模拟电子技术课后答案

内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。
4. 现有：宽频信号发生器 1 个，示波器 1 个，互导型放大器 1 个，1K 电阻 1 个。如通过实验法求放大
器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。
解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从 0HZ 开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输
模拟电子技术课后答案
第 1 章 习题答案
1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√）
（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×）
（3）线性电路一定是模拟电路。（√）
（4）模拟电路一定是线性电路。（×）
（5）放大器一定是线性电路。（√）
（10）某放大器在输入频率 0~200KHZ 的范围内，增益是 100V/V，在频率增加到 250KHZ 时增益变成
约 70V/V，该放大器的下限截止频率 fL 是 0HZ ，上限截止频率 fH 是 250KHZ ，通频带 fBW 是 250KHZ 。 3. 现有：电压信号源 1 个，电压型放大器 1 个，1K 电阻 1 个，万用表 1 个。如通过实验法求信号源的
0.2 V。
（12）某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 上
升
。
（13）将 3V 和 6V 的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合，可得到 5 种有效的
形式，等效稳压值分别为 3V、9V、3.7V、6.7V 、0.7 。
（14）PN 结具有结电容效应，凡用 PN 结组成的电子元件，在 信号频率 较高时
出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。
第 2 章 习题答案
1. 概念题： （1）常温下，N 型半导体在导电时有空穴载流子参与吗？（ 有 ） P 型半导体在导电 时有电子载流子参与吗？（ 有 ） （2）在不加外电压时，PN 结内部有没有电子的运动？（ 有 ） 将 P 极和 N 极相连并 串接电流表会有电流指示吗？（ 无 ） （3）PN 结加正向电压时空间电荷区将变宽吗（ 不是 ）P+N 结加反向电压哪边将变得 更宽（ N 边 ） （4）作漂移运动的一定是少数载流子吗？（ 不一定 ）处于放大状态的晶体管，集电 极电流是多子漂移运动形成的吗？（ 是 ） （5）拿 2 个二极管可否组成 1 个三极管？（ 不行 ）三极管可否当二极管用？（ 可以 ）
（6）线性电路一定是放大器。（×）
（7）放大器是有源的线性网络。（√）
（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√）
（9）放大器的零点是指放大器输出为 0。（×）
（10）放大器的增益一定是大于 1 的。（×）
2 填空题：
（1）放大器输入为 10mV 电压信号，输出为 100mA 电流信号，增益是 10S 。
（9）半导体导电特征和金属导电的特征的不同点是
电子和空穴都参与导
电
。
（10）二极管主要的特点是 单向导电性 ，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是
最大整流电流 和 最大反向电压 。
（11）在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降
约为 0.7 V；锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为
|UGD|<|UGS(th)| 且二者同号 。
2．如图 2-64 所示电阻分压式电路，输入电压 ui 为正弦信号，峰值为 0～100V。要求输
出 uo 为 0～5V，输出阻抗小于 1kΩ，分压精度优于 1‰，请给出 R1、R2 的阻值、功率和精
必须考虑这种效应。
（15）变容二极管在工作时也要加偏置电路吗？（ 需要 ）发光二极管在工作时要串联
一个电阻，否则 会因电流过大而损坏 。
（16）三极管输出特性曲线中饱和区和放大区的分界线标志为 UCB=0
，截止
区和放大区的分界线标志为 IB=0 或 IC=ICEO 。
（17）当三极管工作在放大区时，两个 PN 结的特征是 发射结正偏、集电结反
输入信号为电流源的
情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在
负载要求为恒流输出的
情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是 1V，零漂是+20PPM，当温度升高 10℃时，零点是 1.0002V
。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是 10V，其最大不失真正电压输出+UOM 是 14V ，最大不 失真负电压输出-UOM 是 -14V 。
（6）下列哪些元件为双极型器件？（A、B）哪些元件为单极型器件？（C、D）
A. 二极管、稳压管
B.三极管
C. 结型场效应管
D. MOS 管
（7）H 参数等效模型适合（ A、C、D ）。
A. 中低频电路
B. 高频电路
C. 小信号输入
D. 交流分析
（8）UGS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ A、C ）。 A. 结型场效应管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
偏
。
（ 18 ） 耗 尽 型 FET 管 输 出 特 性 曲 线 中 可 变 阻 区 和 恒 流 区 的 分 界 线 标 志 为
UGD=UGS(off) ，截止区和恒流区的分界线标志为 UGS= UGS(off) ；增强型 FET 管输出特 性曲线中可变阻区和恒流区的分界线标志为 UGD=UGS(th) ，截止区和恒流区的分界线标 志为 UGS= UGS(th) 。
（2）放大器输入为 10mA 电流信号，输出为 10V 电压信号，增益是 1KΩ
。
（3）放大器输入为 10V 电压信号，输出为 100mV 电压信号，增益是 0.01 。
（4）在
输入信号为电压源的
情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在
负载要求为恒压输出的
情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在
（19） 在 0< |UGS|<|UGS(off)|，|UGD|>|UGS(off)| 且二者同号的 前提下，JFET 管或耗 尽型 MOS 管工作在放大区。
（ 20 ） 当 N 沟 道 增 强 型 MOS 管 工 作 在 放 大 区 时 ， 其 外 部 管 脚 间 的 电 压 特 征 是
|UGS|>|ຫໍສະໝຸດ BaiduGS(th) ，