材料电学性能unit2-浙江大学材料物理性能笔记
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
2.1.固体电子理论
1.经典自由电子学说
自由电子在晶体中的行为如同气体,故又称电子气体
困难:
1)实测的电子对热容的贡献比经典自由电子学说估计值小得多
2)实际测量的电子平均自由程比经典理论估计值大许多
3)绝缘体、半导体、金属导体导电性为何存在巨大差异
2.量子自由电子学说
电子的能量是不连续的,而是存在一准连续的能级
量子自由电子学说尚无法解释为何绝缘体、半导体、金属的导电性能存在巨大差异
量子自由电子学说的局限是忽略了周期势场的影响
态密度物理意义:单位能量范围内所能容纳的电子数
费米能表示0K时基态系统电子所占有的最高能级的能量, 可以认为费米能不随温度变化
3. 有了能带概念,就可以说明金属和绝缘体的区别,并且由能带理论预言了介于两者之间的半导体的存在
单电子近似:假定固体中的原子核不动,并设想每个电子是在固定的原子核的势场中及其它电子的平均势场中运动,这样就把问题简化成单电子问题,这种方法称为单电子近似
能带论:用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论
紧束缚近似:如果用相反的思维过程,即先考虑电子完全被原子核束缚,然后再考虑近似束缚的电子,也可以得到能带概念,这种方法称为紧束缚近似
原子基态价电子能级分裂而成的能带称为价带,相应于价带以上的能带(即第一激发态)称为导带
金属:热能(T>0K)或电场所产生的能量足以将大量电子激发成为自由电子
绝缘体与半导体:半导体与绝缘体的能带结构相同,差别仅在于禁带的宽度
价带顶部并无空能级,要产生自由电子和电子空穴必须使电子跨越禁带以进入导带,所需能量较大。一般地,激发能量由热或光提供,而非由电场提供
非晶态:
扩展态:电子可在整个晶体中运动的电子态
定域化
定域态的能量被局限在一个范围内
迁移率边:扩展态和定域态之间有一个能量的分界
2.2.材料电导性能
电导率:σ=nze(v/E) n为单位体积电粒子数目
μ=v/E 迁移率μ(单位电场作用下带电粒子漂移速度)
σ=nzeμ
散射越弱,τ(松弛时间)越大,迁移率也就越高
晶格散射:晶格振动引起的散射。温度↑,晶格振动↑,晶格散射↑对于低掺杂半导体:μ随T 升高而大幅度下降
电离杂质散射:电离杂质产生的正负电中心对载流子的吸引或排斥作用产生的散射。温度↑,载流子运动速度↑,所受吸引和排斥作用的影响↓,散射作用↓对于高掺杂:μ随T升高变化小本征半导体:载流子只由半导体晶格本身提供,即电性由纯物质本身电子结构决定
本征电导:导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的电导现象
特征:本征电导的载流子电子和空穴的浓度是相等的,载流子是由热激发产生的,载流子浓度与温度成指数关系
n=Nexp[-Eg/(2kT)] N为等效状态密度
可见,对于本征半导体,载流子浓度随禁带宽度的增加而快速减小,随温度增大而快速增加“多余”的电子所处杂质能级称为施主能级,掺入施主杂质的半导体称为n型半导体
空穴所处杂质能级称为受主能级,掺入受主杂质的半导体称为p型半导体
杂质半导体的载流子浓度与温度的关系也符合指数规律
本征电导率:σ=σ0exp[-Eg/(2kT)]
低温时,本征项起主要作用
高温时,杂质项起主要作用
离子导电:离子电导的微观机制为离子的扩散
影响因素:1)温度
2)晶体结构:Tm/结构紧密↑,晶体结合力↑,活化能↑,电导率↓
3)晶格缺陷:
热激活缺陷
