士兰微电子推出600V／30A 3相全桥驱动智能功率模块SD30M60AC
7mbr30sa060功率模块
Switching time : ton, tr, toff, tf [ nsec ]
1000 100
[ Inverter ] Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=300V, VGE=±15V, Rg=82Ω, Tj=25°C
ton toff tr
should be connected together and shorted to copper base.
Rat ing 600 ±20 30 60 30 120 600 ±20 20 40 80 600 800 30 210 221
+150 -40 to +125
AC 2500 AC 2500
7MBR30SA060
IGBT MODULE (S series) 600V / 30A / PIM
IGBT Modules
Features
· Low VCE(sat) · Compact package · P.C. board mount · Converter diode bridge, Dynamic brake circuit
Turn-on time
Turn-off time
Reverse current Forward on voltage
Reverse current Resistance
B value
ICES IGES VGE(th) VCE(sat)
Cies ton tr tr(i) toff tf VF
trr ICES IGES VCE(sat)
Item
Symbol
Collector-Emitter voltage Gate-Emitter voltage
士兰微电子 SD02M50DAE DAS 说明书
智能功率模块(IPM)，500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1：壳温测试点，请看图5所示。
推荐工作条件电气特性参数（除非特殊说明，Tamb=25︒C，VCC =VBS=15V）逆变器部分(除非特殊说明，特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明，特指每个HVIC)备注2：BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压，实际应用的时候，考虑到导线杂散电感的影响，V PN 必须足够小于BV DSS 这个值，以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。
备注3：t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。
列出的值是在实验室的测试条件，会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。
请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。
士兰微SD4840_SD4841_SD4842_SD4843_SD4844规格书
内置高压MOSFET电流模式PWM控制器系列
描述
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于开关电源的内置
高压MOSFET电流模式PWM控制器系列产品。
该电路待机功耗低，启动电流低。在待机模式下，电
路进入打嗝模式，从而有效地降低电路的待机功耗。 电路的开关频率为67KHz，抖动的振荡频率，可以获
IDSS VDS=480V. ，VGS=0V Tamb=125°C
650 --
--
V
--
-- 50 μA
--
-- 200 μA
SD4840P67K65
-- 14.0 16.8
静态漏 源导通 电阻
SD4841P67K65 SD4842P67K65 RDS(ON) VGS=10V，ID=0.5A SD4843P67K65
4 / 10
SD4840/4841/4842/4843/4844
电气参数(除非特殊说明，VCC=12V，Tamb=25°C)
参
数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
欠压部分
上电启动电压 关断电压
Vstart Vstop
11 12 13
V
7
8
9
V
振荡部分
振荡频率
FOSC
管脚排列图
SD4840/4841/4842/4843/4844
司
公
管脚说明
管脚号 1 2 3
管脚名称 SGND PGND VCC
限
I/O -
-
有功 能 描 述
控制电路地
技 MOSFET 地 科 供电脚
士兰微电子 3VD235600YL 高压MOSFET芯片 说明书
3VD235600YL高压MOSFET芯片描述Ø3VD235600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；Ø先进的高压分压终止环结构；Ø较高的雪崩能量；Ø漏源二极管恢复时间快；Ø该芯片可采用TO-251型式封装，典型的成品规格为2N60；Ø封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动；芯片简图芯片介绍项目描述圆片尺寸6Inch管芯尺寸2060μm *2720μm管芯数量2815 dice/wafer芯片厚度300±20µm.正面金属 /厚度Al(1%Si) : 3µm.背面金属 /厚度Ti/Ni/Ag:0.1/0.3/0.4μm栅极压点尺寸（PAD1）454.2μm *536μm划片道宽度80μm *80μm极限参数(T amb=25°C)参数名称符号额定值单位漏源电压V DS600V 栅源电压V GS±30V 漏极电流I D 2.0A 耗散功率(TO-251封装)P D44W 工作结温T J150°C 贮存温度T stg-55～+150°C电参数(T amb=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V， I D=250µA600--V 栅极开启电压V TH V GS= V DS，I D=250µA 2.0- 4.0V 漏源漏电流I DSS V DS=600V，V GS=0V-- 1.0µA 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=1.0A-- 4.6Ω栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V--±100nA 漏源寄生二极管正V FSD I S=2.0A, V GS=0V-- 1.4V 向导通压降声明：•士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
SD20M60AC说明书_1.0
a6 a7
置位
复位
a4 a3
a2 SC
a1 a8
分流电阻感应电压
SC参考电压
故障输出信号
CR时间常数延迟 a5
