半导体二极管(课件)
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二极管——课件
通过二极管的标注判别
通过二极管的电极特征判别 通过二极管电极管键判别
图示
正极
说明 螺栓端为正极
正极 正极
正极
在元件表面标注 有二极管符号
有色环端为负极 另一端为正极
长管脚为正极 短管脚为负极
有一块比电极稍宽的管键
正极
为正极,另一端为负极
二极管的单向导电性
图a电路中灯泡发光,说明二极管加正向电压(正偏)时 导通;图b电路中灯泡不亮,说明二极管加反向电压(反偏) 时截止,这就是二极管的单向导电性。
2.二极管保护电路
二极管导通时的电流方向是从二极管的阳极至阴极。
二极管加正向电压
二极管加反向电压
二极管单向导电实验电路
二极管导通后的正向压降几乎不随流过的电流的大小而 变化,硅管的正向压降约为0.7V,锗管约为0.3V。
二极管反向截止时,仍有很小的反向电流。在一定范 围内,即使反向电压增大,反向电流基本保持不变,所以又 称为反向饱和电流。
§7-1 二极管
一、二极管的单相导电性
半导体二极管简称二极管,是电子电路中最基本的半导体 器件。二极管都有两个引出极,一个称为正极,另一个称为 负极。二极管的图形符号如图所示,文字符号为“V”或 “VD”。
玻璃封装
塑料封装
金属封装
二极管的外形
发光二极管
二极管的图形符号
几种常见二极管的正、负极
判别方法 通过二极管的造型判别
三、二极管的简单检测
根据二极管正向电阻小、反向电阻大的特性,可用 万用表的电阻挡大致判断出二极管的极性和好坏。将万 用表置于R×100或R×1k电阻挡,并将两表笔短接调零。
用万用表检测二极管
测正向电阻
测反向电阻
通过二极管的电极特征判别 通过二极管电极管键判别
图示
正极
说明 螺栓端为正极
正极 正极
正极
在元件表面标注 有二极管符号
有色环端为负极 另一端为正极
长管脚为正极 短管脚为负极
有一块比电极稍宽的管键
正极
为正极,另一端为负极
二极管的单向导电性
图a电路中灯泡发光,说明二极管加正向电压(正偏)时 导通;图b电路中灯泡不亮,说明二极管加反向电压(反偏) 时截止,这就是二极管的单向导电性。
2.二极管保护电路
二极管导通时的电流方向是从二极管的阳极至阴极。
二极管加正向电压
二极管加反向电压
二极管单向导电实验电路
二极管导通后的正向压降几乎不随流过的电流的大小而 变化,硅管的正向压降约为0.7V,锗管约为0.3V。
二极管反向截止时,仍有很小的反向电流。在一定范 围内,即使反向电压增大,反向电流基本保持不变,所以又 称为反向饱和电流。
§7-1 二极管
一、二极管的单相导电性
半导体二极管简称二极管,是电子电路中最基本的半导体 器件。二极管都有两个引出极,一个称为正极,另一个称为 负极。二极管的图形符号如图所示,文字符号为“V”或 “VD”。
玻璃封装
塑料封装
金属封装
二极管的外形
发光二极管
二极管的图形符号
几种常见二极管的正、负极
判别方法 通过二极管的造型判别
三、二极管的简单检测
根据二极管正向电阻小、反向电阻大的特性,可用 万用表的电阻挡大致判断出二极管的极性和好坏。将万 用表置于R×100或R×1k电阻挡,并将两表笔短接调零。
用万用表检测二极管
测正向电阻
测反向电阻
《二极管工作原理》课件
检波电路
检波电路
利用二极管的导通和截止特性,从调频信号 中提取出调制信号。
检波过程
利用二极管将调频信号的负半周通过负载, 正半周被截止,从而得到调制信号。
调频信号
通过改变载波的频率来传递信息。
调制信号
包含信息的信号,可以是音频、视频或数据 信号。
开关电路
开关电路
利用二极管的单向导电 性,实现电路的通断控
STEP 03
反向结构中,PN结的电 阻较大,因此电流较小。
当反向电压施加在二极管 上时,电流无法通过PN 结,因此二极管处于截止 状态。
PN结
PN结是二极管的核心部分,由P型半导体和N型半导 体相接触形成。
在PN结中,存在一个由N型半导体指向P型半导体的 电场,该电场可以阻止多数载流子的运动。
当正向电压施加在PN结上时,多数载流子会克服电场 阻力而流动,形成电流。当反向电压施加时,多数载
流子被阻止流动,电流无法形成。
Part
03
二极管的工作原理
正向导通
正向导通是指当二极管两端加上正向电压时,二极管正向导通,电流可以通过二极 管。
正向导通的原因是二极管内部的PN结在正向电压作用下变薄,使得电子和空穴能够 更容易地通过,形成电流。
正向导通时,二极管的电阻很小,因此电流较大。
反向截止
反向电流限制
