第3讲场效应管18130

IDSS
可
变
恒
电
ΔiD 阻
流
区
区
百度文库
夹断区（截止区）
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
4. 转移特性
低频跨导：
iD f (uGS)UDS常量
场效应管工作在恒流区，
gm
iD uGS
UDS常量
因而0 ＞ uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。
第三讲 场效应管 （1.4）
第三讲 场效应管：
一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管
三、场效应管的分类
一、结型场效应管（以N沟道为例）
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）， 对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、 可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？
第三讲结束！
下一讲将讲述： 共射放大电路及其分析方法
作业： 1.9、1.12、1.15
自学： 1.4.3、1.4.4、图1.4.13
uGS=0时就存在 导电沟道
小到一定 值才夹断
加正离子
耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导 通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在 uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。
3. MOS管的特性
1)增强型MOS管
开启 电压
2)耗尽型MOS管
夹断 电压
结型场效应管
结构示意图
漏极
符号
栅极
导电 沟道
源极
1. 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
沟道最宽
UGS（off）
沟道变窄
沟道消失 称为夹断
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必 须加负电压？
2. 漏-源电压对漏极电流的影响
uGD>UGS（off）
uGD＝UGS（off）
预夹断
uGD<UGS（off）
漏极饱 和电流
夹断 电压
在恒流区时
iD
I
DSS
(1
uGS UGS(off)
)2
为什么必须用转移特性 描述uGS对iD的控制作用？
二、 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大
。
VDD的增大，几乎全部用来克服沟道 的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD 几乎仅仅决定于uGS。
场效应管工作在恒流区的条件是什么？
3. 输出特性
iD f (uDS)UGS常量
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
g-s电压控 制d-s的等
效电阻
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
三、场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS＞ S＜00， ，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS＜ 极 SS＞ 极00， 性 ， 性uu任 D任 DS＜ S＞ 意 意 00)u)u， ， DDS＜ S＞00))
1. 增强型MOS管uDS对iD的影响刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
uGS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS，恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
2. 耗尽型MOS管