晶体的电光效应优秀课件
Lesson晶体的电光效应
晶体的电光效应及光波在电光晶体中的传播晶体的电光效应⏹晶体的电光效应是一种人工双折射现象⏹由于人为施加外力场或电场引起⏹改变晶体内原子的排列方式和分布⏹本质上是改变电子云的分布引起介电系数的改变－进而改变晶体的折射率椭球参数⏹可以人工控制－用于电光调制、电光偏转、调Q等应用领域晶体的电光效应电光效应－晶体在外电场作用下，其光学性质（折射率）的变化。
电磁场在介质中应满足物质关联方程，对光波来说在各向同性晶体中传播时，其电位移矢量D和电场强度E 之间的关联方程为D=ε·E其中ε为晶体的介电常数张量。
晶体的电光效应1、晶体的介电系数随电场强度的变化而变化，是电场强度的函数•我们在波动光学中利用的公式是弱电场近似公式•在外加强电场条件下，介电系数（折射率）随电场强度发生变化•由于折射率变化，光波传输规律也发生变化，我们可以通过研究电场对晶体介电系数的影响，研究电场对光波传输的影响2、介电系数与电场强度之间不是简单的线性关系外加电场与介电系数之间的关系⏹晶体的介电系数可以用二阶张量描述；⏹利用晶体电光系数表征晶体介电系数同电场之间的关联；⏹晶体电光系数可以表征为－三阶张量⏹三阶张量只存在于没有对称中心的晶体中，⏹所以只有无对称中心的晶体才有电光效应(,,1,2,3)ij ijk kC D A i j k==(,,1,2,3)ij ijk kB E i j kγ==外加电场与介电系数之间的关系⏹取无对称中心晶体作为研究对象⏹为了研究方便，我们取外加电场沿晶体的主轴方向，这时电位移矢量同电场强度方向一致。
⏹通过测量表明电位移矢量同电场强度之间满足下列线性关系023...D E aE E εβ=+++0ε为线性介电系数外加电场与介电系数之间的关系外加电场与介电系数之间的关系外加电场与介电系数之间的关系外加电场与介电系数之间的关系外加电场与介电系数之间的关系任意方向的外加电场引起的折射率变化⏹上面给出了沿晶体主轴施加外加电场引起折射率变化的情况；⏹对于任意方向电场我们可以通过下面方式处理：1、研究电场对晶体主轴折射率的影响进而获得新的折射率椭球方程（很复杂）2、直接考虑电场对折射率椭球的影响电场对折射率椭球的影响电场对折射率椭球的影响电场对折射率椭球的影响电场对折射率椭球的影响线性电光系数与外加频率之间关系⏹晶体在外加电场作用下发生受迫振动；⏹当外加电场频率与晶体自身固有频率相同时，振动幅度最大发生共振。
晶体物理性能 第7章 电光效应
考虑到63Ez<<nO-2，使用 系，可以得到：
3 nO 63 E3 n1 ' nO 2
3 nO 63 E 3 n2 ' nO 2
n3 1 dn d ( 3 ) 2 n
的关
(7.12a) (7.12b)
1 3 2 3 3 3 4 3 5 3 6 3
E E E
1 2 3
(7.4)
5
6
系数ij共有18元素称为电光张量
共青团南京大学委员会 组织部 8
从二阶张量的性质知道， 二次曲面方程的六个系数，必具有二阶对称张量的性质，所以 每个系数和下列二阶张量符号对应
1 2 n 1 2 n 1 1 1 B B B , , , 11 2 22 2 33 2 B23 , B32 , n 4 n 3 n 2 1 1 B13 , B31 , 2 B12 , B21 n 6 5
n3 ' n e
可见，原来属于单轴晶体的KDP，在E3电场
作用下变为双轴晶体，沿原来光轴传播的特 性会发生最显著的影响.
