电力电子技术试题及答案(1)

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电力电子技术试题20套及解答

电力电子技术试题20套及解答

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为 逆变,如果接到负载,则称为 逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电力电子技术主要研究的是()。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案:C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件?()A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案:C3. 电力电子变换器的主要功能是()。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案:D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛?()A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案:B5. 晶闸管的导通条件是()。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案:D二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用?()A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案:ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能?()A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案:ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式?()A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,______是一种常用的交流-直流变换器。

答案:整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案:开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案:新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案:调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案:伺服驱动四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案:电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

电力电子技术试题与参考答案

电力电子技术试题与参考答案

电力电子技术试题与参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.有源逆变发生的条件为()A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案:D2.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()。

A、300~350B、400~450C、100~150D、200~250正确答案:A3.电流型三相桥式逆变电路,120°导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()A、各一只A、各二只B、共三只C、共四只正确答案:A4.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案:A5.对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()。

A、120°B、180°C、90°D、150°正确答案:A7.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与阳极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、阳极电压与门极电流的关系D、门极电压与门极电流的关系正确答案:B8.下列全控器件中,属于电流控制型的器件是()。

A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT正确答案:C9.α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A、120度,B、0度C、60度D、30度正确答案:D10.目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D11.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、干扰信号B、触发电流信号C、触发电压信号D、干扰信号和触发信号正确答案:A12.单相全控桥式整流电路大电感性负载中,控制角的最大移相范围是()A、90°B、180°C、150°D、120°正确答案:A13.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()。

电力电子技术第五版试题及答案4套

电力电子技术第五版试题及答案4套

《电力电子技术》试题(1)一、填空(30分)1、双向晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是 , 和 ;双向晶闸管的的触发方式有 、 、 、 .。

2、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。

三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。

(电源相电压为U 2)3、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用 触发;二是用 触发。

4、在同步电压为锯齿波的触发电路中,锯齿波底宽可达 度;实际移相才能达 度。

5、异步电动机变频调速时,对定子频率的控制方式有 、 、 、 。

6、软开关电路种类很多,大致可分成 电路、 电路两大类。

7、变流电路常用的换流方式有 、 、 、 四种。

8、逆变器环流指的是只流经 、 而不流经 的电流,环流可在电路中加 来限制。

9、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、 。

10、绝缘栅双极型晶体管是以 作为栅极,以 作为发射极与集电极复合而成。

三、选择题(每题2分 10分)1、α为 度时,三相桥式全控整流电路,带电阻性负载,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。

A 、0度。

B 、60度。

C 、30度。

D 、120度。

2、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变 的大小,使触发角α=90º,可使直流电机负载电压U d =0。

达到调整移相控制范围,实现整流、逆变的控制要求。

A 、 同步电压, B 、控制电压, C 、偏移调正电压。

3、能够实现有源逆变的电路为 。

A 、三相半波可控整流电路,B 、三相半控整流桥电路,C 、单相全控桥接续流二极管电路,D 、单相桥式全控整流电路。

4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ,反向重复峰值电压为825V ,则该晶闸管的额定电压应为( )A 、700VB 、750VC 、800VD 、850V5、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( ) A 、90° B 、120° C 、150° D 、180° 四、问答题(20分)1、 实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件?(6分)2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同,直流斩波电路可有哪三种控制方式?并简述其控制原理。

电力电子技术试题20套及答案【精选文档】

电力电子技术试题20套及答案【精选文档】

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制.在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制.4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为.7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通.A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断,P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是( D )A、30°~150B、0°~120°C、15°~125°D、0°~150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( A )A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种( C )变换电路.A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( B )A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( A )A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件,它是( B )A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO三、简答题(共3小题,22分)1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。

电力电子技术期末考试试题及答案-(1)

电力电子技术期末考试试题及答案-(1)

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术测试题与答案

电力电子技术测试题与答案

电力电子技术测试题与答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.电流型三相桥式逆变电路,120°导通型,则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂()。

