第七章 半导体存储器习题
第七章 半导体存储器
三、知识点
1、重点掌握的知识点 （1）各种ROM的电路结构和工作原理； （2）SRAM的的电路结构和工作原理；
（3）存储器容量的扩展方法；
（4）用存储器实现组合逻辑函数的方法。 2、一般掌握的知识点
（1）各种ROM存储单元的特点； （2）SRAM的静态存储单元。
7.1 概述
半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导 体器件。 一、半导体存储器的一般结构形式 存储单元数目庞大，输入/输出引脚数目有限。
译成某一条字线有效，从存储矩阵中选中一行存储单元；
列地址译码器将输入地址代码的其余若干位(Ai+1~An-1)译 成某一根输出线有效，从字线选中的一行存储单元中再 选一位(或n位)，使这些被选中的单元与读/写电路和 I/O(输入/输出端)接通，以便对这些单元进行读/写操作。
读/写控制电路用于对电路的工作状态进行控 制。CS′称为片选信号，当CS′=0时，RAM工作， CS′=1时，所有I/O端均为高阻状态，不能对RAM 进行读/写操作。
11A7 ~ A0 768 ~ 1023
256 ~ 511
7.5 用存储器实现组合逻辑函数
ROM广泛应用于计算机、电子仪器ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ电子测量设备和数
控电路，其具体应用有专门的教材进行论述，这里仅介绍用
ROM在数字逻辑电路中的应用。 分析ROM的工作原理可知，ROM中的地址译码器可产
生地址变量的全部最小项，能够实现地址变量的与运算，即
A0~An-1
D0
W0
W2n-1
Dm
地
A1
址
A0 D3
数
D2
据
D1 D0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 0 1
数字电子技术课后习题答案
❖ 3.21 用8选1数据选择器74151设计一个组合 逻辑电路。该电路有3三个输入逻辑变量A、B、 C和一个工作状态控制变量M。当M＝0时电路 实现“意见一致”功能（ A、B、C状态一致 时输出为1，否则输出为0），而M＝1时电路 实现“多数表决”功能，即输出与A、B、C中 多数的状态一致。
数字电子技术作业
第一章数字逻辑基础 第二章逻辑门电路 第三章组合逻辑电路 第四章触发器 第五章时序逻辑电路 第六章脉冲波形的产生与整形 第七章半导体存储器 第八章可编程逻辑器件 第九章数/模和模/数转换器
1.12 写出下图所示各逻辑图的输出函数表达式，列 出它们的真值表。
F1 F4
F2
F3
解： F1 AB F2 A B F3 BC
ABACBC
BC
A
00 01 11 10
00
1
0
1
11
0
1
0
Y ABC
❖ 3.13某医院有一、二、三、四号病室4间，每室设有 呼叫按钮，同时在护士值班室内对应的装有一号、 二号、三号、四号4个指示灯。
❖ 现要求当一号病室的按钮按下时，无论其它病室的 按钮是否按下，只有一号灯亮。当一号病室的按钮 没有按下而二号病室的按钮按下时，无论三、四号 病室的按钮是否按下，只有二号灯亮。当一、二号 病室的按钮都未按下而三号病室的按钮按下时，无 论四号病室的按钮是否按下，只有三号灯亮。只有 在一、二、三号病室的按钮均未按下四号病室的按 钮时，四号灯才亮。试用优先编码器74148和门电路 设计满足上述控制要求的逻辑电路，给出控制四个 指示灯状态的高、低电平信号。
Y CBA CB CA CBACB CA
数字电路与逻辑设计习题7第七章半导体存储器(精)
第七章半导体存储器一、选择题1．一个容量为1K ×8的存储器有个存储单元。
A.8B.8KC.8000D.81922．要构成容量为4K ×8的R AM ，需要片容量为256×4的R AM 。
A.2B.4C.8D. 323．寻址容量为16K ×8的RAM 需要根地址线。
A.4B. 8C.14D. 16E.16K4．若R AM 的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线（即字线加位线）共有条。
