第二讲-PSpice中的器件模型和模型参数
spice模型PPT课件
1）物理模型
半导体器件的物理模型是从半导体的基本方程 出发，并对器件的参数做一定的近似假设而得 到的有解析表达式的数学模型。一般说来，随 着集成电路集成度的提高，器件的结构、尺寸 都在发生变化，器件的物理模型就越加复杂。 在物理模型中经常包含有一些经验因子，目的 是为了使模型与实验结果符合得更好。一般说， 模型中考虑的因素越多，与实际结果就符合得 越好，但模型也就越复杂，在电路模拟中耗费 的计算工作量就越大。
当MOS器件的栅长和栅宽大于10µm、衬底 掺杂低，而我们又需要一个简单的模型时，那 么由Shichman和Hodges提出的MOS1模型是 适合的。
2）LEVEL＝2 LEVEL＝2的MOS2模型在MOS1模型基础上考 虑了一些二阶效应，提出了短沟道或窄沟道MOS 管的模型，又被称为二维解析模型。
MOS2模型考虑的二阶效应主要包括： （1）沟道长度对阈值电压的影响 （2）漏栅静电反馈效应对阈值电压的影响 （3）沟道宽度对阈值电压的影响 （4）迁移率随表面电场的变化 （5）沟道夹断引起的沟道长度调制效应 （6）载流子漂移速度限制而引起的电流饱和效应
3）LEVEL＝3 即MOS3模型。MOS3模型是一个半经验模型， 适用于短沟道器件。MOS3模型中的阈值电压、 饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都 是半经验公式，其模型参数大多与MOS2模型相 同，但引入了三个新的模型参数：模拟静电反馈 效应的经验模型参数η（EAT）、迁移率调制系 数θ（THETA）和饱和电场系数κ(KAPPA）。
公式中符号
IS αF αR VAF VAR mE mC ms VE0 V C0 V S0
pspice二级管参数总结
pspice二级管参数总结查看文章OrCAD PSpice DIODE model parameter 2010-07-15 22:311.从OrCAD PSpice help文档：2.国外网站的相关介绍：SPICE Diode Model Parametersname parameter units default example ar1 IS saturation current A 1.0e-14 1.0e-14 *2 RS ohmic resistanc Ohm 0 10 *3 N emission coefficient - 1 1.04 TT transit-time sec 0 0.1nsThe DC characteristics of the diode are determined by the parameters IS, N, and the ohmic resistance RS. Charge storage effects are modeled by a transit time, TT, and a nonlinear depletion layer capacitance whic determined by the parameters CJO, VJ, and M. The temperature dependence of the saturation current is defined by the parameters EG, the band gap energy and XTI, the saturation current temperature exponent. nominal temperature at which these parameters were measured is TNOM, which defaults to the circuit-wi value specified on the .OPTIONS control line. Reverse breakdown is modeled by an exponential increase the reverse diode current and is determined by the parameters BV and IBV (both of which are positive numbers).3. 国外网站关于PSpice 其它模型的参数介绍：如（三极管，达林顿管，场效应管，二极管）Spice modelsIntroductionThe MOD model fileThe ZMODELS.LIB library fileModel parameters and limitationso Bipolarso Darlingtonso MOSFETso DiodesFurther informationIntroductionZetex have created Spice models for a range of semiconductor components. Models included are Schottky varicap, high-performance bipolar (high current, low VCE(sat)), higher voltage bipolar, bipolar Darlingto and MOSFET transistors. This range is continuously under review as new products are introduced and retrospective models are generated for existing products.The Spice models are available in two formats:1. A separate Spice model text file for each Zetex device type for which a model is presently availabThese can be accessed from the Product Quickfinder2.All the available Zetex device models are collected together into a single .LIB text file calledZMODELS.LIB.A generic symbol library file is available called ZETEXM.SLB that enables Windows? versions of PSpic use the Zetex spice models. Further information on the symbol library, including installation instructions be found in the text file called ZETEXM.TXTThe MOD Model FileEach of these files is a Spice model for a single device. Theycan be loaded into your simulation simply b employing the Spice command <.include device_name.mod>. Only the device types specifically required the circuit under simulation need be included in this way. All diode and bipolar transistor models are simp <.model> files. However, Darlington transistors and MOSFET models are multi-component subcircuits an such are supplied as <.subckt> files.The diode models should be included in circuit files using the normal Spice reference .Bipolar transistor models should be included using .All other models should be referenced as subcircuits i.e. in the form for Darlington transistors, and for MOSFETs.The ZMODELS.LIB Library FileUsers may prefer to use the model library. This library is a collection of all Zetex Spice models exactly as t appear in the individual model files. By using the statement <.lib zmodels.lib>, Spice will be able to acce any model within the library without the need for multiple <.include> statements.Note:All subcircuits, whether in the library or as individual model files use the same connection sequence as Sp for single element models, thus easing their use.Model parameters and limitationsBipolarsDarlingtonsMOSFETsDiodesBipolarsAll bipolar transistor and Darlington models