A、共四只B、各一只C、各二只D、共三只正确答案:B2.α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A、30度B、120度,C、0度D、60度正确答案:A3.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、全控型器件B、半控型器件C、触发型器件D、不控型器件正确答案:A4.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是()A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案:A5.可在第一和第四象限工作的变流电路是()A、接有续流二极管的单相半波可控变流电路B、单相半控桥C、三相半波可控变流电路D、接有续流二极管的三相半控桥正确答案:C6.三相全波可控整流电路电阻性负载中,控制角的最大移相范围是()。

A、180°B、150°C、90°D、120°正确答案:D7.降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=()A、3msB、4msC、1msD、2ms正确答案:A8.三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()度。

A、0~120B、0~180C、0~90D、0~150正确答案:A9.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发,应使干扰信号的幅值限制在()A、安全工作区B、不触发区C、可靠触发区D、不可靠触发区正确答案:B10.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为()。

A、减小输出谐波B、增大输出幅值C、减小输出功率D、减小输出幅值正确答案:A11.对于升降压直流斩波器,当其输出电压小于其电源电压时,有()。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案:C12.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案:D13.晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系正确答案:C14.三相桥式全控整流电路,大电感负载,当α=()时整流平均电压Ud=0。

电力电子技术试题及答案一

电力电子技术试题及答案一

电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN 结,,外部有三个电极,分别是极极和极。

1、两个、阳极A、阴极K、门极G。

2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。

2、正向、触发。

3、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。

3、阻断、导通、阻断。

4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的,其中KP 表示该器件的名称为,50 表示,7 表示。

4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。

5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

5、维持电流。

6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。

6、减小。

7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载,性负载和负载三大类。

7、电阻、电感、反电动势。

8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。

8、减小、并接、续流二极管。

9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。

要求管子的额定电流值要些。

9、小、脉冲、小、大。

10、单结晶体管的内部一共有个PN 结,外部一共有3 个电极,它们分别是极、极和极。

10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。

11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。

11、峰点、谷点。

12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。

12、同步、时刻。

13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。

13、正弦波、锯齿波。

14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。

14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。

15、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止阳”接法。

(×)损坏晶闸管的。

9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。

电力电子技术练习题库及参考答案

电力电子技术练习题库及参考答案

电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题(共100题,每题1分,共100分)1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。

(×)A、正确B、错误正确答案:B2.GTO制成逆导型,能够承受反向电压。

()A、正确B、错误正确答案:B3.在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。

()A、正确B、错误正确答案:B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

()A、正确B、错误正确答案:B5.提高电力电子装置的工作频率,可以使电力电子装置的体积和重量减小。

()A、正确B、错误正确答案:A6.电力电子电路只能实现电能的变换,而不能实现电能的控制。

()A、正确B、错误正确答案:B7.为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态。

()A、正确B、错误正确答案:A8.直流变换电路多用于牵引调速。

()A、正确B、错误正确答案:A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质,无直接关系。

()A、正确B、错误正确答案:A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。

()A、正确B、错误正确答案:B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

()A、正确B、错误正确答案:A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。

()A、正确B、错误正确答案:B13.当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。

()A、正确B、错误正确答案:A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大,则输出的电压Uo为常数。

()A、正确B、错误正确答案:A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

()A、正确B、错误正确答案:B16.三相半波可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。

()A、正确B、错误正确答案:A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。

()A、正确B、错误正确答案:A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。

()A、正确B、错误正确答案:A19.降压斩波电路运行情况只有一种:电感电流连续模式。

电力电子技术试题20套及答案解析

电力电子技术试题20套及答案解析

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为 逆变,如果接到负载,则称为 逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术习题(附参考答案)

电力电子技术习题(附参考答案)

