高精度实时时钟完全解决方案-SD2300系列
高精度实时时钟芯片SD2000D的原理及应用
高精度实时时钟芯片SD2000D的原理及应用
孟臣;李敏
【期刊名称】《国外电子元器件》
【年(卷),期】2003(000)004
【摘要】介绍了深圳兴威帆公司的I2C总线实时时钟芯片SD2000D.该芯片具有精度高,且内置电池、晶振、64kbit串行非易失SRAM及采用I2C总线接口等特点,利用SD2000D除上拉电阻外,无须再用任何其它元件即可构成高精度时钟电路.文中给出了SD2000D的芯片特点、引脚说明、内部结构及工作原理,并以AT8C552单片机为例给出了它的接口电路及相应程序.
【总页数】5页(P58-62)
【作者】孟臣;李敏
【作者单位】黑龙江八一农垦大学工程学院;黑龙江八一农垦大学工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN751
【相关文献】
1.用实时时钟芯片DS12C887设计高精度时钟 [J], 王学忠
2.高精度时钟芯片SD2000的原理及应用 [J], 秦养浩;林巍
3.实时时钟芯片RTC4553原理及应用 [J], 李浩;兰铁岩
4.隐含实时时钟芯片DS1315的原理及应用 [J], 庞百泉;姬劳
5.基于I2C总线的超高精度实时时钟芯片PCF2129的应用 [J], 王洪武;张戟
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SD2300EP在污水实时远程监控系统中的应用
hv k bt o V R M.h ei vsitr csf C o ehre w i a o nc MC i tent ae 8 y fN S A T e d s g e ne ae o M U t tent hc cn cn et s n g i f r h U wt e re、 h h
作 者 简 介 : 德 平 (9 0 ) 男 , 士研 究 生 , 究 方 向为 电 力 电 子 技 术 及 现 代 电 力 传 动 控 制 ; 有 铸 (9 2 )男 , 教 授 , 毛 1 8一 , 硕 研 凌 16 一 , 副 硕 士 生 导 师 , 究 方 向 为 电力 电 子 技 术 及 现 代 电 力传 动控 制 、 代控 制技 术 。 研 现
空间。
1 系统 的 总 体 设 计 思 想
系统结 构 框 图如 图 1 .微 处理 器 产生 A D控 制 / 信 号 以实 现 MD采 样 及 转 换控 制 。 实 时 时钟 采 用 S 2 0 E , 可提 供 8 D 30 P其 K字 节 的 N S A V R M。 网络 接
芯片 S 20E D 3 0 P产生 系统 时钟 并提 供 扩展 所 需存 储
收 稿 日 期 :0 6 0 — 4: 订 日 期 :0 7 0 — 6 20 — 9 0 修 20 — 4 0
基 金 项 目: 徽 省 教育 厅 自然 科 学 重 点 科 研 项 目( 0 5 jO z ) 安 2 0 kO 6 d
维普资讯
文 章 编 号 :0 19 4 (0 7O ・0 90 10 —942 0 )40 7 ・2
S 20E 3 0 污水 实时远程监控 系统 中的应 用 木 D P在
毛德 平 . 凌有 铸
( 安徽 工 程 科 技 学 院 电气 工 程 系 , 湖 2 0 ) 芜 41 00
HDS AMS 2300产品介绍
可调磁盘条带大小——Striping Size
综上所述,分区技术为模块化存储设备提供存储虚拟化的高级能力,最终为应用系统提供全方位的存储服务质量支持。
1.4
与HDS USP系列相似,HDS AMS2300也采用了全冗余结构设计,保证业务的连续性。与HDS USP V一样HDS AMS2300也支持I/O通道故障切换软件HDLM或其它软件如:HP PV-Link,Veritas VxVM,IBM MPXIO等。
1个HBA与1个控制器前端接口所连接的物理通路可以访问双控制器所管理的所有LU
这样的前端自均衡处理和Any to Any的前后端贯穿彻底改变了中端存储原有的双控割裂式访问的各种弊端,是具有真正的划时代意义的技术。
1
在前后端实现了Any to Any的访问同时,AMS2000还进行了更深层次的后端处理自均衡设计:
图表2对于4KB的I/O数据,8KB的分区将比16KB的分区大大提高访问命中率
根据应用的可靠性要求不同,对Cache的使用率要求不同,对可将每个分区的缓存设为镜像模式、无镜像模式
每个分区对应的磁盘LU可选择不同的条带大小,尺寸可由16KB,64KB,64KB一直增长到128KB,最终实现分区缓存数据写入磁盘的优化操作
