模拟电子技术基础试卷-第一章复习模板
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R I V 20V VD 10k
(5 分)[26]图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a、b、c、 d 填空（如果存在多种选择，应都选择） 。 1．要求等效 PNP 型，应选择______； 2．要求等效输入电阻大，应选择______； 3．要求等效 UBE 的温度系数小，应选择______。
题目部分，(卷面共有 67 题,205.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40 小题,共 132.0 分) (4 分)[1]晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结 为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置 (2 分)[2] 1。NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于____ A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同， D、P 区和 N 区的位置不同。 2．N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于____ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 (2 分)[3]晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为____， 流过集电结的主要是____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置， D、扩散电流， E、漂移电流 (3 分)[4]硅二极管的正向电压从 0.65V 增大 10％，则流过的正向电流增大____。 A、约 10％， B、小于 10％ ， C、大于 10％ (1 分)[5]N 型半导体是在纯净半导体中掺入____；P 型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等 ， D、五价元素，如磷等 (2 分)[6]普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____， 反向电流一般___； 普通小功率锗二 极管的正向导通压降约为____，反向电流一般____。 A、0.1～0.3V， B、0.6～0.8V ， C、小于 1μ A ， D、大于 1μ A (2 分)[7]当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 ；当 PN 结外加反向 电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 (3 分)[8]某硅二极管在正向电压 U D 0.6V 时， 正向电流 I D 10mA 。 当 U D 增加 10％ （即 增大到 0.66V）时，则 I D 约为____。 A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ，D、100mA (4 分)[9]随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度 ____。 A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小 (2 分)[10]在保持二极管反向电压不变的条件下， 二极管的反向电流随温度升高而____； 在保 持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大 ， B、减小， C、不变 (2 分)[11]设某二极管反向电压为 10V 时，反向电流为 0.1 μA 。在保持反向电压不变的条件 下，当二极管的结温升高 10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA (2 分)[12]设某二极管反向电压为 10V 时， 反向电流为 0.1 μA。 在保持反向电压不变的条件下， 当二极管的结温降低 10℃，反向电流大约为____。 A、0.01μA ， B、0.05μA， C、0. 1μA ， D、0.2μA (4 分)[13]在如图所示的电路中，当 V＝3V 时，测得 I＝1mA， U D 0.7 V 。
R I V VD
(4 分)[25]已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，测得 I＝1μA 。 1．当 R 从 10 k 减小至 5 k 时，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、为 0.5μA 左右， C、变化不大， D、远大于 2μA 2．保持 源自文库 和 R 不变，温度下降 10℃，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、为 0.5μA 左右， C、变化不大， D、远大于 2μA
3．复合管的最大集电极电流约等于 A、VT1 管的最大集电极电流 ， C、两管的最大集电极电流之和 ， E、两管中集电极电流较小者
B、VT2 管的最大集电极电流， D、两管中集电极电流较大者 ，
V T1 V T2
(5 分)[29]试判断图中复合管的接法哪些是合理的， 哪些是错误的， 在正确的复合管中进一步 判断它们的等效类型。管①是____；管②是____；管③是____；管④是____；管⑤是____。 A、NPN 管， B、PNP 管， C、N 沟道场效应管， D、P 沟道场效应管， E、错误的
线将_______________，输出特性曲线的间隔将_______________。 A、上移， B、下移， C、左移， D、右移， E、增大， F、减小， G、不变 (6 分)[36]用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示， 试判断这些晶体 管分别处于什么状态。 A、放大， B、饱和， C、截止， D、损坏 ⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
R I V VD
(6 分)[24]在如图所示的电路中， 已知二极管的反向击穿电压为 300V， 当 V=100V、 温度为 20℃ 时，I＝1μA 。 1．当 V 降低到 50V，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA 2．当 V 保持 100V 不变，温度降低到 10℃，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA 3．该二极管在反向电压为 200V 的电路中使用是____。 A、安全的， B、不够安全的