are based on Spice's modified Gummel-Poon model. A typic model for a singletransistor is shown as follows:*Zetex FMMT493A Spice Model v1.0 Last Revised 30/3/06*.MODEL FMMT493A NPN IS =6E-14 NF =0.99 BF =1100 IKF=1.1+NK=0.7 VAF=270 ISE=0.3E-14 NE =1.26 NR =0.98 BR =70 IKR=0.5+VAR=27 ISC=1.2e-13 NC =1.2 RB =0.2 RE =0.08 RC =0.08 RCO=8+GAMMA=5E-9 CJC=15.9E-12 MJC=0.4 VJC=0.51 CJE=108E-12+MJE=0.35 VJE=0.7 TF =0.8E-9 TR =55e-9 XTB=1.4 QUASIMOD=1*In the bipolar model:IS and NF control Icbo and the value of Ic at medium bias levels.ISE and NE control the fall in hFE that occurs at low Ic.BF controls peak forward hFE and XTB controls how it varies with temperature.BR controls peak reverse hFE i.e. collector and emitter reversed.IKF and NK control the current and the rate at which hFE falls at high collector currents.IKR controls where reverse hFE falls at high emitter currents.ISC and NC controls the fall of reverse hFE at low currents.RC, RB and RE add series resistance to these device terminals.VAF controls the variation of collector current with voltage when the transistor is operated in its lin region.VAR is the reverse version of VAF.CJC, VJC and MJC control Ccb and how it varies with Vcb.CJE, VJE and MJE control Cbe Ccb and how it varies with Veb.TF controls Ft and switching speeds.TR controls switching storage times.RCO, GAMMA, QUASIMOD control the quasi-saturation region.Some standard bipolar transistor Spice models may not include a parameter that allows BF, the hFE parame to vary with temperature. If XTB is absent it defaults to zero, e.g. no temperature dependence. If hFE temperature effects are of interest and XTB is not modeled then the following values may be used to provid estimate or a starting point for further investigation:It is suggested that the appropriate datasheet hFE profile is examined, and a Spice test circuit created that simulates the device in question and generates a set of hFE curves. Two or three such iterations should normally be sufficient to define a value for XTB in each case. Please remember that these notes are only a rough guide as to the effect of model parameters. Also, many of the parameters are interdependent so adjus one parameter can affect many device characteristics.At Zetex, we have endeavored to make the models perform as closely to actual samples as possible but so compromises are forced which can result in simulation errors under some circumstances. The main areas error observed so far have been: Spice is often over optimistic in the hFE a transistor will give when operated above its data sheet current ratings. This is particularly true for a high voltage transistor operated at a low collector-em voltage and quasi-saturation parameters RCO,GAMMA and QUASIMOD have been introduced t improve the models in this region.Spice can be pessimistic when predicting switching storage time when current is extracted from th base of a transistor to speed turn-off.DarlingtonsThese are subcircuits using a standard transistor model. A Darlington model is shown as follows:**Zetex FZT605 Spice Model v1.0 Last revision 27/04/05*.SUBCKT FZT605 1 2 3* C B EQ1 1 2 4 SUB605Q2 1 4 3 SUB605 3.46*.MODEL SUB605 NPN IS=4.8E-14 BF=170 etc..ENDS FZT605**$Note:Because Zetex Darlingtons are monolithic, the two transistors used are identical in all respects other than s (The number at the end of the Q2 line multiplies the size of the SUB605 transistor by 3.46 - the ratio of th areas of the input and output transistors for this device).MOSFETsNone of Spice's standard MOSFET models fit the characteristics of trench or vertical MOSFETs too well. Consequently the models of MOSFET's supplied have been madeusing subcircuits that include additiona components to improve simulation accuracy. A typical less complex MOSFET model is shown as follows **ZETEX ZXMN3A14F Spice Model v1.0 Last revision 31/5/06 *.SUBCKT ZXMN3A14F 30 40 50*------connections-------D-G-SM1 6 2 5 5 Nmod L=1.16E-6 W=0.76M2 5 2 5 6 Pmod L=1.3E-6 W=0.35RG 4 2 4.5RIN 2 5 1E12RD 3 6 Rmod 0.04RS 5 55 Rmod 0.015RL 3 5 3E9C1 2 5 8.5E-12C2 3 4 3E-12D1 5 3 DbodymodLD 3 30 0.5E-9LG 4 40 1.0E-9LS 55 50 1.0E-9.MODEL Nmod NMOS (LEVEL=3 TOX=5.5E-8 NSUB=5E16 VTO=2.13+KP=2.5E-5 NFS=2E11 KAPPA=0.06 UO=650 IS=1E-15 N=10).MODEL Pmod PMOS (LEVEL=3 TOX=5.5E-8 NSUB=1.5E16 +TPG=-1 IS=1E-15 N=10).MODEL Dbodymod D (IS=6E-13 RS=.025 IKF=0.1 TRS1=1.5e-3+CJO=150e-12 BV=33 TT=12e-9).MODEL Rmod RES (TC1=2.8e-3 TC2=0.8E-5).ENDS ZXMN3A14F**$*In the MOSFET model:L relates to a process parameter.W relates to a process parameter.TOX relates to a process parameter.NSUB relates to a process parameter.VTO defines Vgs(th).KP controls Gm.NFS fast surface state density.KAPPA saturation field factor.UO mobility.RS and RD add series terminal resistance with temperature characteristic modeled.IS and N suppress the behavior of the MOSFET model's default body diode.CGDO, derived from process related parameters, controls Crss.CGSO, derived from process related parameters, controls Ciss.CBD, derived from process related parameters, controls Coss.In this trench MOSFET the NMOS models the walls of the trench and the PMOS models the bottom of th trench. Added to the Spice standard MOSFET models are a gate resistor to control switching speeds, gate source and drain-source resistors to control leakage, drain and source series resistance, a drain-source diod accurately reflect the performance of the MOSFET's body diode and inductors to model inductance inside package.Recent MOSFET models mirror the performance of the realdevices reasonably well in most areas. One a not covered well by the older less complex models is the way that Crss and Coss vary with drain-source voltage. Thus if the less complex models are used at a drain-source voltage well away from datasheet capacitance definition voltages and capacitance is critical, then the values used for CGSO and CGDO may need adjustment.DiodesThe Tuner diode and Schottky Diode ranges use a standard Spice diode model and a typical file appears a follows: **Zetex ZC830A Spice Model v1.0 Last Revised 4/3/92*.MODEL ZC830A D IS=5.355E-15 N=1.08 RS=0.1161 XTI=3 + EG=1.11 CJO=19.15E-12 M=0.9001 VJ=2.164 FC=0.5+ BV=45.1 IBV=51.74E-3 TT=129.8E-9+ ISR=1.043E-12 NR=2.01**NOTES: FOR RF OPERATION ADD PACKAGE INDUCTANCE 0F 2.5E-9H AND SET*RS=0.68 FOR 2V, 0.60 FOR 5V, 0.52 FOR 10V OR 0.46 FOR 20V BIAS.**$*In the diode model:IS controls forward and reverse current against voltage.N controls forward current against voltage.RS controls forward voltage at high current.CJO, M and VJ control variation of capacitance with voltage.BV and IBV control reverse breakdown characteristics.TT controls switching reverse recovery characteristics.ISR and NR control reverse biased leakage.EG controls barrier height.FC forward bias depletion capacitance coefficient.For operation at RF (which would be the norm for a varicap or tuner diode) it is recommended that a 2.5n series inductor be added as an extra circuit element to correct for the inherent package inductance, this va will change with package size.Also for some models data is available to enable the RS parameter better model Q at voltages other than t specified condition.索取相关资料& 与我讨论博主联系方式：。
三极管的Pspice模型参数详细说明
volt
0.75
VJS (PS)
substrate p-n built-in potential
volt
0.75
VO
carrier mobility knee voltage
volt
10.0
VTF
transit time dependency on Vbc
degree
0.0
QCO
epitaxial region charge factor
coulomb
0.0
RB
zero-bias (maximum) base resistance
ohm
0.0
最大基极电阻
RBM
minimum base resistance
ohm
RB
最小基极电阻
RC
collector ohmic resistance
三极管的Pspice模型参数详细说明
三极管的Pspice模型参数
Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]
模型参数
含义
单位
默认值
备注
AF
flicker noise exponent
1.0
噪声指数
BF
ideal maximum forward beta
amp
infinite
IRB
current at which Rb falls halfway to
amp
infinite
IS
transport saturation current
Spice器件模型
SPICE的器件模型大全在介绍SPICE基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句，其中就包括元器件描述语句。
许多元器件（如二极管、晶体管等）的描述语句中都有模型关键字，而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项，这些都要求后面配以.MODEL起始的模型描述语句，对这些特殊器件的参数做详细描述。
电阻、电容、电源等的模型描述语句语句比较简单，也比较容易理解，在SPICE基础中已介绍，就不再重复了；二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍，但不够详细，是本文介绍的重点，以便可以自己制作器件模型；场效应管、数字器件的模型过于复杂，太专业，一般用户自己难以制作模型，只做简单介绍。
元器件的模型非常重要，是影响分析精度的重要因素之一。
但模型中涉及太多图表，特别是很多数学公式，都是在WORD下编辑后再转为JEPG图像文件的，很繁琐和耗时，所以只能介绍重点。
一、二极管模型：1.1 理想二极管的I-V特性：1.2 实际硅二极管的I-V特性曲线：折线1.3 DC大信号模型：1.4 电荷存储特性：1.5 大信号模型的电荷存储参数Qd：1.6 温度模型：1.7 二极管模型参数表：二、双极型晶体管BJT模型：2.1 Ebers-Moll静态模型：电流注入模式和传输模式两种2.1.1 电流注入模式：2.1.2 传输模式：2.1.3 在不同的工作区域，极电流Ic Ie的工作范围不同，电流方程也各不相同：2.1.4 Early效应：基区宽度调制效应2.1.5 带Rc、Re、Rb的传输静态模型：正向参数和反向参数是相对的，基极接法不变，而发射极和集电极互换所对应的两种状态，分别称为正向状态和反向状态，与此对应的参数就分别定义为正向参数和反向参数。
