半导体存储器复习题

PROM的与 PROM的与、或阵列均不可编程 √ 的与、
分析提示
PROM：与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地 ：与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码， 址为变量的全部最小项，固定不可编程； 址为变量的全部最小项，固定不可编程；或逻辑阵列实现将某些最 小项相或， 小项相或，可编程 。 PLA：与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程； ：与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程； 或逻辑阵列实现将某些与项相或， 或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程 。
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
9、具有对存储矩阵中的存储单元进行选择作用的是存储器中的( 、具有对存储矩阵中的存储单元进行选择作用的是存储器中的 A C 地址译码器 存储矩阵
√ ×
B D
读写控制电路 片选控制
× ×
分析提示
地址译码器对地址码进行译码， 地址译码器对地址码进行译码，产生对存储矩阵中的存储单元 进行选择的选择信号，实现从存储矩阵中选择出存储单元。 进行选择的选择信号，实现从存储矩阵中选择出存储单元。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
17、关于PROM和PLA的结构，下列叙述不正确的是 、关于 的结构， 和 的结构 A B C D PROM的与阵列固定不可编程 的与阵列固定不可编程 PROM的或阵列可编程 的或阵列可编程 PLA的与、或阵列均可编程 的与、 的与
× × ×
√
分析提示
PLA的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编 的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项， 的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项 或逻辑阵列实现将某些与项相或， 程；或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程 。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
19、下列器件可实现组合逻辑函数的是 、 A C DRAM EPROM
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
10、随机存储器RAM的 I⁄O 端口为输入端口时，应使 、随机存储器 端口为输入端口时， 的 A C
CS = 0, R / W = 0 √ CS = 1, R / W = 0 ×
B D
CS = 0, R / W = 1 × CS = 1, R / W = 1 ×
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数字电子技术
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
14、只读存储器ROM，当电源断电后再通电时，所存储的内容 ( 、只读存储器 ，当电源断电后再通电时， A C 全部改变 不确定
× ×
B D
全部为0 全部为 保持不变
× √
分析提示
只读存储器ROM，利用二极管、三极管或MOS管作存储元件， ，利用二极管、三极管或 管作存储元件， 只读存储器 管作存储元件 存储矩阵的字、 存储矩阵的字、位线交叉处接入不接入存储元件的连接方式决定所 存储信息的内容是0或 ， 存储信息的内容是 或1，连接方式确定后所存储的信息可长期保存 不变。 不变。
√ ×
B D
存储 放电
× ×
分析提示
动态RAM (DRAM )中，MOS管的栅极电容的容量很小而漏电 动态 中 管的栅极电容的容量很小而漏电 流不绝对为零，电荷保存的时间有限，需定时对栅极电容补充电荷， 流不绝对为零，电荷保存的时间有限，需定时对栅极电容补充电荷， 以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。 以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
13、随机存储器RAM在正常工作状态下，具有的功能是 、随机存储器 在正常工作状态下， 在正常工作状态下 A 只有读功能
×
B D
只有写功能 无读写功能
× ×
即有读功能、 C 即有读功能、又有写功能 √
分析提示
RAM为随机存取存储器，正常工作状态下，可以随机选择存 为随机存取存储器，正常工作状态下， 为随机存取存储器 储单元进行读、写操作。 储单元进行读、写操作。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
16、 EPROM的与阵列是 、 的与阵列是 A 全译码可编程阵列
×
B 全译码不可编程阵列 √ D 非全译码不可编程阵列 ×
C 非全译码可编程阵列×
分析提示
ROM在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。 在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。 在逻辑关系上 与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码， 与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地址为变量 的全部最小项，为固定阵列不可编程。 的全部最小项，为固定阵列不可编程。
× ×
B D
PROM RAM
× √
分析提示
RAM为随机存取存储，正常工作状态下，可以随机选择存储 为随机存取存储，正常工作状态下， 为随机存取存储 单元进行读、写操作。 单元进行读、写操作。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
12、用户不能改变存储内容的存储器是 、 A C MROM EPROM
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题
7、容量为 256×4 位的 、 × 位的RAM，每个给定一个地址码所选中的基本存 ， ( )。 储电路个数为 A C 4个 256 个
√ ×
B D
8个 2048 个
× ×
分析提示
字数× 个字、 存储容量 = 字数×字长 = 256×4 位 ， RAM有256个字、字长 × 有 个字 每个字需用4个基本存储电路存储 个基本存储电路存储。 为 4 位，每个字需用 个基本存储电路存储。 每个给定一个地址码读、写一个字， 每个给定一个地址码读、写一个字，所选中的基本存储电路个 数为 4个。 个
分析提示
处于工作状态； 片选信号 CS = 0，RAM 处于工作状态；读 / 写 控制信号 ， 进行写操作， 端口为输入端口 端口为输入端口。 ， R / W = 0， RAM 进行写操作，I/O端口为输入端口。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
11、正常工作状态下，可以随时进行读、写操作的存储器是 ( 、正常工作状态下，可以随时进行读、 A C EPROM MROM
)。
× √
B D
PROM EEPROM
× ×
分析提示
