集成电路工艺基础——09_金属化及多层互连
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金属化和多层互连
TiSi2 和 CoSi2的自对准工艺：
• 溅射剥离从衬底表面去除原生氧化层 • Ti 或 Co 沉积 • 退火形成金属硅化物 • Ti 或 Co 不与SiO2反应,金属硅化物在硅和Ti 或Co接
触处形成 • 去除Ti 或 Co • 选择性再次退火以增强电导率
多晶硅/硅化物复合栅结构
TiSi 2
多晶硅栅极
从中可以看出，采用低电阻率的互连材料和 低介电常数的介质材料可以有效降低互连系统的 延迟时间。
铜及低K介质
铜及低K介质的优势：
铜的电阻率低，可以极大降低互连引线电阻；
Cu
1.7 mWcm
Al
2.65 mWcm
铜的抗电迁移能力强，没有应力迁移，可靠性强； 低K介质，减少了分布电容；
所以，采用铜及低K介质可以进一步减小引线宽度和 厚度，提高集成电路的密度。
铜及低K介质
Cu互连工艺中的关键技术： Cu的沉积技术 低K介质材料的选择和沉积 势垒层材料的选择和沉积技术 Cu的CMP平整化技术 大马士革（镶嵌式）结构的互连工艺 可靠性问题
深亚微米技术的发展：
90nm、45nm线宽 300mm（12寸）晶圆
铜及低K介质
系统集成（SOC）
nn+
ＳiＯ２
nn+
退火产生金属硅化物
nn+
ＳiＯ２
nn+
湿法腐蚀Ｔi薄膜
自对准栅技术加离子注入可以大幅减小掺杂横向 效应引起的覆盖电容，提高工作频率。
多晶硅栅取代Ａl栅，由于栅与衬底Si的功函数差 减少，可以使PMOS的开启电压VT绝对值下降1.21.4V左右。
开启电压VTX降低后，器件充放电幅度降低，时间 缩短，从而也可提高工作频率。
• 溅射剥离从衬底表面去除原生氧化层 • Ti 或 Co 沉积 • 退火形成金属硅化物 • Ti 或 Co 不与SiO2反应,金属硅化物在硅和Ti 或Co接
触处形成 • 去除Ti 或 Co • 选择性再次退火以增强电导率
多晶硅/硅化物复合栅结构
TiSi 2
多晶硅栅极
从中可以看出，采用低电阻率的互连材料和 低介电常数的介质材料可以有效降低互连系统的 延迟时间。
铜及低K介质
铜及低K介质的优势：
铜的电阻率低，可以极大降低互连引线电阻；
Cu
1.7 mWcm
Al
2.65 mWcm
铜的抗电迁移能力强，没有应力迁移，可靠性强； 低K介质，减少了分布电容；
所以，采用铜及低K介质可以进一步减小引线宽度和 厚度，提高集成电路的密度。
铜及低K介质
Cu互连工艺中的关键技术： Cu的沉积技术 低K介质材料的选择和沉积 势垒层材料的选择和沉积技术 Cu的CMP平整化技术 大马士革（镶嵌式）结构的互连工艺 可靠性问题
深亚微米技术的发展：
90nm、45nm线宽 300mm（12寸）晶圆
铜及低K介质
系统集成（SOC）
nn+
ＳiＯ２
nn+
退火产生金属硅化物
nn+
ＳiＯ２
nn+
湿法腐蚀Ｔi薄膜
自对准栅技术加离子注入可以大幅减小掺杂横向 效应引起的覆盖电容，提高工作频率。
多晶硅栅取代Ａl栅，由于栅与衬底Si的功函数差 减少，可以使PMOS的开启电压VT绝对值下降1.21.4V左右。
开启电压VTX降低后，器件充放电幅度降低，时间 缩短，从而也可提高工作频率。
《金属化与多层互连》课件
金属化与多层互连的应用领域
半导体制造：用于制造集成电路和芯片
医疗设备制造：用于制造医疗设备，如CT、 MRI等
电子设备制造：用于制造电子设备，如手 机、电脑等
汽车制造：用于制造汽车电子设备，如车 载导航、车载娱乐系统等
航空航天：用于制造航天器和卫星等
通信设备制造：用于制造通信设备，如基 站、路由器等
金属化与多层互连的材料性能要求
导电性：良好 的导电性能， 保证信号传输 的稳定性和速
度
热稳定性：在 机械强度：足 高温环境下保 够的机械强度， 持良好的性能， 保证电路的稳 防止电路损坏 定性和可靠性
化学稳定性： 良好的化学稳 定性，防止电 路受到腐蚀和
氧化
成本：合理的 成本，保证产 品的市场竞争
金属化与多层互连的解决方案
采用先进的金属化工艺，如电镀、溅射等，提高金属化层的质量 优化多层互连的设计，如减小层间距、增加层数等，提高互连的密度和可靠性 采用先进的封装技术，如晶圆级封装、系统级封装等，提高封装的集成度和可靠性 采用先进的测试技术，如X射线、光学显微镜等，提高测试的准确性和效率
金属化与多层互连的发展历程
1960年代：金属化技术开始应用于集成 电路制造
1990年代：金属化技术进一步发展，多 层互连技术成为集成电路制造的主流技术
1970年代：多层互连技术开始出现，提 高了集成电路的密度和性能
2000年代：金属化技术不断创新，多层 互连技术逐渐向高密度、高性能方向发展
1980年代：金属化技术逐渐成熟，多层 互连技术得到广泛应用
沉积：在硅片上沉积金属或 绝缘材料
电镀：在硅片上沉积金属层
热处理：提高金属层的导电 性和稳定性
金属化与多层互连的工艺流程细节
金属化和多层互连
当金属与半导体之间的载流子输运以隧道 穿透为主时，Rc与半导体的掺杂浓度N及 金－半接触的势垒高度qVb 有下面的关系
qVb Rc exp N
qVb在数值上等于金属费米能级上的电子 进入半导体所需的能量。 结论：要获得低接触电阻的金－半接触， 必须减小金－半接触的势垒高度及提高半 导体的掺杂浓度
CoSi2
Ta 或 TaN Cu
W
W
PSG STI n+
+ + n+ p p USG P型井區 N型井區 P型磊晶層 P型晶圓
铜及低K介质
低K介质材料的沉积与刻蚀： 沉积工艺： （1）旋涂工艺：工艺简单，缺陷密度较低，产率高，易于 平整化，不使用危险气体 （2）CVD工艺：与IC工艺兼容性好 刻蚀要求： （1）工艺兼容性好 （2）对刻蚀停止层材料选择性高 （3）能形成垂直图形 （4）对Cu无刻蚀和腐蚀 （5）刻蚀的残留物易于清除
鋁
p+ N型矽
SiO2
鋁
p+
鋁
Al/Si接触的改善
