刻蚀量跟踪实验报告

刻蚀量跟踪实验报告

一、实验目的

1、在保证完全刻通边缘PN结的情况下，降低刻蚀量，拓宽工艺窗口，便于工艺控制，

调试，便于更好的控制刻蚀后硅片外观，提高工艺可控的稳定性

2、可以适量降低单片化学品耗量。

二、实验原理

刻蚀段现阶段刻蚀量控制范围为0.08—0.1g，腐蚀深度为1.41---1.76um 通过跟踪刻蚀量在0.06—0.072g 范围内刻蚀效果和电性能结果，确定合适的刻蚀量选取3批片源为镇江环太，刻蚀量分别为0.072g、0.063g、0.065g，批号为20120410011B071、20120409011C093、20120409011C094，跟踪刻蚀效果及电性能情况三、实验数据

4、23#EL分析

选取所有批次23#EL图片分析

20120409011C094批次在4月10号晚班印刷有一片Trash，所有批次共有44片TRASH

EL报表发了30张图片，其中边缘漏电4片，占13.3%

20120409011C093、20120410011B071批次在4月11号白班印刷，全班共有32片TRASH 5片边缘漏电，占15.6%

5、TRASH原始数据

从数据来看，这几批次TRASH片漏电比例很大

四、实验结论

1、从数据及EL图片来看，在这种情况下，这几批次漏电造成TRASH比例较大，实验是

不成功的

2、鉴于目前RENA设备印刷段的不稳定，从4月7号配液以来，RENA1#第八道存在个别片子不沾液现象，而且现在扩散扩的是低方阻，扩散磷源较浓，所以这个实验暂时暂停，以后稳定后再尝试

3、由于我们现在刻蚀规定范围，在方便控制刻蚀量前提下，我觉得我们应该提高现有配方的各成分配比的浓度，以适应我们的刻蚀量的要求