专用集成电路工艺实验报告
集成电路制造实习报告
一、实习目的本次集成电路制造实习旨在使我深入了解集成电路的制造过程，掌握集成电路的基本原理和制造技术，提高自己的实践动手能力，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
通过实习，我期望达到以下目标：1. 理解集成电路的基本原理和制造流程。
2. 掌握集成电路制造过程中的关键技术和设备操作。
3. 培养团队协作和解决问题的能力。
4. 增强对集成电路行业的认识，激发对相关领域的兴趣。
二、实习内容1. 理论学习：在实习初期，我通过阅读教材、参考书籍和参加讲座，学习了集成电路的基本原理、制造工艺和行业发展动态。
2. 参观学习：在导师的带领下，我参观了集成电路制造车间，了解了制造过程中的各个工序，如晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、化学气相沉积等。
3. 实践操作：在导师的指导下，我参与了部分制造工艺的实际操作，如光刻、蚀刻、离子注入等，亲身体验了集成电路制造的过程。
4. 设备操作：我学习了半导体制造设备的基本操作，包括光刻机、蚀刻机、离子注入机等，掌握了设备的操作方法和注意事项。
5. 问题解决：在实习过程中，我遇到了一些问题，如设备故障、工艺参数调整等，通过与导师和同事的讨论，我学会了如何分析和解决这些问题。
三、实习总结1. 对集成电路制造过程的理解：通过实习，我对集成电路的制造过程有了更深入的了解，认识到制造过程中各个环节的紧密联系和相互影响。
2. 制造工艺的掌握：在实习过程中，我掌握了光刻、蚀刻、离子注入等关键制造工艺，为今后的学习和工作打下了基础。
3. 设备操作的熟练：通过实际操作，我熟悉了半导体制造设备的基本操作，提高了自己的动手能力。
4. 问题解决能力的提升：在实习过程中，我学会了如何分析和解决实际问题，提高了自己的问题解决能力。
5. 团队协作和沟通能力的增强：在实习过程中，我与同事和导师进行了充分的沟通和交流，提高了自己的团队协作和沟通能力。
四、心得体会1. 理论与实践相结合：通过实习，我深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
集成电路实验日常实训报告
一、实训时间2022年X月X日至2022年X月X日二、实训地点XX大学电子实验室三、实训目的1. 熟悉集成电路的基本原理和实验方法；2. 培养动手能力和实验操作技能；3. 深入了解集成电路的设计与制造过程；4. 提高对电子电路的分析与解决实际问题的能力。
四、实训内容1. 集成电路基本原理及实验（1）半导体材料与器件：了解半导体材料的特性，掌握PN结、二极管、晶体管等基本器件的原理和特性。
（2）集成电路基本电路：学习放大器、稳压器、滤波器等基本电路的设计与实验。
（3）集成电路制造工艺：了解集成电路的制造工艺流程，包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散等。
2. 集成电路设计及实验（1）模拟集成电路设计：学习模拟电路的基本原理，掌握运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法。
（2）数字集成电路设计：学习数字电路的基本原理，掌握逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法。
（3）集成电路版图设计：学习版图设计软件，掌握版图设计的基本规则和技巧。
3. 集成电路制造工艺实验（1）光刻实验：学习光刻原理，掌握光刻机的操作方法和光刻工艺流程。
（2）蚀刻实验：学习蚀刻原理，掌握蚀刻机的操作方法和蚀刻工艺流程。
（3）离子注入实验：学习离子注入原理，掌握离子注入机的操作方法和离子注入工艺流程。
五、实训过程及结果1. 集成电路基本原理及实验在实训过程中，我们学习了半导体材料与器件的基本原理，掌握了PN结、二极管、晶体管等基本器件的特性和应用。
通过实验，我们验证了放大器、稳压器、滤波器等基本电路的性能。
2. 集成电路设计及实验在模拟集成电路设计方面，我们学习了运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
在数字集成电路设计方面，我们掌握了逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
3. 集成电路制造工艺实验在光刻实验中，我们学会了光刻机的操作方法和光刻工艺流程，成功完成了光刻实验。
集成工艺实训报告
一、实训背景随着科技的不断发展，集成电路（IC）产业已成为我国战略性新兴产业的重要组成部分。
为了培养具有实际操作能力和创新精神的高素质技术人才，我国高校纷纷开展集成电路工艺实训课程。
本次实训旨在通过实践操作，使学生掌握集成电路制造的基本工艺流程，提高学生的动手能力和综合素质。