应控制二极管的反向电流在规定范围 内,以防止过热或性能退化。
工作温度
二极管的工作温度应保持在规定范围 内,避免过高或过低的温度影响其性 能和可靠性。
焊接与安装
在焊接和安装二极管时,应遵循正确 的工艺要求,避免过热或机械应力造 成损坏。
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半导体二极管和三极管 PPT课件
Si
Si
空穴
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
P型半导体的形成过程动画演示
1.1.3 PN结的形成及特性
1. PN结的形成 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气
体、液体、固体均有扩散运动。
1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成
浓度差
多子扩散运动 动
空间电荷区
态
内电场
1.1.3 PN结的形成及特性
2. PN结的单向导电性
(3)PN结的i−u特性
uD
iD IS (enUT 1)
反向偏 置特性
iD/mA 1.0
0.5
正向偏 置特性
其中
iD = -IS
-1.0 -0.5
0.5 1.0 uD/V
IS ——反向饱和电流
PN结单向导电性的I−U特性曲线
n——发射系数,其值1-2。
平
衡
少子漂移运动
PN结:空间电荷区、耗尽层
电子扩散
N ++ + + +
++++
- - -----
P
++++ - - - -
++++ - - - -
空穴扩散
空间电 荷区
++++ -- - ++++ -- - ++++ -- - ++++ -- - -
内电场
1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成
Si
半导体二极管课件整流
一般可近似认为多数载流子的数量与掺入杂质的浓 度是相等的。
掺入杂质后,虽然形成了N型或P型半导体,但整个 半导体晶体仍然呈电中性。
15 2019/11/25
7.1 半导体基础知识
作者:符庆
5. PN结及其单向导电性
在一块纯净的半导体中,通过特殊工艺,使它的一边成为
P型半导体,另一边成为N型半导体,则两种半导体的交 界面上就形成了一个具有特殊性能的薄层——PN结。
U (V )
2019/11/25
2下7 页
作者:符庆
7.1.3 特殊二极管及其作用
1.稳压二极管(稳压管)
符号:
PN结的反向击穿特性
主要参数:
① 稳压值UZ
UZ
② 稳定电流 IZ 通常为10mA左右
③
动态电阻rZ=
∆UZ ∆IZ
十几Ω~几十Ω,越小越好
④ 最大耗散功率 PZm
PZm=UZIZmax
2019/11/25
开 始 第 一 回 退 前 进 最 后 返 回 帮 助 退3下9 页出
第7章 常用半导体器件
7.1.4 二极管整流电路 二、桥式全波整流电路
作者:符庆
输出电压:UO= 0.9U2
每个整流管在截止期间所加的
最大反向电压为u2的峰值:
UDRM =U2M UDR 2U2
2019/11/25
ID
1 2
IO
整流——将交流电变为脉动直流电
4下0 页
第7章 常用半导体器件
7.1.4 二极管整流电路
二、桥式全波整流电路 UO= 0.9U2
作者:符庆
2019/11/25
4下1 页
第7章 常用半导体器件
7.1.4 二极管整流电路 二、桥式全波整流电路
掺入杂质后,虽然形成了N型或P型半导体,但整个 半导体晶体仍然呈电中性。
15 2019/11/25
7.1 半导体基础知识
作者:符庆
5. PN结及其单向导电性
在一块纯净的半导体中,通过特殊工艺,使它的一边成为
P型半导体,另一边成为N型半导体,则两种半导体的交 界面上就形成了一个具有特殊性能的薄层——PN结。
U (V )
2019/11/25
2下7 页
作者:符庆
7.1.3 特殊二极管及其作用
1.稳压二极管(稳压管)
符号:
PN结的反向击穿特性
主要参数:
① 稳压值UZ
UZ
② 稳定电流 IZ 通常为10mA左右
③
动态电阻rZ=
∆UZ ∆IZ
十几Ω~几十Ω,越小越好
④ 最大耗散功率 PZm
PZm=UZIZmax
2019/11/25
开 始 第 一 回 退 前 进 最 后 返 回 帮 助 退3下9 页出
第7章 常用半导体器件
7.1.4 二极管整流电路 二、桥式全波整流电路
作者:符庆
输出电压:UO= 0.9U2
每个整流管在截止期间所加的
最大反向电压为u2的峰值:
UDRM =U2M UDR 2U2
2019/11/25
