CMOS模拟集成电路设计-复习题一
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CMOS模拟集成电路设计
复习题一
1. 以N型MOSFET为例，画出相应的I-V特性曲线，即IDS 与 VDS,VGS的关系，并标出MOSFET的线性区和饱和区 范围，给出各区域成立的条件
2. 画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图， 要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地 电位
体电位（相对于源）的变化影响阈值电
压的效应称为体效应，也称为“背栅效 应”2.解释什么是沟道长度调制效应？ 当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大 ，有效沟道长度L'会随之减小，导致漏源 电流 Id的大小略有上升。这一效应成为 “沟道……”
4. 图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制Biblioteka Baidu应和体效应。 如果体效应不能忽略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并作 出解释。
3. 什么是MOSFET小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信 号跨导的三种表达形式
4. 什么是 MOSFET的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源 电压的关系
1.解释什么是体效应？ 在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底 和源级是接到地的。而实际上当VB<VS 时，器件仍能正常工作，但是随着VSB的 增加，阈值电压VTH会随之增加，这种
5. 图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？
即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关 相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关
6. 计算电路的小信号增益
7. 画出下图的小信号等效电路，推导Rin的表达式
8.
复习题一
1. 以N型MOSFET为例，画出相应的I-V特性曲线，即IDS 与 VDS,VGS的关系，并标出MOSFET的线性区和饱和区 范围，给出各区域成立的条件
2. 画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图， 要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地 电位
体电位（相对于源）的变化影响阈值电
压的效应称为体效应，也称为“背栅效 应”2.解释什么是沟道长度调制效应？ 当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大 ，有效沟道长度L'会随之减小，导致漏源 电流 Id的大小略有上升。这一效应成为 “沟道……”
4. 图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制Biblioteka Baidu应和体效应。 如果体效应不能忽略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并作 出解释。
3. 什么是MOSFET小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信 号跨导的三种表达形式
4. 什么是 MOSFET的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源 电压的关系
1.解释什么是体效应？ 在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底 和源级是接到地的。而实际上当VB<VS 时，器件仍能正常工作，但是随着VSB的 增加，阈值电压VTH会随之增加，这种
5. 图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？
即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关 相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关
6. 计算电路的小信号增益
7. 画出下图的小信号等效电路，推导Rin的表达式
8.