电子线路I 董尚斌编 课后答案
高频电子线路课后答案
高频电子线路课后答案所有习题差不多上我们上课布置的作业题，所有解答差不多上本人自己完成，其中难免有错误之处，还望大伙儿海涵。
第2章 小信号选频放大器2.1 并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。
[解]900.035610Hz 35.6MHz f ===⨯=3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz35.610Hz 356kH z100p R Q f BW Q ρρ===Ω=⨯Ω=Ω⨯===⨯=2.2 并联谐振回路如图P2.2所示，：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。
[解]0465kHz 2π2π390μH 300PFf LC≈==⨯0.70390μH100114k Ω300PF////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω371.14k Ω390μH/300 PF /465kHz/37=12.6kHzp e s p Le e e R Q R R R R R Q BWf Q ρρ=========== 2.3 并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ∆=时电压衰减倍数。
如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6262120115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C --===⨯=⨯⨯⨯⨯ 6030.7101066.715010f Q BW ⨯===⨯2236022*********.78.11010p oU f Q f U ••⎛⎫⎛⎫∆⨯⨯=+=+= ⎪ ⎪⨯⎝⎭⎝⎭ 当0.7300kHz BW =时6030.746120101033.33001033.31.061010.6k 2π2π10105010e e e ef Q BW Q R Q f C ρ-⨯===⨯====⨯Ω=Ω⨯⨯⨯⨯而471266.72.131021.2k 2π105010p R Q ρ-===⨯Ω=Ω⨯⨯⨯ 由于,p e pRR R R R =+因此可得10.6k 21.2k 21.2k 21.2k 10.6k e p p eR R R R R Ω⨯Ω===Ω-Ω-Ω2.4 并联回路如图P2.4所示,：360pF,C =1280μH,L ==100,Q 250μH,L = 12=/10,n N N =L 1k R =Ω。
电子线路基础 清华电子系 课后参考答案免费范文精选.d
|/D ocum ents and Settings/xp/桌面/新建文件夹/《电子线路基础》习题参考答案[1]/《电子线路基础》习题参考答案/readm e.txt传说清华电子系的高文焕老师曾经亲自给自己的那本模拟电路作过一份习题解答，但从未公开发行，只是在电子系的学生中间传阅。
这里我贴出来的这份答案，由于已经经过了N 人之手辗转复印，原作者是哪位高人已经不得而知了，难道莫非就是传说中高老亲自做的那份解答？呵呵~~不过既然很多弟兄都在四处搜求，我就干脆把它拍照上传，拿给大家共享。
~一点说明：这份解答分为两部分，第一部分手写的内容是是高文焕、刘润生所编的《电子线路基础》（高等教育出版社，1997年第1版的）的部分课后题目详细解答，第二部分是上面这本书的所有课后题答案，但是没有解题过程。
~由于已经不知道是复印过多少遍了的版本，所以字迹十分的不清楚，大家凑合看吧。
该文的“我”是某位热心人士，不是本人，呵呵更多答案请参考：w w w|/D ocum ents and Settings/xp/桌面/新建文...《电子线路基础》习题参考答案[1]/《电子线路基础》习题参考答案/readm e.txt2009-7-9 10:36:11课后答案网www.khdaw.com课后答网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.kdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后答案网课后答案网www.khdaw.com课后案网。
电子线路(1) (董尚斌 著) 清华大学出版社 课后答案(1-3章)
h 1-4 在 PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？ k 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压
全部降落在 PN 结上，而不能作用于 P 区和 N 区将少数载流子吸引过来。漂移大
. 于扩散，由于在 P 区及 N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 w1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
2
课后答案网，用心为你服务！
ni＝2.4×1013cm－3，Na＝3×1014cm－3， Nd＝2×1014cm－3 代入上式得[ ] p=1 2⎢⎣⎡−
(2
−
3) ×1014
+
(2 − 3) ×1014
2
+ 4(2.4 ×1013 )2
⎤ ⎥⎦
= 1.055 ×1014 cm−3
课后答案网，用心为你服务！
第1章
低频电子线路习题
课 后 答 案 网
1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？ 解 ：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差 ， 在温度为 0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由 本征激 发 产 生 自 由 电 子 — 空穴对 ， 并达 到某 一 热平衡 值 ，本 征载流 子浓度
⇒
16V＜VI＜39.3V
5
课后答案网，用心为你服务！
1-29 题图 1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判 定
这些三极管是否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，
解 ：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘 上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表 的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
电子线路基础_东南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
电子线路基础_东南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.N沟道增强型场效应管阈值电压为0.2V，其栅极与源极之间偏置电压为
0.6V。
为使该晶体管工作于饱和区，以下哪个漏极与源极电压差可满足要求
（）
答案:
0.46V
2.为实现稳定的电路源电压增益，应该引入（）类型的负反馈？
答案:
电压串联
3.如下图所示为运放构成的积分电路。
答案:
正确
4.与共源放大器相比，共源共栅放大器可有效降低其米勒电容效应；
答案:
正确
5.试判断下图电路是否能够振荡，填写（能或不能）
答案:
能
6.在下图所示电路中，晶体管T的b=100，V BE(on)=0.7 V。
求I CQ（mA）。
电路中的电容为隔直或旁路电容。
答案:
(0.92,1.0)
7.