ID
1 2
IO
整流——将交流电变为脉动直流电
4下0 页
第7章 常用半导体器件
7.1.4 二极管整流电路
二、桥式全波整流电路 UO= 0.9U2
作者:符庆
2019/11/25
4下1 页
第7章 常用半导体器件
7.1.4 二极管整流电路 二、桥式全波整流电路
电路课件第4章半导体二极管、三极管和场效应管
备的输出。
Part
04
场效应管
场效应管的结构与工作原理
结构
场效应管主要由源极、栅极和漏极三个电极组成,其中源极和漏极通常由N型或P型半导 体材料制成,而栅极则由绝缘材料制成。
工作原理
场效应管通过在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的电流,从而实现放大或开关功 能。
场效应管的类型与特性
类型
场效应管有多种类型,如NMOS、PMOS、CMOS等,每种类型具有不同的特性 和应用场景。
三极管的类型与特性
类型
根据材料和结构,三极管可分为 NPN、PNP和硅平面管等类型。
温度特性
三极管的工作受温度影响较大, 温度升高会导致三极管的性能下 降。
特性
不同类型三极管具有不同的特性, 如电流放大倍数、频率响应、功 耗等。
参数
三极管的主要参数包括电流放大 倍数、频率响应、功耗等,这些 参数决定了三极管的应用范围。
特性
场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大等特性,使其在模拟电路和数字 电路中都有广泛的应用。
场效应管的应用
01
02
03
放大器
场效应管可作为放大器使 用,用于放大微弱信号。
开关电路
由于场效应管具有开关特 性,因此可用于开关电路 中实现高速切换。
集成电路
在现代集成电路中,场效 应管已成为主要的元件之 一,用于实现各种逻辑功 能和信号处理。
二极管的类型与特性
类型
硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、PIN二极管等。
特性
正向导通压降、反向击穿电压、温度系数等。
二极管的应用
整流
将交流电转换为直流电,如家用 电器中的电源整流器。
稳压
通过串联或并联方式稳定电路中 的电压,如稳压二极管。
Part
04
场效应管
场效应管的结构与工作原理
结构
场效应管主要由源极、栅极和漏极三个电极组成,其中源极和漏极通常由N型或P型半导 体材料制成,而栅极则由绝缘材料制成。
工作原理
场效应管通过在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的电流,从而实现放大或开关功 能。
场效应管的类型与特性
类型
场效应管有多种类型,如NMOS、PMOS、CMOS等,每种类型具有不同的特性 和应用场景。
三极管的类型与特性
类型
根据材料和结构,三极管可分为 NPN、PNP和硅平面管等类型。
温度特性
三极管的工作受温度影响较大, 温度升高会导致三极管的性能下 降。
特性
不同类型三极管具有不同的特性, 如电流放大倍数、频率响应、功 耗等。
参数
三极管的主要参数包括电流放大 倍数、频率响应、功耗等,这些 参数决定了三极管的应用范围。
特性
场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大等特性,使其在模拟电路和数字 电路中都有广泛的应用。
场效应管的应用
01
02
03
放大器
场效应管可作为放大器使 用,用于放大微弱信号。
开关电路
由于场效应管具有开关特 性,因此可用于开关电路 中实现高速切换。
集成电路
在现代集成电路中,场效 应管已成为主要的元件之 一,用于实现各种逻辑功 能和信号处理。
二极管的类型与特性
类型
硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、PIN二极管等。
特性
正向导通压降、反向击穿电压、温度系数等。
二极管的应用
整流
将交流电转换为直流电,如家用 电器中的电源整流器。
稳压
通过串联或并联方式稳定电路中 的电压,如稳压二极管。
第一章二极管-PPT课件
本征半导体:
四价元素
外层四个电子
原子实或惯性核 为原子核和内层电子组成
价电子为相邻两原子所共有
3.本征激发:
本征激发 电子空穴 成对产生
自由电子(带负电-e)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
4.载流子 :自由 +4 运动的带电粒子:
电子带负电: +4 -e=-1.6×10-19c,
空穴带正电:
e=1.6×10-19c.