A.8B.16C.32D.2565．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。
A.8×3B.8K ×8C. 256×8D. 256×2566. 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。
A.10行10列B.5行5列C.32行32列D. 1024行1024列7．随机存取存储器具有功能。
A. 读/写B. 无读/写C. 只读D. 只写8．欲将容量为128×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。
A.1B.2C.3D. 89．欲将容量为256×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。
A.4B.2C.3D. 810．只读存储器ROM 在运行时具有功能。
A. 读/无写B. 无读/写C. 读/写D. 无读/无写11．只读存储器R OM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。
A. 全部改变B. 全部为0C. 不可预料D. 保持不变12．随机存取存储器RAM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。
A. 全部改变B. 全部为1C. 不确定D. 保持不变13．一个容量为512×1的静态RAM 具有。
A. 地址线9根，数据线1根B. 地址线1根，数据线9根C. 地址线512根，数据线9根D. 地址线9根，数据线512根14．用若干R AM 实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。
数电-带答案
第一章 逻辑代数基础 例题1.与(10000111)BCD 相等的十进制数是87， 二进制数是1010111 十六进制数是57，2.AB+CD=0（约束项）求 的最简与或表达式。
解：D C A C B A Z +=，见图1-1， 得3.若F(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,3,4,7,15）的函数可化简为： 则可能存在的约束项为（ 3 ）。
见图1-21．逻辑函数式Y A B C D =++（）的反演式为 D C B A + 2. 在下列不同进制的数中，数值最大的数是（ D ）1051A.（） .101010B 2（） 163E C.（） D.（01011001）8421BCD 码 3、用卡诺图化简下式为最简与或式。
D C B A ++ Y(A,B,C,D)= ∑m(0,2,4,5,6,8,9)+ ∑d(10,11,12,13,14,15) 4.已知F ABC CD =+选出下列可以肯定使F=0的情况（ D )A. A=0，BC=1B. B=C=1C. D=0，C=1D. BC=1，D=1 5、是8421BCD 码的是（ B ）。
A 、1010 B C 、1100 D 、11016、欲对全班43个学生以二进制代码编码表示，最少需要二进制码的位数是（ B ）。
A 、5B 、6C 、8D 、437、逻辑函数F(A,B,C) = AB+B C+C A 的最小项标准式为（ D ）。
A 、F(A,B,C)=∑m(0,2,4)B 、F(A,B,C)=∑m(1,5,6,7)C 、F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4)D 、F(A,B,C)=∑m(3,4,6,7)Z A BC A B AC D =++Z Z AC AC =+()B C D C D ++1..2..3..4..AC A DA C AB A D A B A B B C++++8、用代数法化简下式为最简与或式。
A+CC B BC C B A BCD A A F ++++=判断题1.若两个函数具有不同的真值表，则两个逻辑函数必然不相等。
第七章：存储系统
第七章：存储系统一、选择题1、外存储器与内存储器相比，外存储器( 速度慢，容量大，成本低)。
2、EPROM是指(光擦除可编程只读存储器)。
