模拟电子技术课后答案

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模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

习题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。

若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。

解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ，当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ，当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ，当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。

题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。

解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ，当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。

题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。

解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。

模拟电子技术基础课后习题答案

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，O B O A U U =；都接人负载L R 电阻时，测得O B O A U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。

2．5 FET 是通过改变来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与D S u 基本上是关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

题图 2.6
解：（1）Q1 点： β ≈ 50, Q2点：β ≈ 0。（2） U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V （a） RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 （ μ A ），直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ，取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ，可得直流负载线如图 2.18（b）中①线，工作 1 1 = − ，可得图 2.18（b）中点 Q( U CEQ = 6 V， I CQ = 2 mA)，交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V， β = 100 。判别电路的工
9V
（b）题图 2.7
（c）
解：在题图(a )中，由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态。U C = U CC = 12V。
题图（b）：
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。

电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。

模拟电子技术基础(王淑娟、于泳)全部课后答案(高等教育出版社)

模拟电子技术题库第2章【2-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。

两种载流子的浓度。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3．漂移电流是在作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。

5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。

1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。

2.杂质浓度，温度。

3.少数载流子，(内)电场力。

4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。

5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）6.增大;【2-2】试分析图2.10.1电路，计算电位器调节端对地的输出电压范围。

+1212V图2.10.1 题2-2电路图解：二极管的正向特性曲线，当电流较大时，比较陡直，也具有一定的稳压特性。

此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。

可以从其他电源转换而来，例如图中的±12V直流电源，比通过电阻降压要好。

两个二极管正偏工作，a、b二点间的电压为1.4V。

330W的电位器跨接在a、b二点之间，a点是+0.7V，b点是-0.7V。

U o对地电压的调节范围-0.7V~+0.7V，电位器的中点是0V。

【2-3】电路如图2.10.2所示，二极管均为理想二极管，电压U为220V市电，L1、L2和L3为3个灯泡，请分析哪个灯泡最亮。

123图2.10.2 题2-3电路图[解] 根据题意，电压U 为220V 交流市电，故该电路的分析应该从正半周和负半周两个方面进行。

在正半周，D 2导通，L 2被短路，D 1和D 3截止，L 1和L 3各分得电压110V ；在负半周，D 1和D 3导通，L 1和L 3被短路，L 2上承受220V 电压；故L 2灯最亮。

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。

1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。

1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。

1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。

二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。

1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。

1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。

稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。

三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。

( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。

( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。

( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。

( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性正向偏置导通反向偏置截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大减小减小1.6 （b ）1.7 （b ）（a ）1.8 （b 1）（c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

第一章习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解：波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V =10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V，试求： ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？解：① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。

模拟电子技术教程习题答案

模拟电子技术教程习题答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】第6章习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。

（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。

（3）如果要用单个运放实现：A＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将u正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。

A. 反相比例B. 同相比例C. 积分D. 微分E. 加法 F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。

（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗（不会）加1000V的交流电压呢（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。

（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗（不一定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。

（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。

（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。

（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。

模拟电子技术习题答案

模拟电⼦技术习题答案模拟电⼦技术习题答案电⼯电⼦教学部第⼀章绪论⼀、填空题：1. ⾃然界的各种物理量必须⾸先经过传感器将⾮电量转换为电量，即电信号。

2. 信号在频域中表⽰的图形或曲线称为信号的频谱。

3. 通过傅⽴叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的振幅随⾓频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的相位随⾓频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及⽆穷多项⾼次谐波分量组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。

9. 放⼤电路分为电压放⼤电路、电流放⼤电路、互阻放⼤电路以及互导放⼤电路四类。

10. 输⼊电阻、输出电阻、增益、频率响应和⾮线性失真等主要性能指标是衡量放⼤电路的标准。

11. 放⼤电路的增益实际上反映了电路在输⼊信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能⼒。

12. 放⼤电路的电压增益和电流增益在⼯程上常⽤“分贝”表⽰，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。

13. 放⼤电路的频率响应指的是，在输⼊正弦信号情况下，输出随输⼊信号频率连续变化的稳态响应。

14. 幅频响应是指电压增益的模与⾓频率之间的关系。

15. 相频响应是指放⼤电路输出与输⼊正弦电压信号的相位差与⾓频率之间的关系。

⼆、某放⼤电路输⼊信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少属于哪⼀类放⼤电路解：Ω105A10V50pA 10mV 5001011i o r ?====-.i v A 属于互阻放⼤电路三、某电唱机拾⾳头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少如果在拾⾳头与扬声器之间接⼊⼀个放⼤电路，它的输⼊电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。

〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

〔〕〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

〔〕〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

〔〕〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

〔〕〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

〔〕〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。

〔〕解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×二、选择正确答案填入空内。

〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 根本不变C. 变宽〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I〔3〕稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如下图，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

模拟电子技术基本教程课后习题答案

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。

1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =－51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。

③当R L =∞时，R i ≈282k Ω；当R L =1.2k Ω时，R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3

习题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中，1T 、2T 、3T 的特性都相同，且321βββ==很大，===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ，计算21U U −。

题图3.1 解：43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA ， 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。

题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。

设三极管的β相等，=BE U 0.6V ，=CC V +15V 。

要求：①设反向饱和电流2S 1S I I =，根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。

②若要求mA 5.01C =I ，μA 202C =I ，则电阻R 、E R 。

题图3.2解：①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈， RU V I I BE CC 1C REF −=≈。

②mA 5.01C =I ，μA 202C =I 时，Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R ， Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。

题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。

图中所有三极管均为硅管，−=BE U 0.7V ，>>β1。

计算1o I 、2o I 和3o I 。

题图3.3解：mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I ， μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I ， m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。

题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中，设==21U U 10V ，Ωk6.81=R ，Ωk7.42=R ，三个晶体管的特性均相同，且=β50，=BE U 0.7V 。

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第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。

答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。

（）答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。

答案:发射结正偏，集电结反偏6.二极管具有（）导电特性。

答案:单向7.下图电路中，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，VCC＝15V， RL＝8Ω，电路的最大输出功率Pomax =（）W。

【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。

答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易（）。

答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（）。

答案:共摸抑制比11.在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（）V【图片】答案:-212.在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。

当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。

【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下，有电流放大，但没有电压放大作用的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路，下列说法正确的是（）。

答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应小于10000。

（）答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。

（）答案:错误17.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第一章

第一章半导体器件1.1 电路如图P1.1所示，设二极管为理想的，试判断下列情况下，电路中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端的电压AO U 。

（1）V V DD 61=，V V DD 122=；（2）V V DD 61=、V V DD 122-=；（3）V V DD 61-=、V V DD 122-=。

解：1、当V V DD 61=、V V DD 122=时，假设二极管是截止的，则V V B 6=、V V A 12=二极管承受反偏电压，所以二极管截止假设成立。

V V U DD AO 122==。

2、当V V DD 61=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的则V V B 6=、V V A 12-=二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。

V V U DD AO 61==。

3、当V V DD 61-=、V V DD 122-=时，假设二极管是截止的，则V V B 6-=、V V A 12-= 二极管承受正偏电压，所以二极管截止假设不成立，二极管导通。

V V U U DD BO AO 61-===。

1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压VU D 7.0)on (=，试分别求出Ω=k R 1、Ω=k R 4时，电路中的电流O I I I 、、21和输出电压O U 。

解：1、当Ω=k R 1时，假设二极管是截止的，则mA I I O 5.41192=+=-= V R I U V L O O B 5.415.4-=⨯-===V V A 3-= (V V V B A 5.1=-)由上分析可知，二极管承受正偏电压导通（假设不成立）故可得其等效电路如图P1.2b 所示：根据KCL 、 KVL ：⎪⎩⎪⎨⎧+-=-+=+=RI R I R I I I I LO O222197.039 解之：mA I mAI mA I 3.56.17.3210==-=V R I U L O O 7.317.3-=⨯-==2、当Ω=k R 4时，假设二极管是截止的，则mA I I O 8.11492=+=-=VR I U V L O O B 8.118.1-=⨯-===V V A 3-= V U U B A 2.1-=-由上分析可知，二极管承受反偏电压截止（假设成立）01=I mA I I 8.102=-=V R I U L O O 8.118.1-=⨯-==3.3 设二极管为理想的，试判断P1.3所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压AO U解：（a ）假设21V V 、均截止，则V V A 10=、V V B 6-=、V V O 0=， 21V V 、均承受正偏电压，但2V 管的正向偏值电压更大，故它首先导通。

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