答案:
22.5
8.电路如下图所示，已知稳压管的V Z = 6.4 V，正向导通电压V D(on) = 0.6V，
D3、D4为理想二极管，V REF1 = 3 V，V REF2 = 8 V。
分析该电路性能，当输入信号Vi=6V时，输出Vo=________V。
答案: 0。
电子线路(清华大学出版社,董尚斌主编)第2章_放大器基础PPT
2.1.2 共发射极放大电路
输出电流的振幅Icm＝ 3. 能量关系
βIbm比输入电流Ibm大β 倍，因而实现了电流放大
PDIC(Q VCEQ ICR Qc)
ห้องสมุดไป่ตู้
输出电压的幅度Vcem＝ IcmRc＞＞Vim＝Vbem＝
PC ICQVCEQ
IbmRi〔Rc＞Ri输入电 阻〕，因而实现了电压放
PRc IC2QRc
参加单一频率信号后的 波形见图(a)所示
2.1.2 共发射极放大电路
4. 电路的通常画法 直流通路：画直流通路
是为了在计算放大器的 静态工作点时能一目了 然，其具体画法是将电 容断开即可得到直流通 路，图2-1-6(b)为图(a) 的直流通路图。
2.1.2 共发射极放大电路
4. 电路的通常画法
P C2 10 2 iCCd E (t) ICV Q CE 1 2 Q IcV m cem P R c1 20 2 iC 2R cd(t)IC 2R Q c1 2IcV m cem
2.1.2 共发射极放大电路
〔1〕可见，动态时，电源提供的功率未变，均为 ICQVCC，在输入信号的作用下，原来消耗在集电 结的功率的一局部转换为Rc上的功率，假设Rc为 负载，即在输入信号的作用下，电源提供的功率转 换为输出信号功率〔输入→PC↓→PRc↑〕。
状态B 。EVBE QVB(E o)n iB VBBRbVBEQIBQ
iCiBIBQ ICQ
2.1.2 共发射极放大电路 (电
路分析(动态))
动态是υs≠0时的交流工作状态，这时半 导体三极管各电极电流和电压都随交流信号 变化。即动态运用是在直流工作状态的根底
上 电叠流B 加、 E 有电V B 交压流 的 E 信 变i Q 号 化V 时 情B ， 况 E 半 。b 导 假Q e 体 设V B 三输极入 E V 管信iQ 各号m s电电i极压tn
高频电子线路最新版课后习题解答第八章--反馈控制电路答案
第八章 思考题与习题8.1 反馈控制电路中的比较器根据输入比较信号参量的不同，可分为 自动电平控制电路 、自动频率控制电路 和 自动相位控制电路 三种。
8.2 自动增益控制电路又称AGC ，比较器比较的参量是 电压 。
自动增益控制电路的核心电路是 可变增益放大器 。
8.3自动相位控制电路又称 锁相环，比较器比较的参量是 相位 。
基本的锁相环路由 鉴相器 、 环路低通滤波器和 压控振荡器 三部分组成。
锁相环再锁定时，只有剩余相位 误差，而没有剩余 频率误差。
8.4 锁相环实际上是一个 相位反馈控制系统，当环路达到锁定状态时，输出信号与输入参考信号两者的频率相等。
8.5 AGC 的作用是什么？主要的性能指标包括哪些？答： AGC 电路可用于控制接收通道的增益，它以特性增益为代价，换取输入信号动态范围的扩大使输出几乎不随输入信号的强弱变化而变化。
其性能指标有两个：动态范围和响应时间。
8.6 AFC 的组成包括哪几部分，其工作原理是什么？答：AFC 由以下几部分组成：频率比较器、可控频率电路、中频放大器、鉴频器、滤波器。
工作原理：在正常情况下，接收信号的载波为s f ，本振频率L f ，频输出的中频为I f 。
若由于某种不稳定因素使本振发生了一个偏移＋L f ∆。
混频后的中频也发生同样的偏移，成为I f ＋L f ∆，中频输出加到鉴频器的中心频率I f ，鉴频器就产生了一个误差电压，低通滤波器去控制压控振荡器，使压控振荡器的频率降低从而使中频频率减小，达到稳定中频的目的8.7 比较AFC 和AGC 系统，指出它们之间的异同。
解：二者都属于反馈控制系统，但AFC 是采用鉴频器，将输入的两个信号的频率进行比较，它所输出的误差电压与两个比较的频率源之间的频率差成正比，所以达到最后稳定状态时，两个频率之间存在稳态频率误差。
而AGC 是将输出电压经过处理后反送到某一前端放大器控制该放大器的增益，以达到使输出电压基本不变的目的。
高频电子线路课后习题与答案
..高频电子线路习题集第一章 绪论1－1 画出无线通信收发信机的原理框图，并说出各部分的功用。
答：上图是一个语音无线电广播通信系统的基本组成框图，它由发射部分、接收部分以及无线信道三大部分组成。
发射部分由话筒、音频放大器、调制器、变频器（不一定必须）、功率放大器和发射天线组成。
低频音频信号经放大后，首先进行调制后变成一个高频已调波，然后可通过变频，达到所需的发射频率，经高频功率放大后，由天线发射出去。
接收设备由接收天线、高频小信号放大器、混频器、中频放大器、解调器、音频放大器、扬声器等组成。
由天线接收来的信号，经放大后，再经过混频器，变成一中频已调波，然后检波，恢复出原话筒扬声器来的信息，经低频功放放大后，驱动扬声器。
1－2 无线通信为什么要用高频信号？“高频”信号指的是什么？答：高频信号指的是适合天线发射、传播和接收的射频信号。