3、没有外存储器的计算机初始引导程序可以放在(ROM ) 。
4、存储单元是指(存放一个机器字的所有存贮元集合)。
5、主存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来(存放数据和程序)。
6、软磁盘、硬磁盘、磁带机、光盘属于(外存储器)设备。
7、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是(解决CPU和主存之间的速度匹配问题)。
8、采用虚拟存贮器的主要目的是(扩大主存贮器的存贮空间，并能进行自动管理和调度)。
9、单片机或单板机要扩展8K的EPROM需要（ 13）条地址线。
10、假设V1和V2是用DW定义的变量，下列指令中正确的是（ A ）。
A、MOV V1，20HB、MOV AL，V1C、MOV V1，V2D、MOV 2000H，V211.下列（ A ）指令不合法。
A、IN AX，0278HB、RCR DX，CLC、CMPSBD、RET 412.为了使MOV AX，VAR指令执行后，AX寄存器中的内容为4142H，数据定义（C ）是错误的。
A、VAR DW 4142H B、VAR DW 16706C、VAR DB 42H，41HD、VAR DW，‘AB’13.在下列指令中，隐含使用AL寄存器的指令有（ 4）条。
SCASB；XLAT；MOVSB；DAA；NOP；MUL BH；14.下列描述不正确的是（ A ）。
A.汇编语言即是机器语言B.汇编语言程序不可直接运行C.汇编语言的指令语句与机器指令一一对应D.汇编语言程序运行速度快，阅读方便，但仍属于面向机器的程序设计语言15.下列描述正确的是（ B ）。
A.汇编语言是由若干条指令语句构成B.汇编语言包括指令语句和伪指令语句C.指令语句和伪指令语句的格式是完全相同的D.指令语句和伪指令语句需经汇编语言翻译成机器代码后才能运行16.汇编语言程序经汇编后不能直接生成（ A ）。
数字电子技术课后习题答案
ABACBC
BC
A
00 01 11 10
00
1
0
1
11
0
1
0
Y ABC
❖ 3.13某医院有一、二、三、四号病室4间，每室设有 呼叫按钮，同时在护士值班室内对应的装有一号、 二号、三号、四号4个指示灯。
❖ 现要求当一号病室的按钮按下时，无论其它病室的 按钮是否按下，只有一号灯亮。当一号病室的按钮 没有按下而二号病室的按钮按下时，无论三、四号 病室的按钮是否按下，只有二号灯亮。当一、二号 病室的按钮都未按下而三号病室的按钮按下时，无 论四号病室的按钮是否按下，只有三号灯亮。只有 在一、二、三号病室的按钮均未按下四号病室的按 钮时，四号灯才亮。试用优先编码器74148和门电路 设计满足上述控制要求的逻辑电路，给出控制四个 指示灯状态的高、低电平信号。
HP RI/BIN
I0
0/ Z1 0 10 ≥1
I1
1/ Z1 1 11
I2
2/ Z1 2 12 18
YS
I3
3/ Z1 3 13
I4
4/ Z1 4 14
YEX
I5
5/ Z1 5 15
I6
6/ Z1 6 16
I7
7/ Z1 7 17
Y0
V18
Y1
ST
E N
Y2
(b)
74148
(a)引脚图;(b)逻辑符号
A
00 01 11 10
00
0
0
1
11
1
0
1
Y AB BC AC
由于存在AC 项，不存在相切的圈，故无冒险。
❖ 4.1在用或非门组成的基本RS触发器中，已知 输入SD 、RD的波形图如下，试画出输出Q, Q
第07章_习题及答案
D、标准“或—与”表达式
二、判断改错题 1．PLA的与门阵列是可编程的，或门阵列是固定的。（ X） 2．用PROM实现四位二进制到Gray码的转换时，要求PROM的容量 为4 × 4b。（ X ） 3．进行逻辑设计时，采用PLD器件比采用通用逻辑器件更加灵活方 便。（ ） 4．用GAL器件即可实现组合电路功能，又可实现时序电路功能。 （ ）
二、选择
1. B D 2. D 3. C 4. C 5. C 6.A 7. D 8. C 9.A 10.A 11. D 12.B
可编程逻辑器件习题答案 一、选择题 1、ABC 2、B 3．BCD 4、C 6、D
二、判断 1. 2. 3. 4.