（包含外部分流电阻和CR 连接） a1：正常工作：IGBT 导通，并且加载负载电流。 a2：短路电流检测（SC 触发器）。 a3：IGBT 门极硬中断。 a4：IGBT 关断。 a5：故障输出定时器开始工作：故障输出信号的脉冲宽度是由外部电容CFO设定。 a6：输入"L"：IGBT 处于关断状态。 a7：输入"H"：IGBT 处于导通状态，但是在故障输出起作用期间，IGBT不导通。 a8：IGBT 处于关断状态
图 3. 短路电流保护时序图（只适合于低侧）
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.0 共 12 页 第 7 页
士兰微电子
SD20M60AC 说明书
输入信号
保护电路状态 电源电压 输出电流
复位
置位
UVCCR b1
UVCCD b3
b2 b4
复位 b6 b7
参数
符号
测试条件
过温保护点
TSD LVIC上的温度
过温保护迟滞
ΔTSD LVIC上的温度
低侧欠压保护(图4)
UVCCD UVCCR
VCC检测电平 VCC复位电平
高侧欠压保护(图5)
UVBSD UVBSR
VBS检测电平 VBS复位电平
导通阈值电压
VIH 逻辑高
关断阈值电压
VIL 逻辑低
备注 1: 故障输出脉宽 tFO 取决于 CFOD，CFO=18.3×10-6×tFO[F] 备注 2: 短路保护只对低侧有效
士兰微电子推出高压MOS管的原
士兰微电子推出高压MOS管的原
杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置
650V高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854。
该产品带有可编程的
线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
广泛适用于手机充电器、小功率适配器、待机电源、MP3及其他便携式设备。
SD6853/6854是离线式开关电源集成电路，内置高压MOS管、带有
线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器，采用了士兰微电子自主知
识产权的专利技术。
通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈
电压，间接控制系统的输出电压和电流，从而达到输出恒压或者恒流的目的。
在一定的输出功率范围内，可通过反馈电阻设定输出电压;可通过峰值电流采样电阻设定输出电流。
也可以根据需要设置线损补偿和峰值电流补偿，以达
到最佳的输出电压、输出电流的调整率。
正常的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测：当MOS管导通，通过采样电阻检测原级线圈的电流，输出电容对负载供电，输出电压VOUT
下降;当原级线圈的电流到达峰值时，MOS管关断，检测FB端电压，存储在次级线圈的能量对输出电容充电，输出电压VOUT上升，并对负载供电。
当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后，MOS管才开启，芯片再次进入。
SD30M60AC 说明书
SD30M60AC说明书智能功率模块 600V/30A 3相全桥驱动描述SD30M60AC是高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调、洗碗机、工业缝纫机等。
其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。
SD30M60AC内部集成了欠压、短路、过温等各种电路，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD30M60AC采用了高绝缘、易导热的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
主要特点♦内置6个600V/30A的低损耗IGBT；♦内置高压栅极驱动电路；♦内置欠压保护和过温、过流保护；♦内置自举二极管；♦完全兼容3.3V和5V的MCU的接口，高电平有效；♦3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用；♦报警信号：对应于低侧欠压保护和短路保护；♦封装体采用DBC设计，热阻极低；♦绝缘级别：2500Vrms/min。
应用♦空调压缩机♦冰箱压缩机♦低功率变频器♦工业缝纫机产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SD30M60AC DIP-27H SD30M60AC 无铅料管内部框图极限参数参数符号参数范围单位逆变器部分加在PN之间的直流母线电压V PN450 V 加在PN之间的直流母线电压（浪涌）V PN(Surge)500 V 集电极和发射极之间的电压V CES600 V 单个IGBT集电极持续电流，T C=25°C I C30 A 单个IGBT集电极尖峰电流，T C=25°C，I CP60 A 脉冲宽度小于1毫秒每个模块最大集电极耗散功率，T C=25°C P C106 W 控制部分控制电源电压V CC20 V 高侧控制电压V BS20 V 输入信号电压V IN-0.3~17 V参数符号参数范围单位故障输出电源电压V FO-0.3~V CC+0.3 V故障输出电流I FO 5 mA V FO管脚的灌电流电流检测脚的输入电压V SC-0.3~V CC+0.3 V整体系统短路保护的限制电压点V PN(PROT)400 V V CC=V BS=13.5~16.5V, T J=150°C, 单次且小于2微秒模块外壳工作温度T C-40~125 °C 限制条件：-40°C≤T J≤150°C存储温度范围T STG-40~150 °C每个IGBT的结到外壳的热阻RθJC Q 1.2 °C/W 每个FRD的结到外壳的热阻RθJC F 1.9 °C/W 绝缘电压60赫兹，正弦，1分钟V ISO2500 V rms 连接管脚到散热器安装扭矩T 0.5~0.8 N.m 安装螺丝：-M3，推荐值0.62N.m自举二极管正向电流（T C=25°C）I F0.5 A自举二极管正向峰值电流（T C=25°C，1ms脉冲宽度）I FP 2.0 A 推荐工作条件电气特性参数(除非特别说明，T amb =25°C ，V CC =V BS =15V)逆变器部分(a)开启过程(b)关闭过程图1. 开关时间定义控制部分备注1: 故障输出脉宽t FO 取决于C FOD ，C FO =18.3×10-6×t FO [F] 备注2: 短路保护只对低侧有效自举二极管部分（除非特别说明，适用于每个自举二极管）0.00.10.20.30.40.50.60.70.80.91.00123456789101112131415内置自举二极管 V F -I F 特性I F (A )V F (V)注：电阻特性：等效电阻：~ 15Ω。
士兰微电子 SD8666QS 开关电源控制器说明书