2.2 Ebers-Moll大信号模型：2.3 Gummel-Pool静态模型：2.4 Gummel-Pool大信号模型：拓扑结构与Ebers-Moll大信号模型相同，非线性存储元件电压控制电容的方程也相同2.5 BJT晶体管模型总参数表：三、金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型：3.1 一级静态模型：Shichman-Hodges模型3.2 二级静态模型（大信号模型）：Meyer模型3.2.1 电荷存储效应：3.2.2 PN结电容：3.3 三级静态模型：3.2 MOSFET模型参数表：一级模型理论上复杂，有效参数少，用于精度不高场合，迅速粗略估计电路二级模型可使用复杂程度不同的模型，计算较多，常常不能收敛三级模型精度与二级模型相同，计算时间和重复次数少，某些参数计算比较复杂四级模型BSIM，适用于短沟道（<3um）的分析，Berkley在1987年提出四、结型场效应晶体管JFET模型：基于Shichman-Hodges模型4.1 N沟道JFET静态模型：4.2 JFET大信号模型：4.3 JFET模型参数表：五、 GaAs MESFET模型：分两级模型（肖特基结作栅极）GaAs MESFET模型参数表：六、数字器件模型：6.1 标准门的模型语句：.MODEL <(model)name> UGATE [模型参数]标准门的延迟参数：6.2 三态门的模型语句：.MODEL <(model)name> UTGATE [模型参数]三态门的延迟参数：6.3 边沿触发器的模型语句：.MODEL <(model)name> UEFF [模型参数] 边沿触发器参数：JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb* JK触发器，后沿触发DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*,gb* D触发器，前沿触发边沿触发器时间参数：6.4 钟控触发器的模型语句：.MODEL <(model)name> UGFF [模型参数] 钟控触发器参数：SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb* SR触发器，时钟高电平触发DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb* D触发器，时钟高电平触发钟控触发器时间参数：6.5 可编程逻辑阵列器件的语句：U <name> <pld type> (<#inputs>,<#outputs>) <input_node>* <output_node>#+<(timing model)name> <(io_model)name> [FILE=<(file name) text value>]+[DATA=<radix flag>$ <program data>$][MNTYMXDLY=<(delay select)value>] +[IOLEVEL=<(interface model level)value>]其中：<pld type>列表<(file name) text value> JEDEC格式文件的名称，含有阵列特定的编程数据JEDEC文件指定时，DATA语句数据可忽略<radix flag> 是下列字母之一：B 二进制O 八进制X 十六进制<program data> 程序数据是一个数据序列，初始都为0PLD时间模型参数：七、数字I/O接口子电路：数字电路与模拟电路连接的界面节点，SPICE自动插入此子电路子电路名（AtoDn和DtoAn）在I/O模型中定义，实现逻辑状态与电压、阻抗之间的转换。
PSPICE使用
第二章PSPICE使用本章通过对一个共射极放大电路的仿真分析，学习PSpice软件的使用方法，掌握PSpice 软件分析电子电路的基本过程。
使用PSpice软件的步骤是：第一步：通过电路图编辑程序（Schematics Editor程序）输入编辑电路图；第二步：在电路图编辑程序中设置电路的分析方式和参数；第三步：运行电路仿真分析程序（PSpice程序）；第四步：运行图形后处理程序（Probe程序）查看输出图形或查看电路输出文件。
第一节认识Schematics电路图编辑程序一、启动Schematics程序PSpice软件7.1版本是Windows应用程序，因此，应先启动Windows操作系统，Windows 操作系统可以是Windows 3.x 或Windows 95或Windows 98，本书都是在Windows 98操作系统下完成的，并且假定读者已掌握Windows 98操作系统的使用，如果读者尚没有掌握Windows 98操作系统的使用，应先了解Windows 98操作系统；如果读者使用的是Windows 3.x 或Windows 95操作系统，则在Windows系统操作上会略有不同，但PSpice显示的内容都是一样的，相信不应该出现什么大的困难。
使用PSpice软件总是从输入电路图开始，除非你已经直接在电路描述文件中输入了电路所需的数据，因此，使用PSpice软件通常是从Schematics电路图编辑程序开始的。
而且在Schematics电路图编辑程序中可以设置电路的分析方式和参数，可以通过菜单命令启动电路仿真分析程序（PSpice程序）及图形后处理程序（Probe程序）。
假定已经安装了PSpice软件的7.1版本，并且已经启动了Windows 98操作系统，则启动Schematics电路图编辑程序有三种方法：1. 选择开始菜单上的程序组>>MicroSim Eval 7.1程序组>>Schamatics程序项。
PSpice16.5教程二(噪声分析、参数分析、温度分析)
4 V-
15
1 OS1
6 OUT
5 OS2 V+
V1
0
15
0
out
0
图 2-5 反相运算放大器
上图所用到的器件信息： 器件
电源 电阻 晶体管 地
模型
V1 V2 V3 R1 R2 U1 0
2、仿真参数设置
模型库
VDC/source VSIN/source R/analog
uA741/opamp 0/source
邮箱：cadence@ / qipingwang@
也可以使用对数坐标显示结果，点选 按钮，就可以得到土 2-10 的结果
1.0V
10uV 0Hz V(OUT)
0.2KHz
0.4KHz
0.6KHz Frequency
2、分析参数的设置
首先点选菜单 Pspice/Edit Simulation，或者点击 ，出现设置参数的界面，如图 2-2 所示。在图 2-2 界面中选择 AC Analysis，设置频率参数，频率范围 1kHz 到 100MHz。 然后点选 Enabled 的小方框，选中噪声分析。并根据图 2-2 所示进行设置。图中的设 置表示将整个电路中的噪声源都集中折算到独立源 V1 处，然后计算在等效的噪声源 的激励下，输出点 V（out）处的产生的噪声。
3、执行 PSpice 程序
图 2-2 噪声分析的参数设置
图 2-2 点击确定后，再点击仿真工具栏中的 ，运行仿真。这样又调出了 PSpice
的界面。选择菜单栏 Trace/Add Trace，或者点击 图标，在“Simulation Output variables”中找到“V(INOISE)”和“V(ONOISE)”,得到输入噪声的波形和输出噪声 的波形，同样还可以通过 Plot/Add Y Axis 增加 Y 轴显示 DB 表示的输入噪声和输出 噪声波形。结果如图 2-3 所示。
PSpice04
第四讲
一个元件的等效模型除了与其本身的物理 机理有关外，还与工作条件和分析要求有关。 机理有关外，还与工作条件和分析要求有关。 工作条件包括诸如温度和加在元件上的偏置电 压等等。一个元件在不同的工作条件下， 压等等。一个元件在不同的工作条件下，不但 它的电特性不同，而且其模型参数也会变化。 它的电特性不同，而且其模型参数也会变化。 如双极型晶体管的一个模型参数Is(晶体管饱和 如双极型晶体管的一个模型参数 晶体管饱和 电流)就是一个随温度而变化的量 就是一个随温度而变化的量。 电流 就是一个随温度而变化的量。分析要求是 指对电路进行何种分析。若进行直流分析， 指对电路进行何种分析。若进行直流分析，即 要求计算电路的直流工作点， 要求计算电路的直流工作点，或计算直流工作 特性，此时，非线性元件的等效电路是满足迭 特性，此时， 代公式的线性化等效电路或称迭代伴随模型； 代公式的线性化等效电路或称迭代伴随模型；
第四讲
PSpice中二极管的模型参数共有 个，这 中二极管的模型参数共有14个 中二极管的模型参数共有 些参数的符号、含义和缺省值如表1-6所示 所示。 些参数的符号、含义和缺 N TT CJO VJ M EG XTI KF AF FC BV IBV 符号 IS RS N τ(t) Cjo ΦB M Eg Pt KF AF FC BV IBV 含义 饱和电流 欧姆电阻 发射系数 渡越时间 零偏置结电容 P-N结电势 结电势 电容梯度因子 禁带宽度 饱和电流温度系数 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 正偏耗尽电容系数 反向击穿电压 反向击穿电流 V A EV S F V 单位 A Ω 缺省值 1E-14 0 1 0 0 1 0.5 1.11 3 0 1 0.5 ∞ 1E-10 0.5 50 1E-10 典型值 1E-14 10 1.2 1n 2p 0.6 0.5 1.11 3
第二讲-PSpice中的器件模型和模型参数
PSpice中的模型和模型参数库一．PSpice中的模型参数库二．模型描述格式半导体器件模型描述格式子电路模型描述格式三．以已有模型为基础新建模型描述四．为实际元器件提取模型参数、建立模型描述3．模型类别（按照建模方式划分）(1) 元器件物理模型(2) 子电路宏模型(3) 黑匣子宏模型4. 目前研究的问题(1) 提高模型精度。
