第4讲内存

４、内存主频(标准)及带宽
内存标准及类型
PC100 SDRAM PC133 SDRAM DDR200 / PC1600 SDRAM DDR266 / PC2100 SDRAM DDR333 / PC2700 SDRAM DDR400 / PC3200 SDRAM DDR2-400 / PC3200 SDRAM DDR2-533 / PC4300 SDRAM DDR2-667 / PC5300 SDRAM DDR2-800 / PC6400 SDRAM
性能参数 芯片分布 单面八颗 内存主频 DDR2 667 颗粒封装 BGA 延迟描述 CL=4-4-4-12 内存电压 1.8V ECC校验 不支持
麒仑 1024M DDRII 800 （国产）
主要参数 型号 1024M DDRII 800
适用类型 台式机 内存类型 DDR II
内存容量 1024M
② 、ECC：（错误检查和纠正）是在原有基础上再加若干位来实
现的。 字长（位）
8
奇偶校验增位 1
ECC增位 5
16
2
6
32
4
7
64
8
8
五、内存条的封装与接口
１、TSOP（薄型小尺寸）封装： TSOP和TSOP II 封装的内存 颗粒引脚在两侧（TSOP的引脚在芯片的短边，而 TSOP II 的引脚在芯片的长边）该封装具有成品率 高，价格便宜等优点。DDR及以前采用。
HY57V658 10CTC–10s
HY代表现代的产品； 57表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； V表示工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)； 65代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，
64=64Mbits、8K Ref， 65=64Mbits、4K Ref， 28=128Mbits、8K Ref， 29=128Mbits、4K Ref， 56=256Mbits、16K Ref，57=256Mbits、8K Ref）；
用EVEREST测试内存
内存读取 内存写入 内存延迟 PCmark05
双通道1G X 2 单条1G 单通道1G X 2
4554 4234 4254
2272 1561 2454
53 3773 52.9 3881 52.1 3951
单双通道的差距不大，甚至有单比双好，尤其是 PCmark的得分
七、内存标识 （以现代为例）
8代表数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）； 10代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个； C代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后内核越新）；
TC代表封装形式（TC=400mil TSOP- Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ， TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
注意： 地址空间指CPU的寻址能力，取决于地址总线数，与内存 容量无关。地址空间 > 内存容量。
２、存取速度
存取时间：指从请求写入/读出起，到完成写入/读出止，所
需要的时间。单位为ns（纳秒）， 1ns 109 秒。内存存
取速度在1ns左右。存取时间越小，存取速度越快。
试题
３、延缓时间
内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据存取操作就绪状 态前等待内存响应的时间。 一般内存上标该参数。由CL-tRP-tRCD-tRAS这四个数值构成
一般开机后免去自检过程。
试题
三、内存条的结构
PCB板＼金手指＼防呆口＼内存条固定卡缺口＼ 内存芯片(颗粒)＼SPD芯片＼电容＼电阻等
四、内存条的技术指标
１、存储器容量 存储器容量是指存储器的最大存储量。 最基本储器单元：位（bit） 容量计量单位：字节（Byte）简记为B，1B=8bit，还有 KB、MB、GB、TB等。关系为 ： 1KB=1024B、1MB=1024KB、……………… PC机内存：……8MB……512MB、1GB、2GB……… 服务器内存达十GB
胜创（kingMax）、三星、金帮（千禧）、威刚、宇瞻……。
内存芯片生产商：三星、现代、金帮、原西门子等。
国产品牌：麒仑
05年新秀黑金刚DDR2不错。金帮的ones DDR内存为获奖产品。
威刚的万紫千红系列、红色威龙系列内存条销售不错