1．当 V 调到 6V，则 I 将为____。 A、1mA， B、大于 1mA，但小于 2mA
C、2mA，
D、大于 2mA
2．保持 V＝3V 不变，温度升高 20℃，则 U D 将为____。 A、小于 0.7V ，
R I V VD UD
B、0.7V 不变，
C、大于 0.7V
(4 分)[14]在如图所示的电路中，当 V＝6V 时，测得 I＝2mA， U D 0.7 V 。 1．当 V 降至 3V 时，则 I 将为____。 A、小于 1mA ， B、1mA， C、大于 1mA，但小于 2mA ， 2．保持 V 不变，温下降 20℃，则 U D 将为____。 A、小于 0.7V，
(a)
(b)
(c )
(d)
(5 分)[27]图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a、b、c、 d 填空（如果存在多种选择，应都选择） 。 1．要求等效 NPN 型，应选择______； 2．要求基、射极静态电压小，应选择______； 3．要求输入电阻大，应选择______。
1
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(4 分)[31]在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、 0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、 基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是____（A、PNP 型 ，B、NPN 型） ；该晶体管的共射 电流放大系数约为____ （A、40 ， B、60 ， C、100） (4 分)[32]在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、 －0.03mA、1.23mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____ （A、发射极， B、基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是____（A、PNP 型， B、NPN 型； ）该晶体管的共射电流放大系数约为____ （A、40 ， B、100， C、400） (1 分)[33]对于同一个晶体管来说， ICBO ____ ICEO ； U (BR)CBO _____ U (BR)CEO 。 A、小于， B、大于， C、等于 (1 分)[34]随着温度升高，晶体管的电流放大系数β ____，穿透电流 ICEO ____，在 IB 不变的情 况下 b-e 结电压 UBE____。 A、增大， B、减小， C、不变 (2 分)[35]随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲
R I V VD UD
D、2mA
B、0.7V 不变，
C、大于 0.7V
(2 分)[15]设某二极管在正向电流 ID＝10mA 时。其正向压降 U D ＝0.65V。在 ID 保持不变的条 件下，当二极管的结温升高 20℃， U D 约为____。 A、0.4V， B、0.6V ， C、0.65V， D、0.7V (2 分)[16]在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度____电子 浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。 A、大于， B、小于 ， C、等于 (2 分)[17]在____ 中，空穴浓度大于电子浓度；在____ 中，空穴浓度等于电子浓度；在____ 中，空穴浓度小于电子浓度。 A、本征半导体， B、P 型半导体 ， C、N 型半导体） (1 分)[18]在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____， 而少数载流子的浓度与____ 关系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度 (4 分)[19]已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，在 V＝10V 时，测得 I＝1μA 。 1．当 V 增加到 20V 时，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、小于 1μA ， C、变化不大， D、远大于 2μA 2．保持 V 不变，温度升高 10℃，则 I 将____。 A、为 2μA 左右， B、小于 1μA ， C、变化不大， D、远大于 2μA
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(5 分)[30]试判断图中复合管的接法哪些是合理的， 哪些是错误的， 在正确的复合管中进一步 判断它们的等效类型。 管①是____；管②是_____；管③是____；管④是____；管⑤是____。 A、NPN 管 ， B、PNP 管， C、N 沟道场效应管， D、P 沟道场效应管 ， E、错误的
R I V
10k
VD
UD
(2 分)[20]电路如图所示， u i 0.1sin t V ，当直流电源电压 V 增大时，二极管 VD 的动 态电阻 rd 将____。 A、增大， B、减小，
VD ui V 1V R
C、保持不变
(2 分)[21]设某二极管在正向电流 ID＝10mA 时，其正向压降 UD＝0.6V。在 ID 保持不变的条件 下，当二极管的结温降低 20℃，UD 约为____。 A、0.55V， B、0.6V， C、0.65V， D、0.75V (2 分)[22]设某二极管在正向电流 ID＝10mA 时，其正向压降 UD＝0.6V。在 UD 保持不变的条 件下，当二极管的结温升高 10℃，ID 将____。 A、小于 10mA， B、大于 10mA， C、等于 10mA (6 分)[23]在如图所示的电路中， 已知二极管的反向击穿电压为 100V， 当 V=10V、 温度为 20℃ 时，I＝1μA 。 1．当 V 增大到 20V 时，则 I 约为____。 A、10μA ， B、2μA ， C、1μA ， D、0.5μA 2．当 V 保持 10V 不变，温度升高到 30℃， ，则 I 约为____。 A、10μA ， B、2μA ， C、1μA ， D、0.5μA 3．在实际使用中，该二极管的反向工作电压通常不应该超过____。 A、100V， B、50V， C、10V
(a)
(b)
(c )
(d)