二、实训目的1. 了解集成电路制造的基本工艺流程，包括硅片制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、化学气相沉积、蒸发、抛光等环节。
2. 掌握常用半导体设备和工具的使用方法，如光刻机、蚀刻机、离子注入机、扩散炉、蒸发器、抛光机等。
3. 培养学生的团队合作精神、创新意识和实际操作能力。
4. 提高学生对集成电路产业的认识，激发学生对集成电路研究的兴趣。
三、实训内容1. 硅片制备：了解硅片的生长、切割、抛光等工艺过程，掌握硅片质量检测方法。
2. 光刻工艺：学习光刻机操作、光刻胶制备、光刻工艺参数调整等技能。
3. 蚀刻工艺：掌握蚀刻机操作、蚀刻液配制、蚀刻工艺参数调整等技能。
4. 离子注入：学习离子注入机操作、注入剂量和能量调整、离子注入后晶圆处理等技能。
5. 扩散工艺：了解扩散炉操作、扩散温度和时间控制、扩散后晶圆处理等技能。
6. 化学气相沉积（CVD）工艺：学习CVD设备操作、前驱体选择、生长速率控制等技能。
7. 蒸发工艺：掌握蒸发设备操作、蒸发速率控制、蒸发后晶圆处理等技能。
8. 抛光工艺：了解抛光机操作、抛光液选择、抛光参数调整等技能。
9. 常用半导体设备和工具的使用：熟悉光刻机、蚀刻机、离子注入机、扩散炉、蒸发器、抛光机等设备的基本操作。
四、实训过程1. 理论学习：在实训开始前，教师讲解集成电路制造的基本工艺流程和常用设备的使用方法。
2. 实践操作：学生在教师的指导下，按照工艺流程进行实践操作，掌握各项技能。
3. 案例分析：通过分析实际生产案例，使学生了解集成电路制造过程中的常见问题及解决方法。
4. 总结与交流：实训结束后，学生总结实训过程中的收获，与同学和教师进行交流。
集成电路实验报告
班级：XX姓名：XXX学号：XXXXXX指导老师：XXX实验日期：XXXX年XX月XX日一、实验目的1. 理解集成电路的基本组成和工作原理。
2. 掌握基本的集成电路设计方法，包括原理图设计、版图设计、仿真分析等。
3. 学习使用集成电路设计软件，如Cadence、LTspice等。
4. 通过实验加深对集成电路理论知识的理解，提高动手能力和问题解决能力。
二、实验内容本次实验主要包括以下内容：1. 原理图设计：使用Cadence软件绘制一个简单的CMOS反相器原理图。
2. 版图设计：根据原理图，使用Cadence软件进行版图设计，并生成GDSII文件。
3. 仿真分析：使用LTspice软件对设计的反相器进行仿真分析，测试其性能指标。
4. 版图与原理图匹配：使用Cadence软件进行版图与原理图的匹配，确保设计正确无误。
三、实验步骤1. 原理图设计：- 打开Cadence软件，选择原理图设计模块。
- 根据反相器原理，绘制相应的电路符号，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等。
- 设置各个元件的参数，如晶体管的尺寸、电阻和电容的值等。
- 完成原理图设计后，保存文件。
2. 版图设计：- 打开Cadence软件，选择版图设计模块。
- 根据原理图，绘制晶体管、电阻和电容的版图。
- 设置版图规则，如最小线宽、最小间距等。
- 完成版图设计后，生成GDSII文件。
3. 仿真分析：- 打开LTspice软件，选择仿真模块。
- 将GDSII文件导入LTspice，生成对应的原理图。
- 设置仿真参数，如输入电压、仿真时间等。
- 运行仿真，观察反相器的输出波形、传输特性和功耗等性能指标。
4. 版图与原理图匹配：- 打开Cadence软件，选择版图与原理图匹配模块。
- 将原理图和版图导入匹配模块。
- 进行版图与原理图的匹配，检查是否存在错误或不一致之处。
- 修正错误，确保版图与原理图完全一致。
四、实验结果与分析1. 原理图设计：- 成功绘制了一个简单的CMOS反相器原理图，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等元件。
集成电路工艺试验
工序12：光刻栅孔、刻蚀
第四次光刻（正胶）、刻蚀栅孔
掩膜版 光刻胶 氧化层 P+ P+ N+ P阱区 N+
N型 3英寸<100> Si
工序13：栅氧化（10nm左右二氧化硅干氧 氧化）
栅氧化 氧化层 P+ P+ N+ P阱区 N+
N型 3英寸<100> Si
工序14：光刻接触孔、刻蚀
第五次光刻（正胶）、刻蚀接触孔、去胶 掩膜版 光刻胶 氧化层 P+ P+ N+ P阱区 N+
PMOS管源漏区硼再扩散（氧化） 清洗程序B ，950℃干湿干 tox =250nm ~ 350nm 光刻NMOS管源漏区、刻蚀 NMOS管源漏区磷扩散 光刻栅孔、刻蚀 栅氧化 光刻接触孔、刻蚀 蒸发铝 光刻铝电极、刻蚀铝 芯片测试 清洗程序A 清洗程序E 扩散前清洗程序A，950℃，30分钟 源扩散后清洗程序B 清洗程序E 950℃干氧氧化，tox = 40nm ~ 60nm 清洗程序E 清洗程序C，tAl = 0.5μm ~ 1.0μm 清洗程序E Vtp＝－0.3V～－3.0V ，Vtn＝0.3V～3.0V，BVds≥10V