合 金 化 ： 采 用 含 少 量 Si 的 Al-Si 合 金 （ 一 般 为 1% ） , 由于合金中已存在足量的 Si ，可以抑制底 层Si的扩散，防止“尖锲”现象。 在 300oC 以上，硅就以一定比例熔于铝中， 在此温度，恒温足够时间，就可在Al-Si界面形成 一层很薄的 Al-Si 合金。 Al 通过 Al-Si 合金和接触 孔下的重掺杂半导体接触，形成欧姆接触
铜及低K介质
势垒层材料: 包括介质势垒层和导电势垒层 介质势垒层材料：ＳiＮ、ＳiＣ等新材料 主要功能:和介质层形成多层结构，防止介质 在工艺过程或环境中吸潮而影响性能。 导电势垒层：ＷＮ、ＴiＮ、Ｔa、ＴaＮ等 主要功能：防止Ｃu扩散、改善Ｃu的附着性、 作为ＣＭＰ和刻蚀停止层、作为保护层。
硅集成电路工艺基础9
第九章金属化与多层互连金属及金属性材料在集成电路技术中的应用被称为金属化。
按其在集成电路中的功能划分，金属材料可分为三大类：¾MOSFET栅电极材料：早期nMOS集成电路工艺中使用较多的是铝栅，目前CMOS集成电路工艺技术中最常用的是多晶硅栅。
¾互连材料：将芯片内的各独立元器件连接成具有一定功能的电路模块。
铝是广泛使用的互连金属材料，目前在ULSI中，铜互连金属材料得到了越来越广泛的运用。
¾接触材料：直接与半导体接触，并提供与外部相连的连接点。
铝是一种常用的接触材料，但目前应用较广泛的接触材料是硅化)等。
物，如铂硅(PtSi)和钴硅(CoSi2集成电路中使用的金属材料，除了常用的金属如Al，Cu，Pt，W 等以外，还包括重掺杂多晶硅、金属硅化物、金属合金等金属性材料。
9.1、集成电路对金属化材料特性的要求¾与n+，p+硅或多晶硅能够形成欧姆接触，接触电阻小；¾长时期在较高电流密度负荷下，抗电迁移性能要好；¾与绝缘体（如SiO）有良好的附着性；2¾耐腐蚀；¾易于淀积和刻蚀；¾易于键合，而且键合点能经受长期工作；¾多层互连要求层与层之间绝缘性好，不互相渗透和扩散。
9.1.1、晶格结构和外延生长特性的要求金属材料特性与其晶格结构有关，集成电路中金属薄膜：¾外延生长¾单晶膜具有最理想的特性。
采用外延生长可以消除缺陷，晶体结构好，提高金属薄膜的性能，降低电阻率和电迁移率，得到良好的金属/半导体接触或金属/绝缘体接触界面。
9.1.2、电学特性金属材料在集成电路中应用时，须考虑的电学性能主要包括电阻率、电阻率的温度系数(TCR)、功函数、与半导体接触的肖特基势垒高度。
对于接触材料和栅电极材料，其功函数、与半导体材料的肖特基势垒高度和接触电阻是非常重要的参数。
9.1.3，通过优化生长过程可以减小。
第九章金属化与多层连接1
9.2.4 Al/Si接触的改进
1 Al－Si合金金属化引线
采用铝硅合金代替纯铝作为接触和互连材料， 防止尖楔现象。
问题：出现分凝现象。即，在较高合金退火温 度时熔解在铝中的硅，在冷却过程中又从铝中析出。 该现象产生一个个硅单晶的结瘤。影响器件的 可靠性，有可能导致互连线短路。
2 铝－掺杂多晶硅双层金属化结构
金属势垒层材料(阻挡层金属)选择要求：保形的通 孔和沟槽淀积性能；好的势垒性能；低的通孔电阻；与 铜有好的黏附性；与铜的CMP工艺兼容。如：WN、TiN
9.3.5 金属Cu的淀积技术
采用大马士革（镶嵌）工艺进行Cu布线。 过程与上述相似。
9.3.6 低K介质和Cu互连集成技术中的可靠性问题
可靠性问题涉及：电迁移、应力迁移、热循 环稳定性、介电应力、热导率。
2 中值失效时间
表征电迁移现象的物理量是互连引线的中值失效 时间MTF(media time to failure),即50％互连引线 失效时间，其值正比于引线截面积，反比于质量输 运率
3 改进电迁移的方法
1） 结构的影响和“竹状”结构的选择
MTF随着铝线宽度的减小和长度的增加而降
低。
“竹状”铝引线 结构，组成多晶 体的晶粒从下而 上贯穿引线截面， 晶粒间界垂直于 电流的方向，所 以晶粒间界的扩 散不起作用。
第九章 金属化与多层互连
9.1 引言
金属化：金属及金属材料在集成电路技术中的应用。
根据金属在集成电路中的功能划分，可以分为三类：
互连材料——将同一芯片的各个独立的元器件连接成蚀，好的抗电迁移 特性。
互连连线是金属化工艺的主要组成部分；
大部分使用铜铝合金；
R ( l ) /(wtm )
Chap.9 金属化与多层互连
热退火提高电导率
CMP去除沟槽或通孔之外的铜
天津工业大学
双大马士革（ Dual Damascene ）工艺流程
天津工业大学
电镀铜（Electrochemical Plating，ECP）
电镀过程中铜离子对已淀积铜表面的轰击，形成一种淀 积/刻蚀/淀积的过程，提高其台阶覆盖和沟槽填充能力
天津工业大学
Chap.9 金属化与多层互连
1 2 3 4 5
IC中金属的作用及分类
铝在集成电路技术中的应用
铜及其他金属在IC中的应用 多晶硅及硅化物在IC中的应用
大规模集成电路与多层互连工艺
天津工业大学
IC中金属的分类
金属化：金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 MOSFET栅电极材料 （重掺杂多晶硅） IC 中 的 金 属 互连材料
天津工业大学
互连引线的延迟时间： RC常数： R=(ρl)/(ωtm)
Cu作为互连材料的工艺流 程： ——Dual Damascene 双大马士革工艺
C=(εωl)/tox
RC=(ρεl2)/(tm tox)
天津工业大学
双大马士革（ Dual Damascene ）工艺流程
预清洗 Biblioteka 蚀沟槽或通孔 PVD淀积阻挡层（Ta或者TaN） PVD或者CVD淀积铜籽晶层 电化学镀制备铜体相层，填满通孔或沟槽
（常用金属及金属合金）
接触材料 （金属硅化物）
天津工业大学
IC中的金属
天津工业大学
IC中的金属
天津工业大学
§9.1 集成电路对金属化材料的要求
与n+，p+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，能提供低 阻互连引线，以提高电路速度 长时期在较高电流密度负荷下，抗电迁移能力要好 与绝缘体有良好的附着性 耐腐蚀
金属化与多层互连
②Si在Al中扩散：Si在Al薄膜中的扩散比 在晶体Al中大40倍。
