晶体二极管模型不同
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→多子扩散形成正向电流I F
P型半导体 空间电荷区 N型半导体
－ － －－
++ ++
－ － － 正－向电流 + + + +
－ － －－ ++ + +
内电场 E
EW
R
2. 加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。
外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动
+4 +4
在绝对温度T=0K时， 所有的价电子都被共价键 紧紧束缚在共价键中，不 会成为自由电子，因此本 征半导体的导电能力很弱 ，接近绝缘体。
束缚电子
+4
+4 +4
+4
空穴
+4 +4
自由电子
+4
+4 +4
当温度升高或受到 光的照射时，束缚 电子能量增高，有 的电子可以挣脱原 子核的束缚，而参 与导电，成为自由 电子。
+44
锗原子
硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。
一. 本征半导体（Intrinsic Semiconductor)
本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常 称为“九个9”。
本征半导体的共价键结构
+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移 电流，呈现高电阻， PN结截止。
PN结具有单向导电性
动画演示1 动画演示2
3. PN结的伏安特性 根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图
反向饱和电流 反向击穿电压
IF（多子扩散） 正偏
反偏
反向击穿
IR（少子漂移）
电击穿——可逆 热击穿——烧坏PN结
自学：PN结的击穿特性 （P18） 思考：温度升高时，曲线有何变化？
常温300K时：
硅：1.4 1010
电子空穴对的浓度
cm3
锗：2.5 1013
cm3
导电机制
－ +4
E
＋
+4
+4 自由电子
动画演示
+4
+4 +4
+4
+4
+4
自由电子 带负电荷 电子流
载流子
空穴 带正电荷 空穴流 ＋总电流
本征半导体的导电性取决于外加能量：
温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。
形成内电场 阻止多子扩散，促使少子漂移。 内电场E
P型半导体 空间电荷区 N型半导体
－ － －－
++ ++
－ － －－
++ ++
－ － －－ ++ + +
少子漂移电流
耗尽层
多子扩散电流
少子飘移
－
补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E
多子扩散
又失去多子，耗尽层宽，E
内电场E
动画演示
P型半导体 耗尽层 N型半导体
－ －－ ++ + +
－ － －－Fra Baidu bibliotek
++ ++
－ － －－ ++ + +
少子漂移电流
动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流
势垒 UO
硅 0.5V 锗 0.1V
多子扩散电流
总电流＝0
二. PN结的伏安特性
1. 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。
外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动
二. 杂质半导体(Doped Semiconductor)
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。
1. N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例 如磷，砷等，称为N型半导体。
N型半导体
硅原子 +4
多余电子
+4
磷原子
+4
+4
+4
电子空穴对 自由电子
N型半导体
+5 +4
++ + + ++ + +
振荡电路、调频电路
－－ ++
－－ ++
EW
R
2. 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同，这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 －
→少子漂移形成反向电流I R
P
空间电 荷区
N
在一定的温度－ 下，－ 由－本 － + + + +
征激发产生的少－子浓－度是－ － + + + +
一定的，故IR基－本上－与外－ －
++ ++
IR
加反压的大小无关，所以 内电场 E
称为反向饱和电流。但IR
与温度有关。
EW
R
PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散 电流，呈现低电阻， PN结导通；
u
根据理论分析： i IS (e UT 1)
u 为PN结两端的电压降
当 u>0
u>>UT时
u
e UT 1
i 为流过PN结的电流 IS 为反向饱和电流
u
i ISe UT
UT =kT/q 称为温度的电压当量
当 u<0
u
其中k为玻耳兹曼常数
|u|>>|U T |时 e UT 1
1.38×10－23
第一章 晶体二极管
1.1 半导体物理基本知识 1.2 ＰＮ结 1.3 晶体二极管电路的分析方法 1.4 晶体二极管的应用 1.5 其它二极管
1.1 半导体物理基础知识
在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为 导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。
si
硅原子
GGee
i IS
q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K）
则有UT=26 mV。
三. PN结的电容特性
1. 势垒电容CB
当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应
地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化 ，就像电容充放电一样。
P 空间电荷区 N
变容二极管
－－ ++
+4 +4
++ + +
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
施主离子
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
杂质半导体的示意图
多子—空穴
多子—电子
P型半导体
N型半导体
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
少子—电子
少子—空穴
少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关
思考：多子浓度与何相关？
1.2 PN结
一. 动态平衡下的PN结形成
PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区
自由电子产生的 同时，在其原来的共 价键中就出现了一个 空位，称为空穴。
这一现象称为本征激发，也称热激发。
动画演示
可见本征激发同时产生
电子空穴对。
+4
+4
+4
外加能量越高（温度
越高），产生的电子空
穴对越多。
+4
空穴
+4
电子空穴对
与本征激发相反的
+4 +4