一、选择题1. 电力电子技术中,下列哪种器件属于功率半导体器件?A. 晶体管B. 晶闸管C. 电阻D. 电容答案:B2. 下列哪种变换器属于直流变换器?A. 逆变器B. 整流器C. 交交变频器D. 交流-交流变换器答案:B3. 电力电子技术中,下列哪种控制方式属于开环控制?A. 比例控制B. 比例-积分控制C. 比例-积分-微分控制D. 电流控制答案:A4. 下列哪种电路属于三相桥式整流电路?A. 单相桥式整流电路B. 双相桥式整流电路C. 三相桥式整流电路D. 交交变频电路答案:C5. 电力电子技术中,下列哪种器件可以实现交流-交流变换?A. 晶闸管B. 晶体管C. MOSFETD. GTO答案:A二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行高效变换的一种技术。

答案:功率半导体器件2. 电力电子变换器主要有_________、_________、_________和_________四种类型。

答案:整流器、逆变器、直流变换器、交交变频器3. 电力电子技术中,_________控制方式属于开环控制。

答案:比例4. 电力电子技术中,_________电路属于三相桥式整流电路。

答案:三相桥式5. 电力电子技术中,_________器件可以实现交流-交流变换。

答案:晶闸管三、判断题1. 电力电子技术中,晶体管属于功率半导体器件。

()答案:错误2. 电力电子变换器中的整流器可以将交流电转换为直流电。

()答案:正确3. 电力电子技术中,比例-积分控制属于开环控制。

()答案:错误4. 电力电子技术中,三相桥式整流电路可以输出三相交流电。

()答案:错误5. 电力电子技术中,GTO器件可以实现交流-交流变换。

()答案:正确四、简答题1. 简述电力电子技术的应用领域。

答案:电力电子技术在电力、电子、自动化、新能源等领域有广泛的应用,如:电力系统中的电能变换、电力电子设备中的功率控制、新能源发电系统中的并网控制等。

电力电子技术试题(卷)20套与答案解析

电力电子技术试题(卷)20套与答案解析

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2)t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4)t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5)t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。

电力电子技术试题及答案(1)

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷一.填空(共15分,1分/空)1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。

2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。

3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U,忽略主电路2各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。

4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。

5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。

6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。

7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。

二.单选(共10分,2分/题)1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于()。

A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。

A.180O B.90O C.120O4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。

A.60B. 180C. 1205.把交流电变成直流电的是()。

A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三.多选(共10分,2分/题)1.电力电子器件一般具有的特征有。

A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。

A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3.使晶闸管关断的方法有。

A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4.逆变失败的原因有。

A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5.变压器漏抗对整流电路的影响有。

电力电子技术试题及答案一

电力电子技术试题及答案一

电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别就是极极与极。

1、两个、阳极A、阴极K、门极G。

2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。

2、正向、触发。

3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态与反向状态。

3、阻断、导通、阻断。

4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。

4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。

5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

5、维持电流。

6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。

6、减小。

7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载, 性负载与负载三大类。

7、电阻、电感、反电动势。

8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就就是在负载的两端接一个。

8、减小、并接、续流二极管。

9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。

要求管子的额定电流值要些。

9、小、脉冲、小、大。

10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别就是极、极与极。

10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。

11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。

11、峰点、谷点。

12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。

12、同步、时刻。

13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压与电压。

13、正弦波、锯齿波。

14、正弦波触发电路的同步移相一般都就是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。

14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。

15、在晶闸管两端并联的RC回路就是用来防止损坏晶闸管的。

15、关断过电压。

16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。

电力电子技术试题及答案 (1)

电力电子技术试题及答案 (1)

电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120º度。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。

电力电子技术练习题库与参考答案

电力电子技术练习题库与参考答案

电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断,因此又叫()。

A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案:C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。

A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案:A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载,需要()个续流二极管。

A、2B、4C、1D、3正确答案:B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象,可分为()。

A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案:C5、单相全控桥式整流电路最多需要()个晶闸管。

A、2B、3C、1D、4正确答案:D6、采用调制法得到PWM波形,把希望输出的波形作为()。

A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案:C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件,它是由()复合而成的。

A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案:A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的()技术。

A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案:B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。

A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案:D10、斩波电路控制方式中,ton和T都可调,改变占空比,称为()。

A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案:D11、得到PWM波形的方法有()。

A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案:A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同,可分为()。

