微电子器件期末复习计划题含答案

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13级期末复习题库典例解答

电子科技大学/命题

陈卉/转载

王嘉达/整理

【习题压得准五杀跑不了】

微电子器件（陈星弼·第三版）

电子工业第一版社

◎序言◎

依据统计，讲堂测试、课后作业中的题目纲要中无相像题型，请复习纲要的同

时在做一次作业以及讲堂测试。作业答案、讲堂作业答案平常随讲堂进度上传群共享，请自行查阅。本答案为个人整理，若有不当之处望责备指正。计算题部分，实在力所不及，后期会持续上传计算题集锦，敬请期望。

另，因为自己微电子班，无光源班群，请居心人士转载至光源班群，共同经过期末考试！

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认

真甄别

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创新

1、若某突变PN 结的P 型区的混杂浓度为N A 1016cm 3

，则室温下该区的均衡多子浓度p p0与均衡少子浓度n p0分别为（N A 1016cm 3）和（N A 1014cm 3

）。

2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。内建电

场的方向是从（N ）区指向（P ）区。[发生漂移运动，空穴向P 区，电子向N 区] 3、当采纳耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（

d E

q u

）。由此方程能够看

dx

S

D

出，混杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ 大）。

4、PN 结的混杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ 小），内建电场的最大值就越（大），

内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小）[P20]，势垒电容C T 就越（大），雪崩击穿电压就越（小）。

5、硅突变结内建电势 V bi 可表为（v bi KT

ln N A N D q n i 2

）[P9]在室温下的典型值为（ ）

6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。

7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提升）。

8、在P 型中性区与耗尽区的界限上，少子浓度 n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为

（n p(x p)

n

p 0exp(qv )）P18。若P 型区的混杂浓度N A 1017cm 3

，外加电压V

KT

=，则P 型区与耗尽区界限上的少子浓度

n p 为（1025cm 3）。

9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区界限上的少子浓度比该处的均衡少子浓度（大）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区界限上的少子浓度比该处的均衡少子浓度（小）。

10、PN 结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流

三部分所构成。

11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷根源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷根源是（少子）。

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12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非均衡电子一边向前扩散，一边（复

合）。每经过一个扩散长度的距离，非均衡电子浓度降到本来的（

??）。

??

13、PN 结扩散电流的表达式为（J d

J dp

J dn

I 0[exp(

qv

)1]）。这个表达式在正向电

KT

qv

），在反向电压下可简化为（J d J ）。

压下可简化为（

J d J 0

exp(KT )

14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（ 势垒区复合）电流为主；当电压较高

时，以（扩散）电流为主。

15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两此中性区的长度小于（该区的少子扩散长度）。

在薄基区二极管中，少子浓度的散布近似为（

线性散布）。

16、小注入条件是指注入某区界限邻近的（

非均衡少子）浓度远小于该区的（均衡多 子）浓度，所以该区总的多子浓度中的（

非均衡）多子浓度能够忽视。

17、大注入条件是指注入某区界限邻近的（

非均衡少子）浓度远大于该区的（均衡多 子）浓度，所以该区总的多子浓度中的（

均衡）多子浓度能够忽视。

18、势垒电容反应的是PN 结的（微分）电荷随外加电压的变化率。 PN 结的混杂浓度

越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ 小）。

19、扩散电容反应的是PN 结的（非均衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。【P51】

20、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大

的反向电流。惹起这个电流的原由是储存在（ N ）区中的（非均衡载流子）电荷。

这个电荷的消逝门路有两条，即（ 反向电流的抽取）和（少子自己的复合）。

21、从器件自己的角度，提升开关管的开关速度的主要举措是 （降低少子寿命）和（加

快反向复合）。（减薄轻混杂区的厚度）

22、PN 结的击穿有三种机理，它们分别是（ 雪崩击穿）、（齐纳击穿）和（热击穿）。

23、PN 结的混杂浓度越高，雪崩击穿电压越（小）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（小）。

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