高可靠厚膜混合集成电路工艺研究
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与一 般 无 源 元 件 端 头 焊 接 面 积 小 、 接 面 较 高 焊
求（ 见表 １ ， ） 进行了几种键合方式工艺可靠性对
比研究（ 说明： 一般芯片键合 区只适合 ｑ ５ ， ｂ ｐ ２ ｍ键 合丝键合 ， 次试验选取的键合 丝为 ｑ ５ ｎ金 本 ｂ ￣ ２ 丝或硅铝丝）几种工艺过程如下 ， ， 可靠性对 比见
件 与基 板 的焊 接 ， 艺过 程 中使 用助 焊剂 。 工 （） ２ 元件 共 晶工 艺 ： 于 两种 或 两 种 以上 金 对
Ｈ级混合 电路粘片工艺主要过程为， 无源元件 采用导电环氧粘片及绝缘环氧树脂侧面加 固工艺， 有源元件多芯片采用导 电环氧或绝缘环氧粘片工 艺。其主要特点是采用柔性有机环氧粘接工艺 ， 但
再流焊是较理想选择； 采用金 一 铝 一 金、 钯银键合
方 式实 现键合 互 连 ； 选用 真空／ 气氛炉加 压共 晶焊 实 现衬底 与 金 属外 壳 底 座粘 接 。试 验表 明 ， 用 采 新 的工艺 及流 程 ， 完全 满 足 亚宇 航 级 的指 标 要 可
求。 参考 文献
４ 结束 语
第 ０ 第ｌ ３卷 期
分 析及 结论 ： 常规再 流 焊 工 艺在 空 洞 率、 接 一 致 性、 焊
萋
３ １ 工艺流 程 ．
３ ５
适合 Ｋ 级常规混合电路的工艺流程如图 ８ １ 。
３ ２ 工艺流 程设计 考虑 ．
ＰＮ ＩＤ合格率方面都不及共晶焊 ， 因此 ， 选用真空／ 气氛炉加压法共晶焊工艺实现衬底与金属外壳底
Ｘ光射线检查 按 Ｇ Ｂ５ ８方法 ２ １ ，０ ％ 检查 ， Ｊ ４ ０ ２ １０ 有效 粘接 无 要求 面积不小于 ７ ％ ５
２ 关键 工 艺研 究
２ １ 元件焊 接 工艺 ．
（） １ 元件 再 流焊 工 艺 ： 要采 用 钢 网 印刷 焊 主
膏到成膜基板上 ， 放置元件后 ， 利用再流焊实现元
２ ２ 键 合 工艺 ．
（） 一 ３ 金 金键合 ： 采用金丝球键合方式 ， 实现 金丝 与金导带 、 引线柱金键合 区或裸 芯片金 外
Ｐ Ｄ 区互 连 ； Ａ
Ｈ级 电路键合 工艺 主要方式为 ， 采用金 一铝 键合方式实现金丝与芯片铝 Ｐ Ｄ区互连 ； Ａ 采用金
一
（） 一 ４ 铝 钯银键合 ： 采用硅铝丝楔形键合方 式， 实现硅铝丝与钯银导带键合区互连 ； （ ） 一铂银键合 ： ５铝 采用硅铝丝楔形键合方 式 ， 现硅 铝丝 与铂银 导带 键合 区互连 。 实
第３ ０卷第 １ 期 ２ １ 年 ３月 ０２
；
§
Ｖ Ｉ３ Ｎ ． ｏ． ０ ｏ１ Ｍ８ ． Ｏ ２ ｒ２ ｌ
Ｊ ＣＨＥＮＧＤＩ Ｉ ＡＮＬＵ ＯＮＧＸＵＮ Ｔ
高 可 靠 厚 膜 混 合 集 成 电 路 工 艺 研 究
李 波
（ 方通 用 电子集 团有 限公 司微 电子部 蚌埠 北 ２ ３４ ） ３０ ２
摘
要
根据亚宇航级（ １ ） Ｋ 级 的标准要 求， 进行 了元件焊接 、 键合、 衬底焊接等工艺研 究， 解决 了
