模拟电子技能技术总结习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1．1填空题

L半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为曳信号，它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于咽。，交流电阻等于26Q。

L 2单选题

1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

2. PN结形成后，空间电荷区由⑻构成。

A・价电子8.自由电子C.空穴D.杂质离子

3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。

A.减小

B.基本不变

C.增大

4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。

A.增大8.基本不变C.减小

5.变容二极管在电路中主要用作(D)。、

A.整流

B.稳压

C.发光口,可变电容器

1. 3是非题

1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(J)

2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(X)

3.二极管在工作电流大于最大整流电流I时会损坏。(X)

4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(X)

1. 4分析计算题

1.电路如图T1. 1所示，设二极管的导通电压U D =0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。解：

(a)二极管正向导通，所以输出电压U0=(6-o?7)V=5.3V。

(力令二极管断开，可得U P=6V、U N=10V，0U P

(c)令V、V均断开，U =0V, U =6V、U =10V，U —U >Up—U，故V优先导通后，V截止，

1 2 N1 N2 P P N1 N2 1 2

所以输出电压U =0.7V。

2.电路如由T1. 2所示，二极管具有理想特性，已知ui= (sin s t)V，试对应画出u、u、i 的波形。i 0解：输入电压u为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u=0，而流过二极管的电流i =4/R，为半波正弦波，其最大值I =10V/1k C=10mA；当u为负半周时，二极管反偏截止，D i =i0，u0=u为半波正弦波。因此可舒出电压u0电流i的波形如图⑹所示。

3.稳压二极售电路如0图T1. 3所示，已知U =5V，I z=5mA0电压表中流过的电流忽略不计。

试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大？

解：当开关S断开，区支路不通，I =0,此时R与稳压二极管V相串联，因此由图可得

可见稳定二极管处于稳压状态，所以2电压表的读羲为5V。

当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R两端压降为

2

故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R、R构成串联电路，电流表A、 A 的读数相同，即 1 2 1

2而电压表的读数，即R两端压降为3.6V。

第2章半导体三极管及其基本应用

2．1填空题

1.晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有

2种载流子参与导电。

2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。

3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。

4.当温度升高时，晶体管的参数6增大，I CBO增大，导通电压U B减小。

5.某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10P A变化到20 P A时,集电极电流从1mA变为

1.99mA，

则交流电流放大系数B约为99。

6・某晶体管的极限参数Ic M=20mA、P c M=100mW, U㈣°=30V，因此，当工作电压U E=10V时，工作电流I不得超过10mA;当工作电压U CM1V时，I不得超过201^；当工作电流I =2E mA时，U不得超* C CE C C CE

过 30V。

7.场效应管从结构上可分为两大类：结型、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。

8.U 表示夹断电压，I表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。

9.2G单%题DSS

1.某NPN型管电路中，测得U=0V，Uc=—5V，则可知管子工作于（0状态。人.放大B.饱和口截止口・水能确定BC

2.根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（B）。

A. NPN型低频小功率硅晶体管

B. NPN型高频小功率硅晶体管

C.PNP型低频小功率锗晶体管

D. NPN型低频大功率硅晶体管

3.输入（0时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。

A.正弦小信号

B.低频大信号

C.低频小信号口.高频小信号

4.（D）具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN型管和PNP型管

B.增强型场效应管和耗尽型场效应管

C. N沟道场效应管和P沟道场效应管

D.晶体管和场效应管

5.当U G S=0时，⑻管不可能工作在恒流区。

A. JF E T

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

D. NMOS管

6.下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B）。

A. N 沟道 JFET

B.增强"AIPMOS 管

C.耗尽型NMOS管

D.耗尽型PMOS管

2.3是非题

1.可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。（X）

2. MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。（J）

3. EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。（X）

4.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。（J）