③Al与SiO2反应：3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3
好处：降低Al/Si欧姆接触电阻；
改善Al与SiO2的粘附性。
9.2.3 Al/Si接触的尖楔现象
图9.3 Al-Si接触引线工艺
T=500℃，t=30min.， A=16μm2，W=5μm， d=1μm，消耗Si层厚度
①在低K介质层上刻蚀出Cu互连线用的沟槽； ②CVD淀积一层薄的金属势垒层：防止Cu的扩散； ③溅射淀积Cu的籽晶层：电镀或化学镀Cu需要； ④沟槽和通孔淀积Cu：电镀或化学镀； ⑤400℃下退火； ⑥Cu的CMP。
铜金属化（Copper Metallization）
9.4 多晶硅及硅化物
多晶硅：CMOS多晶硅 栅、局域互连线；
RC常数：表征互连线延迟，即 RC l 。
t m t ox ρ-互连线电阻率，l-互连线长度，ε-介质层介电常数
①低ρ的互连线：Cu，ρ=1.72μΩcm； （Al，ρ=2.82μΩcm）
②低K （ε）的介质材料： ε<3.5
Cu互连工艺的关键
①Cu的淀积：不能采用传统的Al互连布线工艺。 （没有适合Cu的传统刻蚀工艺）
Z=0.35μm。 （相当于VLSI的结深） ∵Si非均匀消耗， ∴实际上，A*<<A，即
Z*>>Z，故 Al形成尖楔
尖楔现象
机理：Si在Al中的溶解度及快速 扩散，使Al像尖钉一样楔进Si衬 底；
深度：超过1μm； 特点： <111>衬底：横向扩展 <100> 衬底：纵向扩展 MOS器件突出。 改善：Al中加1wt％-4wt％的过
(s)第九章 金属化与多层互连
9.2.3 Al/Si接触中的尖楔现象
图9.3 Al-Si接触引线工艺 T=500℃，t=30min.， A=4.4μm2，W=5μm， d=1μm，则 消耗Si层厚度Z=0.3μm。 ∵Si非均匀消耗， ∴实际上，A*<<A，即 Z*>>Z，故 Al形成尖楔
尖楔现象
机理： Si在Al中的溶解度及 快速扩散。 特点： <111>衬底：横向扩展 <100> 衬底：纵向扩展 MOS器件突出。
9.3 Cu及低K介质
问题的引出： 互连线延迟随器件尺寸的缩小 而增加；亚微米尺寸，互连延迟 大于栅（门）延迟。 l 2 RC 如何降低RC常数——表征互连线延迟，即 tmtox ρ-互连线电阻率，l-互连线长度，ε-介质层介电常数 tm-引线厚度，tox-互连线下介质层厚度。 ①低ρ的互连线：Cu，ρ=1.72μΩcm； （Al，ρ=2.82μΩcm） ②低K （ε）的介质材料： ε<3.5
9.4.3 多晶硅互连及其局限性
l 2 ox 互连延迟时间常数RC：RC Rs tox
Rs、 l- -互连线方块电阻和长度， εox、tox-多晶硅互连线下面介质层的介电常数和厚度； 局限性：电阻率过高；
9.5 VLSI与多层互连
多层互连的提出： 互连线面积占主要； 时延常数RC占主要。 9.5.1 多层互连对VLSI的意义 1.使集成密度大大增加，集成度提高； 2.使单位芯片面积上可用的互连线面积大大增加； 3.降低互连延迟： ①有效降低了互连线长度； ②使所有互连线接近于平均长度； ③降低连线总电容随连线间隔缩小而增加的效应； ④减少了连线间的干扰，提高了频率； ⑤加快了整个系统工作速度。 4. 降低成本 （目前Cu互连可高达10层）
chap9-10解析
14
• （1）了解电迁移现象的物理机制
• （2）中值失效时间概念
• （3）改进电迁移的方法
•
结构的影响和“竹状”结构的选择；
•
AL-Cu合金(在Al中加入0.5～4％的Cu可
以降低铝原子在晶间的扩散系数。但同时电阻
率会增加！)和AL-Si-Cu合金；
•
三层夹心结构。
15
9.3 铜及低K介质
• 降低互连线延迟时间重要方法之一：使用
➢可以通过掺杂改变MS。如n-poly可以使VT下降1.1 V，
既工业界常用的双多晶栅dual-poly（n & p）工艺。 ➢多晶栅自对准技术，可以进一步提高集成度。
22
多晶硅栅自对准技术
23
LDD(Lightly Doped Drain)＋spacer 多晶硅自对准技术
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术， LDD结构是 用来降低MOS管源端和漏端在沟道的电场分布，以克服热载流子效应所造成的 I-V特性因长时间作用而漂移的问题。但是LDD结构在导电沟道两段的深度只有 20nm，这等于在源极和漏极 的两端形成了两个尖端，尖端放电现象即静电放电 (ESD) 便容易发生在LDD结构上，从而造成这种结构的抗静电能力较低。
接成为具有一定功能的电路模块。 • 接触材料：直接与半导体材料接触的材料，以及
提供与外部相连的连接点。 • 金属材料：除了常见AL、CU、Pt、W等以外，
还包括重掺杂多晶硅、金属硅化金属合金等金属 性材料。
3
9.1 集成电路对金属化材料特性的要求
对IC金属化系统的主要要求
电学、机械、热学、热力学及化学
26
金属硅化物作为接触材料
特点：类金属，低电阻率（<0.01多晶硅），高温
金属化与多层互连解析
集成电路对金属化材料特性的要求
１．能与硅基形成低阻的欧姆接触． ２．长时期在较高电流密度负荷下，金属材料的抗电迁移
性能要好． ３．与绝缘体有良好的附着性． ４．耐腐蚀 ５．易于淀积和刻蚀 ６．易于键合，而且键合点能长期工作 ７．多层互连要求层与层间绝缘性好，层间不发生互相渗
透和扩散．
（2）溅射：溅射需要在真空系统中充入一定的惰性气体Ar， 这样在高压电场的作用下，由于气体放电形成离子，这些离 子在强电场作用下被加速，然后轰击靶材料，使其原子逸出 并被溅射到晶片上，形成金属膜。 采用这种方法可以淀积各种合金和难熔技术薄层，利用磁控 溅射所需要的电压比电子束蒸发要小一个数量级，产生的辐 射较小，磁控溅射是目前集成电路工艺中广泛采用的形成技
电阻） 机械特性 总的应力体现为两种情形：张应力和压应力 总应力造成的因素： 固有应力（由淀积生长条件决定，如晶格失配，结构，缺
陷，表面效应．．．） 热应力（衬底和薄膜热膨胀系数不同，生长温度与使用温
度不同）
金属材料的常规特性