多芯片真空 气氛炉共晶焊、 ／ 无源元件再流焊、 一 金 金键合、 一 铝 钯银键合 的高可靠性互连 ， 以及真空 气 ／
氛加压共晶焊的高可靠粘接的工艺难题 ， 形成 了先高温后低温的的工艺加工流程 ， 达到 了预期的 目的。
温 焊接 的原则 设计 工艺 流程 ， 计 如下 。 设
焊温度高于多芯片共 晶焊温度时， 多芯片共 晶则 应该在衬底共 晶后进行） ；
（ ） 芯 片共 晶 可 采 用 常 规 Ｓ９ Ａ ４ 熔 点 ２多 ｎ６ ｇ （
图８ Ｋ １级 混 合 电 路 常 规 工 艺 流 程
２０ ） Ａ ８Ｓ２ （ 点 ２０ ） ｕ８ ｅ２ ２ ℃ 、ｕ０ ｎ０ 熔 ８ ℃ 、Ａ ８ Ｇ １ （熔
工 艺进行 大 幅度 改进 ， 立 了新 的工 艺 方法 和工 建
点 ３６ ） Ａ ９ Ｓ （ 点 ３０Ｃ）预 制 焊 片 共 ５ ℃ 或 ｕ７ ｉ 熔 ３ ７￣
艺流程。多芯片焊接， 采用真空／ 气氛炉烧结法是
大 批量 生产 的首 要选 择 ； 源 元 件焊 接 采用 常规 无
晶， 但焊接前裸芯片应背 面金属化 （ 溅射多层金
扣 ■ 和 ＋ ＋ 叶叶
扣 和 ＋ 和 ＋ 和 和 扣 ＋ 扣 扣 和 扣 扣 扣 和 扣 和 扣 ■ ＋ ＋ 扣 ＋ 扣 扣 扣 叶 叶 叶 叶叶 叶
联 电 与 Ａ Ｍ 携 手并 进 ２ Ｒ ８纳 米 制程 时代
晶 圆代 工 大 厂 联 华 电子 （ ＭＣ。 下 简 称 联 电 ） 处 理 器 核 心 供 应 商 Ａ Ｍ 共 同 宣 布 。 发 已 签 订 长 Ｕ 以 与 Ｒ 双
破坏性拉 力失 效模式 均 未见脱 键 （ 典 必 须 通 过
键合可焊性较好
要求
满足 ３ ０ｇ ． ｆ
（ 丝键合金 Ｐ Ｄ） 金 Ａ 铝一 钯银键合
键合可焊性较好
要求 满足 ２ ５ ．ｄ
型图片略 ） １０ ，０ ％键合 丝能满 足 ２ ５ ＂ ０ ℃ 、 ４ ． ０ ３ ０ ２ ｈ 的标 准要求 的 高 温 贮 破坏性拉 力失 效模 式均 未见 脱键 （ 典 存考核
＼
粘接材料 键 合
Ｋ １ 级
Ｈ 涉的工 级 及关艺 到键
有机／ 聚合材料不限 元 件组装 工艺 、 衬底 与外 壳底座组装工艺 键合工艺 元件组装工 艺 、 衬底与 外 壳底座组装工艺
禁止在封装内部采用有机／ 聚合材料 禁止在芯片上采用不同金属材料 键合 （ 如果
必须用到金 一铝键 合 ， 须通 过 ３ ｏ 、４ 键 合方式不 限 必 ０℃ ２ｈ 的高温贮存考核）
金键合方式实现金导带键合 区、 外引线金键合
区或裸 芯片金 Ｐ Ｄ区与 金丝互 连 。根据 Ｋ 级 要 Ａ １
表 ３ 几种键合方式对 比
实 现键合难 度 键 合 方 式 ＼
筛选前 最小强皮 满足 ３ ０ｇ ． ｆ
筛选后最小强度 （ 选条件 ： 筛 高温贮存 ３ ０Ｃ、４ ） ０ ￣ ２ ｈ 破坏性拉 力失 效模 式均 为脱 键 （ 型 典 图片如 图 ４ ，ｏ 以上键 合 丝不能 满 ）６％
关 键词 Ｋ ｌ级 混合 集成 电路 元件 焊接 键合 衬 底焊接
１引言
Ｈ级军标质 量认 证生产线 ， 要达到“ 天专 航 项工程 用 电子 元器件 的要求 ” 规定 的亚 宇航级 艺方法 。
誓 票 鬣