三、填空题
1．输入缓冲 2．寄存器模式 3．固定 4． 可编程 与阵列 可编程 固定 或阵列 输出缓冲 简单模式 可编程 固定 可编程 可编程 PROM PLA PAL GAL 复合模式
第七章半导体存储器习题 一、判断 1.RAM由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信
息。（ ） 2.动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢
失。（ ） 3.用2片容量为16K×8的RAM构成容量为32K×8的RAM是位扩展。 （ x） 4.所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。（ x ） 5.ROM和RAM中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。（ x） 6.存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端 来实现。（ ） 7.PROM的或阵列（存储矩阵）是可编程阵列。（ ）
9.一个容量为512×1的静态RAM具有 A 。
B.地址线1根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根 D.无读/无写
10.只读存储器ROM在运行时具有 A 功能。
数字电子技术随堂练习答案
第一章数制和码制2.(单选题) 与二进制数等值的十进制数为（）。
A. 9.21B. 9.3125C. 9.05D. 9.5参考答案：B3.(单选题) 与二进制数等值的十六进制数为（）。
A. B0.C3B. C. 2C.C3D. 参考答案：D参考答案：B5.(单选题) 与二进制数等值的十进制数为（）。
A. 6.11B. 6.21C. 6.625D. 6.5参考答案：C6.(单选题) 与二进制数等值的八进制数为（）。
A. 6.44B. 6.41C. 3.44D. 3.41参考答案：A13.(单选题) 的原码、反码、补码分别是（）。
A．11011、00100、00101 B．11011、10100、10101C．01011、00100、00101 D．01011、10100、10101参考答案：B第二章逻辑代数基础1.(单选题) 将函数式化成最小项之和的形式为（）。
参考答案：D2.(单选题) 函数的反函数为（）。
参考答案：B3.(单选题) 将函数式化成最小项之和的形式为（）。
参考答案：A4.(单选题) 函数的反函数为（）。
参考答案：B5.(单选题) 已知函数的卡诺图如图2-1所示, 则其最简与或表达式为（）。
参考答案：A6.(单选题) 某电路当输入端A或B任意一个为高电平时，输出Y为高电平，当A和B均为低电平时输出为低电平，则输出Y与输入A、B之间的逻辑关系为Y＝（）。
参考答案：B7.(单选题) 全体最小项之和为（）。
参考答案：C8.(单选题) 以下与逻辑表达式相等的式子是（）。
参考答案：D9.(单选题) 和与非-与非逻辑表达式相等的式子是（）。
参考答案：C11.(单选题) 某电路当输入端A或B任意一个为低电平时，输出Y为低电平，当A和B均为高电平时输出为高电平，则输出Y与输入A、B之间的逻辑关系为Y＝（）。
参考答案：A12.(单选题) 任何两个最小项的乘积为（）。
参考答案：A13.(单选题) 以下与逻辑表达式相等的式子是（）。
数字电路与逻辑设计习题学生常见问题答疑[1]
![数字电路与逻辑设计习题学生常见问题答疑[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/fe7dfaf63086bceb19e8b8f67c1cfad6195fe988.png)
数字电路与逻辑设计习题学生常见问题答疑[1]第一章绪论1、数字电路有什么优点？答：首先数字电路能产生更廉价，更可靠的数字处理系统。
其次数字处理硬件允许可编程操作，同时数字硬件和软件实现与模拟电路和模拟信号处理系统相比，通常具有更高的精度。
2、数字电路与模拟电路有什么区别？答：数字电路与模拟电路同等重要，构成数字电路与模拟电路的基本元件都是半导体器件。
但是它们工作状态不同，实现功能不同，工作信号不同，如:数字电路中三极管工作在饱和区和截止区，模拟电路中三极管工作在放大区。
数字电路实现逻辑功能，完成逻辑运算，模拟电路主要是放大电信号。
数字电路处理离散信号，模拟电路处理连续信号。
3、数字电路设计的趋势?答：当前数字电路设计的趋势是，越来越大的设计，越来越短的推向市场的时间，越来越低的价格，设计方法越来越依赖于电子设计自动化（EDA）工具。
