面进行金属线的印制，以连接芯片的正负极。
划线主要使用导电胶或金线，需要精细操作以保证线的精确位置和质量。
六、加工：加工步骤包括剥薄、抛光、荧光粉涂覆等。
剥薄是指将芯片由外延层剥离，使其达到所需的光学效果。
抛光是为了使外观更加光滑，提高反射率。
荧光粉涂覆是为了增强LED的发光效果。
七、金球焊接：金球焊接是将金属线与LED芯片连接的过程。
焊接方式包括热压焊接、超声波焊接等。
金球焊接需要高精度的设备，以确保焊接的稳定性和可靠性。
八、封装：封装是将LED芯片置于LED灯泡或LED显示屏等外壳中，以便安装和使用。
封装过程包括金膏涂覆、打枪、密封等步骤。
金膏涂覆是为了在芯片上形成保护层，提高散热能力。
打枪是将芯片固定在片头，以确保芯片位置准确。
密封是将芯片与外壳连接，并填充封装胶，以保护芯片。
九、测试：测试是对已封装的LED产品进行功能、亮度、颜色等方面的检测。
led 制造流程
led 制造流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体光源，它在现代照明和电子设备中得到广泛应用。
本文将介绍LED的制造流程，包括材料准备、晶体生长、芯片制造、封装以及测试等环节。
首先是材料准备阶段。
制造LED所需的主要材料包括半导体材料、金属材料和绝缘材料。
其中，半导体材料是LED最关键的部分，常用的有氮化镓（GaN）、磷化镓（GaP）和砷化镓（GaAs）等。
这些材料需要经过精细的化学处理和纯化，以确保材料的质量和纯度。
接下来是晶体生长阶段。
LED芯片的制造是从晶体开始的，晶体生长技术对LED的性能和质量有着重要影响。
常用的晶体生长方法有气相外延（MOVPE）和分子束外延（MBE）等。
在晶体生长过程中，需要控制温度、压力和化学物质供应等参数，以使晶体生长成所需的形状和尺寸。
然后是芯片制造阶段。
晶体生长完成后，需要将其切割成小片，然后进行腐蚀、清洗和抛光等工艺步骤。
接着，在芯片表面形成PN 结构，这是LED发光的关键。
通过控制材料的掺杂和离子注入等工艺，形成正负极性的区域，从而实现电流通过时的发光效果。
之后是封装阶段。
LED芯片制造完成后，需要进行封装，以保护芯片并提高发光效率。
封装通常是将芯片粘贴到金属基板上，并在芯片表面覆盖透明的封装材料，如环氧树脂。
封装材料需要具有良好的光透过性和热导性，以确保LED的发光效果和散热性能。
最后是测试阶段。
在LED制造完成后，需要进行各项测试以确保其质量和性能。
常用的测试项目包括电流电压特性测试、发光强度测试、色温和色坐标测试等。
通过这些测试可以评估LED的亮度、色彩和稳定性等指标，以确保产品符合要求。
LED的制造流程包括材料准备、晶体生长、芯片制造、封装和测试等环节。
每个环节都需要精细的工艺控制和严格的质量检测，以确保LED的性能和品质。
LED作为一种高效、节能、环保的光源，将继续在各个领域得到广泛应用。
LED的生产工艺流程及其设备
LED的生产工艺流程及其设备LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，其生产工艺包括晶片制作、封装、测试等多个环节。
下面是LED的生产工艺流程及其设备。
1. 晶片制作晶片制作是LED生产的第一步，主要包括晶片生长、切割和清洗。
晶片生长是指利用外延技术在基片上生长半导体材料，常用的设备有外延炉和外延片机。
晶片切割是指将生长好的晶片切割成小尺寸的晶体，常用的设备有线锯和刻线机。
晶片清洗是指清洗切割好的晶片，常用的设备有超声波清洗机和离子清洗机。
2. 封装封装是将晶片封装成成品LED灯具的过程，主要包括封装胶料的点胶、固化和测试。
点胶是指在晶片上涂抹封装胶料，常用的设备有自动点胶机和手动点胶机。
固化是指将封装胶料固化成固体，常用的设备有烤箱和紫外线固化机。
测试是指对封装好的LED灯具进行检测，常用的设备有光学测试仪和电学测试仪。
3. 包装包装是最后一道工序，主要包括对封装好的LED灯具进行分类、包装和贴标签。
分类是指根据LED灯具的参数进行分类，常用的设备有自动分类机和手动分类机。