需要对关键性工艺进行大幅度改进或建立新的工
表 Ｉ Ｈ级与 Ｋ ｌ级的关键 性不 同要 求
的标 准要求
分析及结论 ： （） １ 无论金丝键 合铝 Ｐ Ｄ还是铝 丝键合 金 Ａ Ｐ Ｄ或铝丝键合铂银 Ｐ Ｄ 筛选后最小键合强度 Ａ Ａ ，
不合格的原因， 一般认为在高温下键合界面产生了 金属间化合物（ Baidu Nhomakorabea铝 、 金铂化合物） 所致。金 一 铝、
铝一 铝一 金、 铂银键合均不能满足 Ｋ 级的要求。 ｌ
属 ）并 保证镀 层具 有足 够 的厚 度 ； ， （ ） 膜混 合 电 路 成 膜 基 板较 大 ， 选 择 上 ３厚 在 述 共 晶焊片 时 ， 尽量 选择 热膨胀 系数 较小 的焊 片 ， 避 免热应 力造 成基板 裂 纹或脱 落等 隐患 ； （） ４ 无源元 件再 流 焊 ， 一般 选 择 常规 、 熟 的 成 Ｓ６ Ｐ ３Ａ ２ 熔 点 １０℃） 流 焊工艺 。 ｎ ２ ｂ６ ｇ （ ８（ 再
来优质 的技术 与 支援 。
《 集成 电路通讯》 编辑部
摘
表 ３ 。
（） 一 １ 金 铝键合 ： 采用金丝球键合方式 ， 实现 金丝与铝 Ｐ Ｄ区（ Ａ 常规芯片键合区） 的金丝互连 ； （） 一 ２ 铝 金键合 ： 采用硅铝丝楔形键合方式 ，
实现 硅铝 丝与 与金导 带互连 ；
（ 基板与元件之间缝 隙大） 焊剂和气孔易排除有 ， 关， 因此 ， 无源元件焊接采用常规再流焊是较理想 选择。
聚合材料的要求， 只能进行金属共熔 焊接， 为 此， 进行了元件常规再流焊或焊片共晶焊工艺 研
与成膜基板焊接则称为元件共晶焊， 一般采用镊
子摩擦 共 晶焊法 和真空／ 气氛炉 烧 结法 。
究， 工艺过程原理如下， 其优缺点对比见表 ２ 。
第Ｏ 第 期 ３卷 １
萋 篆
瓣萋
３ ３
期 协 议 。 提 供 联 电客 户 使 用 经 联 电 ２ 将 ８纳 米 ＨＰ 制 程 验 证 的 Ａ Ｍ ＲＭＡｒ ｓｎ ｈ ｓｃ ｌ ｔ ａ Ｐ ｙ ｉａｌ ｉ Ｐ解 决 方 案 。
联 电 的 ２ 纳 米 ＨＰ 制 程 。 对 广 泛 的 应 用 产 品 ， 含 手 提 式 产 品 ， 是 手 机 与 无 线 产 品 等 。 及 高 ８ Ｍ 针 包 像 以 效 能 应 用 产 品 。 是 数 位 家庭 和 高 速 网 路 产 品 等 。 结 合 了两 家 公 司 的 优 势 ， 次 合 作 将 会 为 双 方 客 户 带 像 此
属构成的二元或多元合金 （ 通常是二元或三元 ） ， 其单种金属的熔点可能很高 ， 但不同金属按一定
比例配 比所形成合金 的熔点却可 以明显降低 ， 这 时的合金则 称为共 晶合 金， 惰性气 体保护下 在
（ 一般为高纯氮气 ） 利用共晶合 金片进行 的元件
根据 Ｋ 级混合 电路关于禁止在封装 内部采用有 １
（ 铝丝键合钯银 Ｐ Ｄ 键合可焊性较差 Ａ ）
铝一 铂银键合 （ 铝丝键合铂银 Ｐ Ｄ Ａ） 键合可焊性较好
要求
满足 ２ ５ ＂ ．０ 要求
型图片 如 图 ６ ，０ ％键 合 丝 能 满 足 ） １０