采用高频信号的原因主要是：（1）频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就越大，而且可以减小或避免频道间的干扰；（2）高频信号更适合电线辐射和接收，因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离，也可获得较高的接收灵敏度。
1－3无线通信为什么要进行凋制？如何进行调制？答：因为基带调制信号都是频率比较低的信号，为了达到较高的发射效率和接收效率，减小天线的尺寸，可以通过调制，把调制信号的频谱搬移到高频载波附近；另外，由于调制后的信号是高频信号，所以也提高了信道利用率，实现了信道复用。
调制方式有模拟调调制和数字调制。
在模拟调制中，用调制信号去控制高频载波的某个参数。
在调幅方式中，AM普通调幅、抑制载波的双边带调幅（DSB）、单边带调幅（SSB）、残留单边带调幅（VSSB）；在调频方式中，有调频（FM）和调相（PM）。
在数字调制中，一般有频率键控（FSK）、幅度键控（ASK）、相位键控（PSK）等调制方法。
(完整版)电子线路-梁明理第五版全答案
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握：1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答：PN 结的形成过程：当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。
电子线路试题及答案完整版
电子线路试题及答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】电工与电子技术试题一、填空题（每空1分）1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门的输出为_________。
2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和 ________ 。
3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。
4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和 ________。
5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。
6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的 ________ 有关，而与________ 无关。
7、将________变成________ 的过程叫整流。
8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是______A。
9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向电压是______。
10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。
11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为 _______。
12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V C E 一定时， 与之间的关系。
13、作放大作用时，场效应管应工作在 区。
14、 放大电路的静态工作点通常是指_ _、 和_ 。
15、 某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是 _。
16、已知某小功率管的发射极电流IE=1.3mA ，电流放大倍数=49，则其输入电阻rbe= 。
17. 画放大器的直流通路时应将电容器视为 。
电子线路第二版部分习题答案1
(2)RL断开时:Au=0.995, Ri=282 kΩ, Ro=27Ω
RL闭合时:Au=0.970, Ri=86.8 kΩ, Ro=27Ω
习题3部分答案
3.1(1)共模输入差模输入(2)共模抑制比和差模放大倍数
(3)差动放大电路(4)直流信号缓慢变化的交流信号
2.2 Au=10-3，是衰减器
2.5（1）IBQ＝20μА，ICQ＝1mAห้องสมุดไป่ตู้UCEQ＝7V
2.6 IBQ=10μА, Rb=600kΩ,Rc=6 kΩ
2.7 (1) IBQ＝120μА，ICQ＝2.4mA，UCEQ＝21.6V
(2)IBQ＝80μА，ICQ＝1.6mA，UCEQ＝22.4V
(3)IBQ＝120μА，ICQ＝12mA，UCEQ＝8V
5.6 A1为电压跟随器, A2是减法电路Uo1=0.1V ,Uo=0.3V
5.7 A1是加法器电路, A2是反相比例运算器, Uo1=-39V, Uo2=58.5V
5.8 (1)Ri1=5MΩ,Ri2=3 MΩ,Ri3=2 MΩ,Ri4=200kΩ, Ri5=100kΩ
(2)Rf1=1 kΩ, Rf2= 4kΩ, Rf3=5kΩ, Rf4=40 kΩ, Rf5=50 kΩ
（3）500 kΩ，100 kΩ，50 kΩ
习题6部分答案
6.4（1）Pom=4.5W (2)PCM=0.9W (3)U(BR)CEO=12V
6.5 (1) CL两端的电压为6V,调整R1能满足