多层次的设计表述，集成电路的设计与制造分离，芯片生产厂家提供模型或标准单元库，设计公司负责电路功能设计。
电路功能设计已进入片上系统（SOC）时代，知识产权模块（IP 核）产品化。
第二章逻辑函数及其简化1、逻辑函数为什么要化简？答：一个逻辑函数可以写成不同的表达式形式，表达式越简单，所表示的逻辑关系越明显。
化简电路的目的，就是为了降低系统的成本，提高电路的可靠性，以用最少的逻辑门实现逻辑函数。
2、公式法化简中那么多公式怎么记？它有什么优缺点？答：逻辑代数的常用公式，反映了逻辑代数运算的基本规律，是化简逻辑函数、分析和设计逻辑电路的基本公式，必须熟悉和掌握。
公式法化简没有固定的步骤。
能否以最快的速度进行化简，与经验、技巧和对公式掌握及运用的熟练程度有关。
该方法的优点是输入变量个数不受限制，缺点是结果是否为最简有时不易判断。
3、卡诺图法化简的优点？答：利用卡诺图可以直观、方便地化简逻辑函数，并且克服了公式化简法对最终化简结果难以确定等缺点。
第三章集成逻辑门1、第三章感觉和其它章节没关系，是否不重要？答：第三章介绍了常用逻辑门的内部电路结构以及外部特性，对后续学习非常重要。
数电-半导体存储器练习题
× √
B D
SRAM 以上都对
× ×
分析提示
DRAM利用 利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息， 管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息， 利用 管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息 电荷不能长期存储。 电荷不能长期存储。 SRAM 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 DRAM、 SRAM 属于“易失性”存储器，不能实现组合逻辑函 属于“易失性”存储器， 、 数。 EPROM，利用 管作存储元件， ，利用MOS管作存储元件，存储矩阵的字、位线交叉 管作存储元件 存储矩阵的字、 处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是0或 ， 处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是 或1， 连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变， 连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变，可实现组合逻辑函 数
第
4
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
4、有 10 位地址和 8 位字长的存储器，其存储容量为 、 位字长的存储器， A C 256×10 位 × 1024×10 位 ×
× ×
B D
512×8 位 × 1024×8 位 ×
× √
分析提示
10 位地址所对应 存储字数为： 210=1024 存储字数为： 每个字的字长为： 每个字的字长为： 8 位 字数× 存储容量 = 字数×字长 =1024 × 8 位
第
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
14、只读存储器ROM，当电源断电后再通电时，所存储的内容 ( 、只读存储器 ，当电源断电后再通电时， A C 全部改变 不确定
第七章 半导体存储器习题
第七章半导体存储器习题[本次习题要求6月4日交]7.1填空题：1.半导体存储器从读、写的功能上可分为ROM和（）两大类。
2.工作中既可以读出信息，又可写入信息的存储器称为（）。
3.根据存储单元电路结构和工作原理的不同，将RAM分为静态RAM和（）RAM 两类。
4.一个ROM共有10根字线（地址线），8根位线（数据线），则其存储容量为（）。
A.10×28；B.102×8；C.10×82；D.210×8。
5.容量为8K×8位的RAM芯片，其地址线和数据线各为（）。
A.8和8根；B.10和8根；C.13和8根；D.8和13根。
6.要扩展成32K×16位的ROM，需要（）片32K×8位的ROM。
7.为了构成4096×8位的RAM，需要（）片1024×2位的RAM。
8.关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的是（）。
A.RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失。
B.ROM掉电以后数据不会丢失。
C.RAM可分为静态RAM和动态RAM。
D.动态RAM不必定时刷新。