锗管UD(on)=0.2V。
(2)反向特性: 二极管两端加上反向 电压时,反向饱和电流IS很小(室温下, 小功率硅管的反向饱和电流IS小于0.1μA。 (3)反向击穿特性 二极管两端反向电压 超过U(BR)时,反向电流IR随反向电压的增大 而急剧增大, U(BR) 称为反向击穿电压。
(5)齐纳击穿:由高浓度掺杂材料制成的PN结中耗尽区宽度很窄,即使反向电
压不高也容易在很窄的耗尽区中形成很强的电场,将价电子直接从共价键中拉出 来产生电子-空穴对,致使反向电流急剧增加,这种击穿称为齐纳击穿。
§1 .2 二极管的特性及主要参数 一、 半导体二极管的结构和类型
构成:PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号:阳极(正极) 阴极(负极) 分类: 1.根据材料 硅二极管、锗二极管 2.根据结构 点接触型、面接触型、平面型 1.二极管的结构和符号
空穴(带正电+e)
5.复 合: 自由电子和空穴在运动 中相遇重新结合成对消 失的过程。 电子电流:IN
空穴电流:IP 共有电子 递补运动
+4
+4
半导体二极管及其应用课件
在同一片半导体基片上,分别制造P 型半导体和N 型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN 结。
*
P型半导体
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
N型半导体
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
扩散运动
内电场E
漂移运动
扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。
内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。
RL
ui
uo
ui
uo
t
t
二极管的应用举例 二极管半波整流
§2.4 稳压二极管
U
I
IZ
IZmax
UZ
IZ
稳压误差
曲线越陡,电压越稳定。
+
-
UZ
动态电阻:
rz越小,稳压性能越好
*
(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。
(5)最大允许功耗
稳压二极管的参数:
(1)稳定电压 UZ
*
扩散电容示意图
当外加正向电压 不同时,扩散电流即 外电路电流的大小也 就不同。所以PN结两 侧堆积的多子的浓度 梯度分布也不同,这 就相当电容的充放电 过程。
*
P型半导体
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
N型半导体
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
扩散运动
内电场E
漂移运动
扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。
内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。
RL
ui
uo
ui
uo
t
t
二极管的应用举例 二极管半波整流
§2.4 稳压二极管
U
I
IZ
IZmax
UZ
IZ
稳压误差
曲线越陡,电压越稳定。
+
-
UZ
动态电阻:
rz越小,稳压性能越好
*
(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。
(5)最大允许功耗
稳压二极管的参数:
(1)稳定电压 UZ
*
扩散电容示意图
当外加正向电压 不同时,扩散电流即 外电路电流的大小也 就不同。所以PN结两 侧堆积的多子的浓度 梯度分布也不同,这 就相当电容的充放电 过程。
半导体二极管及其应用_PPT课件
5.1.2 本征半导体
1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3
2 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
本征半导体中虽然存在两种载流子,但因本征载流子
的浓度很低,所以总的来说导电能力很差。
本征半导体的载流子浓度,除与半导体材料本身的性质 有关以外,还与温度密切相关,而且随着温度的升高, 基本上按指数规律增加。
5.1 半导体的基础知识 5.2 半导体二极管 5.3 单相整流滤波电路 5.4 稳压二极管及其稳压电路
5.1 半导体的基本知识
5.1.1 半导体材料
5.1.2 本征半导体 5.1.3 杂质半导体 5.1.4 PN结的形成及特性
半导体的导电机制
5.1.1 半导体材料
根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
3. PN结的其他特性
阳极 a
k 阴极
(d) 代表符号
其中
r——二极管等效电阻
当ω→∞, C的阻抗= 0;
C ——二极管等效电容,PF 级,非常小。
C的阻抗=1/(ωC) 可见,频率ω越高, C的阻抗越小;
结果,影响到二极管的状态;
3. PN结的其他特性
3. 温度特性
当环境温度升高时,少数载流子的数目增多, 反向饱和电流随之增大。
1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3
2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。
半导体二极管ppt课件
快 恢 复 二 极 管
形形色色的二极管
肖 特 基 二 极 管