内置高压功率MOSFET的多重模式控制器产品规格分类典型输出功率能力内部框图电气参数(内置功率MOSFET部分，除非特殊说明，T=25︒C)amb重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。
SD8666QS可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。
多种控制模式SD8666QS具有多重模式控制。
在重载条件下（VFB>2V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在CCM 模式，此时为PWM控制，固定频率55KHz，当输入电压高时，工作在DCM模式，此时工作在QR模式，可以减小开关损耗，最大频率限制在69KHz。
随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM模式，最大限制频率开始降低直到最低频率23KHz，期间谷底开通仍然存在，可以提高转换效率。
在空载和极轻负载条件下（VFB<1V），进入打嗝模式，有效地降低待机功耗。
SD8666QS具有低压重载升频功能，输入电压低于100V时，重载条件下，（VFB>2.4V），频率随FB电压增加而升高，提高低压的极限输出功率。
如图1所示。
过图 2. VCC过压保护的波形图输出过载保护当输出发生过载时，FB电压会升高，当升到FB过载保护点4.2V时，且再经过过载保护延时90ms后，功率MOSFET 关断，VCC电压开始下降；当VCC电压降到关断电压8V时，电路重新启动。
输出过载保护的波形如图3所示。
滤波4上的电阻上的CS电压连续4个周期都大于1V时，就判定输出二极管短路。
此时功率MOSFET关断，且进入锁定状态。
当AC输入电压断开，VCC电压下降至锁定点5V时，才能解除锁定状态；当AC输入电压重新上电后，系统将重新启动。
AC输入电压欠压保护在功率MOSFET导通时，辅助绕组电压为负，DEM管脚钳位为0V。
SD8666QS通过设定外部检测电阻，检测DEM 管脚流出的电流。
士兰微电子 SDH2103 说明书 - 高压半桥驱动电路
高压半桥驱动电路描述SDH2103DA / SDH2103SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。
它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号互锁保护功能及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。
特性♦高侧浮动偏移电压600V♦输出电流+0.25A / -0.65A♦输入逻辑兼容3.3V / 5V / 15V♦内置死区时间♦高低侧输入信号互锁保护♦低侧欠压（UV）保护♦dV/dt误动作防止功能v 应用♦马达驱动♦高亮度放电灯具♦开关电源♦空调、等离子电视等家电产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SDH2103DA DIP-8-300-2.54 SDH2103DA 无卤料管SDH2103SA SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤料管SDH2103SATR SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤编带内部框图极限参数(除非特别注明，否则T amb =25°C)推荐工作条件电气参数（除非特别说明，否则T amb =25°C ，V CC =V BS （=V B -V S ）=15V ）管脚排列图HINLOV S HO V BGND LIN V CC管脚描述功能描述SDH2103DA/SDH2103SA 是用于N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压功率器件的半桥驱动电路，正常工作时输出HO 与输入HIN 保持逻辑同相，输出LO 与输入LIN 保持逻辑反相。
SDH2103DA/SDH2103SA 具有输入信号死区时间，该功能防止被驱动的两个MOSFET 或IGBT 因同时导通而产生大电流，有效保护功率器件。
SDH2103DA/SDH2103SA 同时具备欠压（UV ）保护功能，当V CC 的电压低于欠压保护检测电压时，LO 和HO 均输出低电平。
该功能防止被驱动的MOSFET 或IGBT 工作在高电压大电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。
介绍一种用于低成本新型模块的600V第三代IGBT技术
３ Ａ ６０ ０ ／ ０ Ｖ） 或一个 ＰＭ排 列模块 （ Ｉ 最大 １Ａ ６０ 。这种模块很容 易用可靠的单面压板进行安装。 ５ ／ ０ Ｖ）
关 键 词 ： 第 三代 Ｉ Ｂ ａｙ５ Ｇ ；Ｅ ｓ７ ０模 块 ；消 费 类 产 品
Ｄ ｉ ０ ３ ６ ／ ． ｉ ｎ １ ０ ６ ３ ．２ １ ．０ ． ０ ２ ｏ ：１ ． ９ ９ ｊ ｓ ． ０ ０— １ ３ ０ ５ １ ｓ １
Ｔｆ ． ｃＩ
将这种 电场 截止 区域与 晶片衬 底增加 的 电阻率 相结 合 ， 器件 的厚 度 在相 同 的阻 断 电压 下 可 以减 少 约 １３ ／ 。随着 晶片 厚 度 的减 少 ， 以进 一 步 降 低 通 可
图 ３ ２Ａ第二代 Ｉ Ｂ ０ Ｇ Ｔ和第三代 Ｉ Ｂ Ｇ Ｔ的关 断电流
摘要 ：消费类应用领域 面临着低 成本 逆变器解决 方案 的挑 战 。这 就需要人 们采 取相 应的功 率半导体 和 壳体
设 计 理 念 。 面 对这 一挑 战 ，Ｅ ｐ ｃ 司推 出 了 ６ ０ 第 三代 Ｉ Ｂ ｕｅ 公 ０Ｖ Ｇ Ｔ和 一 种 新 型 超 小 型 Ｅ ｓ７ ０模 块 平 台。 作 为 一 个 ａｙ５
在 本文 中 ， ｕ ｅ／ｎ ｎ ｏ （ 派 克／ 飞 凌 ） Ｅ ｐ ｃ Ｉｆ ｅｎ 优 ｉ 英 公
个 附加 ｎ型掺 杂层 组成 。
收 稿 日期 ：０ １— ６— ８ ２１ ０ ０
机 电 元 件
定 尺 寸的 芯 片 来 说 ， 功 耗 一 般 可 以 提 高 ３ ％ 一 其 ５
５ ０％ 。
ｂ）
◆Ｂ Ｂａ 第二代 Ｎ ＴＩ Ｂ ） Ｐ Ｔ芯片和 ｂ Ｇ ）第三代沟道
栅 电场 截 止 Ｉ Ｂ Ｇ Ｔ芯 片示 意 图 。 图 中还 显 示 了 Ｅ极 电场 的定 性 分 布 以及 Ｉ Ｂ Ｇ Ｔ厚 度
士兰微电子推出新一代高压MOSFET——F—CeIITM系列
８ ｏ ｏ ｍｍ ｎ＋１ Ｃ ６根按 键 ； 内建 显 示 内存 及 Ｒ Ｃ振 荡 电
路 ；工 作 电压 宽广 ：． ２４ Nhomakorabea～５５ Ｈ １Ｋ ３提 供按 键 ． Ｖ； Ｔ ６ ２
中断 讯 号给 ＭＣ ＭＣ Ｕ、 Ｕ可 不 须一 直 检 查 按键 状 态 。
Ｈ １Ｋ ３与系 统 控 制芯 片 的传 输 只 需 ２根 信号 线 ， Ｔ６２
Ｔ Ｔ ８７ Ａ ８５ ，这 些 器件 能够 取 代 现有 有 线 电视 系 统 中
的多 个器 件 。 Ｔｉ ｕｎ 公 司产 品 经 理 Ｂ ｉ ａ ｅ 表示 ，这 三 ｒ ｉｔ Ｑ ｒ ｎＢ ｕ ｒ ａ 款器 件可 为 中国有线 电视 制 造商 提供 一个 经济 型射