高精度时钟模块——SD2300RAM系列及其应用
高精度时钟模块——SD2300RAM系列及其应用
谢传銮;李晓会
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2006(31)1
【摘要】介绍了一种内置电池、晶振、NVSRAM、两线式IIC总线通讯方式的高
精度免调校时钟芯片-SD2300RAM系列,该时钟模块具有集成度高,与MCU的通
讯接口电路简单,内部时钟精度高且功耗低的特点,文中详细介绍该模块的主要特性、引脚说明、工作原理、在嵌入式系统中的主要应用、应用中的一些注意事项以及具体部分硬件电路。
【总页数】4页(P62-65)
【关键词】内置电池;两线式IIC总线通讯方式;高精度;免调校
【作者】谢传銮;李晓会
【作者单位】北京机械工业自动化研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN43
【相关文献】
1.可驱动LED的RTCX系列时钟模块 [J], 安泰
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海生元
4.英威腾威智系列微模块方案应用案例“智慧DC、智能为民”——威智系列微模块应用于宝安公共法律行政服务中心 [J],
5.得利时钟表公司采用GibbsCAM专业模块生产高精度手表 [J], 无
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ds1302数字时钟芯片
《DS1302数字时钟芯片》1. 内置电池备份系统,确保时间信息在断电情况下依然准确无误;2. 采用串行通信接口,简化了与微处理器的连接;3. 超低功耗设计,延长电池使用寿命;4. 宽工作电压范围,适应不同电压环境;5. 小巧的封装尺寸,便于电路板布局。
《DS1302数字时钟芯片》灵活的时钟调整DS1302芯片允许用户通过简单的指令对时钟进行校准,无论是调整小时、分钟、秒,还是日期、月份、年份,都能轻松实现。
这种灵活性使得DS1302能够适应不同地区的时区变化,甚至可以应对夏令时的调整。
完善的日历功能除了基本的时钟功能,DS1302还内置了日历功能。
它能够自动处理月份的天数,包括闰年的特殊情况,大大减轻了开发者处理日期计算的负担。
这一特性使得DS1302在需要记录事件发生日期的应用中显得尤为宝贵。
数据保护与隐私DS1302具备128字节随机存取的静态RAM,可用于存储用户数据。
这些数据在芯片内部得到保护,避免了外部干扰导致的数据丢失。
DS1302还提供了写保护功能,确保数据在特定情况下的安全性。
易于集成与维护DS1302的串行接口设计使其与微控制器的连接变得异常简单。
只需几根线就能完成通信,大大降低了硬件设计的复杂度。
同时,由于接口的标准化,未来若需升级或更换芯片,也能快速完成。
实际应用指南1. 电源连接:将VCC1接至主电源,VCC2接至备用电池,GND接地。
2. 串行接口:将SCLK(时钟线)、I/O(数据线)和RST(复位线)分别连接至微控制器的对应引脚。
3. RAM数据存储:通过编写简单的程序,将需要存储的数据写入RAM中,实现数据的持久化。
通过这些步骤,DS1302数字时钟芯片便能顺利地融入各种电子设备,为它们提供精准的时间管理和数据存储服务。
无论是在智能家居、工业自动化还是个人穿戴设备中,DS1302都能展现出其稳定可靠的性能。
《DS1302数字时钟芯片》节能环保的设计理念DS1302数字时钟芯片在设计之初就充分考虑了节能环保的重要性。
高精度实时时钟完全解决方案
SD2400系列内置的一次性工业级电池或充电电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命为5~8年时间;内部具备电源切换电路,当芯片检测到主电源VDD掉到电池电压以下,芯片会自动转为由备电电池供电。
芯片管脚抗静电(ESD)>4KV。
芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。
封装形式:SD2400/2401/2404-24脚的DIP封装, SD2402/2405/2406-16脚窄形DIP封装,SD2403-8脚的DIP封装;有工业级型号,其尾缀加“I”以示区分,如“SD2400API”为SD2400AP的工业级,“P”标志为直插封装形式。
周期性频率中断输出:从32768Hz~1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲.
