电子技术基础复习题

一、判断题（每题1分，共10分）。用“×”或“√”表示判断结果。

1．负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（）2．放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（）3．串联负反馈电路能够提高电路的输入阻抗。（）4．结型场效应管的放大作用是在完成预夹断之后。（）5．一般地，三极管是压控器件，场效应管是流控器件。（）6．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）7．运放的共模抑制比是差模输入信号和共模输入信号之比。（）8．若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（）9．由于放大电路放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（）10．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，则输出电压平均值变为原来的一半。（）二、填空题（每空2分，共30分）

1．集成运算放大器的基本组成单元是。

2．衡量直流放大器零点漂移程度的指标是。

3．场效应管是一种控制器件，它利用控制漏极电流i

。

D

4．场效应管按导电机理不同可分为型场效应管和型场效应管。

5．共基极放大电路的输出电压与输入电压的相位。

6．直流放大器不仅能放大信号，也可以放大信号。

7．石英晶体振荡器串联谐振频率表达式为f s= 。

8．场效应管输出特性曲线族可以分为区，区和区。

9．稳压值低于6V的稳压管具有系数。

10．滤波的目的在于去除脉动电流中的分量。

三、选择题（每小题3分，共30分）

1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。（）

A. 杂质浓度

B. 温度

C. 输入

D. 电压

2.功率放大电路与电压放大电路的区别是。（）

A. 前者比后者电源电压高

B. 前者比后者电压放大倍数数值大

C. 前者比后者输入阻抗高

D. 前者比后者效率高

3.为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈。（）

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

4.在放大器中加负反馈措施，可以。（）

A. 提高放大倍数

B.增大失真

C. 改善放大特性

D.改善频率响应

5.当工作于饱和区的场效应管的漏极电流I D从1mA变为2mA时，它的低频跨导gm将。

（）

A.增大

B.不变

C.减小

D.条件不足，无法确定

6.当信号频率等于放大电路的f

L 或f

H

时，放大电路增益下降了。（）

A.3 dB

B.4 dB

C.5 dB

D.6 dB

7.某放大电路的空载输出电压为5V，接入6KΩ的负载以后，输出电压变为3V，该

放大电路的输出电阻为。（）

A.3Ω

B.4Ω

C.5Ω

D.6Ω

8.已知某放大器是由三级基本放大器组成的，每级电压电压放大倍数为20 dB，则

此三级放大器相当于把信号放大了倍。（）

A.60

B.8000

C.1000

D.10

9.差动放大电路用恒流源代替射极偏置电阻是为了。（）

A.提高共模抑制比

B.提高差模输入电阻

C.提高差模电压放大倍数

D.提高共模电压放大倍数

10.在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。（）

A.输入电阻增大

B.输出量增大

C.净输入量增大

D.净输入量减小

四．计算题（第1题7分，第2题18分，共25分）

1.下图所示电路中二极管为非理想硅二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

解答：

2.在下图所示电路中，已知晶体管V BEQ可忽略，电流放大倍数为β=50，r be=1 kΩ，其余元件参数如图示。求：

（1）估算电路的静态工作点(6分)

（2）画出交流通路(2分)

（3）计算放大器电压放大倍数(6分)

（4）如接上4KΩ的负载电阻，问这时放大器的电压放大倍数下降到多少？(4分)

五．综合题（第1题15分，第2题25分，共40分）

1.下图所示电路中，找出反馈支路，判断反馈的极性和类别。

2.两级放大电路如下图所示。已知三极管T1、T2的β1、β2、r be1、r be2值已知，电路中各电阻值已知，电源为+V cc ，各电容足够大，在中频区可以忽略，电路的静态工作点设置合适，要求：

(1)写出静态工作点表达式；(5分)

(2) T1、T2各为什么组态的放大电路？(5分)

(3)画出交流通路图；(5分)

(4)放大器输入电阻R i和输出电阻R o的表达式；(5分)

(5)写出中频电压放大倍数A v的表达式。(5分)

《模拟电子技术》综合复习资料

第一章常用半导体器件

一、选择

1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是

[ ]

A.N PN型硅管

B.P NP型硅管

C.N PN型锗管 2V 6V

D.P NP型锗管 1.3V

2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ ]

A.饱和

B.放大

C.截止

D.已损坏

3、在如下图所示电路中，当电源V=5V

时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是

[ ]

A.I=2mA

B.I<2mA

C.I>2mA

D.不能确定

4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ ]

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

5、二极管的主要特性是[ ]

A.放大特性

B.恒温特性

C.单向导电特性

D.恒流特性

6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO将[ ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

7、下列选项中，不属三极管的参数是[ ]

A.电流放大系数β

B.最大整流电流I F

C.集电极最大允许电流I CM

D.集电极最大允许耗散功率P CM

8、温度升高时，三极管的β值将[ ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

9、在N型半导体中，多数载流子是[ ]

A. 电子

B. 空穴

C.离子

D. 杂质