至 ３ Ｖ 的宽 输 入 电压 范 围 ，能 配合 各 种 电 源 驱 动 ６ １—９ ２ ０颗 Ｌ Ｄ产 生 均匀 亮 度 ，ｃ内部 每 一 ｃ ａ ｎ ｌ Ｅ Ｉ ｈｎ ｅ
Ｌ Ｄ背 光驱 动 ｌ Ｄ ８ ９ Ｅ Ｌ ７８ Ｃ
通 嘉推 出可驱 动 ４ｃａｎｌ Ｅ ｎ ａ， 效 率 ｈｎｅＬ Ｄｌｅｂｒ其 ｉ
高达 ９ ％， 电流 Ｌ Ｄ背 光 驱动 Ｉ —Ｌ ７ ８ 。４５ ３ 恒 Ｅ Ｃ Ｄ ８９ ． Ｖ
Ｔ ｉｕｎ 半 导 体公 司宣 布 ，在 中 国推 出三 款新 ｒ ｉｔ Ｑ 的创 新 Ｔ ｉｃ ｅｓ放 大 器 — — Ａ ６ ５ Ｂ Ｔ Ｔ ４ ７ ｒ ｃｓ Ａ Ｔ Ｔ ２４ 、Ａ ７５ 、
产品 ， 工作 电压可 以覆盖 ４ ０ － ９０ ０Ｖ ０ Ｖ区 间 ， 作 电 工
流在 １ 一 １ Ａ之 间 ， 以兼 容多 晶稳压 管结 构 以提 Ａ ８ 可 高 Ｅ Ｄ特性 ； Ｓ 具有 高 可 靠 性 ， 效 率 ， Ｅ Ｓ能 力 ， 高 高 Ａ 导通 电阻低 ，动 态参 数优 等 特点 ，已被广 泛应 用 于
士兰微电子 SDH2136 三相半桥驱动电路 说明书
SDH2136说明书三相半桥驱动电路描述SDH2136是用作N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。
内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。
内置输入信号滤波，防止噪声干扰。
提供外部使能控制可同时关断六通道输出。
此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。
主要特点♦ 高侧浮动偏移电压600V ♦ 输出电流+0.22A/-0.35A ♦ 输入逻辑兼容3.3V/5V ♦ 死区时间控制 ♦ 欠压保护（UVLO ） ♦ 过流保护关断六通道输出 ♦ 使能控制 ♦ 输入输出反相♦ 集成三个独立的半桥驱动器 ♦dV/dt 误动作防止功能。
应用♦ 三相电机驱动 ♦ 开关电源♦空调、冰箱、洗衣机等家电产品规格分类产品名称 封 装 形 式 打印名称 材料 包装 SDH2136 SOP-28-375-1.27 SDH2136 无卤 料管 SDH2136TRSOP-28-375-1.27SDH2136无卤编带内部框图管脚排列图功能描述SDH2136是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路，正常工作输出时，LO和HO分别与输入LIN和HIN的信号保持逻辑反相。
SDH2136同时具备欠压（UV）保护功能，当V CC的电压低于欠压保护检测电压时，三个通道的LO和HO均输出低电平，当V BS的电压低于欠压保护检测电压时，HO输出低电平，LO正常响应LIN的信号。
该功能防止被驱动的MOSFET 或IGBT工作在高电压高电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。
SDH2136还具备输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。
SDH2136内置死区时间，防止被驱动的两个功率MOS管或IGBT因直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功注2：直通保护防止LO1,2,3与HO1,2,3同时导通。
士兰微电子 SVF4N60D F T M 4A、600V N沟道增强型场效应管说明书
VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=480V，ID=4A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----2.0
461 57 1.47 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01
版本号：1.1 2011.08.26 共10页 第4页
典型特性曲线（续）
SVF4N60D/F/T/M 说明书
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.1 2011.08.26 共10页 第5页
SVF4N60D/F/T/M 说明书
SVF4N60D/F/T/M 说明书
4A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N60D/F/T/M N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围
符号
VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg
SVF4N60T
100 0.8
参数范围 SVF4N60F
600 ±30 4.0 2.5 16 33 0.26 217 -55～+150 -55～+150
SVF4N60D/M
77 0.62
封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251-3L TO-251D-3L
士兰微电子 SGM200HF12A3TFD 说明书 200A, 1200V IGBT模块 说明书
200A, 1200V IGBT模块描述SGM200HF12A3TFD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器、电焊机等。
主要特点♦200A，1200V，V CE(sat)(典型值) =2.2V@I C=200A♦V CE(sat)带正温度系数♦高抗短路能力♦低开关损耗♦采用铜底板，绝缘DBC技术A3 命名规则S G M200H F12A3T F DIGBT模块系列额定电流：如 200=200A 电路配置: 半桥特征及产品等级： TF 表示短开关时间，D表示工业级封装形式：铜底板, DBC,106mm×62mm×30mm 电压：如 12=1200V产品规格分类产品名称封装形式打印名称包装SGM200HF12A3TFD A3 SGM200HF12A3TFD 纸箱极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号参数范围单位集电极-发射极电压V CE1200 V 栅极-发射极电压V GE±20 V 集电极电流T C=80°C I C200 A 集电极重复脉冲电流T C=80°C I CRM400 A 工作结温范围T J-40~+125 °C 储存温度范围T stg-40~+125 °C 隔离电压V iso2500 V 散热器M6 Ms 3~5 Nm 接线端M5 Mt 3~5 Nm 重量W 300 g热阻特性参数符号 参数范围 单位 结-壳热阻 (单个IGBT) R θJC 0.12 °C/W 结-壳热阻 (单个FRD) R θJC 0.21 °C/W 壳-散热器热阻R θCS0.015°C/WIGBT 电气特性参数 (除非特殊说明，T C =25°C)FRD 电气特性参数 (除非特殊说明，T C =25°C)典型特性曲线图 1. 