现象——复合
自由电子
+4 +4
在一定温度下，本征激 发和复合同时进行，达 到动态平衡。电子空穴 对的浓度一定。
P型半导体 空间电荷区 N型半导体
－ － －－
++ ++
－ － － 正－向电流 + + + +
－ － －－ ++ + +
内电场 E
EW
R
2. 加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。
外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动＞扩散运动
+4 +4
在绝对温度T=0K时， 所有的价电子都被共价键 紧紧束缚在共价键中，不 会成为自由电子，因此本 征半导体的导电能力很弱 ，接近绝缘体。
束缚电子
+4
+4 +4
+4
空穴
+4 +4
自由电子
+4
+4 +4
当温度升高或受到 光的照射时，束缚 电子能量增高，有 的电子可以挣脱原 子核的束缚，而参 与导电，成为自由 电子。
+44
锗原子
硅和锗最外层轨道上的 四个电子称为价电子。
一. 本征半导体（Intrinsic Semiconductor)
本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常 称为“九个9”。
本征半导体的共价键结构
+4
+4 +4
+4
+4 +4
+4
PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移 电流，呈现高电阻， PN结截止。
PN结具有单向导电性
动画演示1 动画演示2
3. PN结的伏安特性 根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图
反向饱和电流 反向击穿电压
IF（多子扩散） 正偏
反偏
反向击穿
IR（少子漂移）
电击穿——可逆 热击穿——烧坏PN结
自学：PN结的击穿特性 （P18） 思考：温度升高时，曲线有何变化？
常温300K时：
硅：1.4 1010
电子空穴对的浓度
cm3
锗：2.5 1013
cm3
导电机制
－ +4
E
＋
+4
+4 自由电子
动画演示
+4
+4 +4
+4
+4
+4
自由电子 带负电荷 电子流
载流子
空穴 带正电荷 空穴流 ＋总电流
本征半导体的导电性取决于外加能量：
温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。
形成内电场 阻止多子扩散，促使少子漂移。 内电场E
P型半导体 空间电荷区 N型半导体
－ － －－
++ ++
－ － －－
++ ++
－ － －－ ++ + +
少子漂移电流
耗尽层
多子扩散电流
少子飘移
－
补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E
多子扩散
又失去多子，耗尽层宽，E
内电场E
动画演示
P型半导体 耗尽层 N型半导体
－ －－ ++ + +
－ － －－Fra Baidu bibliotek
++ ++
－ － －－ ++ + +
少子漂移电流
动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流
势垒 UO
硅 0.5V 锗 0.1V
多子扩散电流
总电流＝0
二. PN结的伏安特性
1. 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。
外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动
二. 杂质半导体(Doped Semiconductor)
在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。
1. N型半导体
在本征半导体中掺入五价杂质元素，例 如磷，砷等，称为N型半导体。
N型半导体
硅原子 +4
多余电子
+4
磷原子
+4
+4
+4
电子空穴对 自由电子
N型半导体
+5 +4
++ + + ++ + +
振荡电路、调频电路
－－ ++
－－ ++
EW
R
2. 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同，这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 －
→少子漂移形成反向电流I R
P
空间电 荷区
N
在一定的温度－ 下，－ 由－本 － + + + +
征激发产生的少－子浓－度是－ － + + + +
一定的，故IR基－本上－与外－ －
++ ++
IR
加反压的大小无关，所以 内电场 E
称为反向饱和电流。但IR
与温度有关。
EW
R
PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散 电流，呈现低电阻， PN结导通；
u
根据理论分析： i IS (e UT 1)
u 为PN结两端的电压降
当 u>0
u>>UT时
u
e UT 1
i 为流过PN结的电流 IS 为反向饱和电流
u
i ISe UT
UT =kT/q 称为温度的电压当量
当 u<0
u
其中k为玻耳兹曼常数
|u|>>|U T |时 e UT 1
1.38×10－23
第一章 晶体二极管
1.1 半导体物理基本知识 1.2 ＰＮ结 1.3 晶体二极管电路的分析方法 1.4 晶体二极管的应用 1.5 其它二极管
1.1 半导体物理基础知识
在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为 导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。
si
硅原子
GGee
i IS
q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K）
则有UT=26 mV。
三. PN结的电容特性
1. 势垒电容CB
当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应
地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化 ，就像电容充放电一样。
P 空间电荷区 N
变容二极管
－－ ++
+4 +4
++ + +
多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴
施主离子
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
杂质半导体的示意图
多子—空穴
多子—电子
P型半导体
N型半导体
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
少子—电子
少子—空穴
少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关
思考：多子浓度与何相关？
1.2 PN结
一. 动态平衡下的PN结形成
PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区
自由电子产生的 同时，在其原来的共 价键中就出现了一个 空位，称为空穴。
这一现象称为本征激发，也称热激发。
动画演示
可见本征激发同时产生
电子空穴对。
+4
+4
+4
外加能量越高（温度
越高），产生的电子空
穴对越多。
+4
空穴
+4
电子空穴对
与本征激发相反的
+4 +4
现象——复合
自由电子
+4 +4
在一定温度下，本征激 发和复合同时进行，达 到动态平衡。电子空穴 对的浓度一定。