包装是指将分类好的LED灯具进行包装，常用的设备有真空包装机和热压封装机。
贴标签是指在包装好的LED灯具上贴上标签，常用的设备有自动贴标机和手动贴标机。
以上是LED的生产工艺流程及其设备，通过这些工艺流程和设备，可以实现LED的高效生产和质量控制。
LED（发光二极管）生产工艺流程及其设备的细节非常重要，因为质量控制直接影响LED产品的性能和可靠性。
以下将继续深入探讨LED的生产工艺流程并详细介绍所使用的设备。
4. 晶片制作晶片生长是LED生产的关键步骤之一。
在晶片生长过程中，通常使用外延炉或者MOCVD （金属有机化学气相沉积）系统。
外延炉是一种用于外延生长晶体材料的设备，它具有高温、高真空和精确的气氛控制能力，能够确保晶片的高质量生长。
MOCVD系统是一种化学气相沉积工艺，通过将金属有机前驱体和气相介质分解反应来生长晶片。
LED各流程工艺详解
LED各流程工艺详解LED（Light Emitting Diode）是一种能够发光的二极管，具有高效能、长寿命、低能耗等优点，在照明、显示、通信等领域有广泛应用。
下面详细介绍LED的各流程工艺：1.衬底制备：LED通常使用蓝宝石晶体作为衬底，通过切割、抛光等工艺制备出平整的衬底片。
2.堆栈生长：在蓝宝石衬底上先生长一层GaN（氮化镓）材料，再通过MOCVD（金属有机化学气相沉积）等方法，将P型和N型材料层逐层生长，形成LED所需的堆栈结构。
3.芯片划分：将大面积生长的LED芯片通过划分工艺，切割成一个个独立的芯片。
划分方法有机械划割、激光切割等。
4.金属化：在芯片表面通过光刻、蒸镀等工艺，将金属电极、排线等结构形成，用于电流的注入和导出。
5.调制层制备：通过激光蒸镀等方法，在芯片表面制备调制层，用于提高光的提取效率。
6.光学封装：将芯片与透明的封装材料相结合，形成一个封装好的LED器件，用于保护芯片，并增强光的聚光效果。
7.器件测试：对封装好的LED器件进行电性能测试，如电压、电流、亮度等参数的测量，以确保器件品质。
8.研磨和抛光：对芯片进行研磨和抛光工艺，以去除表面的缺陷和不平整，提高器件的外观和质量。
9.芯片封装：将LED芯片放置在封装基板上，通过自动焊接、高温银胶等工艺，将芯片与接线板相连接，形成最终的LED灯。
10.色坐标校正：通过色温仪等仪器，对封装好的LED灯进行色坐标校正，保证灯光的色彩质量和一致性。
11.应用测试：对封装好的LED灯进行一系列的应用测试，如光效测试、信号传输测试等，以确保灯具满足设计要求。
12.产品包装：对测试合格的LED灯进行包装，标记产品型号、规格等信息，并进行质量检查，最后进行包装。
以上是LED的各流程工艺的详解。
LED制造过程中需要注意工艺参数的控制，以确保器件的品质和性能。
同时，随着技术的进步，LED工艺也在不断发展和改进，以提高光电转换效率，降低成本，满足不同应用场合的需求。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，其制造工艺流程包括晶圆制备、晶片制造、芯片分离、封装等步骤。
下面将逐步详细介绍LED的制造工艺流程。
1.晶圆制备：LED晶片的制造通常从晶圆开始。
晶圆是通过将单晶硅材料化学蒸气沉积放在单晶硅基片上制成的。
首先，晶圆材料被加热到高温，而后，源材料被引进反应室中，反应后形成气体，沉积在基片上，逐渐形成晶圆。
通常使用的材料有氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。
2.晶片制造：制备好的晶圆经过一系列的工艺步骤，形成具有光电特性的晶片。
首先，通过光刻工艺将光掩模模式转移到晶圆表面，并涂刮上光刻胶。
然后，经过曝光和显影等步骤，形成需要的图案。
接下来，进行离子注入，通过在晶片表面注入杂质，形成p型和n型区域。
最后，进行退火和金属化处理，形成电极等结构。
3.芯片分离：晶片制造好后，需要进行分离，得到单个的LED芯片。
常见的分离方法有机械分离、激光分离和化学分离等。
机械分离是利用切割技术，将晶圆切割成小的芯片。
激光分离采用激光切割技术，通过激光束切割晶圆。
化学分离则是利用化学溶剂将晶圆在特定区域溶解。