(2)调整R2,使R2增大
(3) Pom=2.25W
习题7部分答案
7.3 (1) U2=10V (2) URM=14.14V (3)ID=0.5A
电子线路（非线性部分）教材答案（ＰＤＦ）
第一章1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？解：否。
还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P 。
= 1000 W ，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？解：当ηC1 = 40% 时，P D1 = P o /ηC = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W当ηC2 = 70% 时，P D2 = P o /ηC =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、ηC （运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q 点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA所以mW 26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 =1.1 W ，ηC = P L / P D = 24%(2) 当 R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA所以 mW 15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，ηC = P L / P D = 12%(3) 当 R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)，由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。
高频电子线路课后题答案全解
《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1．信息的传递；2．输入变换器、发送设备、传输信道、噪声源、接收设备、输出变换器；3．振幅、频率、相位；4．弱、较大、地面、天波；5．高频放大器、振荡器、混频器、解调器；6．提高通信传输的有效性、提高通信传输的可靠性。
二、1．D ；2．A ；3．D ；4．B ；5．C ；6．A 。
三、1．×；2．×；3．×；4．√；5．√；6．√。
思考题与习题1.1是由信源、输入变换器、输出变换器、发送设备、接收设备和信道组成。
信源就是信息的来源。
输入变换器的作用是将信源输入的信息变换成电信号。
发送设备用来将基带信号进行某种处理并以足够的功率送入信道，以实现信号的有效传输。
信道是信号传输的通道，又称传输媒介。
接收设备将由信道送来的已调信号取出并进行处理，还原成与发送端相对应的基带信号。
输出变换器将接收设备送来的基带信号复原成原来形式的信息。
1.2 调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。
采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制技术可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。
1.3 混频器是超外差接收机中的关键部件，它的作用是将接收机接收到的不同载频已调信号均变为频率较低且固定的中频已调信号。
由于中频是固定的，且频率降低了，因此，中频选频放大器可以做到增益高、选择性好且工作稳定，从而使接收机的灵敏度、选择性和稳定性得到极大的改善。
1.4根据c fλ=得：851331010m =100k m 310c f λ⨯===⨯，为超长波，甚低频，有线传输适用于架空明线、视频电缆传输媒介，无线传输适用于地球表面、海水。
823310300m 100010cf λ⨯===⨯，为中波，中频，有线传输适用于架空明线、视频电缆传输媒介，无线传输适用于自由空间。
《电子线路(I)董尚斌编课后习题答案完整版
V 1.5 IRS V 1.5 IRS 1.5 10 IRS
这两个方程式在 V-I 坐标系中均为直线，如图（b）所示；从二极管本身的特性看，管子的 电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。 因此， 同时受这两种关系约束的电压和电流必定 在特性曲线与直流负载线的交点上。用 R×10 档测量时，交于图中 A 点，万用表读数为 V1 ／I1；用 R×100 档测时，交于图中 B 点，万用表读数为 V2／I2。显然前者的阻值较小，而 后者的阻值大。 1-18 在 300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于 2×1014cm 3，受主原子数等于 3 － ×1014cm 3。 （1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是 N 型还是 P 型锗？它的电 功能主要是由电子还是由空穴来体现？ ［提示］ 若 Na＝受主原子（负离子）浓度， Nd＝施主原子（正离子）浓度， 则根据电中性原理，可得