不等价固溶缺陷
非化学计量比缺陷
在含有碱金属离子的玻璃中,基本上表现为离子电导
双碱效应:是指当玻璃中碱金属离子总浓度较大时(占玻璃组成25~30%),在碱金属离子总浓度相同的情况下,含两种碱金属离子比含一种碱金属离子的玻璃电导率要小。当两种碱金属浓度比例适当时,电导率可以降到很低
压碱效应:是指含碱玻璃中加入二价金属氧化物,特别是重金属氧化物,使玻璃的电导率降低。相应的阳离子半径越大,这种效应越强
电子波的散射是金属中存在电阻的根本原因
导致散射原因:晶格振动,晶体缺陷
在一定的低温条件下材料突然失去电阻的现象称为超导电性
超导体两特性完全导电性
完全抗磁性
超导转变温度Tc:低于Tc时,超导体便出现完全导电和迈斯纳效应等基本特
三个性能指标临界磁场Bc:磁场高于Bc,磁力线穿入超导体,超导体被破坏,成为正常态临界电流密度Jc:Jc为保持超导状态的最大输入电流,输入电流密度JC所产生的磁场与外磁场之和超过BC,超导态遭到破坏
2.3.材料介电性能
电介质(或介电质):电场作用下,能建立极化的一切物质(电绝缘物质)
电介质的极化:电介质在电场作用下产生感应电荷的现象
C=Sε/d εr大小反映了电介质极化的能力ε为介电常数
极化:介质内质点(原子、分子、离子)正负电荷中心的分离,转变成偶极子的现象极化的基本特征是介质内部感应出电偶极矩,介质表面出现宏观束缚电荷
电子位移极化
极化的种类有离子位移极化
固有电偶极子转向极化
D =ε
E =ε
0E + P P=ε
χ
e
E χ
e
=εr-1为介电磁化率
极化的基本形式可分为两种:
位移式极化:是一种弹性的、瞬时完成的极化,不消耗能量,电子位移极化、离子位移极化属这种情况
松弛式极化:极化与热运动有关,完成这种极化需要一定的时间,而且是非弹性的,因而要消耗一定的能量,电子松弛极化、离子松弛极化属这种类型
1)电子位移极化:在外电场作用下,原子或离子外围的电子云相对于正电荷原子核发生位移形成的极化叫电子位移极化。
一切电介质中都存在,T↑εr↓表现为负温度系数
2)离子位移极化:由离子构成的电介质,在电场作用下,正负离子发生相对位移,产生感应
电偶极矩,即为离子位移极化
T↑εr↑,表现为正温度系数
3)材料中存在着弱联系电子、离子和偶极子等松弛质点时,热运动使这些松弛质点分布混乱而无电偶极矩,在电场作用下,质点沿电场方向做不均匀分布而在一定的温度下形成电偶极矩,使介质发生极化。这种极化具有统计性质,叫做热松弛极化
离子参加极化的几率远大于参加电导的几率
离子松弛极化率比电子位移极化率和离子位移极化率大一个数量级,因而导致较大的介电常数频率很高时,离子松弛极化来不及建立,只存在电子和离子位移极化。因而介电常数随频率升高明显下降
外加电场力图使弱束缚电子的转移运动具有方向性,这就形成了极化状态。这种极化与热运动有关,也是一个热松弛过程,所以叫电子松弛极化。电子松弛极化的过程是不可逆的,必然有能量的损耗
弱束缚电子和自由电子也不同:不能自由运动,即不能远程迁移
4)转向极化主要发生在极性分子介质中,具有恒定偶极矩p0的分子称为极性分子
当极性分子受到外电场作用时,偶极子发生转向,趋于和外加电场方向一致,介质整体出现宏观偶极矩,这种极化现象称为偶极子转向极化
转向极化一般需要较长时间,介电常数具有负温度系数
5)在电场作用下,不均匀介质内部的正负间隙离子分别向负、正极移动,引起介质内各点离子密度变化,即出现电偶极矩,这种极化叫做空间电荷极化
空间电荷极化随温度升高而下降。空间电荷的建立需要较长的时间
6)自发极化:每个晶胞里存在固有电偶极矩的晶体称为极性晶体
电介质损耗:Q越大,损耗越小