9.二极管ROM的电路结构如图所示，当地址为A1A=10时，该字单元的内容d3d2d1d为（）。
10.ROM阵列逻辑图如图所示，当地址为A1A=10时，该字单元的内容D3D2D1D为（）。
A.1l10；B.0111；C.1010；D.0100。
7.2试用2片1024×4位的RAM（2114）接成1024×8位的存储器。
7.3试用2片1024×4位的RAM（2114）接成2048×4位的存储器。
7.4用4×6位的ROM设计一个六段显示译码器。
六段显示器如图所示（图中e 是水平线，f是垂直线）。
它可以显示东南西北四个方向之一，实心线表示亮，虚心线表示不亮。
显示东南西北四个方向之一由ROM的两位地址输入码A1和A控制，控制要求如下表所示。
半导体存储器
半导体存储器一、填空题1．半导体存储器从器件原理的角度可分为＿＿＿＿和＿＿＿＿。
2．磁盘是＿＿＿＿存储器，磁带是＿＿＿＿存储器。
3．用下列RAM 芯片构成32K ×8存储器模块，各需多少片RAM 芯片?（a ）1K ×1 RAM 芯片； ＿＿＿＿＿ （b ）1K ×4 RAM 芯片；＿＿＿＿＿ （c ）4K ×8 RAM 芯片；＿＿＿＿＿ （d ）16K ×4 RAM 芯片；＿＿＿＿＿ 4．一台8位微机地址总线16条，其读写存储器RAM 容量为32KB ，首地址为4000H ，且地址是连续的，可用的最高地址是＿＿＿＿。
二、选择题1．存储字长是指＿＿＿＿。
A ．存放在一个存储单元中的二进制代码组合B ．寄存器的位数C ．存放在一个存储单元中的二进制代码个数D ．存储单元的个数 2．某计算机的主存为3KB ，则内存地址寄存器需＿＿＿＿位就足够了。
A ．10 B ．11 C ．12 D ．13 3．EPROM 是指＿＿＿＿。
A ．只读存储器B ．可编程的只读存储器C ．可擦除可编程的只读存储器D ．电可改写只读存储器4～6．微机系统的存储器由两片容量不同的静态RAM 芯片1#和2#组成，如下图所示。
芯片1#RAM 的地址范围是＿＿4＿＿H ，芯片2#RAM 的地址范围是＿＿5＿＿H ，存储器总容量是＿＿6＿＿字节。
注意：两片存储器的寻址范围不可重叠。
4． A ．0000H ～0FFFH B ．1000H ～1FFFH C ．2000H ～2FFFH D ．3000H ～3FFFH 5． A ．0000H ～07FFH B ．1000H ～17FFH C ．2000H ～27FFH D ．3000H ～37FFH 6． A ．2KB B ．3KB C ．4KB D ．6KB 7．主存和CPU 之间增加高速缓冲的目的是＿＿＿＿。
A ．解决CPU 和主存之间的速度匹配问题 B ．扩大主存容量C ．既扩大主存容量，又提高存取速度D ．提高存取速度8．采用虚拟存储器的目的是＿＿＿＿。
第7章 存半导体储器与可编程逻辑器件(习题)
YY21
AC A
BC AB BC
Y0 AB AC
Y0 m3 m5 m6 m7
YY21
m3 m0
m4 m2
m6 m3
m7 m4
m5
m6
m7
Y3 m1 m3 m6 m7
7.8
解： 列出ROM数据表：
Y3 m(5,6,7,8,9) Y2 m(1,2,3,4,9) Y1 m(0,3,4,7,8) Y0 m(0,2,4,6,8)
A2 A1 A0 A2 A1A0 A2 A1 A0 A1 A0 A2 A1A0
D1 m(0,2,4,6) A2 A1 A0 A2 A1 A0 A2 A1 A0 A2 A1 A0
A2 A0 A2 A0 A0
7.7 解： 先把逻辑表达式化成最小项的形式。
Y0 AB AC BC
D2 m(1,6,7)
A2 A1A0 A2 A1 A0 A2 A1A0
A2 A1A0 A2 A1
D1 m(0,3,4)
地址/输入 A2 A1 A0 000 001 010 011 100 101 110 111
数据/输出 D3 D2 D1 D0 0011 1100 1001 0010 0011 1000 0101 1100
需要4片。扩展后需要12根地址线，4根数据线。
7.5
解： 8K 8 213 8
需要16片。扩展后需要13根地址线，8根数据线。
7.6
解：D3 m(1,2,5,7)
A2 A1A0 A2 A1 A0 A2 A1A0 A2 A1A0 A2 A1A0 A2 A1 A0 A2 A0 A1A0 A2 A1 A0 A2 A0
ABCD ABCD
Y1 ABC D ABC D ABC D ABCD
第7章 半导体存储器与可编程逻辑器件习题解答
思考题与习题7.1 选择题7.14 选择题1）存储容量为8K×8位的ROM 存储器，其地址线为 条。
CA 、8B 、12C 、13D 、142）只能按地址读出信息，而不能写入信息的存储器为 。