自动重置的8位倒计时定时器,可选的4种时钟源(4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ)。
内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,时钟精度为±5ppm(在25℃±1℃下),即年误差小于2.5 分钟。
内置时钟精度数字调整功能,可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置或内置的温度传感器,设定适应温度变化的调整值,可实现在宽温范围内高精度的计时功能(在-10℃~50℃小于5ppm,在-40℃~85℃小于10ppm)。
闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。
可选择12/24小时制式.
内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器。
2300_20 Datasheet - CHN
演示套件推荐
2300/20_KIT-003 1 - 2300/20 监测器 1 – 6 英尺(1.8 米)屏蔽以太网电缆 2 – 加速度传感器 2 – 16 英尺(4.8 米)加速度传感器电缆 电源:110/220 VAC 转 24 VDC,DIN 导轨安装(电源功率 30 瓦,工作温度 -25°C ~70°C)
技术规格与订购信息 文档编号 105M0340-01 修订版 D (04/15) 第 6 页 / 共 10 页
技术规格与订购信息 文档编号 105M0340-01 修订版 D (04/15) 第 4 页 / 共 10 页
危险区批准
机构批准选项(02) CSA,加拿大与美国 Class I,Division 2/Zone 2 ATEX:II 3G Ex nA nC [ic] IIC T4 Gc IECEx:Ex nA nC [ic] IIC T4 Gc 本质安全参数: 对于涡流传感器: Uo:24VDC;Io:46mA;Co:200nF;Lo:1mH 对于加速度/Velomitor 传感器: Uo:24VDC;Io:3.3mA;Co:200nF;Lo:1mH
支持自定义加速度传感器(2 线或 3 线) 每个通道独立的 24 位 AD 转换 转速/键相输入 支持以下键相传感器 o o o 涡流探头 接近开关 磁阻发讯器
LCD 对比度调节 复位以下缺省设置: 用户账户名 密码 网络组态
公共端 COM 与机壳接地 GND 之间的跳线 2 针端子接口把公共端 COM 和机壳接地连接在 一起 通过一个端子公共端 COM 可选择性地单独与系 统地相连 缓冲输出 监测器上有三个通过 BNC 插头的缓冲输出 继电器输出 两个干接点继电器输出 可设置为常带电或常失电 无输出反馈检测 非危险区继电器电路技术规格: o 类型:单刀双掷
深圳市兴威帆电子技术 SD2203AS(Ver1.0)高精度实时时钟
高精度实时时钟-SD2203AS(Ver1.0)内置晶振、I2C总线接口、定时中断输出、高精度、免调校SD2203AS是一种具有内置晶振、支持I2C总线的高精度实时时钟芯片。
该芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25℃±1℃下),即年误差小于2.5 分钟;该芯片内置时钟精度调整功能,可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力1ppm),通过外置的数字温度传感器可设定适应温度变化的调整值,实现在宽温范围内高精度的计时功能。
该芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要,是在选用高精度实时时钟时的理想选择。
主要性能特点:低功耗:典型值0.25μA(VDD=3.0V,Ta=25℃)。
芯片工作电压范围:1.3~5.5V,工作温度:-40℃~85℃;时钟电路计时电压:1.1~5.5V。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出。
可设定两路闹钟(定时)及32768Hz~1Hz的方波信号输出。
内置时钟精度数字调整功能。
内置电源掉电检测电路。
内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,时钟精度为±5ppm(在25℃±1℃下),即年误差小于2.5 分钟。