图D为结深6单元测试图形。在图中共有6个扩散单 元，通过每个间距之间的测试，判别具体的横扩散 距离是以上数字中的哪一个
图E为结深测试2单元图形。在隔离岛扩散过程中，
为了测试扩散结的深度，在扩散处开窗口引出电极，
通过测试就能知道扩散深度是否达到要求
图F为可控硅、横向PNP管。如剖面图所示，A,D,C 构成PNP管，A和B 构成可控硅触发方式
① 第一版——P+隔离版扩散孔光刻
专用集成电路实验报告56
专用集成电路实验报告56
专用集成电路实验报告56
一、实验介绍
本次实验是关于专用集成电路的实验，通过搭建实际电路并进行测试，以加深对专用集成电路原理和应用的理解。
二、实验原理
三、实验过程
1.首先，根据实验要求，选择一个具体的应用场景并找到相关的专用
集成电路芯片。
本次实验选择了一个用于数码相机的图像传感器集成电路。
2.根据芯片手册，获取其引脚定义和使用方法。
了解芯片的输入输出
信号特性，并设计出相应的电路接线。
3.接下来，搭建实际电路。
根据设计图纸，将专用集成电路芯片与其
他电路元器件连接起来，确保连接正确、稳定。
4.完成电路搭建后，对电路进行电气测试。
通过调整电源电压和信号
输入，观察电路的输出波形和电流大小，验证电路的性能和功能。
5.在实验过程中，及时记录实验数据和观察结果。
根据需求，可以对
电路参数、性能和功能进行测试和分析。
四、实验结果
经实验验证，所搭建的专用集成电路电路运行正常，输入信号能够正
确地输出，符合芯片手册的规定。
实验数据和观察结果见附表1
五、实验总结
通过本次实验，我们深入了解了专用集成电路的原理和应用，学习了如何选择合适的芯片、设计电路接线和进行测试分析。
同时，本次实验也加深了我们对电路搭建和调试的理解，培养了我们的动手能力和团队合作意识。
在今后的学习和工作中，我们将更加注重专用集成电路的应用研究和创新，为电子科技的发展做出更大的贡献。
附表1：实验数据和观察结果
...
（请根据实际情况填写实验数据和观察结果）。
集成电路工艺项目实训报告
集成电路工艺项目实训报告目录第一章Silvaco TCAD软件 (2)1.1 Silvaco TCAD软件概述 (2)1.2 Athena工艺仿真流程 (2)1.3 ATLAS器件仿真器概述 (2)第二章NMOS管介绍 (3)2.1 NMOS管的基本结构 (3)2.2 NMOS管的工作原理 (3)2.3 NMOS器件仿真器的基本工艺流程 (3)第三章NMOS实训仿真 (4)3.1 器件仿真剖面图及其参数提取 (4)3.1.1 器件剖面图 (4)3.1.2 抽取器件参数提取 (4)3.2 栅极特性曲线输出以及I/V输出曲线 (6)3.2.1 栅极特性曲线 (6)3.2.2 I/V输出曲线 (6)3.3参数变化对器件的影响 (7)3.3.1改变阱浓度所得器件结构及曲线 (7)3.3.2改变快速热退火温度的影响 (8)3.3.3改变调整阈值电压的注入浓度的影响 (8)3.3.4改变源/漏浓度所得的器件结构及曲线 (10)3.4参数对器件影响实验结论 (11)第四章实训总结 (12)附录：........................................................................................................... .. (13)1.剖面图程序............................................................................................................... . (13)2.输出栅极特性曲线.............................................................................................................163.输出曲线组............................................................................................................... . (17)参考文献............................................................................................................... (18)1第一章Silvaco TCAD软件1.1 Silvaco TCAD软件概述用来模拟半导体器件电学性能，进行半导体工艺流程仿真，还可以与其它EDA工具组合起来使用(比如spice)，进行系统级电学模拟。