bA 、 RAMB 、ROMC 、 PROMD 、EPROM3）一片ROM 有n 根地址输入，m 根位线输出，则ROM 的容量为 。
a A 、m n⨯2 B 、n m ⨯ C 、mn 22⨯ D 、n m⨯24)一个6位地址码、8位输出的ROM ，其存储矩阵的容量为 。
A 、46B 、64C 、512D 、256 5）为构成4096×8的RAM ，需要 片2024×2的RAM ，并需要有 位地址译码以完成寻址操作。
A 、8 ，15B 、16，11C 、10，12D 、8，12 6）PAL 是一种的 可编程逻辑器件。
A 、与阵列可编程，或阵列固定B 、与阵列列固，或阵可编程定C 、与阵列、或阵列固定D 、与阵列、或阵列可编程7.2 试写出如图7-27所示阵列图的逻辑函数表达式和真值表，并说明其功能。
1F 2F 3图6-1 例6-1逻辑图图7-27 题7.2图解：根据与阵列的输出为AB 的最小项和阵列图中有实心点“·”为1，无“·”为0，可以写出：AB W F ==30B A AB B A B A W W W F +=++=++=3211B A B A B A F ⊕=+=2AB B A B A B A B A W W W F =+=++=++=2103从上述逻辑表达式可以看出，图7-1所示阵列图实现了输入变量A 、B 的四种逻辑运算：与、或、异或和与非。
列出真值表如表7-1所示。
7.3 若存储器芯片的容量为128K×8位，求：表7-1 例7-1真值表1）访问芯片需要多少地址？2）假定该芯片在存储器中首地址为A00000H ，末地址为多少？ 解：存储器容量=字数×位数=m n⨯21）128K×8=8282217107⨯=⨯⨯，所以需要17根地址。
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第七章半导体存储器习题
[本次习题要求6月4日交]
7.1填空题：
1.半导体存储器从读、写的功能上可分为ROM和（）两大类。
2.工作中既可以读出信息，又可写入信息的存储器称为（）。
3.根据存储单元电路结构和工作原理的不同，将RAM分为静态RAM和（）RAM 两类。
4.一个ROM共有10根字线（地址线），8根位线（数据线），则其存储容量为（）。
A.10×28；
B.102×8；
C.10×82；
D.210×8。
5.容量为8K×8位的RAM芯片，其地址线和数据线各为（）。
A.8和8根；
B.10和8根；
C.13和8根；
D.8和13根。
6.要扩展成32K×16位的ROM，需要（）片32K×8位的ROM。
7.为了构成4096×8位的RAM，需要（）片1024×2位的RAM。
8.关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的是（）。
A.RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失。
B.ROM掉电以后数据不会丢失。
C.RAM可分为静态RAM和动态RAM。
D.动态RAM不必定时刷新。
9.二极管ROM的电路结构如图所示，当地址为A
1A
=10时，该字单元的内容d
3
d
2
d
1
d
为（）。
10.ROM阵列逻辑图如图所示，当地址为A
1A
=10时，该字单元的内容D
3
D
2
D
1
D
为
（）。
A.1l10；
B.0111；
C.1010；
D.0100。
7.2试用2片1024×4位的RAM（2114）接成1024×8位的存储器。
7.3试用2片1024×4位的RAM（2114）接成2048×4位的存储器。
7.4用4×6位的ROM设计一个六段显示译码器。
六段显示器如图所示（图中e 是水平线，f是垂直线）。
它可以显示东南西北四个方向之一，实心线表示亮，虚心线表示不亮。
显示东南西北四个方向之一由ROM的两位地址输入码A
1和A
控制，控制要
求如下表所示。
即六段显示译码器的输入为A
1和A
，并使输出a～f中适当的段
亮。
设输出逻辑1表示亮，逻辑0表示不亮。
要求列出ROM
7.5试用8×2位容量的ROM设计一个能实现两个一位二进制数全加的逻辑电路。
输入为被加数A
i 、加数B
i
及来自低位的进位C
i-1
；输出为和S
i
及向高位的进位C
i。
要求：(1)列出真值表；(2)直接在下图中画出用ROM点阵图实现全加的电路。
7.6由一片256×8位的EPROM 构成的数码转换器，将8位二进制原码转换成等值的补码，最高位为符号位。
问：当地址输入A 7……A 1A 0分别为0000 0000、0000 0001、1000 0001、1111 1111时，EPROM 中对应地址中的数据D 7……D 1D 0各为何值？将你的答案填写地下表中。