4.封装：经过芯片分离后，LED芯片需要进行封装，以便保护芯片、提高光效并方便使用。
封装过程包括焊接金线、填充封胶和切割芯片等步骤。
首先，在芯片表面焊接金线，为电极引出提供支持。
然后，应用透明封装材料封装芯片，填充封胶以保护芯片。
最后，对封装后的芯片进行切割，得到单个的LED器件。
5.效果测试：在整个制造过程结束后，需要对LED器件进行效果测试，包括亮度、光谱、色温等参数的测试。
这些测试旨在确保LED器件的质量，并检查是否符合规格要求。
总结：LED的制造工艺涵盖晶圆制备、晶片制造、芯片分离、封装和效果测试等步骤。
通过这些工艺步骤，LED器件得以制造和封装，最终形成可用于照明、显示等领域的高效光电器件。
LED芯片制程介绍
LED芯片制程介绍LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种利用固体半导体材料发生辐射而产生光的半导体器件。
LED芯片制程指的是制造LED芯片所经历的工艺流程和步骤。
一、材料准备LED芯片制程的第一步是准备半导体材料。
通常使用的半导体材料是氮化镓（GaN）和化合物半导体材料，如AlGaInP和AlInGaP等。
这些材料具有较高的载流子迁移率和较高的能隙，可以提高LED芯片的效率。
二、晶圆制备晶圆是制造LED芯片的基板，其上面生长了多个薄膜层。
晶圆通常由蓝宝石、硅碳化物或蓝宝石上覆盖硅衬底制成。
制备晶圆的关键步骤包括抛光、清洗和薄膜生长。
三、薄膜生长薄膜生长是LED芯片制程的重要环节。
常用的薄膜生长方法有金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和气相外延（VPE）等。
这些方法通过在晶圆上沉积一层层的半导体材料来构建LED元件的结构。
四、掺杂掺杂是LED芯片制程中实现n型和p型区域的关键步骤。
通过使用杂质元素（如锌、镓和硅等）将n型或p型材料掺杂进半导体晶体中，可以改变半导体的导电性质。
掺杂一般通过离子注入、热扩散或金属有机化学气相沉积等方法实现。
五、制备电极和金属层制备电极和金属层是为LED芯片提供电流和保护的步骤。
通过在芯片上部署金属电极，可以为LED提供电流输入和输出。
常用的电极材料有金、银和铝等。
此外，还要在芯片上添加金属层用于保护和反射光。
六、切割晶圆在制程的最后阶段，需要将生长好的晶圆切割成多个独立的LED芯片。
可采用切割锯或激光脉冲来实现。
切割晶圆可以根据需要得到各种尺寸和形状的LED芯片。
七、测试和分选最后，需要对切割好的LED芯片进行测试和分选。
测试可以通过电流-电压特性、发光亮度和颜色参数等来确保芯片的性能。
而分选则是根据测试结果将芯片分成不同的亮度等级和颜色等级。
总结：LED芯片制程经历了材料准备、晶圆制备、薄膜生长、掺杂、制备电极和金属层、切割晶圆以及测试和分选等多个步骤。
LED生产流程
LED生产流程LED（Light-Emitting Diode），即发光二极管，是一种半导体器件，可将电能转化为光能。
目前，LED被广泛应用于照明、显示、通信等领域。
下面将详细介绍LED生产的流程。
第一步：半导体材料准备制造LED的首要步骤是准备半导体材料。
最常用的材料是GaN（氮化镓）和InGaN（氮化铟镓）。
这些材料具有良好的半导体性能和光学性能，非常适合制作LED。
第二步：蓝宝石晶体生长制造LED所需的蓝宝石基底是通过氧化铝熔炼而成的。
这是一项复杂的过程，需要将高纯度的氧化铝放入特殊的炉中，在高温下进行熔炼和晶体生长。
通过控制温度和时间，可以得到高质量的蓝宝石晶体。
第三步：蓝宝石晶体切割蓝宝石晶体熔炼完成后，需要进行切割。
切割是为了得到所需厚度和尺寸的蓝宝石基底。
切割通常使用钻石刀片进行，并通过控制刀片的速度和角度来控制切割的质量。
第四步：晶圆清洁蓝宝石晶体切割完成后，需要对切割下来的蓝宝石晶圆进行清洁，以去除切割过程中产生的灰尘和残留物。
第五步：P型镓制备制造LED需要用到P型和N型材料。
P型材料通常使用镓掺杂的带有杂质的蓝宝石晶圆制备。
这个过程涉及到将镓加热至高温，然后将其蒸发到蓝宝石晶圆上，使其在晶体结构中扩散。