二极管的封装 资金是运动的价值,资金的价值是随时间变化而变化的,是时间的函数,随时间的推移而增值,其增值的这部分资金就是原有资金的时间价值
用于电视机、收音机、电源装置等电子产品中
的各种不同外形的二极管如下图所示。二极管
通常用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,
五、二极管的检测 资金是运动的价值,资金的价值是随时间变化而变化的,是时间的函数,随时间的推移而增值,其增值的这部分资金就是原有资金的时间价值
用万用表检测普通二极管的好坏 测试图如图所示
1、万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时,万用表的黑表
笔接二极管的正极,红表笔接二极管的负极。
2、万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时,万用表的红表
稳压管在电路中主要 功能是起稳压作用。
击穿 特性
稳压管的伏安特性曲线
正向 特性
资金是运动的价值,资金的价值是随 时间变 化而变 化的, 是时间 的函数 ,随时 间的推 移而增 值,其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
形形色色的二极管
高频二极管
阻尼二极管
金属封装整流二极管
资金是运动的价值,资金的价值是随 时间变 化而变 化的, 是时间 的函数 ,随时 间的推 移而增 值,其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
发光二极管
形形色色的二极管
资金是运动的价值,资金的价值是随 时间变 化而变 化的, 是时间 的函数 ,随时 间的推 移而增 值,其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
高,主要用于信号检测、取样、小电流整流等
整流二极管(2CZ、2DZ等系列)的IFM较大,fM很
二极管PPT课件
二极管的单向导电性
综上所述,二极管加正向电压大 于死区电压时才会导通,加反向电压 时管子处于截止状态,这一特性称为 二极管的单向导电性。
第13页/共21页
[例1.1] 图1-3所示电路中,当开关S闭合后,H1、H2两个指 示解 :灯 ,由哪电 路一图个可可知能,发开光关 S?闭 合 后 , 只 有 二 极 管 V 1 正 极 电 位 高 于 负 极 电 位 ,
(b)面接触型
结面积大、正向电流大、结 电容大,用于大电流整流电路。
金属触丝 N型锗片
阳极引线
阴极引线
( a ) 点接触型 外壳
铝合金小球 阳极引线
N型硅
PN结 金锑合金
底座
阴极引线 ( b ) 面接触型
第8页/共21页
(c) 平面型
用于集成电路制作工艺中。 PN结结面积可大可小,用于高频整 流和开关电路中。
1、半导体的特点:
(1)半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 。 (2)半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。 (3)在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强 。
半导体中两种携带电荷粒子: (1)空穴(带正电荷) (2)自由电子(带负电荷)
载流子
第1页/共21页
2、P型半导体和N型半导体
即处于正向导通状态,所以H1指示灯发光。
图1-3 [例1.1]电路图
第14页/共21页
4. 晶体二极管的主要参数
(1)最大整流电流IFM
指管子长期运行时,允许通过的最大直流电流。
(2)反向击穿电压UBR
指管子反向击穿时的电压值。
(3)最高反向工作电压URM
二极管正常工作时允许承受的最高反向电压 (约为UBR的一半)。
电子课件电子技术基础第六版第一章半导体二极管
当反向电压增加到反向击穿电压 UBR 时,反向电流会急 剧增大,这种现象称为“反向击穿”。反向击穿会破坏二极管 的单向导电性,如果没有限流措施,二极管很可能因电流过 大而损坏。
无论硅管还是锗管,即使工作在最大允许电流下,二极管 两端的电压降一般也都在 0.7 V 以下,这是由二极管的特殊 结构所决定的。所以,在使用二极管时,电路中应该串联限 流电阻,以免因电流过大而损坏二极管。
§1-1 半导体的基本知识 §1-2 半导体二极管
§1-1 半导体的基本知识
学习目标
1. 了解半导体的导电特性。 2. 理解 PN 结正偏、反偏的含义。 3. 掌握 PN 结的单向导电性。
一、半导体的导电特性
物质按导电能力强弱不同可分为导体、半导体和绝缘体三 大类。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。目前,制 造半导体器件用得最多的是硅和锗两种材料。由于硅和锗是 原子规则排列的单晶体,因此用半导体材料制成的半导体管 属于晶体管。
半导体具有不同于导体和绝缘体的导电特性,见表。
半导体的导电特性
纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力是很弱的。 利用半导体的掺杂特性,可制成 P 型和 N 型两种杂质半导体 。
二、PN 结及其单向导电性
1. PN 结 用特殊的工艺使 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起,就会在交界处 形成一个特殊薄层,该薄层称为“PN 结”,如图所示。PN 结是制造半导体 二极管、半导体三极管、场效应晶体 管等各种半导体器件的基础。