共青团南京大学委员会 组织部
2010年11月18日
19
二．LiNbO3类晶体
LiNbO3属3m点群，负单轴晶体，标准坐 标系的取法是坐标z轴取在三次轴方向．另外 二轴，取法是x轴，对称平面y沿着对称平 面，属LiNbO3同类的晶体有LiTaO3等．它的 光电系数矩阵为：
2010年11月18日 共青团南京大学委员会 组织部 5
加上电场以后折射率椭球就要变形，(7.1)中
KDP晶体电光效应【重要 讲解清晰】
当入射沿 x1 方向偏振，进入晶体后即分解为沿 x1 ' 和 x2 ' 方向的两个垂直 偏振分量。它们在晶体内传播 L 光程分别为 n1 ' L 和 n2 ' L ，两偏振分量的相位 延迟分别为
2 2 L 1 3 n1 ' L (no no 63 E ) 2 2 2 L 1 3 2l n2 ' L (no no 63 E ) 2
41 , 52 , 63 0 ，而且 41 52 。加电场 E 后：
0 0 1 1 1 (0) 0 0 0 0 0 2 2 2 (0) 0 E1 3 3 3 (0) 0 0 0 0 E2 4 0 4 41 0 E 41 E1 5 0 41 0 3 41 E2 5 E 6 0 63 6 0 63 3
1 2 1 2 1 2 2 63 E x1 ' 2 63 E x2 ' 2 x3 ' 1 n n n e o o
(20) (19)
主折射率变为：
1 3 n ' n no 63 E 1 o 2 1 3 n2 ' no no 63 E 2 n ' ne 3
(17)
折射率方程变为：
1 1 ( x12 x2 2 ) 2 x3 2 2 41 ( E1 x2 x3 E2 x3 x1 ) 2 63 E3 x1 x2 1 2 no ne
(18)
晶体的电光效应
晶体的电光效应介质因电场作用而引起折射率变化的现象称为电光效应，介质折射率和电场的关系可表示为：+++=20bE aE n n (1)式中n 0是没有外加电场（E =0）时的折射率，a 和b 是常数，其中电场一次项引起的变化称为线性电光效应，由Pokels 于1893年发现，故也称为Pokels 效应；由电场的二次项引起的变化称为二次电光效应，由Kerr 在1875年发现，也称Kerr 效应，在无对称中心晶体中，一次效应比二次效应显著得多，所以通常讨论线性效应。
尽管电场引起折射率的变化很小，但可用干涉等方法精确地显示和测定，而且它有很短的响应时间，所以利用电光效应制成的电光器件在激光通信、激光测距、激光显示、高速摄影、信息处理等许多方面具有广泛的应用。
[实验目的]研究铌酸锂晶体的横向电光效应，观察锥光干涉图样，测量半波电压； 学习电光调制的原理和实验方法，掌握调试技能；了解利用电光调制模拟音频光通信的一种实验方法；[实验原理]1． 晶体的电光效应 按光的电磁理论，光在介质中传播的速度为210)(-==μεn c c ，ε为介电系数，是对称的二阶张量，即ji ij εε=，由此建立的D 和E 的关系为：j j i i E D ε= （3,2,1,=j i ) (2)即： 333232131332322212323132121111E E E D E E E D E E E D εεεεεεεεε++=++=++=在各向同性的介质中，εεεε===332211，D 和E 成简单的线性关系，光在这类介质中以某一确定速度传播；但在各向异性的介质中，一般情况下各方向的折射率却不再相同，所以各偏振态的光传播速度也不同，将呈现双折射现象。
如果光在晶体中沿某方向传播时，各个方向的偏振光折射率都相等，则该方向称为晶体的光轴。
若晶体只含有一个这样的方向，则称为单轴晶体。
通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。
《晶体的电光效应》PPT课件
横向电光效应
以顺电相KLTN晶体为例
横向电光效应
通过晶体后两束偏振光的相位差为
2(n 3 ' n 1 ')d 21 2 (s 1 1 s 1 2 )n 0 3 E 2 d
中心对称晶体在横向电光效应的应用中也存在一些问题， 认识较多的此类晶体，居里温度较高，在室温下不能展现 出二次电光效应，影响了实际的应用，而且二次电光效应 较小，所以需求低居里温度，高的二次电光系数的铁电晶 体材料具有很大的意义。
1
n12 1
n32
1 n2 2
1
n
2 0
1
n
2 0
s11 E 2
s12 E 2
n1
'
n2
'
n0
1 2
n03s12 E 2
n3
'
n0
1 2
n03s11E 2
纵向电光效应及横向电光效应
根据实际应用中晶体上所加电场方向与通光方向的 相对位置不同，通常也将电光效应分为两类，纵向 电光效应与横向电光效应。所加电场方向与通光方 向平行的被称为纵向电光效应，电场方向与通光方 向互相垂直的被称为横向电光效应。下面我们举例 来分析纵向与横向电光效应的优缺点。
纵向电光效应及横向电光效应
纵向电光效应 横向电光效应