２ｏ ．ｄ的标准要求 破坏性拉 力失 效模 式均 为脱 键 （ 型 典 图片略 ） １０ ，０ ％键合丝 不能满 足 ２ ｏ ． ｄ
为满足航天专项工程用电子元器件亚宇航级
的要求 ， Ｈ级 军 标 生产 线 的基 础 上 ， 在 对关 键性
１ ［ Ｊｍｅ ＪＬｃｒＬｏａｄＲ Ｅ ｌ 美］ａ ｓ ．ｉａ ｅｎｒ ． ｎｏ ｉ ｗ著 ．
朱瑞廉 译． 混合微 电子 电路技 术手册 ［ ． Ｍ］ 电子
工业 出版社 ．０４ １ ２０ ．
足 ２５ ＂ ． ０ 的标 准要求
Ｋ １级主要 考核要求
金 一铝键合 （ 丝键合铝 Ｐ Ｄ） 金 Ａ 铝 一金键合 （ 铝丝键合金 Ｐ Ｄ） Ａ
金 一金键 合
键合可焊性较好
要求 满足 ２ ５ ｆ ． ｇ
破坏性拉 力失 效模 式均 为脱 键 （ 型 典 图片如 图 ５ ，０ 以上键 合丝 不能 满 ） １％ 足 ２ｏ ． ｄ的标准要求 键 合 强 度
（） ２ 无源元件再流焊试验表明 ， 尺寸不 同、 品 种繁多的无源元件共晶时很难实现理想焊接 ， 且 国内外均采用常规锡焊工艺 ， 未见过共晶焊接的 报道， 而采用传统锡焊焊接后 ， 虽然 ｘ光无法穿 透很多元件 （ 如对常用多层陶瓷 电容） 检测 空洞 率， 但通过机械方法分立焊接元件和焊接面， 在体 式显微镜下检测其无明显空洞 ， 焊接效果明显 ， 这
座 粘接 。
（ ） 艺 流 程按 照先 高 温后 低 温 的原 则 ， １工 一 般 涉及 三个 温度梯 度 ， 即多芯 片共 晶到衬底 共 晶 ， 再 到无 源 元 件再 流 焊 （ 上述 流 程 中 ， 当衬 底 共 晶
３ 工 艺流程 设 计
根据关键工艺研究的成果 ， 结合先高温后低
求（ 见表 １ ， ） 进行了几种键合方式工艺可靠性对
比研究（ 说明： 一般芯片键合 区只适合 ｑ ５ ， ｂ ｐ ２ ｍ键 合丝键合 ， 次试验选取的键合 丝为 ｑ ５ ｎ金 本 ｂ ￣ ２ 丝或硅铝丝）几种工艺过程如下 ， ， 可靠性对 比见
件 与基 板 的焊 接 ， 艺过 程 中使 用助 焊剂 。 工 （） ２ 元件 共 晶工 艺 ： 于 两种 或 两 种 以上 金 对
Ｈ级混合 电路粘片工艺主要过程为， 无源元件 采用导电环氧粘片及绝缘环氧树脂侧面加 固工艺， 有源元件多芯片采用导 电环氧或绝缘环氧粘片工 艺。其主要特点是采用柔性有机环氧粘接工艺 ， 但
再流焊是较理想选择； 采用金 一 铝 一 金、 钯银键合
方 式实 现键合 互 连 ； 选用 真空／ 气氛炉加 压共 晶焊 实 现衬底 与 金 属外 壳 底 座粘 接 。试 验表 明 ， 用 采 新 的工艺 及流 程 ， 完全 满 足 亚宇 航 级 的指 标 要 可
求。 参考 文献
４ 结束 语
第 ０ 第ｌ ３卷 期
分 析及 结论 ： 常规再 流 焊 工 艺在 空 洞 率、 接 一 致 性、 焊
萋
３ １ 工艺流 程 ．
３ ５
适合 Ｋ 级常规混合电路的工艺流程如图 ８ １ 。
３ ２ 工艺流 程设计 考虑 ．
ＰＮ ＩＤ合格率方面都不及共晶焊 ， 因此 ， 选用真空／ 气氛炉加压法共晶焊工艺实现衬底与金属外壳底
Ｘ光射线检查 按 Ｇ Ｂ５ ８方法 ２ １ ，０ ％ 检查 ， Ｊ ４ ０ ２ １０ 有效 粘接 无 要求 面积不小于 ７ ％ ５