(2) 建立新器件的模型。
(3) 提高模型参数提取精度。
5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
注意：这两类库文件存放的子目录不相同。
元器件符号库文件所在的路径元器件模型参数库文件所在的路径注意：只有上述库文件中的元器件符号才配置有模型参数一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
注意：这两类库文件存放的子目录不相同。
(2) 用户绘制电路图时实际调用的是元器件符号库中的元器件符号图。
调用PSpice进行模拟仿真时软件自动从对应的模型参数库中调用相应的模型参数。
(2024年)《PSpice使用教程》课件
17
仿真类型选择及参数配置方法
2024/3/26
仿真类型
PSpice支持多种仿真类型，包括直流 分析、交流分析、瞬态分析、蒙特卡 洛分析等，用户可以根据实际需求选 择合适的仿真类型。
参数配置
在选择仿真类型后，用户需要配置相 应的参数，如起始时间、停止时间、 步长、扫描类型等，以确保仿真的准 确性和有效性。
Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis
。
2024/3/26
它能够对电路进行直流分析、交 流分析、瞬态分析等，并输出相
应的电压、电流等波形图。
PSpice广泛应用于电子工程、 通信工程、自动化控制等领域。
4
PSpice应用领域
模拟电路设计和分析
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直流、交流和瞬态仿真应用举例
2024/3/26
直流仿真
直流仿真主要用于分析电路的直流工作点，可以得到电路中各元件的电压和电流值。例如，在模拟电路中， 可以通过直流仿真得到放大器的静态工作点。
交流仿真
交流仿真主要用于分析电路的频率响应，可以得到电路的幅频特性和相频特性。例如，在滤波器设计中，可 以通过交流仿真得到滤波器的频率响应曲线。
2024/3/26
使用高效元件库
选择性能优良的元件库，减少仿真计算量。
定期清理缓存
清理软件缓存和临时文件，释放电脑存储空 间。
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学习资源和支持渠道
官方教程和文档
提供详细的使用说明和操作步骤。
在线视频教程
通过专业讲师的讲解，深入了解软件功能 。
技术论坛和社区
官方技术支持
与其他用户交流使用心得，分享经验技巧 。
寿命。
第七章 Pspice与器件模型
第七章 Pspice与器件模型
3. 蒙特卡罗分析和最坏情况分析
蒙特卡罗分析是对电路所选择的分析(直流、 交流、 瞬态) 进行了多次运行后,进行的统计分析。 第一次运行是用所有元器 件的标称值进行运算的。 而以后的运行, 则是根据每个模型语句 内对各个元器件模型参数的容差规定, 随机选取在其容差限度内 偏离其标称值的不定值进行的运算。 将各次运行结果同第一次 运行结果进行比较, 得出由于元器件的容差而引起输出结果偏离 的统计情况。
在Markers菜单下，选择Make Voltage /Level(标志电位)、 Make Voltage Differential(标志电压差)、 Make Current into Pin （标志流入节点电流）等菜单项后，鼠标会变成像探针一样的 图标。把探针图标放在电路图的节点上，就可以在Probe窗口 中看到对应节点的电压、 电流波形。
第七章 Pspice与器件模型
1. 交流分析与噪声分析
交流分析主要分析电路在交流小信号情况下的频率特性。 在Sweep Parameters栏中输入要分析的起始频率和终止频率, 以 及在这个频段内要分析的频率数。在AC Sweep Type栏中选择 频率增加为线性、倍频程或十倍频。在Noise Analysis栏中的 Output Voltage为输出电压, 它可以是某一节点的输出电压, 如 V(5), 也可以是跨在两节点间的输出电压, 如V(4,5)。 I/VSource 为某独立电流源或电压源的名称, 将会对该电源处的等效输入 噪声进行计算。 该处所指的电源本身并不是一个噪声发生器, 仅表示计算等效输入噪声的位置。 选择Noise Enable 使噪声分 析“使能”(有效), 选择Enable使以上所有分析“使能”。
Pspice简明教程
Pspice 教程Pspice 教程课程内容：补充说明（1 网表输出）（2 如何下载和使用新元件模型）1.直流分析2.交流分析3.参数分析4.瞬态分析5.蒙特卡洛分析6.温度分析7.噪声分析8.傅利叶分析9.静态直流工作点分析附录A: 关于Simulation Setting 的简介附录B：关于测量函数的简介附录C：关于信号源的简介使用软件的说明：CADENCE仿真可以在Capture或者HDL界面下，1Capture 的优点是界面简洁，容易学习，使用广泛。
HDL 的界面比较复杂，而且各种规则约束较多，2 他们在使用的原理图库不同，Capture的原理图以*.olb的形式存放在TOOL-capture -library中,而HDL的原理图、封装形式、以及物理信息都集成在share-library下的各自元件中；3两者的仿真模型库相同，都在TOOL-pspice中。
所以从仿真效果来看，两者没有区别。
4 HDL的好处是当完成原理图仿真后，可以直接输出网表，到APD版图中，供自动布局用。
一．直流分析直流分析：PSpice 可对大信号非线性电子电路进行直流分析。
它是针对电路中各直流偏压值因某一参数（电源、元件参数等等）改变所作的分析，直流分析也是交流分析时确定小信号线性模型参数和瞬态分析确定初始值所需的分析。
模拟计算后，可以利用Probe 功能绘出Vo-Vi 曲线，或任意输出变量相对任一元件参数的传输特性曲线。
首先我们开启DesignCapture / Capture CIS. 打开如下图所示的界面( Fig.1) 。
( Fig 1) 我们来建立一个新的工程 ( Fig.2)( Fig.2)我们来选取一个新建的工程文件! 我们可以看到以下的提示窗口。
(Fig.3)(Fig.3) 我们可以给这个工程取个名字，因为我们要做Pspice 仿真，所以我们要勾选第一个选项，在标签栏中选中!其它的选项是什么意思呢？Analog or Mixed A/D 数模混合仿真PC Board Wizard 系统级原理图设计Programmable Logic Wizard CPLD 或FPGA 设计Schematic 原理图设计接下来我们看到了Pspice 工程窗口，即我们的原理图窗口属性的选择。
PSpice Model Editor建模
PSpice Model Editor建模（一）（一）描点法建模PSpice 提供Model Editor 建立元件的Model，从元件供应商那边拿到该元件的Datashee t，通过描点的方式就可以简单的建立元件的仿真模型，来做电路的模拟仿真。
PSpice 提供约十多种的元件模型模板(Diode、Bipolar Transistor、Magnetic Core、IGBT、JFET、MOSFET、Operational Amplifier、Voltage Regulator、Voltage Comparator、Voltage Reference、Darlington Transistor)来建立元件的模型。
下面以一个二极管的建模为例来进行说明。
（1）从开始菜单中打开PSpice Model Editor，具体路径/PSpice Accessories/Model Edi tor。
选择Model/New来建立新的元器件模型，具体设置如下图，设置完毕，点击OK，进入模型特性参数设置窗口：（2）设置元器件模型特性数据如设置正向电流值，输入的点数越多，曲线就越精确。
下面会出现用数值分析法，帮你计算出符合描点设定的参数值。
（3）创建元件库选择执行File/Export to capture library，设置完毕后点击OK。
然后使用File>>Model Im port Wizard，为该模型选择合适的外形。
（4）配置新的元器件和模型库在Capture工程中将.lib文件加入仿真设定栏中Setting simulation/configuration files/Libr ary>>Browse>>Add to design（5）应用于电路图PSpice Model Editor建模（二）管理提醒: 本帖被admin 设置为精华(2010-09-20)（二）从IC厂家网站上下载Spice模型建模几乎所有的大型IC厂家都会在自己的网站上提供自家IC的Spice模型，供使用者下载做设计参考。
PSPICE仿真讲解学习
P S P I C E仿真目录介绍： (3)新建PSpice仿真 (4)新建项目 (4)放置元器件并连接 (4)生成网表 (6)指定分析和仿真类型 (7)Simulation Profile设置： (8)开始仿真 (8)参量扫描 (11)Pspice模型相关 (13)PSpice模型选择 (13)查看PSpice模型 (13)PSpice模型的建立 (14)介绍：PSpice是一种强大的通用模拟混合模式电路仿真器，可以用于验证电路设计并且预知电路行为，这对于集成电路特别重要。
PSpice可以进行各种类型的电路分析。
最重要的有：●非线性直流分析：计算直流传递曲线。
●非线性瞬态和傅里叶分析：在打信号时计算作为时间函数的电压和电流；傅里叶分析给出频谱。
●线性交流分析：计算作为频率函数的输出，并产生波特图。
●噪声分析●参量分析●蒙特卡洛分析PSpice有标准元件的模拟和数字电路库（例如：NAND，NOR，触发器，多选器，FPGA，PLDs和许多数字元件）分析都可以在不同温度下进行。