纵向电光效应
仍然以KDP为例，实验装置如下图所示
半波电压
晶体后存在相位差为
d为晶体通光方向的厚度，所以产生的相位差与 所加电压成正比，与厚度d无关。当相位差为π时， 我们将所加电压称为此块晶体的半波电压 。
半波电压
晶体的半波电压及电光系数的测定值
横向电光效应
前面对非中心对称的晶体线性电光效应分析可知 ，当外加电场方向与通光方向垂直，产生的相位 差除了受电场控制外还会受到自然双折射的影响 。晶体的自然双折射对温度有很高的敏感性，要 实现很严格的控温，精度在0.005℃，这对实际条 件来说是非常困难的。但是对于中心对称的晶体 来说，可以从根本上避免这一问题。
晶体的光电效应
泡克尔斯效应在结束了本学期的第二次物理演示实验后，我对课堂上老师所讲的晶体的光电效应产生了浓厚的兴趣，不仅仅因为现在我们还未接触到这个知识，同时还因为我们在下学期的时候可能会做这个实验，所以我回来查阅了一些相关的资料。
泡克尔斯效应（pockels effect），在1893年发现。
它是让光传播方向与电场平行，电极透明，晶体是单轴晶体，光轴沿光传播方向。
最后产生的现象是：若不加电场则不透光。
若加电场→晶体变双轴晶体→原光轴方向附加了双折射效应→透光。
泡克尔斯效应引起的相位差是线性的电光效应。
晶体横向电光调制器结构示意图应用：超高速开关（响应时间小于10-9s），显示技术，数据处理，电光Q开关等等。
经过简单的查阅资料，我找到了一些关于电光Q开关的一些介绍，网上关于晶体光电效应真正的应用都是很多专家们的研究论文，我有很多都看不懂，仅仅只能罗列一些简单的基础的介绍。
光电Q开关，又称普克尔盒、电光调制盒.电光调Q是指在激光谐振腔内加置一块偏振片和一块KD*P晶体。
光经过偏振片后成为线偏振光，如果在KD*P晶体上外加λ/4电压，由于泡克尔斯效应，使往返通过晶体的线偏振光的振动方向改变π/2。
如果KD*P晶体上未加电压，往返通过晶体的线偏振光的振动方向不变。
所以当晶体上有电压时，光束不能在谐振腔中通过，谐振腔处于低Q状态。
由于外界激励作用，上能级粒子数便迅速增加。
当晶体上的电压突然除去时，光束可自由通过谐振腔，此时谐振腔处于高Q值状态，从而产生激光巨脉冲。
电光调Q的速率快，可以在10-8秒时间内完成一次开关作用，使激光的峰值功率达到千兆瓦量级。
如果原来谐振腔内的激光已经是线偏振光，在装置电光调Q措施时不必放置偏振片。
DKDP电光Q开关DKDP电光Q开关（磷酸二氘钾普克尔盒，DKDP Q-swich）是根据DKDP 晶体电光系数高的特性制作的性能优良的调Q器件。
其调制效果稳定、脉冲宽度小，适用范围广，已广泛应用于多个激光领域。
25.晶体电光效应 (1)
晶体电光效应一、实验目的1、测量LN 晶体的半波电压；2、观察电光调制器的工作性质。
二、实验原理电场施加在晶体上，会使晶体的折射率发生变化，这种现象称之为电光效应。
下图为晶体电光调制原理示意图。
图中起偏器P 偏振化方向平行于晶体的x 轴，且与检偏器正交，波长为λ的光束沿z 轴(光轴)入射，电场方向平行于x 轴，x '、y '为晶体的感应轴，与x 、y 轴成π/ 4角。
当光束通过长为l 的晶体后，偏振光x '、y '两分量间产生位相差ϕ， '3'2222()y x o ln n l n Vdππϕγλλ=-=(1) 式中n 0，r 22和d 分别为晶体的O 光折射率，电光系数及厚度，V 为施加的直流电压。
当δ=π时，施加的电压称为半波电压V π，因此时偏振光x '.y '两分量间产生的光程差为λ/2。
由式(1)322(/2)o dV n lπλγ=(2)则位相差ϕ可表为VV πϕπ= (3) 偏振光x '.y '两分量复振幅可分别写为⎪⎩⎪⎨⎧==-ϕi y x Ae l E Al E )()('' (4) 通过检偏器的出射光，是此两分量在y 轴上投影之和()(2)(1)i y o E A e ϕ-=- (5) 相应的输出光强I 可写成2*22()()()[(1)(1)]2sin /22i i o y oy o A I E E e e A ϕϕϕ-∝=--= (6)光强透过率22sin ()sin ()22o i I V I V πϕπ==。
由上式知透过率与电压的关系是非线性的。
为了进行线性调制，在调制光路中加入一个4λ波片，使其光轴与OP 成45°，则211sin [()][1sin()]222o i I V V I V V πππππ=+=+ (7) 式中为V 0直流偏压，V m sin ωt 为交流调制信号。
固体电子学光电效应课件
所以光的波长越短，即频率越高，其光子的能量也越大； 反之，光的波长越长，其光子的能量也就越小。 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、 光电倍增管等。 光照射物体，可以看成一连串具有一定能量的光子轰击物体，物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功A0时，电子就会逸出物体表面，产生光电子发射，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。