２ 关键 工 艺研 究
２ １ 元件焊 接 工艺 ．
（） １ 元件 再 流焊 工 艺 ： 要采 用 钢 网 印刷 焊 主
膏到成膜基板上 ， 放置元件后 ， 利用再流焊实现元
２ ２ 键 合 工艺 ．
（） 一 ３ 金 金键合 ： 采用金丝球键合方式 ， 实现 金丝 与金导带 、 引线柱金键合 区或裸 芯片金 外
Ｐ Ｄ 区互 连 ； Ａ
Ｈ级 电路键合 工艺 主要方式为 ， 采用金 一铝 键合方式实现金丝与芯片铝 Ｐ Ｄ区互连 ； Ａ 采用金
一
（） 一 ４ 铝 钯银键合 ： 采用硅铝丝楔形键合方 式， 实现硅铝丝与钯银导带键合区互连 ； （ ） 一铂银键合 ： ５铝 采用硅铝丝楔形键合方 式 ， 现硅 铝丝 与铂银 导带 键合 区互连 。 实
第３ ０卷第 １ 期 ２ １ 年 ３月 ０２
；
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Ｖ Ｉ３ Ｎ ． ｏ． ０ ｏ１ Ｍ８ ． Ｏ ２ ｒ２ ｌ
Ｊ ＣＨＥＮＧＤＩ Ｉ ＡＮＬＵ ＯＮＧＸＵＮ Ｔ
高 可 靠 厚 膜 混 合 集 成 电 路 工 艺 研 究
李 波
（ 方通 用 电子集 团有 限公 司微 电子部 蚌埠 北 ２ ３４ ） ３０ ２
摘
要
根据亚宇航级（ １ ） Ｋ 级 的标准要 求， 进行 了元件焊接 、 键合、 衬底焊接等工艺研 究， 解决 了
多芯片真空 气氛炉共晶焊、 ／ 无源元件再流焊、 一 金 金键合、 一 铝 钯银键合 的高可靠性互连 ， 以及真空 气 ／
氛加压共晶焊的高可靠粘接的工艺难题 ， 形成 了先高温后低温的的工艺加工流程 ， 达到 了预期的 目的。
温 焊接 的原则 设计 工艺 流程 ， 计 如下 。 设
焊温度高于多芯片共 晶焊温度时， 多芯片共 晶则 应该在衬底共 晶后进行） ；
（ ） 芯 片共 晶 可 采 用 常 规 Ｓ９ Ａ ４ 熔 点 ２多 ｎ６ ｇ （
图８ Ｋ １级 混 合 电 路 常 规 工 艺 流 程
２０ ） Ａ ８Ｓ２ （ 点 ２０ ） ｕ８ ｅ２ ２ ℃ 、ｕ０ ｎ０ 熔 ８ ℃ 、Ａ ８ Ｇ １ （熔
工 艺进行 大 幅度 改进 ， 立 了新 的工 艺 方法 和工 建
点 ３６ ） Ａ ９ Ｓ （ 点 ３０Ｃ）预 制 焊 片 共 ５ ℃ 或 ｕ７ ｉ 熔 ３ ７￣
艺流程。多芯片焊接， 采用真空／ 气氛炉烧结法是
大 批量 生产 的首 要选 择 ； 源 元 件焊 接 采用 常规 无
晶， 但焊接前裸芯片应背 面金属化 （ 溅射多层金
扣 ■ 和 ＋ ＋ 叶叶
扣 和 ＋ 和 ＋ 和 和 扣 ＋ 扣 扣 和 扣 扣 扣 和 扣 和 扣 ■ ＋ ＋ 扣 ＋ 扣 扣 扣 叶 叶 叶 叶叶 叶
联 电 与 Ａ Ｍ 携 手并 进 ２ Ｒ ８纳 米 制程 时代
晶 圆代 工 大 厂 联 华 电子 （ ＭＣ。 下 简 称 联 电 ） 处 理 器 核 心 供 应 商 Ａ Ｍ 共 同 宣 布 。 发 已 签 订 长 Ｕ 以 与 Ｒ 双
破坏性拉 力失 效模式 均 未见脱 键 （ 典 必 须 通 过
键合可焊性较好
要求