集成电路工艺实习报告
实习报告：集成电路工艺实习一、实习目的通过集成电路工艺实习，了解集成电路的生产过程，巩固所学专业知识，提高动手能力和实际操作技能。
同时，熟悉半导体产业的发展现状，认识集成电路制造和封装过程中的关键环节和技术要求。
二、实习内容1. 了解集成电路的基本原理和工艺流程，包括晶圆制造、氧化、光刻、蚀刻、离子注入、金属化等步骤。
2. 学习集成电路的封装技术，包括DIP、SOIC、QFP、BGA等封装形式的优缺点及应用领域。
3. 掌握集成电路的测试方法，了解各种测试设备的作用和测试流程。
4. 参观集成电路生产线，了解实际生产过程中的操作规范和质量控制。
5. 完成集成电路实验项目，提高实际操作能力和解决实际问题的能力。
三、实习过程在实习过程中，我们首先学习了集成电路的基本原理和工艺流程。
通过理论学习和实践操作，我们了解了晶圆制造过程中的各项工序，如氧化、光刻、蚀刻等。
同时，我们还学习了各种封装技术的特点和应用，如DIP、SOIC、QFP、BGA等。
接着，我们学习了集成电路的测试方法，包括功能测试、参数测试等。
我们了解了各种测试设备的作用，如ATE（自动测试设备）、TEM（透射电子显微镜）等。
此外，我们还了解了测试流程和测试规范，提高了测试能力。
在实习期间，我们参观了集成电路生产线，直观地了解了实际生产过程中的操作规范和质量控制。
通过参观，我们认识到生产过程中的每一个环节都至关重要，任何一个环节出现问题都可能导致整个产品的质量受到影响。
最后，我们完成了集成电路实验项目，通过实际操作，提高了动手能力和解决实际问题的能力。
在实验过程中，我们遇到了一些问题，但通过查阅资料、请教老师和同学，最终成功地解决了问题。
四、实习收获通过这次集成电路工艺实习，我们不仅巩固了所学专业知识，还提高了动手能力和实际操作技能。
我们熟悉了半导体产业的发展现状，了解了集成电路制造和封装过程中的关键环节和技术要求。
同时，我们认识到生产过程中的每一个环节都至关重要，增强了质量意识。
集成电路制造生产实习
集成电路制造生产实习报告一．工艺原理1.氧化在集成电路工艺中，氧化是必不可少的一项工艺技术。
自从早期人们发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在SiO2的扩散速度比在Si中的扩散速度慢得多，SiO2膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模，并促进了硅平面工艺的出现。
同时在Si表面生长的SiO2膜不但能与Si有很好的附着性，而且具有非常稳定的化学性质和电绝缘性。
因此SiO2在集成电路中起着极其重要的作用。
在平导体器件生产中常用的SiO2膜的生长方法有:热生长法、化学气相沉积法、阴极溅射法,HF一HNO3气相钝化法、真空蒸发法、外延生长法、阳极氧化法等。
在深亚微米IC 制造中，还发展了快速加热工艺技术。
选择何种方法来生SiO2层与器件的性能有很大关系。
SiO2在器件中可以起到的作用有作为MQS器件的绝缘栅介质；作为选择性掺杂的掩模；作为缓冲层；作为绝缘层；作为保护器件和电路的钝化层等。
Si的氧化过程是一个表面过程，即氧化剂是在硅片表面处与Si原子起反应，当表面已形成的SiO2层阻止了氧化剂与Si的直接接触，氧化剂就必须以扩散的方式穿过SiO2层、到达SiO2一Si界面与Si原子反应，生成新的SiO2层，使SiO2膜不断增厚，同时SiO2一Si界面向Si内部推进.2.扩散在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。
扩散的形式有：替代式扩散和间隙式扩散；恒定表面浓度扩散和再分布扩散。
扩散方式：气态源扩散、液态源扩散、固态源扩散。
扩散方式：气态源扩散、液态源扩散、固态源扩散扩散工艺主要参数：1.结深：结距扩散表面的距离叫结深。
2.薄层电阻3.表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。
.结深：x R js ρ=浓度：][),(21)(20D t x erfc N t x N =（余误差） 费克第一定律：x t x N D t x J ∂∂-=),(),(（扩散粒子流密度，D 粒子的扩散系数）杂质扩散方程（费克第二定律）：22),(),(x t x N D t t x N ∂∂=∂∂ 费克定律的分析解：1.恒定表面浓度扩散，在整个过程中杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度s N 始终保持不变。
集成电路实验报告
集成电路实验报告第一篇：集成电路实验报告集成电路实验报告班级：姓名：学号：指导老师：实验一：反相器的设计及反相器环的分析一、实验目的1、学习及掌握cadence图形输入及仿真方法；2、掌握基本反相器的原理与设计方法；3、掌握反相器电压传输特性曲线VTC的测试方法；4、分析电压传输特性曲线，确定五个关键电压VOH、VOL、VIH、VIL、VTH。