固体电子学光电效应课件
Definition of laser
A laser is a device that generates light by a process called STIMULATED EMISSION. The acronym LASER stands for Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Semiconducting lasers are multilayer semiconductor devices that generates a coherent beam of monochromatic light by laser action. A coherent beam resulted which all of the photons are in phase.
法布里－珀罗 (F-P) 谐振腔
100%
90%
固体电子学光电效应课件
Diode Laser
固体电子学光电效应课件
Typical Application of Laser
The detection of the binary data stored in the form of pits on the compact disc is done with the use of a semiconductor laser. The laser is focused to a diameter of about 0.8 mm at the bottom of the disc, but is further focused to about 1.7 micrometers as it passes through the clear plastic substrate to strike the reflective layer. The reflected laser will be detected by a photodiode. Moral of the story: without optoelectronics there will no CD player!
实验七晶体的电光效应及其应用
实验七晶体的电光效应及其应用——用相位补偿法测量双折射晶体的微小相位差物理学院物理系00004037 贾宏博1 实验目的1.1 研究KD*P晶体的一次电光效应，用光强极小、光强极大和调制法三种方法测定一组KD*P晶体的半波电压。
1.2 用相位补偿法测量双折射云母样品的相位差和折射率差。
2 实验原理2.1 磷酸二氘钾（KD*P）类型晶体的纵向电光效应。
KD*P晶体为负单轴晶体，如图7-1。
它的折射率椭球为旋转椭球，如（7-1）式图7-1 图7-2122222=++eonznyx（7-1）在KD*P晶体的光轴z方向加上电场后，（7-1）式变为126322222=+++xyErnznyxzeo（7-2）经过坐标变换⎪⎩⎪⎨⎧=+=-='45cos'45sin'45sin'45cos'zzyxyyxx（7-2）式转化为1'''2'22'22'2=++z y x n z n y n x ，其中⎪⎩⎪⎨⎧=-=+=--ez z o o y z o o x n n E r n n n E r n n n '2/1632'2/1632')1()1( （7-3）通常1632<<z o E r n ，则（7-3）式化为⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧=+=-=e z zo oy z o ox n n E r n n n E r n n n '633'633'22 （7-4）从图7-2中可以看出在加了电场后折射率椭球的变化。
折射率椭球的x-y 截面变成了椭圆，且长、短轴变成了'x 、'y 轴，并且与x 、y 轴夹角45。
'x 、'y 轴称为感应轴。
当线偏光在KD*P 晶体中沿着z 轴方向传播时，'x 、'y 方向的偏振光的折射率不一样，经过长度为L 的晶体后，产生的相位差为D o z o x y V r n LE r n L n n 633633''22)(2λπλπλπφ==-=（7-5）其中L E V z D =，即加在晶体两端的电压。
晶体的电光效应及其应用PPT课件
KDP晶体是单轴晶体，属四方晶系。属于这一类型的晶体 还有ADP(磷酸二氢氨)、KD*P(磷酸二氘钾)等，它们同为42 m
晶体点群，其外形如图 5-1所示，光轴方向为x3轴方向。
5.2 晶体的电光效应及应用
5.2.1 晶体的线性电光效应 5.2.2 晶体的二次电光效应 5.2.3 晶体电光效应的应用
5.2.1 晶体的线性电光效应
1.