(6 分)[28]额定功耗和最大集电极电流相近的两个晶体管组成如图所示的复合管。 1．复合管的额定功耗约等于 A、VT1 管的额定功耗 ， B、VT2 管的额定功耗， C、两管额定功耗之和， D、两管中额定功耗较大者， E、两管中额定功耗较小者。 2．复合管的反向击穿电压约等于 A、VT1 管的反向击穿电压， B、VT2 管的反向击穿电压， C、两管的击穿电压之和， D、两管中击穿电压较大者， E、两管中击穿电压较小者
(5 分)[26]图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a、b、c、 d 填空（如果存在多种选择，应都选择） 。 1．要求等效 PNP 型，应选择______； 2．要求等效输入电阻大，应选择______； 3．要求等效 UBE 的温度系数小，应选择______。
题目部分，(卷面共有 67 题,205.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(40 小题,共 132.0 分) (4 分)[1]晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结 为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置 ， C、零偏置 (2 分)[2] 1。NPN 和 PNP 型晶体管的区别取决于____ A、半导体材料硅和锗的不同， B、掺杂元素的不同 ， C、掺杂浓度的不同， D、P 区和 N 区的位置不同。 2．N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于____ A、衬底材料前者为硅，后者为锗， B、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型， C、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。 (2 分)[3]晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为____， 流过集电结的主要是____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置， D、扩散电流， E、漂移电流 (3 分)[4]硅二极管的正向电压从 0.65V 增大 10％，则流过的正向电流增大____。 A、约 10％， B、小于 10％ ， C、大于 10％ (1 分)[5]N 型半导体是在纯净半导体中掺入____；P 型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等 ， D、五价元素，如磷等 (2 分)[6]普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____， 反向电流一般___； 普通小功率锗二 极管的正向导通压降约为____，反向电流一般____。 A、0.1～0.3V， B、0.6～0.8V ， C、小于 1μ A ， D、大于 1μ A (2 分)[7]当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 ；当 PN 结外加反向 电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 (3 分)[8]某硅二极管在正向电压 U D 0.6V 时， 正向电流 I D 10mA 。 当 U D 增加 10％ （即 增大到 0.66V）时，则 I D 约为____。 A、10mA ，B、11mA ，C、20mA ，D、100mA (4 分)[9]随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度 ____。 A、明显增大， B、明显减小， C、变化较小 (2 分)[10]在保持二极管反向电压不变的条件下， 二极管的反向电流随温度升高而____； 在保 持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大 ， B、减小， C、不变 (2 分)[11]设某二极管反向电压为 10V 时，反向电流为 0.1 μA 。在保持反向电压不变的条件 下，当二极管的结温升高 10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA (2 分)[12]设某二极管反向电压为 10V 时， 反向电流为 0.1 μA。 在保持反向电压不变的条件下， 当二极管的结温降低 10℃，反向电流大约为____。 A、0.01μA ， B、0.05μA， C、0. 1μA ， D、0.2μA (4 分)[13]在如图所示的电路中，当 V＝3V 时，测得 I＝1mA， U D 0.7 V 。
R I V VD
(4 分)[25]已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，测得 I＝1μA 。 1．当 R 从 10 k 减小至 5 k 时，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、为 0.5μA 左右， C、变化不大， D、远大于 2μA 2．保持 源自文库 和 R 不变，温度下降 10℃，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、为 0.5μA 左右， C、变化不大， D、远大于 2μA
3．复合管的最大集电极电流约等于 A、VT1 管的最大集电极电流 ， C、两管的最大集电极电流之和 ， E、两管中集电极电流较小者
B、VT2 管的最大集电极电流， D、两管中集电极电流较大者 ，
V T1 V T2
(5 分)[29]试判断图中复合管的接法哪些是合理的， 哪些是错误的， 在正确的复合管中进一步 判断它们的等效类型。管①是____；管②是____；管③是____；管④是____；管⑤是____。 A、NPN 管， B、PNP 管， C、N 沟道场效应管， D、P 沟道场效应管， E、错误的
线将_______________，输出特性曲线的间隔将_______________。 A、上移， B、下移， C、左移， D、右移， E、增大， F、减小， G、不变 (6 分)[36]用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示， 试判断这些晶体 管分别处于什么状态。 A、放大， B、饱和， C、截止， D、损坏 ⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。
R I V VD
(6 分)[24]在如图所示的电路中， 已知二极管的反向击穿电压为 300V， 当 V=100V、 温度为 20℃ 时，I＝1μA 。 1．当 V 降低到 50V，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA 2．当 V 保持 100V 不变，温度降低到 10℃，则 I 约为____。 A、0.1μA ， B、0.5μA ， C、1μA ， D、2μA 3．该二极管在反向电压为 200V 的电路中使用是____。 A、安全的， B、不够安全的