默认温度为300K电路可以包含下面的元件：●Independent and dependent voltage and current sources 独立和非独立的电压、电流源●Resistors 电阻●Capacitors 电容●Inductors 电感●Mutual inductors 互感器●Transmission lines 传输线●Operational amplifiers 运算放大器●Switches 开关●Diodes 二极管●Bipolar transistors 双极型晶体管●MOS transistors 金属氧化物场效应晶体管●JFET 结型场效应晶体管●MESFET 金属半导体场效应晶体管●Digital gates 数字门●其他元件 (见用户手册)。
新建PSpice仿真新建项目如图 1所示，打开OrCAD Capture CIS Lite Edition，创建新项目：File > New > project。
Pspice器件模型参数说明
Pspice 器件模型参数说明1、二极管模型及主要参数二极管模型参数如表1所示 名称 符号 SPIC 名称 单位 缺省值 反向饱和电流(Saturation current) I S IS A 10-14 欧姆电阻(Ohmic resistance) R S RS Ω 0 发射系数(Emission coefficient) n N 1 渡越时间(Transit time) τT TT s 0 零偏置电容(Zero-bias junction capacitance) C j0 CJ0 F 0 结电压(Junction potential) V 0 VJ V 1 电容梯度因子(Grading coefficient) m M 0.5 反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) V ZK BV V ∞ 反向击穿电流(Current at breakdown voltage) I ZK IBV A 10-10仿真时采用理想二极管，参数不需要设置。
参数说明：I S ：PN 结反向扩散电流，该值远小于PN 结反向（漏）电流，因为它为包括反向空间电荷区产生的电流、表面复合电流、表面沟道电流和表面漏导电流。
n ：一般n =1，测量：正向特性线性区 )/ln(2121D D D D I I V V kT q n −=C j0: CD =C d +C j =m nU U V U C eI U )1()1(0D 0j s TTTD −+−τ0j T T 2)1(TDC e I U nU Us+−≈τV 0：0.7-0.8Vm : 0.3-0.5, 一般为0.332、 稳压管模型及主要参数模型参数如表1所示，参数设置如下： V ZK =U Z I ZK =I Zmin3、 晶体管模型及主要参数模型参数如表2所示名称符号 SPIC 名称 单位 缺省值 传输饱和电流 I S IS A 10-16 正向电流增益 βF BF100 反向电流增益 βR BR 1集电极电阻 R CC’ RC Ω 0 发射极电阻 R EE’ RE Ω 0 基极电阻R BB’ RB Ω 0 理想正向渡越时间τF TFs 0理想反向渡越时间 τR TR s 0 发射结零偏置势垒电容 C je0 CJE F 0 发射结电容梯度因子 m BEJ MJE 0.33 发射结内建电势 V 0e VJE V 0.75 集电结零偏置势垒电容 C jc0 CJC F 0 集电结零偏置势垒电容 m BCJ MJC 0.33 集电结零偏置势垒电容 V 0c VJC V 0.75一般参数设置如下：RB: r bb’RE, RC: 一般设为0 V 0e : =U BE , 一般为0.7V V 0c : 一般为0.75V其它参数说明：0je me0BE 0je je C 2)V U 1(C C ≈−=，此处m BE 约为0.5mc 0CB 0)V U 1(C C +=μμ，此处m BC 约为0.2-0.5 参数设置经验：C je0=0.5C π，C jc0=C μ=C ob4、 MOSFET 模型及主要参数i D 与u GS 、u DS 之间的关系：2GS(th)DO n 2GS(th)GS n 2GS(th)GS n D 2DS DS GS(th)GS n D oxn n n 2GS(th)GS ox n D ox ox oxoxox U I k )U U (k )U U )(L W('k 21i U 21U )U U )[(L W ('k i C 'k )L W()U U )(L W )(C (21i )T (T C =−=−=−−==−==恒流区：可变电阻区：沟道宽长比载流子迁移率，二氧化硅厚度二氧化硅介电常数，μμμεε模型参数设置：KP=k n ’， VT0=阈值电压U GS(th)。
Pspice器件模型参数说明
Pspice 器件模型参数说明1、二极管模型及主要参数二极管模型参数如表1所示 名称 符号 SPIC 名称 单位 缺省值 反向饱和电流(Saturation current) I S IS A 10-14 欧姆电阻(Ohmic resistance) R S RS Ω 0 发射系数(Emission coefficient) n N 1 渡越时间(Transit time) τT TT s 0 零偏置电容(Zero-bias junction capacitance) C j0 CJ0 F 0 结电压(Junction potential) V 0 VJ V 1 电容梯度因子(Grading coefficient) m M 0.5 反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) V ZK BV V ∞ 反向击穿电流(Current at breakdown voltage) I ZK IBV A 10-10仿真时采用理想二极管，参数不需要设置。
参数说明：I S ：PN 结反向扩散电流，该值远小于PN 结反向（漏）电流，因为它为包括反向空间电荷区产生的电流、表面复合电流、表面沟道电流和表面漏导电流。
n ：一般n =1，测量：正向特性线性区 )/ln(2121D D D D I I V V kT q n −=C j0: CD =C d +C j =m nU U V U C eI U )1()1(0D 0j s TTTD −+−τ0j T T 2)1(TDC e I U nU Us+−≈τV 0：0.7-0.8Vm : 0.3-0.5, 一般为0.332、 稳压管模型及主要参数模型参数如表1所示，参数设置如下： V ZK =U Z I ZK =I Zmin3、 晶体管模型及主要参数模型参数如表2所示名称符号 SPIC 名称 单位 缺省值 传输饱和电流 I S IS A 10-16 正向电流增益 βF BF100 反向电流增益 βR BR 1集电极电阻 R CC’ RC Ω 0 发射极电阻 R EE’ RE Ω 0 基极电阻R BB’ RB Ω 0 理想正向渡越时间τF TFs 0理想反向渡越时间 τR TR s 0 发射结零偏置势垒电容 C je0 CJE F 0 发射结电容梯度因子 m BEJ MJE 0.33 发射结内建电势 V 0e VJE V 0.75 集电结零偏置势垒电容 C jc0 CJC F 0 集电结零偏置势垒电容 m BCJ MJC 0.33 集电结零偏置势垒电容 V 0c VJC V 0.75一般参数设置如下：RB: r bb’RE, RC: 一般设为0 V 0e : =U BE , 一般为0.7V V 0c : 一般为0.75V其它参数说明：0je me0BE 0je je C 2)V U 1(C C ≈−=，此处m BE 约为0.5mc 0CB 0)V U 1(C C +=μμ，此处m BC 约为0.2-0.5 参数设置经验：C je0=0.5C π，C jc0=C μ=C ob4、 MOSFET 模型及主要参数i D 与u GS 、u DS 之间的关系：2GS(th)DO n 2GS(th)GS n 2GS(th)GS n D 2DS DS GS(th)GS n D oxn n n 2GS(th)GS ox n D ox ox oxoxox U I k )U U (k )U U )(L W('k 21i U 21U )U U )[(L W ('k i C 'k )L W()U U )(L W )(C (21i )T (T C =−=−=−−==−==恒流区：可变电阻区：沟道宽长比载流子迁移率，二氧化硅厚度二氧化硅介电常数，μμμεε模型参数设置：KP=k n ’， VT0=阈值电压U GS(th)。
pspice
PSpice仿真系统电路结构描述
电路结构
按一定方式连接起来的若干个器件（device）（如电源、电阻器、 电感器、电容器、变压器、晶体管、运算放大器、振荡器、触发 器等）的集合（collection）。称为电路（circuit），又称网络 （network）。 实际存在的电路，形式繁多，功能各异，但大致上可将电路区分
为两大类：用以传递、分配电能的电力电路和用以传递、处理
或变换电信号的电子电路。所谓电信号通常是指反映信息（如 语言、图象、数码等）特征的随时间变化的电流或电压，也可以 是电荷或磁通。
在研究电路时，常用数学表达式来描述这些电路元件本身以及各 种不同电路元件之间的电压与电流的关系。即可把电路的研究化 为数学向题，应用数学方法进行分析和解决工程问题。为了便于 对实际电路进行分析和数学描述，就必须对实际电路的物理特性 进行科学的抽象和概括．
础
三、分析语句： 包括具体的分析语句，如直流工作点分析、蒙特卡罗分析等，也包括 子程序和库文件的调用语句。
四、注释语句
在电路文件中并非必要，是程序的编写者增加程序的可读性而加入的 语句，不参与仿真分析。该语句可放在电路文件的任意位置。这种语句 一般以“；”开始 五、结束语句：位于程序的最后一行，格流源 电流控制电压源 独立电流源 结型场效应管 互感
T
U V W X
传输线
数字器件 独立电压源 电流控制开关 子电路
L
电感
2.2 电源描述语句