封装形式:16脚的SOP封装, SD2203ASSI为工业级型号。
管脚设置图1 SD2203AS管脚图表1 SD2203AS管脚功能表注:以上各图中INT1、INT2、SDA对VDD的上拉电阻均未标出,实际应用中要加上。
实时时钟电路1.串行接口SD2203AS通过基于I2C总线的串行接口方式接收各种命令并读写数据。
I2C总线传输方式描述如下:(1)开始条件当SCL处于高电平时,SDA由高电平变成低电平时构成一个开始条件,对SD2203AS的所有操作均必须由开始条件开始。
(2)停止条件当SCL处于高电平时,SDA由低电平变成高电平时构成一个停止条件,此时SD2203AS的所有操作均停止,系统进入待机状态。
图3 实时时钟的串行接口(3)数据传输当SCL为低电平,且SDA线电平变化时,则数据由CPU传输给SD2203AS;当SCL为高电平,且SDA线电平不变时,则CPU读取SD2203AS发送来的数据;当SCL为高电平,且SDA电平变化时,SD2203AS收到一个开始或停止条件。
sd时钟芯片
sd时钟芯片SD时钟芯片,即System Dynamics Clock Chip,是一种集成电路芯片,用于控制和管理电子设备的时钟信号。
该芯片能够提供高精度和稳定的时钟信号,常被用于计算机、通信设备、工业控制系统等领域。
SD时钟芯片通常由振荡器、时钟发生器、预分频器、时钟输出等模块组成。
振荡器负责产生基准振荡信号,时钟发生器根据设定的频率和模式生成时钟信号,预分频器用于将高频时钟信号分频得到所需的频率,时钟输出模块将时钟信号输出给其他系统部件。
SD时钟芯片具有多种功能和特性,包括以下几个方面:1. 高精度:SD时钟芯片能够提供高精度的时钟信号,常用的时钟频率包括100MHz、200MHz、400MHz等,能够满足多种应用需求。
2. 低功耗:SD时钟芯片采用先进的低功耗技术,能够在尽可能低的功耗下提供稳定的时钟信号,有助于延长设备的使用时间。
3. 高稳定性:SD时钟芯片具有良好的抗干扰和抗振动能力,能够在复杂的电磁环境和恶劣的工作条件下保持稳定的时钟信号输出。
4. 多功能:SD时钟芯片支持多种时钟频率和输出模式的选择,可以满足不同设备的需求,同时还提供了多种必要的时钟控制和管理功能,如频率调整、锁相环等。
5. 易集成:SD时钟芯片具有小尺寸、高集成度等特点,可以方便地集成到各种电子设备中,减少系统的复杂性和体积。
6. 可编程性:一些SD时钟芯片还具有可编程的特性,可以通过软件或硬件接口进行编程,方便用户根据实际需求进行参数配置和功能扩展。
在实际应用中,SD时钟芯片在电子设备中扮演着重要的角色。
它不仅为设备提供准确的时钟信号,还可以用于数据的时序控制、信息同步等功能,提高设备的性能和稳定性。
此外,SD时钟芯片的研发和应用也是电子技术领域中的重要研究方向,不断提升其性能和功能,以满足更多应用领域的需求。
时钟芯片SD2200的中文芯片资料
图 3 实时时钟的串行接口 3
深圳市兴威帆电子技术有限公司
TEL:0755-83246178 FAX:83225561
(3) 数据传输 当 SCL 为低电平,且 SDA 线电平变化时,则数据由 CPU 传输给 SD2200;当 SCL 为高电平,且 SDA 线电平不变时,
A2HE AM/PM H20
H10
H8
H4
H2
H1
警时间 2)INT2AE=1、
A2mE m40
m20
m10 m8
m4
m2
m1
INT2ME、INT2FE=0
101
读写 INT1 寄存器_2(选 SC*7
SC*7
SC*7
16HZ 8HZ 4HZ
2HZ
1HZ
择频率占空比系数)
INT2ME=0、INT2FE=1
方式连接。
2
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原理框图
电池(3.0V)
GND
SD2200L 系列
电源切换电路
时
钟 调
VDD1
整
低压检测电路
寄
存
器
实时时钟电路 (年/月/日/星 期/时/分/秒)
振 荡 电 路
6