满足 ３ ０ｇ ． ｆ
（ 丝键合金 Ｐ Ｄ） 金 Ａ 铝一 钯银键合
键合可焊性较好
要求 满足 ２ ５ ．ｄ
型图片略 ） １０ ，０ ％键合 丝能满 足 ２ ５ ＂ ０ ℃ 、 ４ ． ０ ３ ０ ２ ｈ 的标 准要求 的 高 温 贮 破坏性拉 力失 效模 式均 未见 脱键 （ 典 存考核
＼
粘接材料 键 合
Ｋ １ 级
Ｈ 涉的工 级 及关艺 到键
有机／ 聚合材料不限 元 件组装 工艺 、 衬底 与外 壳底座组装工艺 键合工艺 元件组装工 艺 、 衬底与 外 壳底座组装工艺
禁止在封装内部采用有机／ 聚合材料 禁止在芯片上采用不同金属材料 键合 （ 如果
必须用到金 一铝键 合 ， 须通 过 ３ ｏ 、４ 键 合方式不 限 必 ０℃ ２ｈ 的高温贮存考核）
金键合方式实现金导带键合 区、 外引线金键合
区或裸 芯片金 Ｐ Ｄ区与 金丝互 连 。根据 Ｋ 级 要 Ａ １
表 ３ 几种键合方式对 比
实 现键合难 度 键 合 方 式 ＼
筛选前 最小强皮 满足 ３ ０ｇ ． ｆ
筛选后最小强度 （ 选条件 ： 筛 高温贮存 ３ ０Ｃ、４ ） ０ ￣ ２ ｈ 破坏性拉 力失 效模 式均 为脱 键 （ 型 典 图片如 图 ４ ，ｏ 以上键 合 丝不能 满 ）６％
关 键词 Ｋ ｌ级 混合 集成 电路 元件 焊接 键合 衬 底焊接
１引言
Ｈ级军标质 量认 证生产线 ， 要达到“ 天专 航 项工程 用 电子 元器件 的要求 ” 规定 的亚 宇航级 艺方法 。
誓 票 鬣
需要对关键性工艺进行大幅度改进或建立新的工
表 Ｉ Ｈ级与 Ｋ ｌ级的关键 性不 同要 求
的标 准要求
分析及结论 ： （） １ 无论金丝键 合铝 Ｐ Ｄ还是铝 丝键合 金 Ａ Ｐ Ｄ或铝丝键合铂银 Ｐ Ｄ 筛选后最小键合强度 Ａ Ａ ，
不合格的原因， 一般认为在高温下键合界面产生了 金属间化合物（ Baidu Nhomakorabea铝 、 金铂化合物） 所致。金 一 铝、
铝一 铝一 金、 铂银键合均不能满足 Ｋ 级的要求。 ｌ
属 ）并 保证镀 层具 有足 够 的厚 度 ； ， （ ） 膜混 合 电 路 成 膜 基 板较 大 ， 选 择 上 ３厚 在 述 共 晶焊片 时 ， 尽量 选择 热膨胀 系数 较小 的焊 片 ， 避 免热应 力造 成基板 裂 纹或脱 落等 隐患 ； （） ４ 无源元 件再 流 焊 ， 一般 选 择 常规 、 熟 的 成 Ｓ６ Ｐ ３Ａ ２ 熔 点 １０℃） 流 焊工艺 。 ｎ ２ ｂ６ ｇ （ ８（ 再
来优质 的技术 与 支援 。
《 集成 电路通讯》 编辑部
摘
表 ３ 。
（） 一 １ 金 铝键合 ： 采用金丝球键合方式 ， 实现 金丝与铝 Ｐ Ｄ区（ Ａ 常规芯片键合区） 的金丝互连 ； （） 一 ２ 铝 金键合 ： 采用硅铝丝楔形键合方式 ，
实现 硅铝 丝与 与金导 带互连 ；
（ 基板与元件之间缝 隙大） 焊剂和气孔易排除有 ， 关， 因此 ， 无源元件焊接采用常规再流焊是较理想 选择。
聚合材料的要求， 只能进行金属共熔 焊接， 为 此， 进行了元件常规再流焊或焊片共晶焊工艺 研
与成膜基板焊接则称为元件共晶焊， 一般采用镊