第六步：N型镓制备N型材料是通过将一层高纯度的镓加热并与氮气反应制备的。
这将在蓝宝石晶圆上覆盖一层充满杂质的N型材料。
第七步：外延生长通过分子束外延或金属有机化学气相沉积等方法，在蓝宝石晶圆上堆叠多层P型和N型材料，形成LED器件所需的外延片。
第八步：芯片切割外延片生长完成后，需要切割成小芯片。
切割通常使用切片机，通过控制切割刀的位置和速度来切割外延片。
第九步：电极制备切割好的芯片需要制备电极。
通常使用金属化学气相沉积或蒸发等技术，在芯片上形成金属电极。
第十步：封装芯片制备完毕后，需要进行封装。
封装是将芯片放置在支架上，并用透明的环氧树脂进行固定和保护。
第十一步：测试封装完成后，需要进行测试。
LED生产流程非常详细
LED生产流程非常详细LED（Light Emitting Diode）是一种固态光源，具有高效、环保、寿命长等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
下面将详细介绍LED的生产流程，主要包括晶片制备、封装和测试等环节。
1.晶片制备晶片是LED的核心部件，其制备是整个生产流程的第一步。
晶片制备主要包括以下几个环节：(1)材料准备：选择合适的材料，主要包括n型和p型的半导体材料，如GaN（氮化镓）、InGaN（铟镓氮化物）等。
(2)晶体生长：采用蒸发法、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法，在衬底上生长出晶片材料。
(3)外延生长：通过控制温度、气氛和物料流速等条件，使晶片材料在衬底表面慢慢生长出多晶体结构。
(4)分离：将生长好的晶片从衬底上分离下来，常用的方法有折断、切割和磨蚀等。
(5)针对不同材料和工艺的晶片，还需要进行经过去背、打磨和抛光等工序，以提高晶片的光电性能和表面质量。
2.封装封装是将制备好的晶片与引线、支架等元件连接并封装在透明的封装体中，形成LED光源的过程。
(1)引线焊接：将晶片的正负极分别与引线进行焊接，以实现电气连接。
(2)芯片固定：将晶片粘贴在支架上，并使用导热胶等材料固定。
(3)封装体注射：将封装体材料（通常为透明的环氧树脂）加热至一定温度，然后通过注射工艺在晶片和支架之间形成透明的封装体。
(4)引线剪断：根据需要，将引线剪断至一定长度。
3.测试测试是LED生产流程中不可或缺的环节，通过测试可以确保LED的质量和性能符合要求。
(1)光电参数测试：测量晶片的电流电压特性、光强和颜色等光电参数，以保证其性能符合规定。
(2)寿命测试：通过对一定数量的LED进行长时间稳定工作，观察其亮度降低情况，以评估其寿命。
(3)色坐标测量：测量LED的色坐标，以确保光色的一致性。
(4)外观检查：检查LED的外观质量，如有无裂纹、气泡、灰尘等。
4.包装和出厂在测试合格后，LED进行包装，并进行严格的质量控制，最终出厂。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Forward Current vs.Relative Luminosity (Ta=25℃) 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
五，色温（Color Temperature)
单位：绝对温度（Kelvin,K) 一个光源之色温被定义为与其具有相同光色之“标准黑体（Black boby radiator)”本身之绝对温度值，以量化光源的光色表现。根据Max Planck(普 朗克)的理论，将一具完全吸收与放射能力的标准黑体加热，温度逐渐升 高光度亦随之改变；CIE色座标上的黑体曲线（Black body locus）显示黑 体由红——橙红——黄——黄白——白——蓝白的过程。黑体加温到出现 与光源相同或接近光色时的温度，定义为该光源的相关色温度，此温度可 以在色度图上之普朗克轨迹上找到其对应点。标准黑体之温度越高，其辐 射出之光线光谱中蓝色成份就越多，红色成份也就相对越少，反之，标准 黑体之温度越低，其辐射出之光线光谱中的蓝色成份就越少，红色成份就 越多。 一个灯的光色可以简单的以色温来表示，以发出光色为暖白色之普通白 炽灯泡为例，其色温为2700K，而一般日光灯之色温为6000K，光之色温 主要可分成三大类： 暖白色：＜3300K 中间色：3300至6000K 冷白色：＞6000K