电源描述语句由电源名称、属性、连接节点以 及参数构成； 电源分为独立源和受控源两种； 在PSpice 中独立源包括独立电压源V和独立电 流源I； 受控源包括电压控制电压源E、电流控制电流 源F、电压控制电流源G和电流控制电压源H。
三极管的Pspice模型参数
附件A、三极管的Pspice模型参数.Model <model name> NPN(PNP、LPNP) [model parameters]第 1 页共9页第 2 页共9页附件B、PSpice Goal Function第 3 页共9页附件CModeling voltage-controlled and temperature-dependent resistorsAnalog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples.Voltage-controlled resistorIf a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values.Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are:Voltage ResistanceThe ABM expression for this is shown in Figure 1.第 4 页共9页Figure 1 - Voltage controlled resistor using look-up tableTemperature-dependent resistorA temperature-dependent resistor (or thermistor) can be modeled with a look-up table, or an expression can be used to describe how the resistance varies with temperature. The denominator in the expression in Figure 2 is used to describe common thermistors. The TEMP variable in the expression is the simulation temperature, in Celsius. This is then converted to Kelvin by adding 273.15. This step is necessary to avoid a divide by zero problem in the denominator, when T=0 C.NOTE: TEMP can only be used in ABM expressions (E, G devices).Figure 3 shows the results of a DC sweep of temperature from -40 to 60 C. The y-axis shows the resistance or V(I1:-)/1A.第 5 页共9页Figure 2 - Temperature controlled resistorFigure 3 - PSpice plot of Resistance vs. Temperature (current=1A)Variable Q RLC networkIn most circuits the value of a resistor is fixed during a simulation. While the value can be made to change for a set of simulations by using a Parametric Sweep to move through a fixed sequence of values, a voltage-controlled resistor can be made to change dynamically during a simulation. This is illustrated by the circuit shown in Figure 5, which employs a voltage-controlled resistor.第 6 页共9页Figure 4 - Parameter sweep of control voltageThis circuit employs an external reference component that is sensed. The output impedance equals the value of the control voltage times the reference. Here, we will use Rref, a 50 ohm resistor as our reference. As a result, the output impedance is seen by the circuit as a floating resistor equal to the value of V(Control) times the resistance value of Rref. In our circuit, the control voltage value is stepped from 0.5 volt to 2 volts in 0.5 volt steps, therefore, the resistance between nodes 3 and 0 varies from 25 ohms to 100 ohms in 25 ohm-steps.第7 页共9页Figure 5 - Variable Q RLC circuitA transient analysis of this circuit using a 0.5 ms wide pulse will show how the ringing differs as the Q is varied.Using Probe, we can observe how the ringing varies as the resistance changes. Figure 6 shows the input pulse and the voltage across the capacitor C1. Comparing the four output waveforms, we can see the most pronounced ringing occurs when the resistor has the lowest value and the Q is greatest. Any signal source can be used to drive the voltage-controlled resistance. If we had used a sinusoidal control source instead of a staircase, the resistance would have varied dynamically during the simulation.第8 页共9页Figure 6 - Output waveforms of variable Q RLC circuit第9 页共9页。
Pspice元件库介绍
1.1_SHOT : 10个杂项器件,其中有54，74，CD的2.7400~74S : 74系列的器件3.AA_IGBT : IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET4.AA_MISC : 杂项DIODE MOSFET5.ABM : 各种数学运算单元,如cos,sin,log,hipass,lowpass等,还有E/F/H/G等元件.6.ADV_LIN : ALD系列的线性放大器7.ANA_SWIT : 模拟开关8.ANALOG和ANALOG_P : 通用模拟器件,R，C，L9.ANL_MISC : 杂项模拟器件,如三相变压器，555，RELAY，SWITCH，VCO10.ANLG_DEV : AD公司放大器,电压参考器件，11.APEX : APEX公司PA/AM 系列运放12.APEX_PWM : APEX公司系列PWM控制器13.ASW : DG系列模拟开关14.BIPOLAR~BJPD : 三极管15.BREAKOUT: 用于最坏情况分析的元件。
RAM,ROM,DA8/10/12,AD/8/10/12,R,SWITCH,Q,POT(滑动变阻器),M,X(TRANSFORER)16.BUF & BUFF_BRN : BUFFERS17.CD4000 : CD系列器件18.CEL : NE系三极管LINR : CLC系列BUFF,OPA20.CONTROLLER : 电源控制电路，DC TO DC21.CORES : 磁芯22.DARLNGTN : EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR23.DATACONV : AD,DA24.DI : DIODE25.DIF : DIODE BRIDGE26.DIG_ECL : D Flip-Flop28.DIG_GAL : Generic Array Logic29.DIG_MISC : mixed digital device30.DIG_PAL : programable Array Logic31.DIG_PRIM : Generic digitial device: and,add,Flip_Flop32.DIH : diode pull-up and pull-down network33.DIODE : diode34.DIV : diode v35.DIZ : diode z36.DRI : MIXED37.EBIPLOAR : bipolar38.EDIODE : diode39.ELANTEC : ELANTEC半导体公司器件,运放,门电路等40.EPCOS : EPCOS公司器件,磁珠,压每电阻,NTC等。