典型输出特性 (25°C)集电极电流– I C (A )10001028集电极-发射极电压 – V CE (V)15050250集电极电流 – I C (A )栅极-发射极电压 – V GE (V)图 3. 传输特性2001030106064图 2. 典型输出特性 (125°C)集电极电流 – I C (A )集电极-发射极电压 – V CE (V)28图 4. 电容特性电容 - C (p F )1030集电极-发射极电压 – V CE (V)开关时间 - T [n s ]栅极电阻 - R g (Ω)图 6. 开启特性 vs. 栅极电阻501040050图 5. 栅极电荷特性栅极-发射极电压 - V G E (V )06181000栅极电荷 – Q(nC)102162008120300030202004640204010002410150502502008680414100150250350905070500121212515253545556575855152535401500200020450500典型特性曲线（续）正向电流 - I F (A )正向电压 - V F (V)图 12. 二极管正向特性350123开关时间 - T (n s )栅极电阻 - R g (Ω)图 7. 关断特性 vs. 栅极电阻1000开关损耗- E (m J )栅极电阻 - R g (Ω)图 8. 开关损耗 vs. 栅极电阻开关时间 - T (n s )集电极电流 - I C (A)图 9. 开启特性 vs. 集电极电流501202502200150100160200开关时间 - T (n s )集电极电流 - I C (A)图 10. 关断特性 vs. 集电极电流40014000600800开关损耗 - E (m J )集电极电流 - I C (A)图 11. 开关损耗 vs. 集电极电流0.00200100015001050030204010600302040105030204010020014018024012022010016020014018024020.001202201001602001401802401502500100250500200050120070809010030035040045020016001800200040.0060.0080.00100.00120.000.51.52.5典型特性曲线（续）脉冲宽度 (S)图 14. 瞬态热阻抗-脉冲宽度 (IGBT)10110010-110-210-310-510-110-610-310110-410-2集电极电流 - I D (A )集电极-发射极电压 - V CE (V)图 15. 最大安全工作区域1001031010-1102100104101102101热阻抗（标准化）（°C /W ）脉冲宽度 (S)图 13. 瞬态热阻抗-脉冲宽度 (FRD)10110010-110-210-310-510-110-610-310010210-410-2100101热阻抗（标准化）（°C /W ）电路图1245376封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
各电压等级的IGBT模块主要作用领域
各电压等级的IGBT模块主要作用领域
600V IGBT模块适合100-250Vac的家用电器（比如变频空调），办公电器，医疗仪器，通讯电源，小型逆变焊机，电动汽车驱动器。
该等级比较出名的产品有赛米控专为30KHZ运用开发的600V IGBT模块在小型快速逆变焊机上运用很多，其在Ts=80°C时，电流等级从30A/600V到54A/600V；IR推出600V车用IGBT系列，具有低传导和开关损耗的特点，非常适合电动汽车和混合动力汽车平台中的多种变速电机控制应用。
1200V适合300-440Vac的通用变频器，AFE，SVG，小型感应加热，如家用电磁炉常用的FGA25N120ANTD，内部都带阻尼二极管，若采用不带阻尼二极管的功率场效应管。
1700V适合460-750Vac的变频器，AFE，SVG，感应加热。
如英飞凌IHW30N160R2是英飞凌公司专门针对软开关和电磁炉IGBT 运用市场研发的反向导通（RC- ）与IGBT的单片体二极管。
IHW30N160R2使用场截止技术的IGBT较低的饱和电压使导电损耗能够降低，并能降低系统功率消耗等级。
此外，这种技术还通过降低漂移区剩余的电荷载流子的浓度，将IGBT关闭期间出现的损耗降至最低。
3300V可用于矿山1140V交流电压的防爆型变频器（用于驱动采煤机，传送带，提升机，破碎机），回馈装置，SVG，和城市轨道交通（轻轨，地铁）的电力传动。
6500V可以用于中压电力传动，回馈装置，高压无功补偿，电力机车驱动器，国防科学研究。
目前各电压等级的市场规模都在上升阶段，6500V是真正电力级别的IGBT，未来会取代电力晶闸管，也能应用在晶闸管无法实现的领域。
电动汽车领域的市场也非常大。
士兰微电子 SD05M50DLDLS 说明书
W V V V °C °C °C °C/W
Vrms
杭州士兰微电子股份有限公司
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版本号：1.2 共 10 页 第 2 页
士兰微电子
SD05M50DL/DLS 说明书
推荐工作条件
参数 供电电压 控制电源电压 高侧偏置电压 输入开启阈值电压 输入关闭阈值电压 防止桥臂直通的死区时间 VCC=VBS=13.5~16.5V, TJ≤150°C PWM开关频率, TJ≤150°C
SD05M50DL/DLS 说明书
VCCBiblioteka VBHINHO
LIN
VS
COM
LO
VCC
VB
HIN
HO
LIN
VS
COM
LO
VCC
VB
HIN
HO
LIN
VS
COM
LO
P 17
U,VSU 18
NU 19
NV 20
V,VSV 21
NW 22
W,VSW 23
极限参数
参数 P-N 输入电压 单个 MOSFET漏极持续电流 TC=25°C 单个 MOSFET漏极持续电流 TC=80°C 单个MOSFET 峰值漏极电流(峰值) TC=25°C,脉冲宽度<100μs 最大功耗, TC=25°C 控制电源电压 高侧偏置电压 输入信号电压 结温范围 壳温范围 TJ≤150°C (注 1) 存储温度范围 结到外壳的热阻 绝缘电压, 60Hz, 正弦， AC 1分钟， 连接管脚到散热器
符号 VPN VCC VBS VIN(ON) VIN(OFF)
Tdead
fPWM
最小值 -
13.5 13.5 3.0
0
士兰微电子 AC-DC 产品简介
典型应用图
N
EMI FILTER
AC IN
L
DC OUT
SDH682X
新产品
1 GND 2 VCC 3 FB 4 BO
Drain Drain Drain HV
8 7 6 5集成MOS 电流检测电阻Silan 士兰微电子
内部框图
交叉式频率抖动，具有 自己的专利，改善EMI 集成可关断恒流源, 减小待机功耗，独 特工艺专利.