二、实验内容本次实验主要是利用 cadence 软件来设计一基本反相器(inverter)，并利用仿真工具Analog Artist(Spectre)来测试反相器的电压传输特性曲线(VTC，Voltage transfer characteristic curves)，并分析其五个关键电压:输出高电平VOH、输出低电平VOL、输入高电平VIH、输入低电平VIL、阈值电压 VTH。
三、实验步骤1.在cadence环境中绘制的反相器原理图如图所示。
2.在Analog Environment中，对反相器进行瞬态分析(tran)，仿真时间设置为4ns。
其输入输出波形如图所示。
分开查看：分析：反相器的输出波形在由低跳变到高和由高跳变到底时都会出现尖脉冲，而不是直接跳变。
其主要原因是由于MOS管栅极和漏极上存在覆盖电容，在输出信号变化时，由于电容储存的电荷不能发生突变，所以在信号跳变时覆盖电容仍会发生充放电现象，进而产生了如图所示的尖脉冲。
3.测试反相器的电压传输特性曲线，采用的是直流分析(DC),我们把输入信号修改为5V直流电源，如图所示。
4.然后对该直流电源从0V到5V进行线性扫描,进而得到电压传输特性曲线如图所示。
5.为反相器创建symbol，并调用连成反相器环，如图。
6.测量延时，对环形振荡器进行瞬态分析，仿真时间为4ns，bcd 节点的输出波形如图所示。
7.测量上升延时和下降延时。
(1)测量上升延时：可以利用计算器(calculator)delay函数来计算信号c与信号b间的上升延时和下降延时如图所示。
集成电路实习报告(通用6篇)精选全文
可编辑修改精选全文完整版集成电路实习报告艰辛而又充满意义的实习生活又告一段落了，想必都收获了成长和成绩，是时候回头总结这段时间的实习生活了。
你所见过的实习报告应该是什么样的？下面是小编帮大家整理的集成电路实习报告（通用6篇），仅供参考，大家一起来看看吧。
集成电路实习报告1一：实习目的1、学习焊接电路板的有关知识，熟练焊接的具体操作。
2、看懂收音机的原理电路图，了解收音机的基本原理，学会动手组装和焊接收音机。
3、学会调试收音机，能够清晰的收到电台。
4、学习使用protel电路设计软件，动手绘制电路图。
二：焊接的技巧或注意事项焊接是安装电路的基础，我们必须重视他的技巧和注意事项。
1、焊锡之前应该先插上电烙铁的插头，给电烙铁加热。
2、焊接时，焊锡与电路板、电烙铁与电路板的夹角最好成45度，这样焊锡与电烙铁夹角成90度。
3、焊接时，焊锡与电烙铁接触时间不要太长，以免焊锡过多或是造成漏锡；也不要过短，以免造成虚焊。
4、元件的腿尽量要直，而且不要伸出太长，以1毫米为好，多余的可以剪掉。
5、焊完时，焊锡最好呈圆滑的圆锥状，而且还要有金属光泽。
三：收音机的原理本收音机由输入回路高放混频级、一级中放、二级中放、前置低放兼检波级、低放级和功放级等部分组成接收频率范围为535千赫1065千赫的中段。
1、具体原理如下原理图所示：2、安装工艺要求：动手焊接前用万用表将各元件测量一下，做到心中有数，安装时先安装低矮和耐热元件（如电阻），然后再装大一点的元件（如中周、变压器），最后装怕热的元件（如三极管）。
电阻的安装：将电阻的阻值选择好后根据两孔的距离弯曲电阻脚可采用卧式紧贴电路板安装，也可以采用立式安装，高度要统一。
瓷片电容和三极管的脚剪的长短要适中，它们不要超过中周的高度。
电解电容紧贴线路板立式焊接，太高会影响后盖的安装。
、棒线圈的四根引线头可直接用电烙铁配合松香焊锡丝来回摩擦几次即可自动上锡，四个线头对应的焊在线路板的铜泊面。
集成电路制造生产实习报告
集成电路制造生产实习实习报告专业: 集成电路设计与集成系统一、工艺原理1．氧化硅片（或晶圆）在高温下，与氧化剂发生反应在硅衬底上生成高质量的二氧化硅薄膜。
硅的热氧化分为干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化等。
高温热干氧氧化工艺针对硅片，在高温下通干噪的高纯氧气，在硅片表面生长均匀的二氧化硅薄膜，氧化速率慢，氧化层结构致密，固定电荷密度少，均匀性和重复性好，不易浮胶，与光刻胶粘附性良好，一般应用于栅氧化层制作。
高温湿氧氧化工艺利用氢氧合成水汽氧化硅片，氧化速率比干氧工艺大大提高，可以制备厚二氧化硅薄膜，但氧化层的致密性不如干氧氧化的薄膜，它的氧化层疏松，质量较差，容易吸水和浮胶。
本次生产中采用了干氧—湿氧—干氧工艺。
2．扩散利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅衬底中，并使其拥有特定的浓度分布。
3．光刻光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。