如上所述，在主轴坐标系中，无外加电场晶体的折射率 椭球为：
B10 x12 B20 x22 B30 x32 1
外加电场后，由于线性电光效应，折射率椭球发生了变 化， 它应表示为一般折射率椭球的形式：
光沿晶体的110方向传播晶体在电场方向上的厚度为d在传播方向上的长度为l如前所述当沿x3方向外加电压时晶体的感应折射率椭球的主轴方向系由原折射率椭球主轴绕x3轴旋转45到因此光沿感应折射率椭球的主轴方向x2传播时相应的两个特许线偏振光的折射率为n1和n3片射出时的相位差电光延迟53用于63横向运用的kdp晶片27上式中等号右边第一项表示由自然双折射造成的相位差
第二块晶体变为o光，而且二晶体长度和温度环境相同，所
以, 由自然双折射和温度变化引起的相位差相互抵消。因
此，由第二块晶体射出的两光束间，只存在由电光效应引起
的相位差：
2
no3 63U
l d
相应的半波电压为：
U/2
2no3 63
d l
经比较得到：
(U / 2 )横
(U / 2 )纵
d l
显然，横向运用时的半波电压一般均比纵向运用时低，
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
七、课堂思考
光路调整时为什么要紧靠晶体前放一张镜头 纸？锥光干涉图的同心干涉圆环和暗十字图 形是怎样形成的？
光路调整如何进行？如何根据晶体的锥光干 涉图调整光路 ？
本实验主要是研究铌酸锂晶体产生的一次横向电光 效应。
在晶体的X方向施加电场后，当平面偏 振光沿Z轴方向传播时，晶体将产生双折射。
这时沿Z轴传播的偏振光应当按特定的晶体感
应轴（X′，Y′）进行分解，光沿这两个方向偏振
的折射率不同（传播速度不同）从而产生相位差, 使出射光成为椭圆偏振光。由晶体光学可以证明， 这两个方向的折射率如下所示:
在电光调制器上同时加上直流电压和交流 正弦信号，适当增加光强，观察不同直流 偏压下调制器的性能。
记录在不同工作偏压下所得到的线性调制 和各种失真的输出波形。
4. 调制法测定铌酸锂晶体的半波电压
当直流电压使输出光强出现极小值时，交 流调制就出现倍频失真；增加直流偏压使输 出光强出现极大值 时，交流调制再次出现倍 频失真；两次相邻失真对应得直流电压之差 就是半波电压。用这种方法测得的半波电压 将更加精确。
四、实验仪器和装置
1.激光束，2.偏振片，3.铌酸锂电光晶体，4.光电三极管 5.放大器，6.直流电源，7.音乐片，8.正弦波振荡器 9.扬声器，10.双踪示波器。
五、实验内容
1. 光路的调节
将有关光学器件固定在光路上，在晶体 前放一张镜头纸，在调制器外靠近出口处放 置白屏，调节起偏器和检偏器正交，且分别 平行x，y轴。这时可以在白屏上观察到偏振 光的干涉图样（如图所示）
8 V
产生倍频失真
4. 当 V 0V /2 且 V mV /2时，
T 2 [J 1 (V V m )sit n J 3 (V V m )s3 itn J 5 (V V m )s5 itn ]
由上面的式子可以看出，输出的光束包括 交流的基波，还有奇次谐波。由于调制信号的 幅度较大，奇次谐波不能忽略，因此，这时虽 然工作点选定在线形区，输出波形仍然失真 。
电光调制实验光路图
1.入射激光束；2.起偏器，偏振方向平行于电光晶体的X轴； 3.LiNbO3电光晶体，4.检偏器，偏振方向平行于Y轴； 5.代表出射光束。
可以证明光通过检偏器的光强的透过率为
T It sin2
Ii
2
2 (n YnX )l2 n 0 32V 2d l
δ为二束偏振光之间 的相位差，当δ=π,T=100%此时