危害：对互连体系可靠性产生严重影响，导致互连线出现 空洞，互连材料的电迁移
晶格结构和外延生长特性的影响
外延生长的单晶膜具有理想的特性． 影响单晶膜生长的因素： ✓ 薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度 ✓ 界面附着稳定程度 ✓ 薄膜晶化生长稳定性 ✓ 淀积条件 ✓ 材料纯净度 ✓ 后续工艺处理的影响
晶格常数失配因子
薄膜和衬底材料晶格结构匹配程度
量化表征:晶格常数失配因子( )
Al与SiO2的反应
4Al+ 3SiO2
3Si+2Al2O3
吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻
改善与SiO2 的黏附性
尖楔现象
原因： 当铝硅形成接触孔时，由于硅在铝中有可观溶解度，在接触
集成电路工艺第九章金属化工艺
Silicide
• Much lower resistivity than polysilicon
• TiSi2, WSi2, and CoSi2 are commonly used Silicide、Salicide和Polycide
这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅 化物来降低多晶硅上的连接电阻。但生成的工艺是 不一样的。
电阻减少，很好的界面，适合应用于短沟道器件。
• 实现过程： • 1.自对准多晶硅生成，。 • 2.绝缘介质沉积，RIE刻蚀形成侧墙。 • 3.S/D区形成 • 4.磁控溅镀一层金属在整个晶片的表面 • 5.低温快速热退火，使淀积的金属膜与源漏极的硅和栅极的
多晶硅反应，而形成金属硅化物 • 6. 未参加反应的金属用湿法刻蚀加以去除。 • 7.高温快速热退火，形成高电导的金属硅化区。
• “填充薄膜”：是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层 之间形成电连接。
• 层间介质（ILD:Inner Layer Dielectric ）：是绝缘材
料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被 光刻刻蚀成图形，以便为各金属层之间形成通路。用金属 （通常是钨 W）填充通孔，形成通孔填充薄膜。
• 优点在于：低的电阻，热稳定性好，好的化学稳定性，能 与硅形成均匀一致的界面。
• 实现： • 1.多晶硅的沉积和掺杂，PVD或者CVD沉积。 • 2.金属硅化物沉积，PVD或者CVD沉积。 • 3.热退火。 • 4.栅掩模光刻 • 5.RIE刻蚀 • 6. S/D离子注入
• Salicide（Self Aligned Silicide）是自对准硅化物的简称。 • 优点在于：1.自对准。2.s/d区寄生电阻大大减少3.栅层互联
• 铝虽然电阻率比钨低，但溅射的铝不能填充 具有高深宽比的通孔，基于这个原因，铝被 用作互连材料，钨被限于做填充材料。
金属化与多层互连
改进电迁移的方法
• 结构的影响和“竹状”结构的选择 晶粒大小对MTF有影响，多晶铝的优选晶向也会影响MTF值。 电子束蒸发的铝薄膜（晶粒的优选晶向为〈111〉晶向），其 MTF值比溅射的铝薄膜大2～3倍（溅射的铝薄膜更加无序）。 MTF随铝线宽度的减小和长度的增加而降低。具有“竹状”结 构的铝引线（P277图9.7），组成多晶体的晶粒从下而上贯穿 引线截面，晶粒间界垂直于电流方向，晶粒间界的扩散不起作 用，可以使MTF提高二个数量级。 MTF • Al－Cu合金和Al－Si－Cu合金 在Al中加入Cu、Ni、Cr、Mg等，这些杂质在铝晶界分凝降低 了Al原子在Al晶界的扩散系数，提高MTF一个数量级，但电阻 率增加。 • 三层夹心结构 在二层Al薄膜之间增加一个约500A的过渡金属层（Ti、Hf、 Cr、Ta等），400℃退火1小时后在二层铝引线间形成金属化 合物，是很好的铝扩散阻挡层，减小旅原子的迁移率，防止空 洞和小丘的形成。可以提高MTF2~3个数量级。
互连引线的延迟时间
• 随着器件尺寸的减小，降低互连线延迟时间十分 重要。表征互连引线延迟时间的物理量是RC常数， R为引线的电阻、C为互连系统的电容 • R与互连材料电阻率ρ、连线长度L和截面积wtm有 关（w为引线宽度，tm为引线的厚度）。R= （ρL） / （ wtm） • 互连系统的电容与互连引线几何尺寸及互连引线 下面介质层的介电常数ε和厚度tax有关。C=(εwL)/ tax • RC= (ρεL2)/(tm tax) • 从上式可以看出，采用低电阻率的互连材料及低 介电常数的介质材料可以有效地降低互连系统的 延迟时间。
电学特性
电学特性：电阻率、电阻率的温度系数 （TCR）、功函数、与半导体接触的肖特 基势垒高度（不同材料的电学特性参见P342附录6） 对接触金属材料和栅电极材料，其功函数、 与半导体接触的肖特基势垒高度、接触电 阻是非常重要的参数。
《金属化与多层互连》课件
刻蚀
去除多余的金属，形成所需的电路和元件结 构。
沉积
通过物理或化学方法在基材表面形成金属薄 膜。
检测与修复
检查金属化质量，对缺陷进行修复。
金属薄膜制备技术
物理气相沉积（PVD）
利用物理方法将金属原子或分子沉积 在基材表面。
化学气相沉积（CVD）
利用化学反应将金属化合物沉积在基 材面，再通过热分解得到金属薄膜 。
THANKS
节能减排
优化生产工艺，降低能耗和减少废弃 物排放，实现绿色制造和可持续发展 。
智能制造与数字化转型
智能监控与检测
利用传感器、机器视觉等技术实现生产过程的实时监控和检测，提高产品质量和生产效率。
数字化转型
推动金属化与多层互连产业的数字化转型，实现生产数据的实时采集、分析和优化，提升企业核心竞争力。
感谢观看
《金属化与多层互连 》PPT课件
• 金属化与多层互连概述 • 金属化材料与技术 • 多层互连结构与设计 • 金属化与多层互连的挑战与解决
方案 • 金属化与多层互连的未来发展
目录
01
金属化与多层互连概述
定义与特点
定义
金属化与多层互连是指在电子设备中，通过金属材料和多层互联结构实现电子 元器件之间的连接。
电性能问题