A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案:A13、斩波电路控制方式中,ton不变,改变T,称为()。

电力电子技术试题库(附答案)

电力电子技术试题库(附答案)

电力电子技术试题库(附答案)一、判断题(共100题,每题1分,共100分)1.触发脉冲具有一定的脉宽,前沿要陡。

()A、正确B、错误正确答案:A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

()A、正确B、错误正确答案:A3.在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。

()A、正确B、错误正确答案:B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。

()A、正确B、错误正确答案:A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。

()A、正确B、错误正确答案:A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。

()A、正确B、错误正确答案:A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。

()A、正确B、错误正确答案:A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。

()A、正确B、错误正确答案:B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

()A、正确B、错误正确答案:B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。

()A、正确B、错误正确答案:B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。

()A、正确B、错误正确答案:A12.两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜用电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。

()A、正确B、错误正确答案:A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,单管输出功率最大的是GTO,应用最为广泛的是IGBT。

()A、正确B、错误正确答案:A14.触发脉冲必须具有足够的功率。

()A、正确B、错误正确答案:A15.在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。

()A、正确B、错误正确答案:B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。

()A、正确B、错误正确答案:B17.降压斩波电路斩波开关关断时,电感充电。

电力电子技术习题与参考答案

电力电子技术习题与参考答案

电力电子技术习题与参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()度。

A、0~120B、0~90C、0~180D、0~150正确答案:A2.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()。

A、0°~150°B、0°~120°C、15°~125°D、30°~150°正确答案:A3.电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A4.目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D5.在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。

A、180度B、60度C、120度D、360度正确答案:A6.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为(),单位为度。

A、40~45B、20~25C、10~15D、30~35正确答案:D7.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α<л/2C、α>л/2D、α=л/3正确答案:C8.可实现有源逆变的电路为()。

A、单相半控桥整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、三相半波可控整流电路正确答案:D9.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、交流相电压的过零点D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案:B10.α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A、120度,B、60度C、0度D、30度正确答案:D11.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、半控型器件C、全控型器件D、触发型器件正确答案:C12.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()A、15°~125°B、30°~150C、0°~150°D、0°~120°正确答案:C13.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、触发电压信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、干扰信号正确答案:D14.三相桥式全控整流电路,大电感负载,当α=()时整流平均电压Ud=0。

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《电力电子技术》试卷
一.填空(共15分,1分/空)
1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。

2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。

3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U
,忽略主
2
电路各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。

4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。

5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。

6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。

7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。

二.单选(共10分,2分/题)
1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A.直流断路器
B. 快速熔断器
C.过电流继电器
2.晶闸管属于()。

A.不可控器件
B. 全控器件
C.半控器件
3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。

A.180O
4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。

B. 180
C. 120
5.把交流电变成直流电的是()。

A. 逆变电路
B.整流电路
C.斩波电路
三.多选(共10分,2分/题)
1.电力电子器件一般具有的特征有。

A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数
B.一般工作在开关状态
C.一般需要信息电子电路来控制
D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器
2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。

A.单相全控桥整流电路
B.单相全波可控整流电路
C.三相全控桥整流电路
D.三相半波可控整流电路
3.使晶闸管关断的方法有。

A.给门极施加反压
B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗
D.给阳极施加反压
4.逆变失败的原因有。

A.触发电路不可靠
B.晶闸管发生故障
C.交流电源发生故障
D.换相裕量角不足
5.变压器漏抗对整流电路的影响有。

A.输出电压平均值降低
B.整流电路的工作状态增多
C.晶闸管的di/dt减小
D.换相时晶闸管电压出现缺口
四.判断(共5分,1分/题)
1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。

()
2.晶闸管是一种四层三端器件。

()
3.单相半波可控整流电路属单脉波整流电路。

()
4.整流电路按电路组成器件可分为单相和多相两类。

()
5.单相全控桥式整流电路可用于有源逆变。

()
五.简答(共12分,6分/题)
1.晶闸管的导通条件和关断条件。

2.逆变产生的条件及对可进行有源逆变的电路的要求。

六.计算(共48分,12分/题)
1.单相桥式全控整流电路带阻感性负载,U
2
=220V, R=5Ω,L足够大,α=60o时,①求
整流输出平均电压U
d 、电流I
d
,变压器二次电流有效值I
2
;②考虑安全裕量,确定晶闸管的额
定电压和额定电流。