2 2 2
p
1 2 ( N d N a ) ( N d N a ) 2 4ni 2
由于 p＞0，故上式根号前应取“＋”号，已知
2
ni＝2.4×1013cm 3，Na＝3×1014cm 3， 代入上式得
－
－
Nd＝2×1014cm
－3
p
1 (2 3) 1014 2
（2）若电源电压改为 5V，电压 Vo＝5V（不稳压） 。 （3） 10 10 3 ＜
1-29 题图 1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是否 处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，是工作于放大状态，截止状 态还是饱和状态？ 解：三极管的三种工作状态的偏置特点为： 放大状态——发射结正偏、集电结反偏；饱和状态——发射结正偏、集电结正偏；截
2019年高频电子线路课后题答案(清华大学出版社宋树祥著)一.ppt
(2) 当要求二次谐波失真系数小于1%时， 3 0.16 m 0.01, 即m 16 3 1 1 0.16 所以所允许的最大频偏为 f m mf C 107 133.3 kHz 4 4 3 应满足K f 2
高频电子线路习题参考答案
7－8 调频振荡器回路由电感L和变容二极管组成。L=2uH， 变容二极管参数为: Cj0=225 pF，γ=0.5，υφ=0.6V ， EQ= -6V，调制电压为υΩ（t）=3cos(104t) V。求输出 调频波的（1）载频；（2）由调制信号引起的载频漂移； （3）最大频偏；（4）调频系数；（5）二阶失真系数。
高频电子线路习题参考答案
第7章参考习题答案
7-1
7-5 7-9
7-2
7-6-4
7-8 7-12
7-13
7-14
7-15
7-16
高频电子线路习题参考答案
7－1 角调波u（t）=10cos(2ⅹ106t + 10cos2000πt) （V），试 确定: （1）最大频偏；（2）最大相偏； （3）信号 带宽； （4）此信号在单位电阻上的功率； （5）能否确定这是FM波还是PM波？（6）调制电压。 解7-1
解7-2 由题意可知： ( t ) 2 k f u 2 3 10 3 2cos 2 10 3 t 3cos 3 10 3 t
12 103 cos 2 10 3 t 18 10 3 cos 3 10 3 t ( t ) ( t )dt
2 UC 102 (4)因为调角波的功率就等于载波功率，所以P 50 W 2 RL 2
(5)因为题中没给出调制信号的形式，因此无法判定它是FM还是PM信号。
现代电子线路基础(新版教材)答案
第六章习题答案6.1 在题图6.1所示调谐放大器中，工作频率f o =10.7MHz,L 1-3=4μH,Q o =100, N 1-3=20匝, N 2-3=5匝, N 4-5=5匝,晶体管3DG39在f o =10.7MHz 时测得g ie =2860μS,C ie =18pF, g oe =200μS, C oe =7pF,|y fe |= 45mS,y re =0,试求放大器的电压增益A vo 和通频带BW 。
解：25.02053~13~21===N N P ， 25.02053~15~42===N N P 总电容pF 4.55)L *)f 2/((1C 20==∑πLC 振荡回路电容pF 8.53C p C p C C ie 22oe 21=--=∑ LC振荡回路固有谐振频率'0f ==10.85(MHz)固有损耗电导：''600036.710()0011g S Q L2Q f Lωπ-===⨯ 22262661200.25200100.2528601036.7100.228()oe ie G P g P g g mS ---∑=++=⨯⨯+⨯⨯+⨯=116.32L 0Q G Lω∑==)KHz (6563.167.10Q f B L 0W ===， 1210228.0104525.025.0G |y |P P A 63fe 210V -=⨯⨯⨯⨯-=-=--∑ 注：由上述计算可以看出，'0f 和0f 相差不大，即部分接入后对谐振频率影响较小，但概念要清楚。
另外，这里给出了fe y （即认为是m g ）不要通过EQ I 来计算m g 。
6.2 题图6.2是某中放单级电路图。
已知工作频率f o =30MHz,回路电感L =1.5μH, Q o =100,N 1/N 2=4,C 1~C 4均为耦合电容和旁路电容。