1．当 V 调到 6V，则 I 将为____。 A、1mA， B、大于 1mA，但小于 2mA
C、2mA，
D、大于 2mA
2．保持 V＝3V 不变，温度升高 20℃，则 U D 将为____。 A、小于 0.7V ，
R I V VD UD
B、0.7V 不变，
C、大于 0.7V
(4 分)[14]在如图所示的电路中，当 V＝6V 时，测得 I＝2mA， U D 0.7 V 。 1．当 V 降至 3V 时，则 I 将为____。 A、小于 1mA ， B、1mA， C、大于 1mA，但小于 2mA ， 2．保持 V 不变，温下降 20℃，则 U D 将为____。 A、小于 0.7V，
(a)
(b)
(c )
(d)
(5 分)[27]图中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a、b、c、 d 填空（如果存在多种选择，应都选择） 。 1．要求等效 NPN 型，应选择______； 2．要求基、射极静态电压小，应选择______； 3．要求输入电阻大，应选择______。
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(4 分)[31]在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、 0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、 基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是____（A、PNP 型 ，B、NPN 型） ；该晶体管的共射 电流放大系数约为____ （A、40 ， B、60 ， C、100） (4 分)[32]在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、 －0.03mA、1.23mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____ （A、发射极， B、基极， C、集电极） ；该晶体管的类型是____（A、PNP 型， B、NPN 型； ）该晶体管的共射电流放大系数约为____ （A、40 ， B、100， C、400） (1 分)[33]对于同一个晶体管来说， ICBO ____ ICEO ； U (BR)CBO _____ U (BR)CEO 。 A、小于， B、大于， C、等于 (1 分)[34]随着温度升高，晶体管的电流放大系数β ____，穿透电流 ICEO ____，在 IB 不变的情 况下 b-e 结电压 UBE____。 A、增大， B、减小， C、不变 (2 分)[35]随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲
R I V VD UD
D、2mA
B、0.7V 不变，
C、大于 0.7V
(2 分)[15]设某二极管在正向电流 ID＝10mA 时。其正向压降 U D ＝0.65V。在 ID 保持不变的条 件下，当二极管的结温升高 20℃， U D 约为____。 A、0.4V， B、0.6V ， C、0.65V， D、0.7V (2 分)[16]在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度____电子 浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。 A、大于， B、小于 ， C、等于 (2 分)[17]在____ 中，空穴浓度大于电子浓度；在____ 中，空穴浓度等于电子浓度；在____ 中，空穴浓度小于电子浓度。 A、本征半导体， B、P 型半导体 ， C、N 型半导体） (1 分)[18]在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____， 而少数载流子的浓度与____ 关系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度 (4 分)[19]已知图中二极管的反向击穿电压为 100V，在 V＝10V 时，测得 I＝1μA 。 1．当 V 增加到 20V 时，I 将____。 A、为 2μA 左右， B、小于 1μA ， C、变化不大， D、远大于 2μA 2．保持 V 不变，温度升高 10℃，则 I 将____。 A、为 2μA 左右， B、小于 1μA ， C、变化不大， D、远大于 2μA
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(5 分)[30]试判断图中复合管的接法哪些是合理的， 哪些是错误的， 在正确的复合管中进一步 判断它们的等效类型。 管①是____；管②是_____；管③是____；管④是____；管⑤是____。 A、NPN 管 ， B、PNP 管， C、N 沟道场效应管， D、P 沟道场效应管 ， E、错误的
R I V
10k
VD
UD
(2 分)[20]电路如图所示， u i 0.1sin t V ，当直流电源电压 V 增大时，二极管 VD 的动 态电阻 rd 将____。 A、增大， B、减小，
VD ui V 1V R
C、保持不变
(2 分)[21]设某二极管在正向电流 ID＝10mA 时，其正向压降 UD＝0.6V。在 ID 保持不变的条件 下，当二极管的结温降低 20℃，UD 约为____。 A、0.55V， B、0.6V， C、0.65V， D、0.75V (2 分)[22]设某二极管在正向电流 ID＝10mA 时，其正向压降 UD＝0.6V。在 UD 保持不变的条 件下，当二极管的结温升高 10℃，ID 将____。 A、小于 10mA， B、大于 10mA， C、等于 10mA (6 分)[23]在如图所示的电路中， 已知二极管的反向击穿电压为 100V， 当 V=10V、 温度为 20℃ 时，I＝1μA 。 1．当 V 增大到 20V 时，则 I 约为____。 A、10μA ， B、2μA ， C、1μA ， D、0.5μA 2．当 V 保持 10V 不变，温度升高到 30℃， ，则 I 约为____。 A、10μA ， B、2μA ， C、1μA ， D、0.5μA 3．在实际使用中，该二极管的反向工作电压通常不应该超过____。 A、100V， B、50V， C、10V
(a)
(b)
(c )
(d)
(6 分)[28]额定功耗和最大集电极电流相近的两个晶体管组成如图所示的复合管。 1．复合管的额定功耗约等于 A、VT1 管的额定功耗 ， B、VT2 管的额定功耗， C、两管额定功耗之和， D、两管中额定功耗较大者， E、两管中额定功耗较小者。 2．复合管的反向击穿电压约等于 A、VT1 管的反向击穿电压， B、VT2 管的反向击穿电压， C、两管的击穿电压之和， D、两管中击穿电压较大者， E、两管中击穿电压较小者