总结词
金属化与多层互连的电性能问题主要表现在信号传输延迟、噪声干扰和电磁干扰等方面。
详细描述
随着电子设备工作频率的不断提高，信号传输延迟、噪声干扰和电磁干扰等问题愈发突出。需要优化 金属化与多层互连的结构和材料，以减小信号传输延迟、降低噪声和电磁干扰，提高电子设备的性能 。
制程技术挑战
总结词
金属化与多层互连的制程技术挑战主要表现在高精度加工、高密度集成以及异种材料连 接等方面。
去除多余的金属，形成所需的电路和元件结 构。
沉积
通过物理或化学方法在基材表面形成金属薄 膜。
检测与修复
检查金属化质量，对缺陷进行修复。
金属薄膜制备技术
物理气相沉积（PVD）
利用物理方法将金属原子或分子沉积 在基材表面。
化学气相沉积（CVD）
利用化学反应将金属化合物沉积在基 材面，再通过热分解得到金属薄膜 。
THANKS
节能减排
优化生产工艺，降低能耗和减少废弃 物排放，实现绿色制造和可持续发展 。
智能制造与数字化转型
智能监控与检测
利用传感器、机器视觉等技术实现生产过程的实时监控和检测，提高产品质量和生产效率。
数字化转型
推动金属化与多层互连产业的数字化转型，实现生产数据的实时采集、分析和优化，提升企业核心竞争力。
感谢观看
《金属化与多层互连 》PPT课件
• 金属化与多层互连概述 • 金属化材料与技术 • 多层互连结构与设计 • 金属化与多层互连的挑战与解决
方案 • 金属化与多层互连的未来发展
目录
01
金属化与多层互连概述
定义与特点
定义
金属化与多层互连是指在电子设备中，通过金属材料和多层互联结构实现电子 元器件之间的连接。
电性能问题
总结词
金属化与多层互连的电性能问题主要表现在信号传输延迟、噪声干扰和电磁干扰等方面。
详细描述
随着电子设备工作频率的不断提高，信号传输延迟、噪声干扰和电磁干扰等问题愈发突出。需要优化 金属化与多层互连的结构和材料，以减小信号传输延迟、降低噪声和电磁干扰，提高电子设备的性能 。
制程技术挑战
总结词
金属化与多层互连的制程技术挑战主要表现在高精度加工、高密度集成以及异种材料连 接等方面。
金属化与多层互连
微电子工艺 电信学院微电子教研室
用于铜互连结构的阻挡层：提高欧姆接触可靠性更有效 的方法是用阻挡层金属化，这种方法可消除诸如浅结材 料刻蚀或结尖刺的问题。阻挡层金属是淀积金属或金属 塞，作用是阻止层上下的材料互相混合（见下图）。其 厚度对0.25µm工艺来说为100nm；对0.35µm工艺来说 为400～600nm。
金属铝
在半导体制造业中，最早的互连金属是铝， 目前在VLSI以下的工艺中仍然是最普通的互连金 属。在21世纪制造高性能IC工艺中，铜互连金属 有望取代铝。然而，由于基本工艺中铝互连金属 的普遍性， 所以选择铝金属化的背景是有益的。 铝在20℃时具有2.65µΩ-cm的低电阻率，比 铜、金及银的电阻率稍高。然而铜和银都比较容 易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些 都阻止它们被用于半导体制造。另一方面，铝能 够很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝（ AL2O3 ），这促进了氧化硅和铝之间的附着。还 有铝容易淀积在硅片上。基于这些原因。铝仍然 作为首先的金属应用于金属化。
电信学院微电子教研室
微电子工艺
引 言
芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片 上淀积导电金属膜的过程。这一过程与介质的淀积 紧密相关，金属线在IC电路中传输信号，介质层则 保证信号不受邻近金属线的影响。 金属化对不同金属连接有专门的术语名称。互 连（interconnect）意指由导电材料（铝、多晶硅或 铜）制成的连线将信号传输到芯片的不同部分。互 连也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属 连接。接触（contact）意指硅芯片内的器件与第一 层金属之间在硅表面的连接。通孔（via）是穿过 各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层之间 形成电通路的开口。“填充薄膜”是指用金属薄膜填 充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。
用于铜互连结构的阻挡层：提高欧姆接触可靠性更有效 的方法是用阻挡层金属化，这种方法可消除诸如浅结材 料刻蚀或结尖刺的问题。阻挡层金属是淀积金属或金属 塞，作用是阻止层上下的材料互相混合（见下图）。其 厚度对0.25µm工艺来说为100nm；对0.35µm工艺来说 为400～600nm。
金属铝
在半导体制造业中，最早的互连金属是铝， 目前在VLSI以下的工艺中仍然是最普通的互连金 属。在21世纪制造高性能IC工艺中，铜互连金属 有望取代铝。然而，由于基本工艺中铝互连金属 的普遍性， 所以选择铝金属化的背景是有益的。 铝在20℃时具有2.65µΩ-cm的低电阻率，比 铜、金及银的电阻率稍高。然而铜和银都比较容 易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些 都阻止它们被用于半导体制造。另一方面，铝能 够很容易和二氧化硅反应，加热形成氧化铝（ AL2O3 ），这促进了氧化硅和铝之间的附着。还 有铝容易淀积在硅片上。基于这些原因。铝仍然 作为首先的金属应用于金属化。
电信学院微电子教研室
微电子工艺
引 言
芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片 上淀积导电金属膜的过程。这一过程与介质的淀积 紧密相关，金属线在IC电路中传输信号，介质层则 保证信号不受邻近金属线的影响。 金属化对不同金属连接有专门的术语名称。互 连（interconnect）意指由导电材料（铝、多晶硅或 铜）制成的连线将信号传输到芯片的不同部分。互 连也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属 连接。接触（contact）意指硅芯片内的器件与第一 层金属之间在硅表面的连接。通孔（via）是穿过 各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层之间 形成电通路的开口。“填充薄膜”是指用金属薄膜填 充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。