子摩擦 共 晶焊法 和真空／ 气氛炉 烧 结法 。
究， 工艺过程原理如下， 其优缺点对比见表 ２ 。
第Ｏ 第 期 ３卷 １
萋 篆
瓣萋
３ ３
期 协 议 。 提 供 联 电客 户 使 用 经 联 电 ２ 将 ８纳 米 ＨＰ 制 程 验 证 的 Ａ Ｍ ＲＭＡｒ ｓｎ ｈ ｓｃ ｌ ｔ ａ Ｐ ｙ ｉａｌ ｉ Ｐ解 决 方 案 。
联 电 的 ２ 纳 米 ＨＰ 制 程 。 对 广 泛 的 应 用 产 品 ， 含 手 提 式 产 品 ， 是 手 机 与 无 线 产 品 等 。 及 高 ８ Ｍ 针 包 像 以 效 能 应 用 产 品 。 是 数 位 家庭 和 高 速 网 路 产 品 等 。 结 合 了两 家 公 司 的 优 势 ， 次 合 作 将 会 为 双 方 客 户 带 像 此
属构成的二元或多元合金 （ 通常是二元或三元 ） ， 其单种金属的熔点可能很高 ， 但不同金属按一定
比例配 比所形成合金 的熔点却可 以明显降低 ， 这 时的合金则 称为共 晶合 金， 惰性气 体保护下 在
（ 一般为高纯氮气 ） 利用共晶合 金片进行 的元件
根据 Ｋ 级混合 电路关于禁止在封装 内部采用有 １
（ 铝丝键合钯银 Ｐ Ｄ 键合可焊性较差 Ａ ）
铝一 铂银键合 （ 铝丝键合铂银 Ｐ Ｄ Ａ） 键合可焊性较好
要求
满足 ２ ５ ＂ ．０ 要求
型图片 如 图 ６ ，０ ％键 合 丝 能 满 足 ） １０
２ｏ ．ｄ的标准要求 破坏性拉 力失 效模 式均 为脱 键 （ 型 典 图片略 ） １０ ，０ ％键合丝 不能满 足 ２ ｏ ． ｄ
为满足航天专项工程用电子元器件亚宇航级
的要求 ， Ｈ级 军 标 生产 线 的基 础 上 ， 在 对关 键性
１ ［ Ｊｍｅ ＪＬｃｒＬｏａｄＲ Ｅ ｌ 美］ａ ｓ ．ｉａ ｅｎｒ ． ｎｏ ｉ ｗ著 ．
朱瑞廉 译． 混合微 电子 电路技 术手册 ［ ． Ｍ］ 电子
工业 出版社 ．０４ １ ２０ ．
足 ２５ ＂ ． ０ 的标 准要求
Ｋ １级主要 考核要求
金 一铝键合 （ 丝键合铝 Ｐ Ｄ） 金 Ａ 铝 一金键合 （ 铝丝键合金 Ｐ Ｄ） Ａ
金 一金键 合
键合可焊性较好
要求 满足 ２ ５ ｆ ． ｇ
破坏性拉 力失 效模 式均 为脱 键 （ 型 典 图片如 图 ５ ，０ 以上键 合丝 不能 满 ） １％ 足 ２ｏ ． ｄ的标准要求 键 合 强 度
（） ２ 无源元件再流焊试验表明 ， 尺寸不 同、 品 种繁多的无源元件共晶时很难实现理想焊接 ， 且 国内外均采用常规锡焊工艺 ， 未见过共晶焊接的 报道， 而采用传统锡焊焊接后 ， 虽然 ｘ光无法穿 透很多元件 （ 如对常用多层陶瓷 电容） 检测 空洞 率， 但通过机械方法分立焊接元件和焊接面， 在体 式显微镜下检测其无明显空洞 ， 焊接效果明显 ， 这
座 粘接 。
（ ） 艺 流 程按 照先 高 温后 低 温 的原 则 ， １工 一 般 涉及 三个 温度梯 度 ， 即多芯 片共 晶到衬底 共 晶 ， 再 到无 源 元 件再 流 焊 （ 上述 流 程 中 ， 当衬 底 共 晶
３ 工 艺流程 设 计
根据关键工艺研究的成果 ， 结合先高温后低