08年“年度风云产品”有：宇瞻的黑豹二代2GBDDR2 800、威 刚 AD31333E001GMU
RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟）（t RCD） 行地址传输到列地址 的延缓时间。参数值有：4，3，2(clocks) RAS Active Delay（t RAS）
行地址选通脉冲延缓时间。参数值有：8，7，6，5，(clocks)
在BIOS中可设置，值越小越性能越强，但稳定性下降！
存储器的功能：它是计算 机的记忆设备，相当于人脑。 存储器的分类：内（主）存储 器、外（辅助）存储器。
第 ４ 讲
内
存
本讲要点
内存的分类及芯片简介
内存的主要参数 内存条的结构 内存条的选购
一、 内存的分类
1、按工作原理分
SRAM(静态随机存储器)
RAM (随机存储器)
DRAM(动态随机存储器)
08年金泰克速虎DDR2 800为获奖产品
试题
Gartner: 2004年第三季前五大内存芯片厂商
收入 （百万美元）
市场份额
04年Q3 季度同比 04年Q3 04年Q2
三星
2,155
4.6%
31.4% 30.1%
现代
1,040
(8.7%)
15.2% 16.7%
美光
1,040
1.9%
15.2% 14.9%
插脚数目 240pin
性能参数
内存主频 DDR2 800 颗Байду номын сангаас封装 BGA 延迟描述 CL=4 内存电压 1.8V ECC校验 不支持 其它参数
保修服务 三年免费包换,终身保修
威刚 红色威龙 1024MB DDRII667
08年8月报价：120 元
内存类型：DDRII 适用机型：台式机内存 内存容量：1024MB 工作频率：667MHz 金手指：240 针脚 电压（V）：1.8 V
英飞凌
955
1.5%
13.9% 13.8%
尔必达(Elpida)
455
16.7%
6.6%
5.7%
其他
1,209
(6.0%)
17.6% 18.8%
合计
6,854
0.2%
100.0% 100.0%
2009年8月内存品牌排行榜
排名 金士顿 威刚 海盗船 宇瞻 三星 金泰克 金邦 芝奇 现代 OCZ
产品型号 2GB DDR 2G DDR2 TW3X4G2 2GB DDR2 2GB DDR3 2GB DDR 2GB DDR2 F3-12800C 1GB DDR4 4G DDR2
386
EDO DRAM(扩展数据输出) 486
SDRAM(同步动态)
P ~ PIII
主存储器 (内存条)
DDR
SDRAM(双倍数据传输)
RDRAM(多通道)
P4 P4
DDR2 SDRAM
P4 ~ Core
DDR3 SDRAM
P4 ~ Core
高 显速 示缓 存冲 储存 器(储显器存()L1
,
如：2-2-2-5或2.5-3-3-8等。（也可能标前三个）
CAS Latency（SDRAM CAS#延迟）（CL） 列地址选通脉冲延缓时间。参数值为：3, 2.5, 2 时钟周期。 内存开始读指令后的延迟时间。
RAS Precharge（Precharge命令延时） （t RP） 行地址选通脉冲预充电时间。参数值有：4，3，2(clocks)
时钟 频率 100 133 100 133 166 200 100 133 166 200
数据频 率 100 133
100×2 133×2 166×2 200×2 100×4 133×4 166×4 200×4
单通道带宽 100MHZ×64b / 8=800MB/s 133MHZ×64b / 8=1.06GB/s 100MHZ×2×64b / 8=1.6GB/s
三星金条 DDR3 1333 2G
主要参数 型号：DDR3 1333 2G 适用类型：台式机 内存类型：DDR III 内存主频：DDR3 1333 内存总容量：2G 插脚数目：240pin 颗粒封装：BGA
08年暑假参考价格： 1053元
金士顿 DDRII667 512M 详细参数
主要参数 型号 DDRII667 512M 适用类型 台式机 内存类型 DDR II 内存容量 512M 插脚数目 240pin
海盗船TW3X4G2000C9DF（双通道）
内存类型：DDR3 适用机型：台式机内存 内存容量：2*2GB 工作频率：2000MHz 接口类型：240 PIN CL设置：9
09年8月 参考价格：￥7500 [北京]
内存双通道技术
（主板芯片组技术）
配置 AMD3800+双核AM2接口CPU 微星 K9N Neo主板、显卡为XFX7600GT UAD版本 两条1G DDR2 800 黑金刚内存
L2 , L3 ) 在CPU中 在图形加速卡(显卡)中的
固化存储器(BIOS)在主板上,显卡上, 键盘中.