第9章 金属化与多层互连
铝与掺杂多晶硅接触时，无重组现象。 对于重磷或重砷掺杂的多晶硅，磷或砷在多晶硅晶粒 间界分凝，使晶粒间界中的硅原子自由能减小，降低在铝 中的溶解度。故在淀积铝膜前一般先淀积一层重掺杂磷或 砷的多晶硅，提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了 尖楔现象。
铝-阻挡层结构
在铝与硅之间淀积一层薄的金属层，替代重磷掺杂 多晶硅层，阻止铝与硅之间的相互作用，从而限制尖楔 问题。这层金属称为阻挡层。 对阻挡层的要求 如果希望阻挡层本身又作为欧姆接触材料时，则 要求能与硅表面自然氧化层作用，破坏薄氧化层，且 与硅有很好的附着作用和低的欧姆接触电阻。一般采 用硅化物作为接触材料，阻挡层可采用TiN,TaN,WN。
三、机械特性 多层薄膜体系中通常有应力存在，总应力可分为固有应 力和热应力两部分。 固有应力：由淀积生长条件决定，如晶格失配，结构， 缺陷，表面效应（表面张力）等。
热应力：由于衬底和薄膜热膨胀系数不同，生长温 度与使用温度不同而造成的。
集成电路对金属化 材料特性的要求
应力造成的危害
对互连体系可靠性产生严重影响，导致互连线出现空洞，互连 材料的电迁移也与应力的存在有关。
使用低k材料作为介质层，减小了分布电容，对降低互 连线延迟时间同样起到重要的作用。
互连引线的延迟时间
互连引线的电阻R与互连材料的电阻率ρ、连线长 度l、引线宽度w、引线厚度tm有关，关系如下：
R l wtm
互连系统的电容C与互连引线的几何尺寸以及互连 引线下面介质层的介电常数ε 和引线厚度tox有关，关系 如下： wl
低K介质材料和淀积技术
Al-Si接触的改进
铝-硅合金金属化引线 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构
铝-阻挡层结构
其它方法 减小铝体积,采用Al/阻挡层/Al-Si-Cu 降低Si在Al中的扩散系数
铝-阻挡层结构
在铝与硅之间淀积一层薄的金属层，替代重磷掺杂 多晶硅层，阻止铝与硅之间的相互作用，从而限制尖楔 问题。这层金属称为阻挡层。 对阻挡层的要求 如果希望阻挡层本身又作为欧姆接触材料时，则 要求能与硅表面自然氧化层作用，破坏薄氧化层，且 与硅有很好的附着作用和低的欧姆接触电阻。一般采 用硅化物作为接触材料，阻挡层可采用TiN,TaN,WN。
三、机械特性 多层薄膜体系中通常有应力存在，总应力可分为固有应 力和热应力两部分。 固有应力：由淀积生长条件决定，如晶格失配，结构， 缺陷，表面效应（表面张力）等。
热应力：由于衬底和薄膜热膨胀系数不同，生长温 度与使用温度不同而造成的。
集成电路对金属化 材料特性的要求
应力造成的危害
对互连体系可靠性产生严重影响，导致互连线出现空洞，互连 材料的电迁移也与应力的存在有关。
使用低k材料作为介质层，减小了分布电容，对降低互 连线延迟时间同样起到重要的作用。
互连引线的延迟时间
互连引线的电阻R与互连材料的电阻率ρ、连线长 度l、引线宽度w、引线厚度tm有关，关系如下：
R l wtm
互连系统的电容C与互连引线的几何尺寸以及互连 引线下面介质层的介电常数ε 和引线厚度tox有关，关系 如下： wl
低K介质材料和淀积技术
Al-Si接触的改进
铝-硅合金金属化引线 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构
铝-阻挡层结构
其它方法 减小铝体积,采用Al/阻挡层/Al-Si-Cu 降低Si在Al中的扩散系数
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▪ 薄氧(尖楔较浅） ▪ 厚氧(尖楔较深）
❖ 衬底晶向
▪ 〈111〉：横向扩展 、双极集成电路 ▪ 〈100〉：垂直扩展 、pn结短路 、MOS集成电路
（尖楔现象严重）
Al/Si接触的改进
❖Al/Si接触的改进方法： ▪ 铝-硅合金金属化引线 ▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 ▪ 铝-阻挡层结构
铝-硅合金金属化引线-第1种解决方案
铝硅互溶
❖Si在Al中的扩散系数
▪ 在一定的退火温度下，退火时间为ta时，Si原 子的扩散距离为
LSi Dta
其中D为扩散系数
Al与SiO2的反应
❖Al与SiO2的反应 4Al+ 3SiO2 → 3Si+2Al2O3
▪ 吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻 ▪ 改善Al引线与下面SiO2 的黏附性
改进电迁移的方法-第2种方法
❖ 铝-铜合金和铝-硅-铜合金 ▪ Al- Si（ 1%~2%）-Cu（4%） • 杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在 铝晶界的扩散系数，从而使MTF提高一个数 量级。 ▪ 缺点:
• 增大了电阻率 • 不易刻蚀、易受Cl2腐蚀
改进电迁移的方法-第3种方法
❖ 三层夹心结构 ▪ 可以在两次铝之间增加大约500A厚的过渡金属 层。这三层金属通过400℃退火1小时后，在两 层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿 越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的 扩散系数，使MTF提高2~3个数量级。
❖ 铝硅互溶 ❖ Al与SiO2的反应
铝硅互溶
❖铝硅相图
▪ 相图表示两种组分与温度的关系
• Al-Si系具有低共熔特性 • Al-Si系的共熔温度为577℃，相应的组分配比为Si占