晶体管在工作条件下的y 参数为ie (2.8j3.5)mS y =+； re 0y ≈ fe (36j27)mS y =- oe (0.2j2)mS y =+ 试解答下列问题：(1) 画出放大器y 参数等效电路； (2) 求回路谐振电导g Σ； (3) 求回路总电容C Σ；(4) 求放大器电压增益A vo 和通频带BW ；(5) 当电路工作温度或电源电压变化时, A vo 和BW 是否变化？解：(1) y 参数等效电路如上图： (3) 由0f =22262121118784431415103010C .(pF )Lf ..∑π-===⨯⨯⨯⨯⨯ (2) 11=P ， 25.041122===N N P 由y 参数得)(58.1810302105.363pF C ie =⨯⨯⨯=-π，)(6.101030210263pF C oe =⨯⨯⨯=-π 2221218781060251858702oe ie C C P C P C .....(pF )∑=--=--⨯=491'o f .(MHz )===固有损耗电导：6066001112161022314100491101510''o o g .(S )Q LQ f L ...ωπ--====⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯ 22323612002100252810214100396oe ie G P g P g g .....(mS )---∑=++=⨯+⨯⨯+⨯= (4) 36601189039610230101510L Q .G L..ωπ--∑===⨯⨯⨯⨯⨯⨯03033789W L f B .(MHz )Q .=== 31203102510284039610fe V PP |y |.A .G .--∑⨯=-=-=-⨯(5) 当电路工作温度或电源电压变化时，会引起y 参数变化，从而vo A 和BW 会发生变化。
高频电子线路_河北师范大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
高频电子线路_河北师范大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.我国调幅中波广播接收机的中频频率是。
答案:465kHz2.在反馈型LC振荡器中，起振时放大器的工作状态是。
答案:甲类3.关于同步检波器的说法，下列说法正确的是。
答案:相乘型同步检波器由相乘器和低通滤波器组成4.在超外差接收机中，中频，当收音机接收580kHz的信号时，还能听到1510kHz电台的播音，说明产生了干扰。
答案:镜像干扰5.调相过程完成的是。
答案:电压-相位转换6.单调谐回路在斜率鉴频器和选频放大器中的工作状态是。
答案:鉴频器中失谐，放大器中谐振7.如果互感耦合相位鉴频器的耦合互感同名端变化，鉴频特性曲线。
答案:反相8.在锁相环路闭合瞬间，。
答案:控制角频差等于09.为了使晶体管实现单向化传输，提高电路的稳定性，常用的稳定措施有。
答案:中和法失配法10.丙类谐振功率放大器原工作于欠压状态，现希望它工作于临界状态，则可以通过增大来实现。
答案:11.电视机中的图像和伴音信号一般采用同一种调制方式。
答案:错误12.只要有信号作用于非线性器件就可以实现频谱搬移。
答案:错误13.相同级数的单调谐回路放大器和双调谐回路放大器相比，单调谐矩形系数大于双调谐矩形系数，单调谐通频带小于双调谐通频带小于。
答案:错误14.在谐振功率放大器的输出回路中，匹配网络的阻抗变换作用是将负载转换为放大器所要求的最佳负载电阻。
答案:正确15.对于丙类高频功率放大器，若要求其输出电压平稳，放大器应工作在临界状态。
答案:错误16.克拉泼振荡器通过减弱晶体管与回路的耦合来提高频率的稳定度。
答案:正确17.同步检波器可用来解调任何类型的调幅波。
答案:正确18.当输入信号为调幅波时，混频器的输出信号为调制信号。
答案:错误19.调角信号的频谱包括无限多对边频分量，它的频谱宽度是无限大的。
答案:错误20.压控振荡器事实上是一种电压—频率变换器。
答案:正确。
电子线路1课后习题答案精品PPT课件
解：
习题2.4在图2-4所示电路中，已知管子
的 100,VBE(on) 0.7V , ICQ 2.17mA,
信号源 vs 0.1sin wt(V ), Rs 10k
设 rbb 0, rce 不计，
试求三极管各极电压和电 流值
iB、iC、 vBE、vCE
图2- 4
解：
(1)
I BQ
82
3
(1
0.3V
150) 2.2K
6.5A
ICQ IBQ 0.98mA
VEE VCC (RC Re ) ICQ VCEQ
VCEQ VCC VEE (RC Re ) ICQ
12 5.6 2.2 0.98 3V 7.3V
求Av ——微变等效电路 交流通路
微变等效电路
（2）当RL=2KΩ时，不产生削波失真的最大输出电 压动态范围是多少？
解：（1）估算IB
基极电流
IB
VCC
VCEQ Rb
6 0.6 270
20μA
画出直流负载线（MN）
VCE
VCC
IC RC
VCiEC
0, VCE 0, iC
VCC VCC / RC
由图中Q点得:
IBQ = 20μA ICQ = 2mA VCEQ = 2V
习题2.11 已知图示共射放大电路中锗三
极管的 150,VCES 0.2V
试用微变等效电路法，求：
1.Av； 2.Ri 和Ro； 3.最大不失真输 出电压幅值；
4.最大输入电压 幅值和此时基极 电流交流分量幅 值。
解：求静态工作点
直流通路
由直流通路可得：
I BQ
VEE VBE
Rb (1 )RE
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电子线路I 董尚斌编课后答案《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。
在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。