2.单相桥式全控整流电路带反电动势负载,已知U
2
=100V,E=60V,R=3Ω,α=30o,电抗
L足够大,求输出平均电压U
d 、输出平均电流I
d
,流过晶闸管电流平均值I
dVT
和有效值I
VT
,变
压器二次侧电流有效值I
2和容量S
2。

3.三相桥式全控整流电路带阻感性负载,L足够大,R=5Ω,U
2
=220V,求α=60o时输出平
均电压U
d 、输出平均电流I
d
,流过晶闸管电流平均值I
dVT
和有效值I
VT
,变压器二次侧电流有效
值I
2和容量S
2。

4.三相半波可控整流电路如图,U
2
=100V,E=30V,R=1Ω,L足够大,问α=90o时,U
d
=I
d
=
如若α=120o, I
d
=此时电路能工作在有源逆变状态吗为什么
《电力电子技术》试卷(参考答案)二.填空(共15分,1分/空)
1.电力电子器件制造(技术)变流(技术)
2.电流驱动(型)电压驱动(型)电流驱动(型)
3.停止导电(角) δ=arcsin(E/2U
2
)
4.双脉冲(触发)宽脉冲(触发)双脉冲(触发)
5.共阴极(组)共阳极(组)
6.整流(状态)逆变(状态)
7.α+β=π(或β=π-α或α=π-β)
三.单选(共10分,2分/题)
; ; ; ;
四.多选(共10分,2分/题)
; ; ; ;
五.判断(共5分,1分/题)
1.×;
2. √;
3. √;
4. ×;
5. √
六.简答(共12分,6分/题)
1.晶闸管的导通条件:加正向阳极电压,同时加上足够的正向门极电压。

(3分)
晶闸管的关断条件:利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流小于维持电流,晶闸管即关断,在实际电路中常采用使阳极电压反向、减小阳极电压、或增大回路阻抗等方式。

(3分)
2.逆变产生的条件:①要有直流电动势,其极性须和晶闸管导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压。

②要求晶闸管的控制角α〉π/2,使U
d
为负值。

(4分)欲实现有源逆变,只能采用全控电路,半控桥或有续流二极管的电路不能实现有源逆变。

(2分)
七.计算(共48分,12分/题)
1.解:①因为L足够大,所以
U
d
=α=99V
I d =U
d
/R=19.8A
I 2= I
d
=19.8A(每步2分)
②晶闸管正常工作时所承受的峰值电压为2U
2
考虑安全裕量,则其额定电压U
TN =(2~3)2U
2
=(2~3)311V(3分)
流过晶闸管的电流有效值为I
VT =I
d
/2=14A
考虑安全裕量,则其额定电流I
T(AV)=~2)I
VT
/=~2)8.9A(3分)
2. 解:因为L足够大,所以U
d
=α=
I d =(U
d
-E)/R=5.98A
I dVT = I
d
/2=2.99A
I VT =I
d
/2=4.22A
I 2= I
d
=5.98A
S 2= U
2
I
2
=598VA(每步2分)
3. 解:因为L足够大,所以U
d
=α=
I d =U
d
/R=51.48A
I dVT = I
d
/3=17.16A
I VT =I
d
/3=29.72A
I 2= 3/2I
d
(或2I
VT
)=42.03A
S 2= 3U
2
I
2
=(每步2分)
4. 解: L足够大,α=90o时U
d
=α=0V(2分)
I d =(U
d
-E)/R =(0-(-30))/1=30A(2分)
α=120o时,
U
d
=α=
因为|U
d
|>|E|,不满足产生逆变的条件,(4
分)所以电路不能工作在有源逆变状态。

(2分)此时I
d
=0。

(2分)。

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