散热片
二、各种内存芯片简介
１、RAM（随机存储器）：指CPU随时且不论任何顺序，从内存的 任意单元读写数据。 特点：
① 、可读写。读出时不破坏原数据，写入时修改原数据。 ② 、存取任一单元所需时间相同。 ③ 、易失性。断电后数据丢失。
200MHZ×4×64b / 8=6.4GB/s
还有DDR2 1066 目前最高主频为1333MHz（DDR3 1333）
试题
５、错误校验
① 、奇偶校验：具有奇偶校验功能的内存，每个字节在八位的基 础上又增加一位用于错误校验。（其不能纠错）。 具有奇偶校验功能的内存条上的存储芯片（颗粒）的个数
为奇数。
（cache）。
４、DRAM（动态随机存储器）：靠MOS电路中的栅极电容存储信息。
特点：
① 、存储速度快，早期在7ns以下，目前达1ns。 ② 、集成度高（一个存储单元只需要一个晶体管）。功耗低。 ③ 、单片容量为MB，一般用于PC机的主存。 ④ 、需要有外围刷新电路不断地刷新，(0.1-0.2μS)刷新一次。
２、ROM（只读存储器）：只能读数据，一般情况下不能写数据。
特点：非易失性。断电后数据不丢失。 ３、SRAM（静态随机存储器）：靠MOS电路构成的触发器存储信息。
特点：
① 、存储信息稳定且快，一般在1ns以下。 ② 、集成度不高(一个存储单元需要4至6个晶体管)。功耗高。 ③ 、单片容量为KB（目前MB），一般用于CPU的高速缓存
SDRAM DDR SDRAM
RDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM
时代
386 486 P ~ PIII PIII ~ P4 PIII ~ P4
P4
07年 试题
有两个 防呆口 DIMM槽
有一个 防呆口
DDR2 DIMM槽
DDR DIMM槽
六、内存条的品牌
内存条的品牌不少，如：金士顿 （kingston）、
5、SDRAM（同步动态随机存储器）：取消了等待时间，使得它在上 升沿和下降沿都有数据传送，从而和系统时钟同步。
６、DDR SDRAM（双倍数据传输，同步动态随机存储器）：通过倍频 技术，对SDRAM进行的改进。
７、RDRAM（存储总线式）：多通道技术内存。
８、新型内存：MRAM：非易失性随机存储器。运作原理类似于磁盘，
指芯片的两边有一排小的J 形引脚，直接粘在印刷电路板的表面上。 试题
内存接口
主板上插槽
SIMM（单边接触） SIMM（单边接触） DIMM（双边接触）
DDR DIMM RIMM
DDR2-DIMM DDR3-DIMM
线数（金 手指） 30 72 168 184 184 240 240
芯片（颗粒）
FPM DRAM EDO DRAM
内存储器
ROM (只读存储器)
掩膜ROM EPPRROOMM(可(可编擦程写只可读编存程储只器读) 存储器) EEPROM(电可擦写可编程只读存储器)
FLASH Memory(闪速存储器)
PROM芯片 EPROM芯片 EEPROM芯片
Flash Memory芯片
2、按用途分类
内存储器
FPM DRAM(快速页面式)
TSOP封装
TSOP II 封装
2、BGA（球栅阵列）封装：BGA技术封装的内存颗粒引脚分布在封 装下面，散热性能好，可以使内存在体积不变的情况下内存容量 提高两到三倍。DDR2开始采用。 根据基板材料的不同分为FBGA、PBGA、MBGA等。
3、CSP（芯片级）封装：新一代封装，更薄，体积小，高端DDR采用。 4、SOJ（Small Out-Line J-Lead，小尺寸J 形引脚封装）封装方式是