半导体的三个特性
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N 型半导体 自由电子为P多型数半载导流体子（多子）
磷原子 自由电子为多子 空穴称为空少穴数是载多流子子（少H子OM）E
内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。
P型半导体
6.1.2 PN 结
漂移运动 1. PN 结的形成
内电场E N型半导体
－－－－ － － + + + + + +
所以扩散－和－漂－移这－一－对－相反的+ 运+ 动+最+终达+ 到+ 平衡， 相 度当固于定两 不－个 变－区 。－之间－没－有－电荷运+ 动+ ，+空+间电+ 荷+ 区的厚
－－－－ － － + + + + + +
空间电荷区， 也称耗尽层。
扩散运动
扩散的结果是使空间 电荷区逐渐加宽，空 间电荷区越宽。
6.1 半导体
6.1.1 半导体的三个特性
6.1.2 PN 结
6.1 半导体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是 导体，如铁、铜、铝等。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、 塑料和石英。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为 半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
6.1.1 半导体的三个特性
1.热敏特性和光敏特性 半导体的导电机理不同于其它物质，其特点为：
• 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
HOME
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
பைடு நூலகம்用的最多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是四个。
束缚电子
+4
+4
Ge
Si
+4
+4
共价键结构 形成共价键后，每个原子最外层电子是八个，构成稳定结构。 在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电
HOME
2 .PN结的单向导电性
PN 结外加正向电压： P 区接正、N 区接负电压
变薄
PN 结加上反向电压： P区加负、N 区加正电压
变厚
P 外电场
N 内电场
结论：P N 结导通
P
N
内电场
外电场
结论：P N 结截止
HOME
HOME
HOME
HOME
2.掺杂特性 往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。
N 型半导在体本：征在半硅导或体锗中晶掺体入中某掺些入微少量量的的杂五质价，元就素会磷使（半或导锑体）
的导电性能而发形生成显。著也变称化为。（其电原子因半是导掺体杂）半。导体的某种 P 型载半流导子体浓：度在大硅大或增锗加晶。体中掺入少量的三价元素，如硼(或
铟)而形成，也称为（空穴半导体）。
多余 电子
+ +++++
++4+ + ++4+ +
+ + +－+－+－+－ － － + + +－+－+－+－ －N载－型流半子导是体什中么的？
杂质型半+导体+ 多+ 子+和+少+子的移+ 动+都+能－+形－成+－电+－流。－但－由于数
量 质的浓关度系相++，等5起。+ 导+ 电++作4+用+的主要+ 是N+多型+子－半+。导－近+体－似+－认为－多－子与杂
磷原子 自由电子为多子 空穴称为空少穴数是载多流子子（少H子OM）E
内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。
P型半导体
6.1.2 PN 结
漂移运动 1. PN 结的形成
内电场E N型半导体
－－－－ － － + + + + + +
所以扩散－和－漂－移这－一－对－相反的+ 运+ 动+最+终达+ 到+ 平衡， 相 度当固于定两 不－个 变－区 。－之间－没－有－电荷运+ 动+ ，+空+间电+ 荷+ 区的厚
－－－－ － － + + + + + +
空间电荷区， 也称耗尽层。
扩散运动
扩散的结果是使空间 电荷区逐渐加宽，空 间电荷区越宽。
6.1 半导体
6.1.1 半导体的三个特性
6.1.2 PN 结
6.1 半导体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是 导体，如铁、铜、铝等。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、 塑料和石英。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为 半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
6.1.1 半导体的三个特性
1.热敏特性和光敏特性 半导体的导电机理不同于其它物质，其特点为：
• 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
HOME
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
பைடு நூலகம்用的最多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是四个。
束缚电子
+4
+4
Ge
Si
+4
+4
共价键结构 形成共价键后，每个原子最外层电子是八个，构成稳定结构。 在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电
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2 .PN结的单向导电性
PN 结外加正向电压： P 区接正、N 区接负电压
变薄
PN 结加上反向电压： P区加负、N 区加正电压
变厚
P 外电场
N 内电场
结论：P N 结导通
P
N
内电场
外电场
结论：P N 结截止
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2.掺杂特性 往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。
N 型半导在体本：征在半硅导或体锗中晶掺体入中某掺些入微少量量的的杂五质价，元就素会磷使（半或导锑体）
的导电性能而发形生成显。著也变称化为。（其电原子因半是导掺体杂）半。导体的某种 P 型载半流导子体浓：度在大硅大或增锗加晶。体中掺入少量的三价元素，如硼(或
铟)而形成，也称为（空穴半导体）。
多余 电子
+ +++++
++4+ + ++4+ +
+ + +－+－+－+－ － － + + +－+－+－+－ －N载－型流半子导是体什中么的？
杂质型半+导体+ 多+ 子+和+少+子的移+ 动+都+能－+形－成+－电+－流。－但－由于数
量 质的浓关度系相++，等5起。+ 导+ 电++作4+用+的主要+ 是N+多型+子－半+。导－近+体－似+－认为－多－子与杂