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PSpice中的模型和模型参数库一．PSpice中的模型参数库二．模型描述格式半导体器件模型描述格式子电路模型描述格式三．以已有模型为基础新建模型描述四．为实际元器件提取模型参数、建立模型描述3．模型类别（按照建模方式划分）(1) 元器件物理模型(2) 子电路宏模型(3) 黑匣子宏模型4. 目前研究的问题(1) 提高模型精度。
(2) 建立新器件的模型。
(3) 提高模型参数提取精度。
5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
注意：这两类库文件存放的子目录不相同。
元器件符号库文件所在的路径元器件模型参数库文件所在的路径注意：只有上述库文件中的元器件符号才配置有模型参数一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
注意：这两类库文件存放的子目录不相同。
(2) 用户绘制电路图时实际调用的是元器件符号库中的元器件符号图。
调用PSpice进行模拟仿真时软件自动从对应的模型参数库中调用相应的模型参数。
(3) 元器件符号与相应模型描述之间的“链接”关系：通过元器件符号图的参数设置指定这种“链接”关系。
选中元器件符号，执行快捷菜单中的Edit Part命令，打开Part Edit窗口，可以查看这种“链接”关系。
执行Option/Package Properties命令，出现Edit Part Properties对话框一．PSpice中的模型参数库5．PSpice中的模型参数库(1) PSpice软件数据库中提供有三万多个元器件的模型参数；分别存放在一百多个模型参数库文件（扩展名为LIB）；每个模型参数库文件都对应有一个元器件符号库文件(以OLB为扩展名)，存放不同元器件的符号图。
注意：这两类库文件存放的子目录不相同。
(2) 用户绘制电路图时实际调用的是元器件符号库中的元器件符号图。
调用PSpice进行模拟仿真时软件自动从对应的模型参数库中调用相应的模型参数。
(3) 元器件符号与相应模型描述之间的“链接”关系。
(4) 通过路径设置，引导模拟过程中PSpice查找到模型描述所在的模型参数库文件名及其路径名。
Nom.lib文件中包含了PSpice AD软件提供的所有模型参数库文件名称；Nom_aa.lib文件中包含了PSpice AA软件提供的所有模型参数库文件名称；如果用户自己建立了模型参数库文件，必须采用上述方法设置相应的库文件及其所在的路径名称。
否则PSpice在模拟时不知道如何查找相应的模型描述。
一．PSpice中的模型参数库6．模拟过程中在模型方面用户可能进行的工作(1) 查看模型和模型参数。
(2) 以已有的模型为基础新建模型。
(3) 为一个新的元器件提取模型参数。
(4) 用一个“元器件”代表一个电路单元甚至一个子系统。
这四项任务由Model Editor模块完成；一．PSpice中的模型参数库7. 模型库文件和模型的查阅－Model Editor(1) Model Editor模块的调用方法直接调用。
在Capture中调用：选中一个元器件，执行Edit/PSpice Model命令。
注意：如果需要在新建模型描述过程中同时为新建模型建立相应的元器件符号，必须采用“直接调用”的方式。
(2)查阅模型文件(3)查阅模型描述PSpice中的模型和模型参数库一．PSpice中的模型参数库二．模型描述格式半导体器件模型描述格式子电路模型描述格式三．以已有模型为基础新建模型描述四．为实际元器件提取模型参数、建立模型描述半导体器件模型描述格式半导体器件模型描述格式.MODEL<模型名称> <器件类型>+ ([<模型参数名称> = <模型参数值> [容差设置]])*模型参数描述语句各项含义：(1) .MODEL：关键词，表示这是一句元器件模型描述语句。
(2) 模型名称: 对应元器件描述语句中引用的“模型名称”。
(3) 器件类型: 说明该模型描述的是哪一类元器件的模型。
半导体器件模型描述格式.MODEL<模型名称> <器件类型>+ ([<模型参数名称> = <模型参数值> [容差设置]])*模型参数描述语句各项含义：(1) .MODEL：关键词，表示这是一句元器件模型描述语句。
(2) 模型名称: 对应元器件描述语句中引用的“模型名称”。
(3) 器件类型: 说明该模型描述的是哪一类元器件的模型。
(4) 模型参数名称: 不同元器件的每个模型参数都有规定的名称。
(5) 模型参数值：给相应模型参数的赋值。
若未指定，则采用默认值。
半导体器件模型描述格式.MODEL<模型名称> <器件类型>+ ([<模型参数名称> = <模型参数值> [容差设置]])*模型参数描述语句各项含义：(1) .MODEL：关键词，表示这是一句元器件模型描述语句。
(2) 模型名称: 对应元器件描述语句中引用的“模型名称”。
(3) 器件类型: 说明该模型描述的是哪一类元器件的模型。
(4) 模型参数名称: 不同元器件的每个模型参数都有规定的名称。
(5) 模型参数值：给相应模型参数的赋值。
若未指定，则采用默认值。
(6) 容差设置：采用下述格式指定该模型参数值的容差。
[DEV<独立变化值>[%]] [LOT<同步变化值>[%]]注意：DEV和LOT是关键词，描述容差变化的不同特点。
若给出％，则表示相对变化率，否则表示绝对变化值。
PSpice中的模型和模型参数库一．PSpice中的模型参数库二．模型描述格式半导体器件模型描述格式子电路模型描述格式三．以已有模型为基础新建模型描述四．为实际元器件提取模型参数、建立模型描述子电路模型描述格式1．子电路描述的基本格式(1) 预备知识－关于“电连接网表”作用：描述电路的拓扑连接关系以及每个元器件参数。
绘制好电路图后Pspice可以自动生成相应的电连接网表。
例：F007运算放大器的电路图。
子电路模型描述格式PSpice生成的F007电连接网表如下所示：Q_Q1 N00041 VI1 N00096 MOD1Q_Q2 N00041 VI2 N00122 MOD1Q_Q3 N00099 N00119 N00096 MOD2Q_Q4 N00125 N00119 N00122 MOD2…R_R8 N00198 VEE 50kR_R9 N00368 VEE 50kR_R10 N00480 VO 25kR_R11 VO N00466 50k每一条语句按照规定的格式描述一个元器件的编号名称、用节点号描述在电路中的连接关系、以及元件值或者器件模型名称。
在模型参数库中一定有一条模型描述语句描述该模型。
子电路模型描述格式1．子电路描述的基本格式(1) 预备知识－关于“电连接网表”(2) 子电路描述的作用在Pspice模型参数库中，每个集成电路元器件均采用子电路描述的方式说明该集成电路的等效电路结构。
F007内部电路图UA741等效电路图（采用受控源描述的“单元块”）UA741宏模型描述* 1:non-inverting input; 2:inverting input；* 3:positive power supply; 4:negative power ；5:output supply .subckt uA741 1 2 3 4 5q1 11 2 13 qxegnd99 0 poly(2),(3,0),(4,0) 0 .5 .5fb 7 99 poly(5) vb vc ve vlp vln 0 10.61E6 -1E3 1E3 10E6 -10E6ga 6 0 11 12 188.5E-6gcm 0 6 10 99 5.961E-9iee 10 4 dc 15.16E-6hlim 90 0 vlim 1K......vb 9 0 dc 0vc 3 53 dc 1ve 54 4 dc 1vlim 7 8 dc 0vlp 91 0 dc 40vln 0 92 dc 40.model qx NPN(Is=800.0E-18 Bf=93.75).endsPSpice中的模型和模型参数库一．PSpice中的模型参数库二．模型描述格式半导体器件模型描述格式子电路模型描述格式三．以已有模型为基础新建模型描述四．为实际元器件提取模型参数、建立模型描述注意几项参数设置应该选中此选项设置存放元器件符号的文件名和路径方式三．以已有模型为基础新建模型描述2．在已有的库文件中以已有模型为基础新建模型描述(1) 调用Model Editor模块；(2) 选择执行File/Open命令打开一个模型文件；(3) 选择执行Model/Copy From命令，设置有关参数。
三．以已有模型为基础新建模型描述(4) 完成图中设置后，点击图中OK按钮，当前打开的库文件中即新增一个名称为Q2N2222－MC的模型，屏幕上同时显示模型描述的具体内容，用户可进行修改。
(5) 在Model Editor中选择执行File/Save命令，更新已打开的库文件内容，将新建的模型添加到库文件中。
说明：按Tools/Options的设置，存放一个模型描述时，同时自动启动新建相应的元器件符号描述，其过程见下述第3个问题介绍。
三．以已有模型为基础新建模型描述3．以已有模型为基础将新建模型描述存放在用户定义的库文件中(1) 调用Model Editor模块；(2) 选择执行File/New命令，新建一个模型库文件；(3) 选择执行Model/Copy From命令，设置有关参数，包括修改模型参数描述的内容。
设置相关参数点击OK按钮在Model Editor窗口中出现新建器件模型描述用户可根据需要修改相应参数三．以已有模型为基础新建模型描述2．以已有模型为基础将新建模型描述存放在用户定义的库文件中(1) 调用Model Editor模块；(2) 选择执行File/New命令，新建一个模型库文件；(3) 选择执行Model/Copy From命令，设置有关参数，，包括修改模型参数描述的内容。