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处电压达到或超过检测电压,此位也不会变为“0”,而必须通过操作指令中的复位命令才能使之复“0”。本标志 位为只读位,可读出状态寄存器_1 存取指令。在此标志为“1”的情况下,请先进行初始化。 B6: BLD 电源电压检测电路在检测电压(VDET)以下时变为“1”,因此可以检测到 VDD1 处电压的降低,一旦变为 “1”,即使电压 VDD1 在检测电压(VDET)以上也不会变为“0”,这个标记为只读出标记,可对状态寄存器_1 存 取指令,读出后自动变为“0”,在这个标志为“1”的情况下,请务必进行初始化。 B5 、B4 :INT2,INT1 使用报警中断功能从 INT1 脚(或 INT2 脚)输出中断信号时,当通过 INT1 脚设定中断时,INT1 标志变为“1”, 当通过 INT2 脚设定中断时,INT2 标志变为“1”。 B3、B2:SC1、SC0 2 位通用寄存器,可在内部工作电压范围(1.3~5.5V)内进行读出与写入 B1: 12/24 本标志用于设置 12 小时制或 24 小时制:
SD2003型实时时钟及其I2C接口设计
SD2003型实时时钟及其I2C接口设计
洪家平
【期刊名称】《国外电子元器件》
【年(卷),期】2005(000)011
【摘要】1概述 SD2003是一种内置晶振、支持I2C总线接口的高精度实时时钟
电路.该器件可保证±4ppm时钟精度为(在25±1℃下),即年误差小于2分钟;内
置时钟精度数字调整功能,可以在很宽的范围内校正时钟的偏差;该芯片可满足对实
时时钟的各种需要,是高精度实时时钟的理想选择.SD2003的特性及相关参数如下:【总页数】3页(P72-74)
【作者】洪家平
【作者单位】湖北师范学院,计算机科学系,湖北,黄石,435002
【正文语种】中文
【中图分类】TN6
【相关文献】
1.X1203 I2C实时时钟/日历/闹钟在8051系统中的应用(上) [J], 姚伟;王登辉;丁
庆生
2.基于I2C总线的实时时钟芯片设计 [J], 龚光松
3.高精度实时时钟芯片SD2300A及其I2C接口的设计 [J], 杨朋英;洪家平
4.基于I2C总线的超高精度实时时钟芯片PCF2129的应用 [J], 王洪武;张戟
5.Maxim MAX31328±3.5ppm I2C实时时钟(RTC)解决方案 [J],
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高精度实时时钟
高精度实时时钟
佚名
【期刊名称】《电子技术应用》
【年(卷),期】2005(31)7
【摘要】Dallas Semieonductor推出一款高精度实时时钟(RTC)DS3231,能够
在-40℃±85℃温度范围内提供优±2分钟/年的计时精度。
内部集成了多种功能,使用灵活、成本低,是性价比最高的集成方案之一,能够胜任对计时精度要求苛刻的应用。
例如:服务器、电表、安防及门禁控制系统、车队管理、远程信息处理、GPS导航装置、POS终端以及ATM等。
【总页数】1页(P81-81)
【关键词】Dallas;Semieonductor公司;实时时钟;DS3231;性能
【正文语种】中文
【中图分类】TN492
【相关文献】
1.基于GPS和高精度实时时钟的时间同步方法 [J], 王向军;张亚元;张龙祥
2.高精度GPS实时时钟SD2421API在实时数据采集中的应用 [J], 张良华
3.一种宽温度范围高精度实时时钟的实现方法 [J], 马迅;张亚州
4.AVR微控制器的多CPU共享高精度实时时钟系统 [J], 付国新;江晓亮
5.基于STM32的可记忆高精度实时时钟系统 [J], 孙晓峰;蒋伯华;王鹏;李广恒;刘
承文
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管脚图:
管脚功能表:
标号
功能
特征
VBAT
外加备用电池引脚
由于在模块内部有电池,故在其电池能量未耗尽之前不接
TEST
测试
内部电池电压检测脚(通常不接)
GND
负电源
SCL
串行时钟输入脚,由于在SCL上升/下降沿处理信号,要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间,应严格遵守说明书。
SD2300全系列性能特点:包括SD2300/SD2101(A/B/C/D/E)/SD2303/SD2304/SD2310及SD2300L
低功耗:典型值1.0μA(VDD=3.6V,Ta=25℃,SD2300A)
工作电压:3.0V~5.5V(其中NVSRAM在4.5V~5.5V作)
工作温度:民用级0℃~70℃,工业级-40℃~85℃。