在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。
通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
光刻的流程为：●衬底预处理（Substrate Pre-treatment）：① 去除表面污染物以及水蒸气；② 预烘烤至100~200℃可有助于增强光刻胶与衬底的黏附性；③ 对于亲水性衬底（如，SiO2、玻璃、贵金属膜、GaAs 等），使用增附剂增加衬底与光刻胶的黏附性，称为增附或者助黏。
●涂胶（Coating）：① 涂胶方式：旋转涂胶和喷涂等方法；② 涂胶前衬底需要冷却至室温，光刻胶也需在室温下开盖使用；③ 光刻胶中的气泡需通过静置的方式使气泡逸出后使用，用滴管等取光刻胶时动作要轻缓，避免带入气泡；④ 随着光刻胶的频繁开盖，溶剂挥发，光刻胶的厚度会相应的增加；⑤ 多次旋涂可以获得较厚的膜层，但涂新胶层前需要对已涂好的光刻胶层进行烘烤并冷却，多次旋涂的均匀性会变差。
●前烘（Soft bake）：① 前烘目的：去除光刻胶中的溶剂、增强黏附性、释放光刻胶膜内应力以及防止光刻胶污染设备；② 常见的烘烤方式：热板，烘烤时间短，但易受外界环境影响，烘箱，烘烤时间长，不适合厚胶的烘烤；③ 欠烘，易导致残余溶剂影响曝光及显影过程，过烘会减小光刻胶中感光成分的活性；④ 对于衬底对温度敏感的应用中，前烘温度可在较低温度（＜60℃）下进行，但需要适当延长烘烤时间；⑤ 烘烤后需要冷却至室温再进行后续工艺，特别是厚胶，曝光前需要等待一段时间来实现再吸水过程，保证显影速度和高对比度。
专用集成电路实验报告
实验3/4 反相器的特性：学号：班级：指导老师：1、实验目的1.了解反相器的电路结构和版图结构。
2.理解反相器的开关阈值。
3.理解反相器延时与电源和器件尺寸的关系。
4.理解反相器链的延时与器件尺寸的关系。
2、实验容1. 画出一个双阱工艺反相器的版图示意图（不严格要求尺寸和比例关系，画出阱、扩散区、多晶栅极、栅接触孔、源极漏极接触孔、金属即可）。
2. 一个0.25um 工艺的反相器，NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 0.375um ；PMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 1.125um 。
a) 电源为2.5V ，从0到2.5V 扫描输入电压vin ，观察输出电压vout ，找到开关阈值； b) 仅修改PMOS 管的W = 2.750um ，找到此时的开关阈值；c) 恢复PMOS 管尺寸W = 1.125um ，电源分别为2.5V 、1.5V 、1V ，观察pHL t 和pLH t （50%到50%）；d) 修改PMOS 管的W = 0.750um ，电源为2.5V ，观察pHL t 和pLH t （50%到50%）。
3. 四个反相器级联，所有的NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 0.375um ；所有的PMOS 管的L = 0.250um ；电源为2.5V 。
a) 第一个反相器的PMOS 管W = 1.125um ，第二个反相器的PMOS 管W = 1.875um ，第三个反相器的PMOS 管W = 3.000um ，第四个反相器的PMOS 管W = 5.250um ； b) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.125um ； c) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.875um ； d) 四个反相器的PMOS 管均为W = 3.000um ；观察四种情况下反相器链的pHL t 和pLH t 。
一、双阱工艺反相器的版图示意图双阱工艺反相器的版图示意图如图1.1所示图1.1 二、单个反相器2.1 电源为2.5V，从0到2.5V，仿真图形如图2.1图2.1从图2.1可以看出在上述条件下的开关阈值大约为：1.25V2.2 修改PMOS管的W = 2.750um，其他条件保持不变，此时的仿真波形如图2.2.图2.2从图2.2可以看出在上述条件下的开关阈值为1.42V2.3 恢复PMOS管尺寸W = 1.125um，电源分别为2.5V、1.5V、1V，此时的仿真波形分别如图2.3，图2.4以及图2.5，其pHL t 和pLH t 分别如图中的箭头所示。
集成电路制造工艺实训报告
集成电路制造工艺实训报告第一篇：集成电路制造工艺实训报告集成电路制造工艺实训报告专业班级学号姓名地点老师签名2011年12月22日第1页三、光刻Ⅰ—光刻扩硼窗口工艺目的：通过光刻工艺，完成掩膜板上的图形转移。
（第一次形成基区图形，第二次形成发射区图形）工艺原理：通过光刻先把掩膜板上的图形转移到光刻胶上，再转移到硅片上。