11.3%，Al占88.7% • 淀积Al时Si衬底的温度不得高于577 ℃
▪ 插图表示Si在Al中的固熔度
• 400 ℃时，Si在Al中的固熔度为0.25%（重量比） • Al在Si中的溶解度低，Si在Al中的溶解度较高。 • 故退火时， 有相当可观的Si原子会溶到Al中
求有一个扩散阻挡层。
集成电路对金属化材料特性的要求
❖ 晶格结构和外延生长的影响 ▪ 薄膜的晶格结构决定其特性
❖ 电学特性 ▪ 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等
❖ 机械特性、热力学特性以及化学特性
பைடு நூலகம் 铝在集成电路中的应用
❖ Al的优点：
▪ 电阻率低 Al2.7cm
▪ 与n+,p +硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触
金属材料的应用
❖金属材料的用途及要求：
▪ 接触材料 • 良好的金属/半导体接触特性（好的界面性和 稳定性，接触电阻小，在半导体材料中的扩 散系数小） • 后续加工工序中的稳定性； • 保证器件不失效 • Al • 硅化物（PtSi、CoSi）
集成电路对金属化材料特性的要求
❖基本要求：
▪ 1 低阻的欧姆接触，低阻的互连引线 ▪ 2 抗电迁移性能好 ▪ 3 附着性好 ▪ 4 耐腐蚀 ▪ 5 易淀积和刻蚀 ▪ 6 易键合 ▪ 7 互连层绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散，要
▪ 提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了尖 楔现象
▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构成功应用于 nMOS工艺中。
铝-阻挡层结构-第3种解决方案
❖ 可在铝、硅之间淀积一层薄金属层，代替重磷掺 杂多晶硅，称该薄金属层为阻挡层。一般用硅化 物代替金属，因为硅化物可以和硅表面的氧化层 发生反应，从而与硅有很好的附着作用和低的欧 姆接触电阻。
Al/Si接触中的尖楔现象
Al/Si接触中的尖楔现象
Al/Si接触中的尖楔现象
❖ Si溶解与Al中，消耗的Si体积为：
V2 D(twd)SnAl nSi
❖ 假定Si在接触孔面积A内是均匀消耗的，则 消耗掉的Si层的厚度为：
Z2 D(twd)SnAl
A
nS i
影响尖楔因素
❖ Al-Si界面的氧化层的厚度
电迁移现象
❖ 在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原 子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就 是电迁移(EM)。 ▪ 本质是导体原子与通过该导体的电子流互相作 用，对于铝就是铝原子沿着晶粒间界的扩散。
❖ 结果： ▪ 一个方向形成空洞，使互连引线开路或断开。 ▪ 另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘， 造成光刻困难以及多层布线之间的短路。
中值失效时间
❖ 表征电迁移现象的物理量是互连引线的中值失效 时间MTF（Median Time to Failure），即50%互 连引线失效的时间。
改进电迁移的方法-第1种方法
❖结构的选择
▪ 采用竹状结构的铝引线，组成多晶硅的晶粒从 下而上贯穿引线截面，晶粒间界垂直电流方向， 所以晶粒间界的扩散不起作用，铝原子在铝薄 膜中的扩散系数和单晶体相似，从而可使MTF 值提高二个数量级。
❖ 用Al-Si合金代替纯铝作为接触和互连材料。 ❖ 可消弱尖楔问题，却引起新的问题
▪ 硅的分凝问题——在较高合金退火温度下溶解 在Al中的Si，在冷却过程中又从Al中析出。
• 未溶解的硅形成一个个硅单晶节瘤 • 欧姆接触电阻变大，引线键合困难
双层金属化-第2种解决方案
❖ 铝-重掺杂多晶硅（P,As） • 在淀积铝膜前一般先淀积一层重P（As）掺 杂多晶硅
Chap 9 金属化与多层互连
❖ 金属化 ▪ 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 ▪ 金属化的作用
• 将有源元件按设计的要求联结起来形成一个完整的 电路和系统
• 提供与外电源相连接的接点
▪ 互连和金属化不仅占去了相当的芯片面积，而 且往往是限制电路速度的主要矛盾之所在。
金属材料的应用
❖金属材料的用途及要求： ▪ 栅电极
R1 06/cm 2
▪ 与硅和BPSG有良好的附着性 ▪ 易于淀积和刻蚀
❖故成为最常用互连金属材料
金属铝膜的制备方法（PVD）
❖ 真空蒸发法（电子束蒸发） ▪ 利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之 蒸发淀积在硅片表面
❖ 溅射法 ▪ 射频、磁控溅射 ▪ 污染小，淀积速率快，均匀性，台阶覆盖性好
Al/Si接触中的现象
• 与栅氧化层之间有良好的界面特性和稳定性 • 合适的功函数，满足NMOS和PMOS阈值电压
对称的要求 • 多晶硅的优点
– 可以通过改变掺杂的类型和浓度来调节功函数 – 与栅氧化层有很好的界面特性 – 多晶硅栅工艺具有源漏自对准的特点
金属材料的应用
❖金属材料的用途及要求： ▪ 互连材料
• 电阻率小 • 易于淀积和刻蚀 • 好的抗电迁移特性 • Al • Cu
❖ 衬底晶向
▪ 〈111〉：横向扩展 、双极集成电路 ▪ 〈100〉：垂直扩展 、pn结短路 、MOS集成电路
（尖楔现象严重）
Al/Si接触的改进
❖Al/Si接触的改进方法： ▪ 铝-硅合金金属化引线 ▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构 ▪ 铝-阻挡层结构
铝-硅合金金属化引线-第1种解决方案
铝硅互溶
❖Si在Al中的扩散系数
▪ 在一定的退火温度下，退火时间为ta时，Si原 子的扩散距离为
LSi Dta
其中D为扩散系数
Al与SiO2的反应