0 20 40 60 80 100 120
Relative Luminosity (a.u)
Forward Current IF(mA)
四，发光角度（2θ1/2 Viewing Angle）
LED為指向性元件 ½ 表示發光強度50%時的角度 LED亮度与角度成反比， 亮度相同的兩顆LED, 2θ1/2愈大則Iv愈小
Forward Current IF(mA)
100
10
1
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Forward Voltage VF(V)
二，发光颜色，波长 （Color Hue Wavelength Spectrum）
Normalized Response
近紅外線 中紅外線 紅 外 線 區 長 波 長
5μm 100μm 1mm 極超短波 遠紅外線
有大熱能
熱線 (熱能 也稱為 熱波)
電波
紅橙黃綠藍靛紫，為人眼可見之光，是人類所能察覺光的波長，介於380～780nm之間。 紫色光波以下的波長稱為紫外線，大約介於100nm~380nm。 紅色光波以上的波長稱為紅外線，大約介於780nm~1mm。
LED的封装
Lens
Bond Wire
LED Chip
adhesive
Lead frame
ห้องสมุดไป่ตู้
High Power package
PCB
Traditional package
LED類別介紹
HIGHPOWER LAMP Pin-through-hole Visible
SMD Surface Mount Technology
CIE 座标图
白光产生的种类
3 chips 型: Red Chip + Green Chip+Blue Chip 2 chips 型: Blue Chip+ Yellow Chip 1 chip 型 : Blue Chip+ Yellow荧光 粉 UV Chip +RGB荧光粉 ZnSe（锌，硒）
白光LED简介
在技术方面白光LED目前主要分为两种发光方式:目前主要的商品化作法是日 亚化学(Nichia)以460nm波长的InGaN蓝光晶粒涂上一层YAG荧光物质，利用 蓝光LED照射此一荧光物质以产生与蓝光互补的555nm波长黄光，再利用透 镜原理将互补的黄光、蓝光予以混合，便可得出肉眼所需的白光。目前在白 光LED技术方面仍以日亚化学领先，拥有众多专利权。第二种是日本住友电工 亦开发出以ZnSe（锌，硒）为材料的白光LED。
发光原理
发光二极管：LED，Light Emitting Diode是一种固态半导体元件，可以將电 能直接转化为光源。其工作原理是利用發光二管的材料：也就是Ⅲ-Ⅴ族元素 化合物，在单晶上形成具有P-N接合面半导体。借由外部施加Vcc电压，使电 子与空穴結合达热平衡时，过剩的能量会以光的形式直接释放出。而不是 传 统灯泡 ，采用滤光镜 間接得到所需光谱。它的发光效率、发光波长是与使用 的材料、结构、添加物有關。
LED的应用与发展方向
由于超高亮度LED具有非常广泛的用途，特别是白光LED的出现，给应用面带来更丰富的内容。目前国内有 几百个单位在开发、生产超高亮度LED的各种应用，热点应用主要包括以下几个主要方面： 亮化工程景观、装饰灯 作为一种冷光源，LED照明灯具有绿色环保、节能、色彩绚丽等传统光源不可比拟的优点。目前， LED 轮廓灯、LED护栏灯、LED灯带、LED灯泡等被广泛应用于桥梁、大厦广场、标志物、仿古建筑、招牌广告 等轮廓勾勒以及立交桥护栏、危险路段、警戒标志及其高楼轮廓、庭院护栏等场所，对美化城市、塑造景观 有重要作用 白光照明： 已开始从小功率白光LED灯用起，如安全照明灯、显微镜灯、白光背光源、手电筒、太阳能灯，特种白 光照明等，并逐步向白光照明迈进，将是取代白炽灯、钨丝灯和荧光灯的最大潜力商品 大、中、小屏幕显示器： 各种广告牌、体育记分牌、金融和交通指示牌等，分为全色、三色、单色显示屏，全国共有100多个单 位在开发生产，现已成立LED显示屏分会，2002年全国市场超过20亿元，几乎全部采用国产显示屏。 