MROM ： 掩膜 掩膜ROM，完全只读存储器。 ，完全只读存储器。 PROM： 可编程只读存储器，但只能一次编程。 ： 可编程只读存储器，但只能一次编程。 EPROM ： 用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。 用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。 EEPROM：用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。 ：用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
4、有 10 位地址和 8 位字长的存储器，其存储容量为 、 位字长的存储器， A C 256×10 位 × 1024×10 位 ×
× ×
B D
512×8 位 × 1024×8 位 ×
× √
分析提示
10 位地址所对应 存储字数为： 210=1024 存储字数为： 每个字的字长为： 每个字的字长为： 8 位 字数× 存储容量 = 字数×字长 =1024 × 8 位
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题
3、动态RAM的基本存储电路，是利用 、动态 的基本存储电路， 管栅—源极之间电容对电 的基本存储电路 是利用MOS管栅 源极之间电容对电 管栅 为避免所存信息的丢失， 荷的暂存效应来实现信息存储的 。为避免所存信息的丢失，必须定时 给电容补充电荷， ( )。 给电容补充电荷，这一操作称为 A C 刷新 充电
数字电子技术自测练习
第 7 章 半导体存储器
单项选择题 填空题
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题
1、可由用户以专用设备将信息写入，写入后还可以用专门方法（如 、可由用户以专用设备将信息写入，写入后还可以用专门方法（ 紫外线照射）将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为( 紫外线照射）将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为 A C MROM EPROM
√ ×
B D
PROM 以上均对
× ×ห้องสมุดไป่ตู้
分析提示
MROM ： 掩膜 掩膜ROM，完全只读存储器。 ，完全只读存储器。 PROM： 可编程只读存储器，但只能一次编程。 ： 可编程只读存储器，但只能一次编程。 EPROM ： 用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。 用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
6、容量为 2048×4位 的RAM，其地址线和数据线的条数为 ( 、 × 位 ， A C 4，4 ， 10，4 ，
× ×
B D
2048，4 ， 11，4 ，
× √
分析提示
字数× 存储容量 = 字数×字长 = 2048 × 4 位 211 = 2048 所以有11条地址线 因 所以有 条地址线 所以有4条数据线 因 字长 = 4 位 所以有 条数据线
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
8、容量为1024×4位的 、容量为 位的RAM，含有基本存储电路的数量为 × 位的 ， A C 1024 个 4个
× ×
B D
10 4096
× √
分析提示
字数× 个字、 存储容量 = 字数×字长 = 1024×4 位 ， RAM有1024个字、字 × 有 个字 长 为 4 位。 每个字需用4个基本存储电路存储 个基本存储电路存储， 个字需用1024×4 = 每个字需用 个基本存储电路存储， 1024个字需用 个字需用 × 4096 个基本存储电路存储。 基本存储电路存储。
× √
B D
SRAM 以上都对
× ×
分析提示
DRAM利用 利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息， 管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息， 利用 管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息 电荷不能长期存储。 电荷不能长期存储。 SRAM 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 DRAM、 SRAM 属于“易失性”存储器，不能实现组合逻辑函 属于“易失性”存储器， 、 数。 EPROM，利用 管作存储元件， ，利用MOS管作存储元件，存储矩阵的字、位线交叉 管作存储元件 存储矩阵的字、 处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是0或 ， 处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是 或1， 连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变， 连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变，可实现组合逻辑函 数
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
5、某ROM有 11 条地址线和 8 条数据线，其存储容量为 、 条数据线， 有 A C 2048×8位 × 位 11×8位 × 位
× ×
B D
112 ×8位 位 2048×8 位 ×
× √
分析提示
11 条地址线对应 位地址，所存储字数为 211=2048 条地址线对应11位地址 位地址， 8 条数据线对应每个字的字长为 8 位 字数× 存储容量 = 字数×字长 =2048 × 8 位
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 ( )。
18、可编程逻辑阵列PLA的工作特点是 、可编程逻辑阵列 的工作特点是 A 与阵列、 与阵列、或阵列均不可编程
×
与阵列可编程、 B 与阵列可编程、或阵列不可编程 × C D 与阵列不可编程、 与阵列不可编程、或阵列可编程 × 与阵列、或阵列均可编程 与阵列、
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题 )。
15、随机存储器SRAM，当电源断电后再通电时，所存储的内容 ( 、随机存储器 ，当电源断电后再通电时， A C 全部改变 不确定
√ ×
B D
全部为0 全部为 保持不变
× ×
分析提示
静态 RAM (SRAM )，以寄存器为存储元件，只有在带电状态 ，以寄存器为存储元件， 下才能存储信息，属于“易失性”存储器。 下才能存储信息，属于“易失性”存储器。
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第 7 章 半导体存储器
单项选择题
2、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性”存储 、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性” ( )。 器件的是 A C 半导体ROM 半导体 磁盘存储器
× ×
B D
半导体RAM 半导体 光盘存储器
√ ×
分析提示
半导体RAM分为静态 RAM (SRAM )和动态 分为静态 和动态RAM (DRAM )。 半导体 和动态 。 静态 RAM (SRAM )，以寄存器为存储元件，只有在带电状态 ，以寄存器为存储元件， 下才能存储信息。 下才能存储信息。 动态RAM (DRAM )，利用 动态 ，利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效 管的栅极电容对电荷的存储效 应存储信息， 电荷不能长期存储。 应存储信息， 电荷不能长期存储。 半导体RAM属于“易失性”存储器。 属于“ 半导体 属于 易失性”存储器。