（第一次基区光刻，第二次发射区光刻）工艺器件：SC—IB型匀胶机、DHG—9023型电热恒温干燥箱、URE—2000/17型紫外光刻机、镊子、显影设备。
工艺步骤：1、甩胶：把硅片放到涂胶机上用滴管吸取光刻胶涂到硅片上，打开抽真空开关把硅片吸附到匀胶机上，再打开甩胶开关并以700r/min左右的转速开始甩胶约2分钟。
等匀胶机停止工作，按下抽真空开关取下硅片。
2、前烘：把硅片放到100℃电热恒温干燥箱里前烘15分钟。
3、曝光：取出硅片冷却，再把硅片放到光刻机上进行紫外线曝光20秒钟。
（本实验室采用的是接近式曝光，在硅片和掩膜板之间有10um—25um的间隙，掩膜板有金黄色避光层的一面应该朝下，硅片上的主切角与掩膜板的X轴对准，以方便二次曝光）原理：此次实验室采用的是负性光刻胶，其受紫外光照射的区域会交联硬化，变得难溶于显影液溶剂中，显影时这部分光刻胶被保留，在光刻胶上形成一种负相的掩膜板图形。
4、显影：在1号显影液里面显影4分钟，再放到2号显影液里面4分钟，用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上。
5、定影：是光刻胶变得更加坚固。
6、坚膜：把显影后的硅片放到130℃的电热恒温干燥箱里后烘15分钟即可。
冷却后用电子显微镜观看显影后的图形。
7、腐蚀：把镜检后的硅片放到花篮里，再放到HF酸里刻蚀5分钟，然后放到去离子水冲洗连通器2号槽里面冲洗5分钟，再放到1号槽里面冲洗5分钟。
原理：刻蚀就是将涂胶前所积淀的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分除去，由于Si、光刻胶具有亲水性，SiO2具有疏水性，所以观察芯片背面是否沾水就能判断刻蚀的程度。
集成电路工艺设计项目实训报告任务书
集成电路工艺设计项目实训报告任务书任务书：集成电路工艺设计项目实训报告一、项目背景二、任务要求1.学生需自行选择一个集成电路设计项目，可以是基于其中一特定芯片的设计，或是自己提出一个创新的设计方案。
2.学生需要了解所选择的集成电路设计项目的背景、相关技术要求和设计目标，并进行详细的调研分析。
3.学生需要根据实际需求，进行集成电路的工艺设计，包括物理设计和电路设计。
4.学生需要选择合适的工艺库和设计工具进行设计，比如EDA工具、模拟电路设计软件等。
5.学生需要进行相关仿真和验证工作，确保设计方案的可行性和有效性。
6.学生需要进行设计结果的分析和评估，包括功耗、速度、可靠性等指标。
7.学生需要撰写实训报告，详细记录整个项目的过程、方法、结果和分析，展示工艺设计能力和创新思维。
三、文档要求1.实训报告需要包含以下内容：a.项目背景和目标：简要介绍所选择的集成电路设计项目的背景和目标。
b.调研分析：对所选择的集成电路设计项目进行详细分析，包括相关技术要求、市场需求等。
c.设计方法和工具选择：介绍所选择的集成电路设计的方法和所使用的工具。
d.设计流程和结果验证：详细描述集成电路工艺设计的流程，并进行仿真和验证工作。
e.结果分析和评估：对设计结果进行分析和评估，比较不同设计方案的优劣。
f.实验总结和展望：总结整个实训项目的经验和教训，展望未来可能的改进方向和应用场景。
2.实训报告字数要求不少于1500字。
3.实训报告需要采用规范的学术论文格式，包括标题、摘要、引言、方法、结果和讨论等。
四、评分标准1.项目选择和背景调研的深度和全面性：20分。
2.设计方法和工具选择的合理性和灵活性：20分。
3.设计流程和结果验证的恰当性和有效性：20分。
4.结果分析和评估的准确性和全面性：20分。
5.实训报告的结构和写作质量：20分。
五、参考资料六、项目计划安排1.项目开始日期：20XX年XX月XX日。
2.项目结束日期：20XX年XX月XX日。
专用集成电路实习报告
实习报告：专用集成电路设计与验证一、实习背景与目的随着现代电子技术的快速发展，集成电路（IC）设计在各个领域发挥着越来越重要的作用。
为了提高我国在集成电路领域的竞争力，培养具有实际操作能力的集成电路设计人才，我国许多高校都开设了相关专业课程，并配备了先进的实验设备。
本次实习旨在让我们深入了解专用集成电路（ASIC）的设计与验证过程，提高我们的实际动手能力，为今后的学术研究和就业打下坚实基础。
二、实习内容与过程1. 实习前的准备在实习开始前，指导老师为我们讲解了专用集成电路的基本概念、设计流程和验证方法。
同时，我们还学习了相关软件的使用方法，如Cadence、Synopsys等。
通过这些准备工作，我们对实习内容有了初步的了解。
2. 实习过程（1）需求分析与设计方案确定首先，我们分组进行了需求分析，明确了实习项目的要求和性能指标。
随后，根据需求分析结果，我们确定了设计方案，包括选择合适的处理器架构、确定内存容量和类型等。
（2）电路设计与仿真在电路设计阶段，我们使用了Cadence软件进行原理图绘制和版图设计。