交通信号灯： 主要用超高亮度红、绿、黄色LED，因为采用LED信号灯既节能，可靠性又高，所以在全国范围内，交 通信号灯正在逐步更新换代，而且推广的速度很快，市场需求量很大. 汽车用灯： 包含汽车内部的仪表板、音响指示灯、开关的背光源、阅读灯和外部的刹车灯、尾灯、侧灯、头灯等均 在逐步采用LED显示。据报道，2001年全世界超高亮度LED在汽车上的用量占26%的份额，一部汽车可用 LED200只到300只 背光源： 主要是液晶LCD显示器上用的背光源，有白色和其他各种颜色，现阶段手机背光源用量非常大，一年要 用35亿只LED。据报道，全世界2001年超高亮度LED在背光源上的用量占30%的份额。 LED指示灯： 广泛用于各种家电，仪器，设备之电源指示
LED晶片的元素为III-V族化合半导体
發光 P層 N層 電子 發光
IB
IIB
III
IV
C Si Ge Sn
V
N ´ á P Á C As ¯ ~ Sb ¾ O
VI VII
O S Se Te F CL Br I
+ + + + + HOLE電洞 +
Cu Ag
B ¸ N Al ¾ T Zn Gañ S Cd In ä ¡
可见光区分
380nm 紫色(Purple)
430nm
490nm
藍色(Blue)
藍綠色(Bluish Green) 翠綠色(Green) 純綠色(Pure Green) 黃綠色(Yellow Green) 黃色(Yellow) 琥珀色(Amber) 橙色(Orange) 紅色(Red)
505nm
515nm 535nm 585nm 600nm 630nm 700nm
Invisible
LED 生产流程
進料檢驗
固晶
烘烤
打線
光電特性測試
切腳
烘烤
封膠
捲帶
包裝出貨
LED的五大物料與五大製程
¤ j ¤ « ª Æ ® ¹ ´ ù ¤ ò ° ÷ § È » ¦½ ÷ ª u ½ ô Àñ ®ð ¾× ¯ Z ¾u ½ Ê « ¦½ Á ¤ } ¸ ú ´ Õ ¸ T ©¹ ´ ¤ j ¤ s » { µ
LED发光原理
光的分类︰
10-3nm 1nm 10nm 100nm 280nm 315nm 380nm
γ射線
X射線 紫 外 線 區 短 波 長
遠紫外線 中紫外線 近紫外線 可見光線
化學線 (由日照產生化 學線作用引起) 光 (人眼所見電磁波範圍) 接近 光性質
白色光 稜鏡 分 成 七 色 光 譜 780nm 1000nm 1.5μm
单位（nm) a. λp:發光體或物體(經由反射或穿透)在分光儀上量得的能量 分佈,其峰值位置對應的波長,稱為λp(peak). b. λd :而λd (dominant)是以人眼所見的可見光區(400-700), 決定發光 體或物體的光線主要落在什麼波長. Spectral Radiance (Peak @ 610nm) c. △ λ:(半波寬) Peak Wavelength λp:610nm(峰值波長) Dominant Wavelength λd:624nm(主波長) △ λ:22nm(半波寬)
1.0 0.8 0.6 0.4
△λ
0.2
0.0
520 540 560 580 600 620 640 660 680 700 Wave Length(nm)
PS:人眼對555nm波長光(綠色)的感度 最佳, 隨之比它波長越短或越長, 則感度 越差, 此種人眼感度特性, 稱為視感度
三，发光强度（luminous Intensity）
理想白光：0.33，0.33介于目前的技术还达不到，只能接近
LED优点︰
●壽命長,一般大於10萬小時。 ●功耗小,亮度高,可與積體電路匹配。 ●體積小,重量輕,可封裝成各種類型的顯示器。 ●堅固耐用,不怕震動。 ●多色顯示,可實現彩色顯示。 ●工作溫度穩定性好。 ●響應時間快,一般為毫微秒(ns)級。 ●冷光，不是熱光源。 ●當與光電晶體結合時可以作為低噪音光開關。 ●電壓低,可以用太陽能電池作電源,並易與積體電路相匹配。