在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2in 或正比，即与温度有很大的关系。
若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P区和N区将少数载流子吸引过来。
漂移大于扩散，由于在P区及N区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。
而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1）二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。
正向电阻很小，而反向电阻很大。
（2）二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R⨯10档测出的阻值小，而用R⨯100档测出的阻值大，为什么？解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为1.5V，R×10档时，表头满量程为100μA ，万用表的内阻为SR '＝150Ω，R ×100档时万用表的内阻为Ω='=150010S S R R 。
用万用表测二极管所构成的电路如题图1-6（a ）所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。
由图可得管子两端的电压V 和电流I 之间有下列关系：R ×10档： SR I V '-=5.1 R ×100档： SS R I IR V '-=-=105.15.1这两个方程式在V-I 坐标系中均为直线，如图（b ）所示；从二极管本身的特性看，管子的电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。
因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定在特性曲线与直流负载线的交点上。
用R ×10档测量时，交于图中A 点，万用表读数为V 1／I 1；用R ×100档测时，交于图中B 点，万用表读数为V 2／I 2。
显然前者的阻值较小，而后者的阻值大。
1-18 在300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm －3，受主原子数等于3×1014cm －3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。
由此判断它是N 型还是P 型锗？它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？［提示］ 若N a ＝受主原子（负离子）浓度，N d ＝施主原子（正离子）浓度，则根据电中性原理，可得p N n N d a +=+ 又2i n np = （300K 下，锗的n i ＝2.4×1013cm －3）由上二式可求出n 、p 之值。
（2）若 N a ＝N d ＝1015cm －3，重做上述内容。
（3）若 N d ＝1016cm －3，N a ＝1014cm －3，重做上述内容。
解：（1）由2in np =与n ＋N a ＝P ＋N d 可得0)(22=--+ia d n p N N p 解之得⎥⎦⎤⎢⎣⎡+-±--=224)()(21i a d a d n N N N N p由于p ＞0，故上式根号前应取“＋”号，已知n i ＝2.4×1013cm －3，N a ＝3×1014cm －3， N d ＝2×1014cm －3代入上式得[]3142132141410055.1)104.2(410)32(10)32(21-⨯=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯+⨯-+⨯--=cm pn ＝p ＋（N d －N a ）＝1.055×1014＋（2－3）×1014＝5.5×1012cm －3由此可知 n ＜p 因而是P 型锗。
（2）由于 N a ＝N d ，因而由n ＋N a ＝p ＋N d 得n ＝p ＝n i ＝2.4×1013cm－3 这是本征锗。
（3）由于N a ＜＜N d ，因而可得n ＞＞p n ≈N d =1016cm－3 3101621321076.510)104.2(-⨯=⨯==cm n n p i n ＞＞p ，故为N型锗。
1-20 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T ＝300K 时自由电子和空穴热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
解： T ＝300K 时，n 0≈N d ＝（4.96×1022／105）cm －3＝4.96×1017cm －3＞＞n i ＝1.5×1010cm－3 则320201053.4-⨯≈=cm n n p i 本征半导体电导率 σ本＝（μn ＋μp ）n i q ＝5.04×10－6S/cm 杂质半导体电导率 σ杂≈μn n 0q ＝119S/cm 因此 σ杂／σ本＝238×1051-21 在室温（300K ）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA ，问它的正向电流为0.5mA 时应加多大的电压。