Silan 士兰微电子
SDH682X系列
SDH6823A 5V 2.1A 适配器
主要特色 demo外观
低待机功耗(230VAc, 25mW) 平均效率80%，满足EPA2.0标准 仅有一个差模电感 实现B/O功能，宽范围电压恒功率限制 100KHz频率，整机体积小 各种异常保护发生时自动重启 通过了各种安规测试( EMI, surge, ESD等)
Silan 士兰微电子
Part No. SD6861 SD6863 SD6864 SD6865 10W 14W 20W 26W 190V-265V Adapter Open Frame 14W 19W 24W 30W Adapter 8W 12W 18W 24W 85V-265V
SD686X系列
Ron 9.6 4.0 2.8 1.1 Ipeak 0.75 1.2 1.5 2.2
AC-DC产品和典型应用
Silan 士兰微电子
AC-DC 产品分布和应用
Silan AC/DC Product Profile & EE Applications
Applications Note
士兰微电子 SGT60N60FD1PN P7 说明书
60A 、600V 绝缘栅双极型晶体管描述SGT60N60FD1PN/P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop ）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS 以及PFC 等领域。
特点♦ 60A ，600V ，V CE(sat)(典型值)=2.2V@I C =60A ♦ 低导通损耗 ♦ 快开关速度 ♦高输入阻抗命名规则SGT 60 N 60 □□□ P □IGBT 系列电流规格,60表示60A N : N ChannelNE : N 沟平面栅带ESD T : N 沟槽栅电压规格 : 60表示600VD : 封装快恢复二极管的器件R : 集成续流二极管的器件封装形式,如PN 表示TO-3P 封装形式; P7表示TO-247封装形式1,2,3… : 版本号L : 低饱和压降器件S : 标准器件Q : 快速器件F : 高速器件UF : 超高速器件产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SGT60N60FD1PN TO-3P 60N60FD1 无铅 料管 SGT60N60FD1P7TO-247-3L60N60FD1无铅料管极限参数(除非特殊说明，T C =25°C)参 数符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压 V CE 600 V 栅极-射极电压 V GE ±20 V 集电极电流 T C =25°C I C 120 A T C =100°C60 集电极脉冲电流 I CM 180 A 耗散功率（T C =25°C ） P D 321 W 工作结温范围 T J -55～+150 °C 贮存温度范围 T stg-55～+150°C热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻（IGBT）RθJC0.39 °C/W 芯片对管壳热阻（FRD）RθJC 1.10 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA40 °C/WIGBT电性参数(除非特殊说明，T C=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集射击穿电压BV CE V GE=0V, I C=250μA 600 -- -- V 集射漏电流I CES V CE=600V, V GE=0V -- -- 200 μA 栅射漏电流I GES V GE=20V, V CE=0V -- -- ±400 nA 栅极开启电压V GE(th)I C=250μA, V CE=V GE 4.0 5.0 6.5 V饱和压降V CE(sat)I C=60A,V GE=15V -- 2.2 2.7 V I C=60A,V GE=15V,T C=125°C -- 2.6 -- V输入电容C ies VCE=30VV GE=0Vf=1MHz -- 2850 --pF输出电容C oes-- 294 -- 反向传输电容C res-- 85 --开启延迟时间T d(on)V CE=400VI C=60AR g=10ΩV GE=15V感性负载-- 36 --ns开启上升时间T r-- 142 --关断延迟时间T d(off)-- 193 --关断下降时间T f-- 136 --导通损耗E on-- 3.72 --mJ 关断损耗E off-- 1.77 --开关损耗E st-- 5.49 --栅电荷Q gV CE = 400V, I C=60A, V GE = 15V -- 179 --nC发射极栅电荷Q ge-- 23 --集电极栅电荷Q gc-- 100 --FRD电性参数(除非特殊说明，T C=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位二极管正向压降V FM I F=30A, T C=25°C -- 1.9 2.6V I F=30A, T C=125°C -- 1.5 --二极管反向恢复时间T rr I ES=30A, dI ES/dt=200A/μs -- 38 -- ns 二极管反向恢复电荷Q rr I ES=30A, dI ES/dt=200A/μs -- 85 -- nC典型特性曲线图1. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )090180026集电极-发射极电压 – V CE (V)15030120集电极-发射极电压 – V C E (V )栅极-发射极电压 – V GE (V)图5. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压204820481612图6. 饱和电压vs.壳温集电极-发射极电压 – V C E (V )1242575150壳温– T C (°C)125412165060集电极-发射极电压 – V C E (V )栅极-发射极电压 – V GE (V)图4. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压20482048161212163100图2. 传输特性集电极电流 – I C (A )401001015栅极-发射极电压 – V GE (V)8020605图3. 典型饱和电压特性集电极电流 – I C (A )0601800246集电极-发射极电压 – V CE (V)12030901501.52.53.5典型特性曲线（续）图8. 栅极电荷栅极-发射极电压 – V G E (V )01580200栅极电荷 – Qg(nC)612图9. 开启特性 vs.栅极电阻开关时间(n S )栅极电阻 - Rg(Ω)开关损耗 - E (m J )栅极电阻 - R g (Ω)图11. 开关损耗 vs. 栅极电阻3940120160图10. 关断特性 vs.栅极电阻开关时间(n S )栅极电阻 - Rg(Ω)100图7. 电容特性C (pF )6000135集电极-发射极电压 – V CE (V)4000102000100030005000100000101010001020501图12. 开启特性 vs.集电极电流开关时间(n S )集电极电流 - I C (A)1010000101100101000301100203040502030405051030406090120典型特性曲线（续）开关损耗（m J ）集电极电流 - I C (A)图14.开关特性vs. 集电极电流反向恢复时间- T r r (n s )正向电流 - I F (A)图16.反向恢复时间vs. 正向电流开关时间（n s ）集电极电流 - I C (A)图13.关断特性vs. 集电极电流45303540集电极电流 - I C E (A )集电极-发射极电压 - V CE (V)图18.最大安全工作区域10210210-110110310010110030105060402010311000200.11040608012010002012010010804060100100正向电流-I F M (A )正向电压-V FM (V)图15.正向特性1000.52.5101211.5反向恢复电荷- Q r r (n c )正向电流 - I F (A)图17.反向恢复电荷vs. 正向电流100020403010506040206080典型特性曲线（续）热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图19.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (IGBT)10110010-110-310-510-110-610-31010-410-210-2热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图20.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (FRD)10110010-110-310-510-110-610-310010-410-210-2101102封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子：变频电机能耗降低的秘诀在于用“芯”
士兰微电子：变频电机能耗降低的秘诀在于用“芯”
众所周知，不论是在人工智能还是工业制造的芯片领域，国外芯片巨头一向占据了大部分市场份额。
在国家科技重大专项的支持下，经过多年努力，杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“士兰微电子”）所研发的“高速低功耗600V以上多芯片高压模块”崭露头角，开始逐步打破国外巨头在这一领域的领先优势。
近日，在2017年度浙江省科学技术奖励大会上，这个项目获得了浙江省科技进步奖一等奖。
本次获奖项目“高速低功耗600V以上多芯片高压模块”是在国家科技重大02专项的支持下，士兰微电子通过多年努力，经芯片设计技术的提升、现有高压驱动集成电路和高压功率电力电子器件IGBT等芯片的工艺优化、建设功率模块封装生产线，构建了面向汽车电子、家用电器的工业控制应用的完整的多芯片电力电子模块设计与生产制造体系，形成拥有自主知识产权、芯片全国产化规模化的批量生产能力，极大地缓解了高压模块的核心技术目前仍掌握在国外少数发达地区企业手中的困境，项目成果产品已大量出货给各大家电和工业变频企业，市场接受度与日俱增。
士兰微的高压模块产品不但性价比高，而且在耐热、绝缘耐压、抗短路能力等方面具有诸多优势。
目前，该项目申请专利近百项，已获授权发明专利70余项，其产品已广泛应用于空调、冰箱、洗衣机、风扇、工业控制等各领域的变频驱动，产品耐压覆盖500V以上，电流覆盖2A-30A。
模块内置6个低IGBT/MOSFET等低损耗功率器件;内置高压栅级驱动电路（HVIC）；内置。
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公司 （ Ｉ ｎ ｔ ｅ ｒ ｎ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ Ｒｅ ｃ ｔ ｉ ｆ ｉ ｅ ｒ ，简 称 Ｉ Ｒ １ 推 出Ｉ Ｒ Ｆ Ｈ Ｅ ４ ２ ５ ０ Ｄ
工 业 自动 化 、４ ｍ Ａ至 ２ ０ ｍＡ过程 控 制 、仪 表 、测 试设 备
