直接和间接带隙半导体

材料的导电性由导带(conduction band)中含有的电子数量决定。
当电子从价带(valence band)获得能量而跳跃至导带时，电子就苦役在带间任意移动而导电。

常见金属材料CB-VB之间的“能量间隙”很小，室温下电子很容易进入导带
绝缘材料能隙很大(>9ev),难以导电
半导体能隙约1-3ev，只要给予适当的能量激发或改变能隙，也可导电

能带理论告诉我们，电子主要分布在满价带，当半导体受温度影响，电子受激发到导带，在价带上留下空穴。
导带上的电子和价带上的空穴决定导电性

导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常称为直接带隙半导体
导带边与价带边处于k空间不同点的半导体通常称为间接带隙半导体；形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。