设二极管的指数模型为)1(-=T D mV S D e I i υ,其中m ＝1，V T ＝26mV 。
解：将1115.0＞＞ ，，，T D V S D e nA I m mA i υ===代入公式得 S D T D S D V I i V I i e T D ln =⇒=υυV I i V S D T D 34.0ln ≈=υ1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图1-25所示，室温下测得二极管中的电流为20mA ，试确定二极管的静态直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。
解：（1-25）从图中可见，I DQ =20mA 、V DQ =0.67V ，所以静态直流电阻R D 为Ω=⨯==-5.33102067.03DQ DQD I V R从图中可见，mA I D 201030=-=∆，因而在静态工作点处其交流电阻为 Ω==∆=3.12026D T d I V r 1-26 由理想二极管组成的电路如题图1-26所示，试求图中标注的电压V 和电流I 的大小。
解：在图（a ）电路中D 2管优先导通，输出端电压=＋3V ，D 1截止，通过1k Ω电阻的电流I=8mA ；题图1-26（b ）的变形电路如右图所示，从图中可见：假定D 1截止D 2导通，则输出端的电压()()V 33.310101051010+=-+⨯+--=；由于D 2是理想二极管，则A 点电压也为＋3.33V ，显然，假定D 1截止是错误的。
若D 1导通，A 点电压为零，则输出端电压也为零V ＝0，则通过D 1的电流为()mA I 110100510=---=1-27 二极管电路如题图1-27所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
解： 判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。
如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。
在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：①在图题1-27（a）中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝V A－V B＝－5V－（－10V）＝5V。
显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。
如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D＝0V，则输出电压V O＝V A－V D＝－5V。
若考虑二极管的正向压降V D(on)＝0.7V，则输出电压V O＝V A－V(on)D＝－5V－0.7V＝－5.7V。
②在图题1-27（b）中，断开二极管V D,有V AB ＝V A－V B＝－10V－（－5V）＝－5V。
可见，二极管V D接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝V B＝－5V。
③在图题1-27（c）中，首先将D1和D2断开，求两管将承受的电压为：V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9VV D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则V O＝V A＝V B1－V VD1＝0V－0.7V＝－0.7V而V B2A＝－12V－（－0.7V）＝－11.3V，所以，V D2因反偏处于截止状态。
④在图题1-27（d）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。
V D1：V AB1＝V A－V B1＝15V－0V＝15VV D2：V AB2＝V A－V B2＝15V－（－10V）＝25V二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使A点的电位V A＝V B2＋V D2＝－10V＋0.7V＝－9.3V。
D1因承受电压而（on）截止。
故V O＝V A＝－9.3V1-28 题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V ，稳定电流为10mA ，额定功率为200mW ，试问（1）当电源电压在18V ~ 30V 范围内变化时，输出V o 是多少？稳压管是否安全？（2）若将电源电压改为5V ，电压V o 是多少？（3）要使稳压管起稳压作用，电源电压的大小应满足什么条件？解：由于稳压管的额定功率为200mW ，而V Z 为6V ，则通过稳压管的最大允许电流为mA I Z 3.336200max== （1）当电源电压在18～30V 范围内变化时，输出电压V o ＝6，而通过稳压管的电流I Z 为mA I Z 241016303=⨯-=＜m ax Z I ，所以稳压管是安全的。