❖Al与SiO2的反应 4Al+ 3SiO2 → 3Si+2Al2O3
▪ 吃掉Si表面的SiO2 ，降低接触电阻 ▪ 改善Al引线与下面SiO2 的黏附性
改进电迁移的方法-第2种方法
❖ 铝-铜合金和铝-硅-铜合金 ▪ Al- Si（ 1%~2%）-Cu（4%） • 杂质在铝晶粒晶界分凝，可以降低铝原子在 铝晶界的扩散系数，从而使MTF提高一个数 量级。 ▪ 缺点:
• 增大了电阻率 • 不易刻蚀、易受Cl2腐蚀
改进电迁移的方法-第3种方法
❖ 三层夹心结构 ▪ 可以在两次铝之间增加大约500A厚的过渡金属 层。这三层金属通过400℃退火1小时后，在两 层铝之间形成金属间化合物，可以防止空洞穿 越整个金属引线，也可以降低铝在晶粒间界的 扩散系数，使MTF提高2~3个数量级。
❖ 铝硅互溶 ❖ Al与SiO2的反应
铝硅互溶
❖铝硅相图
▪ 相图表示两种组分与温度的关系
• Al-Si系具有低共熔特性 • Al-Si系的共熔温度为577℃，相应的组分配比为Si占
11.3%，Al占88.7% • 淀积Al时Si衬底的温度不得高于577 ℃
▪ 插图表示Si在Al中的固熔度
• 400 ℃时，Si在Al中的固熔度为0.25%（重量比） • Al在Si中的溶解度低，Si在Al中的溶解度较高。 • 故退火时， 有相当可观的Si原子会溶到Al中
求有一个扩散阻挡层。
集成电路对金属化材料特性的要求
❖ 晶格结构和外延生长的影响 ▪ 薄膜的晶格结构决定其特性
❖ 电学特性 ▪ 电阻率、TCR、功函数、肖特基势垒高度等
❖ 机械特性、热力学特性以及化学特性
பைடு நூலகம் 铝在集成电路中的应用
❖ Al的优点：
▪ 电阻率低 Al2.7cm
▪ 与n+,p +硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触
金属材料的应用
❖金属材料的用途及要求：
▪ 接触材料 • 良好的金属/半导体接触特性（好的界面性和 稳定性，接触电阻小，在半导体材料中的扩 散系数小） • 后续加工工序中的稳定性； • 保证器件不失效 • Al • 硅化物（PtSi、CoSi）
集成电路对金属化材料特性的要求
❖基本要求：
▪ 1 低阻的欧姆接触，低阻的互连引线 ▪ 2 抗电迁移性能好 ▪ 3 附着性好 ▪ 4 耐腐蚀 ▪ 5 易淀积和刻蚀 ▪ 6 易键合 ▪ 7 互连层绝缘性好，层间不发生互相渗透和扩散，要
▪ 提供溶解于铝中所需的硅原子，从而抑制了尖 楔现象
▪ 铝-掺杂多晶硅双层金属化结构成功应用于 nMOS工艺中。
铝-阻挡层结构-第3种解决方案
❖ 可在铝、硅之间淀积一层薄金属层，代替重磷掺 杂多晶硅，称该薄金属层为阻挡层。一般用硅化 物代替金属，因为硅化物可以和硅表面的氧化层 发生反应，从而与硅有很好的附着作用和低的欧 姆接触电阻。
Al/Si接触中的尖楔现象
Al/Si接触中的尖楔现象
Al/Si接触中的尖楔现象
❖ Si溶解与Al中，消耗的Si体积为：
V2 D(twd)SnAl nSi
❖ 假定Si在接触孔面积A内是均匀消耗的，则 消耗掉的Si层的厚度为：
Z2 D(twd)SnAl
A
nS i
影响尖楔因素
❖ Al-Si界面的氧化层的厚度
电迁移现象
❖ 在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原 子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就 是电迁移(EM)。 ▪ 本质是导体原子与通过该导体的电子流互相作 用，对于铝就是铝原子沿着晶粒间界的扩散。
❖ 结果： ▪ 一个方向形成空洞，使互连引线开路或断开。 ▪ 另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘， 造成光刻困难以及多层布线之间的短路。
中值失效时间
❖ 表征电迁移现象的物理量是互连引线的中值失效 时间MTF（Median Time to Failure），即50%互 连引线失效的时间。
改进电迁移的方法-第1种方法
❖结构的选择
▪ 采用竹状结构的铝引线，组成多晶硅的晶粒从 下而上贯穿引线截面，晶粒间界垂直电流方向， 所以晶粒间界的扩散不起作用，铝原子在铝薄 膜中的扩散系数和单晶体相似，从而可使MTF 值提高二个数量级。
❖ 用Al-Si合金代替纯铝作为接触和互连材料。 ❖ 可消弱尖楔问题，却引起新的问题
▪ 硅的分凝问题——在较高合金退火温度下溶解 在Al中的Si，在冷却过程中又从Al中析出。
• 未溶解的硅形成一个个硅单晶节瘤 • 欧姆接触电阻变大，引线键合困难
双层金属化-第2种解决方案
❖ 铝-重掺杂多晶硅（P,As） • 在淀积铝膜前一般先淀积一层重P（As）掺 杂多晶硅
Chap 9 金属化与多层互连
❖ 金属化 ▪ 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 ▪ 金属化的作用
• 将有源元件按设计的要求联结起来形成一个完整的 电路和系统
• 提供与外电源相连接的接点
▪ 互连和金属化不仅占去了相当的芯片面积，而 且往往是限制电路速度的主要矛盾之所在。
金属材料的应用
❖金属材料的用途及要求： ▪ 栅电极
R1 06/cm 2
▪ 与硅和BPSG有良好的附着性 ▪ 易于淀积和刻蚀
❖故成为最常用互连金属材料
金属铝膜的制备方法（PVD）
❖ 真空蒸发法（电子束蒸发） ▪ 利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之 蒸发淀积在硅片表面
❖ 溅射法 ▪ 射频、磁控溅射 ▪ 污染小，淀积速率快，均匀性，台阶覆盖性好
Al/Si接触中的现象
• 与栅氧化层之间有良好的界面特性和稳定性 • 合适的功函数，满足NMOS和PMOS阈值电压
对称的要求 • 多晶硅的优点
– 可以通过改变掺杂的类型和浓度来调节功函数 – 与栅氧化层有很好的界面特性 – 多晶硅栅工艺具有源漏自对准的特点
金属材料的应用
❖金属材料的用途及要求： ▪ 互连材料
• 电阻率小 • 易于淀积和刻蚀 • 好的抗电迁移特性 • Al • Cu