（1） V0 V /2 ，Vm V
T1(1Vmsint)
2 V
此为线性调制
（2） V0 0 ， Vm V
Tsin2(
2V
Vmsint)12[1cosVV(msint)]
1(Vm)2sin2t 1(Vm)2(1co2st)
4 V
8 V
产生倍频失真。
（3）.V0 V ， Vm V
T11(Vm)2(12co2 st)
2.电光调制器T—V工作曲线的测量
（1）晶体上只加直流偏压，电压从小到大逐 渐改变，同时读出直流偏压和光电三极 管的电压输出。测完一组数后，改变电 压极性，再测一组数据。
（2）极值法测定铌酸锂晶体的半波电压。在 所测得数据中，出现两组极大值，极大 值的电压之差就是半波电压的两倍。
3. 动态法观测调制器性能
一次项引起的折射率变化称为一次电光效 应，也称线性电光效应或泡克耳斯效应； 由二次项引起的折射率变化称为二次电光 效应或克尔效应。
晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光 效应。纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶 体里的传播方向平行时产生的电光效应；横向电光效应 是加在晶体上的电场方向与光在晶体里的传播方向垂直 时产生的电光效应；观察纵向电光效应常用磷酸二氢钾 （KDP）类晶体进行，而铌酸锂（LiNbO3）晶体则被 用于产生横向电光效应。
V
d 2n0322 ( l )
其中Vπ称为半波电压，它与晶体的几何尺寸有关。
3. 电光调制工作曲线
由
T sin2 V
2V
可以得到电光调制工作曲线如下图所示，可见T与V 是非线性系。
4.直流偏压对输出特性的影响
设 VV0Vmsi nt
Tsi2n 2 V Vsi2n 2 V (V 0V m si n t)
晶体的电光效应
一、实验及应用背景介绍
晶体在外电场的作用下折射率会发生变 化，这种现象称为电光效应。电光效应在工 程技术和科学研究中有许多重要应用.
它有很短的响应时间（足够跟上十亿赫兹的电场
变化),可以制成快速控制光强的光开关； 利用电场引起折射率的改变可以控制光波的位相、
偏振态等特性，从而实现对光束的调制、制成快速 传递信息的电光调制器。电光器件被广泛应用在激 光通信、激光测距和光学信息处理等方面。
nX' n0 n0322Ex /2 nY' n0 n0322Ex /2
式中n0和r22是晶体的o光折射率和电光系数， Ex =V/d是X方向所加的外电场。
2.横向电光调制原理
信息加载于激光辐射的过程称为激光调制， 完成这一过程的装置称为激光调制器，由已调制 的激光束还原出所加载信息的过程称为解调。因 为激光所起的作用是“携带” 信息，所以称为载 波，而起控制作用的信号称为调制信号。
5.光通信的演示
按下电源面板上的信号选择开关的 “音乐”键，此时正弦信号被切断，调制 电源输出“音乐”信号。输出的信号可以 通过放大器上的扬声器播放。改变工作点， 所听到的音质不同，通过遮光和照光，可 生动地演示光通信原理。
六、注意事项
He-Ne激光管出光时,电极上所加的直流电 压高达几千伏,要注意安全。刚启动时，输 出不稳定，测定数据前要充分预热。
二、实验目的和教学要求
掌握晶体电光调制的原理和实验方法
学习测量晶体半波电压和电光常数的 实验方法
观察电光效应引起的晶体光学性质的 变化和会聚偏振光的干涉现象
三、实验原理
1.电光效应
晶体在外电场的作用下折射率的变化可 表示为：
n= n0 +aE0+bE02 + ┅
式中a和b为常数，n0为E0=0时的折射率。由