INTRB
报警中断B输出脚,根据控制寄存器1与控制寄存器2来设置其工作的模式,当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写控制寄存器来禁止。
N-沟道开路输出(与VDD端之间无保护二极管
VDD
正电源Biblioteka 16SOP:SD2303AS/SD2310AS
SD2300系列型号:
型号
功能
封装
资料下栽
(pdf格式)
一次性电池
晶振
充电电池
NVSRAM
EEPROM
数字温度传感器
SD2300A/B/C/D/EP
DIP24
SD2300A VER1.30
SD2300RAMVER1.30
SD2300F/B/C/D/ELP
SD2310ASI
SOP16
SD2310ASI VER1.00
备注:
1.后缀A/F/B/C/D/E:分别表示内置NVSRAM/E2PROM容量,分别为0/2/4/16/64/256Kbit
2.各型号均有工业级,其尾缀加“I”以示区分
3.可申请免费样片。SD2300样品申请单
4.每种型号均有工业级芯片。
CMOS输入
SDA
串行数据输入/输出脚,此管脚通常用一电阻上拉至VDD,并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接。
N沟道开路输出
INTRA
报警中断A输出脚,根据控制寄存器1与控制寄存器2来设置其工作的模式,当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写控制寄存器来禁止。
N-沟道开路输出(与VDD端之间无保护二极管)
输出可选择不同波形的中断脉冲。
内部晶振停振检测功能:保证时钟的有效性。
内置电源管理电路,当VDD≥3.0V时,内部电池不耗电。
内置时钟精度调整功能,最小分辨率可设为3.052ppm。
内置的4kbit~256kbit非易失性SRAM(B/C/D/E型),其擦写次数100亿次,且内部写延时小于300ns。
如内置2kbit~256kbit的E2PROM(SD2300F/B/C/D/EL型),写入次数为一百万次,可低压至3.0V工作。
内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,保证精度±5ppm,即时钟年误差小于2.5分钟(在25±1℃下)。
多种封装可供选择:
24DIP:SD2300 8DIP: SD2303AP
DIP24
SD2300EEPROM VER1.30
SD2301A/B/C/D/EP
DIP24
SD2301F/B/C/D/ELP
DIP24
SD2304FLP
DIP24
SD2304FLP VER1.30
SD2303AP
DIP8
SD2303AP VER1.30
SD2303AS
SOP16
SD2303ASI VER1.10
内部时钟保持电压可低至1.2V。
年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过
独立的地址访问各时间寄存器。
两线式CPU接口。
自动日历到2099年(包括闰年自动换算功能)。
可控的32768Hz方波信号输出。
可设定并自动重置的两路定时闹钟功能(时间范围在1周内)。
周期性中断脉冲输出:2Hz、1Hz、每分钟、每小时、每个月
高精度实时时钟完全解决方案-SD2300系列
内置电池、晶振、串行NVSRAM/E2PROM、两线接口、定时中断输出、时钟精度调整寄存器、高精度
SD2300系列是一种具有内置晶振、支持两线串行接口的高精度实时时钟芯片。该系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25±1℃下),即年误差小于2.5分钟;该芯片内置时钟精度调整功能,可以在很宽的范围内校正时钟的频率偏差,能以最小分辨力3.052ppm来进行校正,通过与温度传感器的结合可以设定适应温度变化的调整值,实现在宽温范围内高精度的计时功能;内置电池、串行NVSRAM,其中内置一次性电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命超过五年,内置串行NVSRAM为非易失性SRAM,擦写次数可达100亿次。该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要,是您在选用高精度实时时钟时的理想选择。