在设计过程中，我们充分考虑了电路的性能、功耗和面积等因素。
设计完成后，利用Cadence内置的仿真工具进行了功能仿真，验证了电路的正确性。
（3）硬件描述语言（HDL）编写与仿真为了实现电路的模块化设计，我们使用了Verilog语言编写硬件描述代码。
通过编写代码，我们将复杂的电路结构转化为易于理解和修改的模块。
编写完成后，利用Synopsys软件进行了综合和仿真，验证了模块的功能和性能。
（4）晶圆制造与封装在完成电路设计和仿真后，我们将设计文件提交给晶圆制造商，进行晶圆制造。
制造完成后，进行封装测试，确保芯片在封装过程中没有损坏。
（5）系统级验证最后，我们将封装好的芯片焊接到测试板上，进行系统级验证。
通过实际运行，验证了芯片在实际应用场景中的性能和稳定性。
三、实习收获与反思通过本次实习，我们深刻了解了专用集成电路的设计与验证过程，掌握了相关软件的使用方法，提高了实际动手能力。
集成电路工艺认识实习报告
集成电路⼯艺认识实习报告集成电路⼯艺认识实习报告1.专题⼀MEMS（微机电系统）⼯艺认识1.1 重庆⼤学微系统研究中⼼概况重庆微光机电⼯程技术研究中⼼依托于重庆⼤学，主要合作单位有中国电⼦科技集团公司第⼆⼗四研究所等。
中⼼主要从事MEMS设计、研发及加⼯关键技术研究、产业化转化和⼈才培养。
中⼼建⽴了⾯向西南地区的“MEMS器件及系统设计开发联合开放实验室，拥有国际先进的MEMS和CMOS电路设计及模拟软件，MEMS传感器及微型分析仪器的组装和测试设备。
1.2主要研究成果真空微电⼦压⼒传感器、集成真空微电⼦触觉传感器、射频微机械⽆源元件、硅微低电压⽣化分析系统、折衍混合集成微⼩型光谱分析仪器、全集成硅微⼆维加速度传感器、集成硅微机械光压⼒传感器、硅微加速度阵列传感器、硅微⼒平衡电容式加速度传感器、反射式混合集成微型光谱分析系统、微型振动式发电机系统、真空微电⼦加速度传感器1.3微系统中⼼主要设备简介1.3.1. 反应离⼦刻蚀机1.3.2双⾯光刻机1.3.3. 键合机1.3.4. 探针台1.3.5. 等离⼦去胶机1.3.6. 旋转冲洗甩⼲机1.3.7. 氧化／扩散炉1.3.8. 低压化学⽓相淀积系统1.3.9. 台阶仪1.3.10. 光学三维形貌测试仪1.3.11. 膜厚测试仪1.3.12. 感应耦合等离⼦体（ICP）刻蚀机1.3.13. 箱式真空镀膜机1.3.14. 槽式兆声清洗机1.3.15.射频等离⼦体系统1.4MEMS的主要特点体积⼩，重量轻，材料省，能耗低；完整的MEMS⼀般是由微动⼒源、微致动器、微传感器组成，智能化程度⾼，集成度⾼；MEMS整体惯性⼩，固有频率⾼，响应快，易于信号实时处理；由于采⽤光刻、LIGA等新⼯艺，易于批量⽣产，成本低；MEMS可以达到⼈⼿难于达到的⼩空间和⼈类不能进⼊的⾼温，放射等恶劣环境，靠MEMS的⾃律能⼒和对微机械群的遥控，可以完成宏观机械难于完成的任务。
专用集成电路三输入求和实验报告
专用集成电路三输入求和实验报告1. 实验目的在这篇文章中，我将详细地撰写关于专用集成电路三输入求和实验的实验报告。
本次实验的主要目的是通过实际操作，掌握专用集成电路的工作原理和应用，加深对电路设计和逻辑运算的理解。
2. 实验内容本次实验的主要内容是搭建专用集成电路三输入求和电路，并验证其逻辑运算的正确性。
我们需要准备好所需的实验器材和元件，包括专用集成电路芯片、电阻、LED灯等。
然后按照实验指导书的要求，依次连接各个元件，搭建出三输入求和电路。
接下来，通过对不同输入情况进行观察和测量，验证电路的逻辑运算功能。
3. 实验过程在实验过程中，首先我们仔细查看了专用集成电路三输入求和电路的电路原理图，并对电路的各个部分进行了认真的分析和理解。
我们按照实验指导书的步骤，有条不紊地进行了电路的搭建和连接。
在搭建完成后，我们对电路进行了仔细的检查和调试，确保每个元件都连接正确、工作正常。
我们开始进行实验验证。
通过改变输入端的电平状态，我们观察并记录了LED灯的亮灭情况，以及相应的输出结果。
通过多次实验，我们得出了专用集成电路三输入求和电路的真值表和逻辑运算规律，并对电路的工作原理和逻辑功能有了更深入的认识。
4. 结果分析根据我们的实验数据和观察结果，我们可以得出专用集成电路三输入求和电路的逻辑运算规律。
不仅如此，我们还对电路的逻辑功能和工作原理进行了深入的分析和理解。
我们发现，专用集成电路在实际应用中具有广泛的用途，不仅可以用于逻辑运算，还可以应用于数字电子系统、通信系统等领域。
5. 总结与展望通过本次实验，我们深入学习了专用集成电路的工作原理和应用，掌握了电路设计和逻辑运算的基本方法和技巧。
在未来的学习和实践中，我们将进一步深化对专用集成电路的理解，不断拓展其应用领域，为电子技术的发展做出更大的贡献。
6. 个人观点和理解通过本次实验，我深刻认识到专用集成电路在电子技术中的重要作用。
其高度集成、小型化、低功耗等特点，使其在数字电子系统、通信系统、计算机系统等领域有着广泛的应用。