压 输 出 的数模 转 换 器 （ Ｄ ＡＣ Ｌ Ｔ Ｃ ２ ６ ４ ５ 。这 些 器 件在 不 到
８ ０ ｓ 时间 内将 Ｐ ＷＭ输入 信号 转换 成准 确 、稳定 、有缓 冲
的 ｌ ２位 电压 输 出 ，消 除 了一 般 与 模 拟 滤 波 器有 关 的 纹 波 和延 迟 。Ｌ Ｔ Ｃ ２ ６ ４ ５一 行代 码都 无 需编 写 ，就 可 为准 确 地 设 定 和 调节 ４个 电压 提 供 一 个 简 单 、可 靠 的解 决 方
列 。新 款２ ５ Ｖ 器件 在２ ５ Ａ的 电流下 能够 比其 它顶级 的传 统 电源模 块 产 品减 少５ ％以上 的 功率 损耗 ，适 用于 １ ２ Ｖ 输 入
士 兰微 电子 推 出６ ０ ０ Ｖ ／ ３ ０ Ａ ３ 相全桥驱动智能功率
模 块 ＳＤ３ ０Ｍ６ Ｏ ＡＣ
ＤＣ — Ｄ Ｃ 同 步 降 压 应 用 ，包 括 先 进 的 电 信 和 网 络 通 讯 设
产品 资 讯
Ｄｌ Ａ Ｌ ＯＧ半 导体 有 限公 司的 蓝牙 ⑧智 能芯 片被 小米
手环选 用
２ ０ １ ４ 年８ 月１ ３日 一 高 集 成 电 源 管 理 、ＡＣ ／ ＤＣ 、 固 态 照
并对 谐波 测试 提 出 了更 高 的要求 。Ｐ Ａ１ ０ ０ ０ 功 率分 析仪 具 有 高达 １ ＭＨｚ 的带 宽 和０ ． ０ ５ ％的精 度 ，为Ｌ Ｅ Ｄ 驱 动 装 置 测 试提供 可靠 准确 的评 价 。
案 。Ｌ Ｔ Ｃ ２ ６ ４ ５采用 小型 １ ６引线 ＭＳ Ｏ Ｐ封装 ，非 常适合 在
Ｒ 推 出Ｉ Ｒ Ｆ ＨＥ ４ ２ ５ ０ Ｄ Ｆ ａ ｓ ｔ ｌ Ｒ Ｆ Ｅ Ｔ ６ Ｘ ６ Ｐ ＱＦ Ｎ 顶 部 外
露 电 源 模 块 器 件 为Ｄ Ｃ — Ｄ Ｃ 应 用 提 供 卓 越 效 率
记 本 电脑 等 。Ｉ Ｒ Ｆ Ｈ Ｅ ４ ２ ５ ０ Ｄ 配 备Ｉ Ｒ 新 一代 硅 技 术 ，并 采 用ｌ 『 适 合 背 面贴 装 的６ Ｘ ６ Ｐ Ｑ Ｆ Ｎ 顶 部外 露 纤 薄 封装 ，为
电源模 块 带来 更 多封 装选 择 。这 款封 装结 合 了 出色 的散 热 性能 、低 导 通 电阻 （ Ｒｄ ｓ （ ｏ ｎ ） ） 与栅极 电荷 （ Ｑｇ ） ，提供 卓 越 的功 率 密 度 和 较 低 的 开 关 损 耗 ，从 而 缩 减 电路 板 尺 寸 ，提 升整 体系统 效率 。
泰克 Ｐ Ａ１ ０ ０ ０ 功 率 分 析 仪 是 业 内 同 级 产 品 中 唯 一 满 足 中 国最新 Ｌ Ｅ Ｄ 模 块 测 试 规 范 要 求 的 仪 器
２ ０ １ ４ 年８ 月１ ３ 日一 全球 领 先 的测试 、测 量 和监 测仪 器 提 供 商… 泰克 公 司 日前 宣 布 ，其Ｐ Ａｌ ０ ０ ０ 单 相 功 率分 析 仪 成为 业 内唯 一一 款 在价 格 和性 能方 面 同时满 足 中国质 量 认证 中心 最 新起 草 的 《 Ｌ Ｅ Ｄ 模块 用 交 流 电子 控 制装 置
Ｉ ＧＢ Ｔ 芯片 和６ 个 快恢 复 二极 管芯 片 以及 ３ 个 高速 半桥 高 压 栅 极 驱 动 电路 。Ｓ Ｄ３ ０ Ｍ６ ０ Ａ Ｃ 的驱 动 电流 为３ ０ Ａ，主要 应 用于 高 效节 能 的变频 驱 动 ，如 空调 、变频 器 、Ｔ 业缝 纫 机等 领域 。Ｓ Ｄ ３ Ｏ Ｍ６ ０ ＡＣ 具 有诸 多优 点 ，例如 产 品采用 了 高绝 缘 、易导 热 的设 计 ，提供 了非常 紧凑 的Ｄ Ｉ Ｐ 一 ２ ７ 微 电子 还有 Ｓ Ｄ ０ ５ Ｍ５ ０ Ｄ２ Ｌ 等 产 品用 于８ ０ Ｗ左右 的单 相 工业 风 方 案 、有Ｓ Ｄ ０ ５ Ｍ５ ０ ＤＬ 等
明 和蓝 牙 ⑧智 能 无 线 技术 提 供 商Ｄｉ ａ ｌ ｏ ｇ 半 导 体 有 限公 司
（ 法 兰 克福 证 券交 易 所代 码 ：Ｄ Ｌ Ｇ ） 今 日宣布 ，最 新 发
布 的 小 米 手 环 中 采用 了Ｄ ｉ ａ ｌ ｏ ｇ 的 蓝 牙 超 低 功 耗
Ｓ ｍａ ｒ ｔ Ｂ ｏ ｎ ｄ Ｓ ｏ Ｃ （片 上 系 统 芯 片 ） 。 借 助 Ｄｉ ａ ｌ ｏ ｇ ￣ Ｄ Ａ１ ４ ５ ８ ０ ， 只 需 给 小 米 手 环 充 电 一 次 ，就 可 满 足 长 达 ３ ０ 天 的续航 时 间 ，这 比其最 强 竞争 对手 所供 的电池 能力 高 出两 倍多 ，为 当今 的消 费者 提供 了一 款拥 有 最高 能效 的连 接解 决方 案 。
备 、服 务 器 、显卡 、台式 电脑 、超 极本 （ Ｕ ｈ ｒ ａ ｂ ｏ ｏ ｋ ） 和 笔
士 兰 微 电 子在 智 能 功 率模 块 （ Ｉ Ｐ Ｍ） 领 域 不 断 推 出 新 品 ，近 期 又 发 布 了高 度 集 成 、高 可靠 性 的３ 相 无 刷 直
流 电机 驱 动 电 路Ｓ Ｄ ３ ０ Ｍ６ ０ ＡＣ 。模 块 内置 了６ ４ ＂ 低 损 耗 的
和光模 块 等应 用 中进 行偏 置 、校 准 、电平 设 定 、电源调
节 、以及实 现光 隔离 通信 。而 两通 道 版本 Ｌ Ｔ Ｃ ２ ６ ４ ４采用
了ｌ ２引线 ＭＳ Ｏ Ｐ封装 。
Ｆ ａ ｓ ｔ Ｉ ＲＦ Ｅ Ｔ 双 功 率 ＭＯ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ，藉 以 扩 充 电 源 模 块 组 件 系
无 需软 件 、不产 生纹 波 、没 有延 迟就 可 将Ｐ ＷＭ 输
入 转换 成 准确 的 １ ２位 电 压 输 出
凌 力 尔 特公 司 （ Ｌ ｉ ｎ ｅ ａ ｒ Ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ Ｃ ｏ ｒ ｐ ｏ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ） 推 出 具 １ ０ ｐ ｐ ｍ／ ｏ Ｃ基 准 的 四通道 １ ２位 ／ １ ０位 ／ ８位 Ｐ ＷＭ至 电