2. 分类
二极管的种类
二、二极管的伏安特性
为了直观地说明二极管的性质,通常用二极管两端的电压 与通过二极管的电流之间的关系曲线,即二极管的伏安特性 曲线来描述,如图所示。
在下图所示的坐标图中,位于第一象限的曲线表示二极管 的正向特性,位于第三象限的曲线表示二极管的反向特性。
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普通二极管(如2AP等系列)的IFM较小,fM一般较
高,主要用于信号检测、取样、小电流整流等
整流二极管(2CZ、2DZ等系列)的IFM较大,fM很
低,广泛使用在各种电源设备中作整流元件
开关二极管(2AK、2CK等系列)一般IFM较小,fM
较高,用于数字电路和控制电路中。
五、二极管的检测方法
MF47型万用表检测方法 欧姆档 R×10、R×100、R×1K 说明:红为负,黑为正 数字万用表检测使用方法 检测二极管位置 说明:红为正,黑为负
五、二极管的检测
用万用表判断二极管极性 示意图如图所示
1、先将万用表电阻挡旋钮置于R×100或R×1k挡。
2、用万用表红、黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻 值。 3、交换万用表表笔再测量一次。如果二极管是好的话, 两次测量结果必定一大一小。 4、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的二极管一 端为正极,红表笔所接的二极管一端为负极。
的数据
1、用指针式万用表测二极管正反向电阻 记录方法:型号、正反向电阻
1N4007正向电阻9K
反向电阻20M以上
正向压降0.565V 反向压降1
1N4728正向电阻13
反向电阻20M以上
正向压降0.678V 反向压降1.589V
6.1稳压管
1.工作特性及应用
稳压管又称齐纳二极管,实物外形见下图。通常用文字“V”代表,它是一种 用特殊工艺制造的硅二极管,只要反向电流不超过极限电流,管子工作在击穿区 并不会损坏,属可逆击穿,这与普通二极管破坏性击穿是截然不同的。稳压管工 作在反向击穿区域时,利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。
反向电压: 阴极高电位 阳极低电位
1 正向特性
iD
D
OD段称为正向特性。
UBR
C
OC段,正向电压较小(小 B
O
uD
于0.5V),正向电流非常
小,只有当正向电压超过 A 某一数值时,才有明显的
正向电流,这个电压称为
死区电压,亦称开启电压。
CD段,当正向电压大于死区电压后,正向电流近似 以指数规律迅速增长,二极管呈现充分导通状态。
螺栓端为负极
塑料封装二极管 金属封装二极管
玻璃封装二极管
白环为负极
黑环为负极
几个概念
半导体
1.绝缘体 2.导体 3.半导体 4.举例说明(学生回答) 干木头、导线等
半导体二极管是由一个PN结及它所在的 结构 半导体再加上电极引线和管壳构成。
类型
按材料分类
硅管,锗管
点接触型 按结构分类
面接触型
硅平面型
稳压管的外形及电路符号
稳压管的伏安特性曲 线如的正向特性与普通二 极管相同。
反向特性曲线在击穿 区域比普通二极管更陡直, 这表明稳压管击穿后,通 过管子的电流变化(ΔIz)很 大,而管子两端电压变化 (ΔVz)很小,或说管子两端 击穿 电压基本保持一个固定值。 特性
稳压管在电路中主要 功能是起稳压作用。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
iD (mA)
-200 -100
~
100 75℃
80 60
20℃
40
20
o-10 1
-20 -30 (μA)
2 uD (v)
iD (mA)
-80 -40
100Hale Waihona Puke 806040
20
o 0.4
-0.1
0.8
uD(v)
-0.2
二材极料 管的开伏启电安压特(V性)对导温通度电压很(敏V)感,反温向度饱和升电高流(时μ,A)
反向电流IR 二极管未发生击穿时的反向电流值。
最大工作频率fM 二极管单向导电作用开始明显退化时的交流信号的频率。
四、二极管的使用常识
1、二极管的型号
二极管型号的读识
2
A
P
1
二极管 N型锗材料 普通管 器件序号
四半、导二体极二极管管的使用常识
2.二极管的选用
按材料分类,二极管主要有锗二极管和硅二极管 两大类。前者内部多为点接触型结构,允许的工 作温度较低,只能在100℃以下工作;后者内部多 为面接触型或平面型结构,允许的工作温度较高, 有的可达150~200℃。
五、二极管的检测
用万用表检测普通二极管的好坏 测试图如图所示
1、万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时,万用表的黑表
笔接二极管的正极,红表笔接二极管的负极。
2、万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时,万用表的红表
笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极。 3、根据二极管正、反向电阻阻值变化判断二极管的质量 好坏。
半导体二极管
小结:二极管的伏安特性
特点:非线性
I
反向击穿
电压U(BR)
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
U 死区电压 硅管0.5V,
锗管0.1V。
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。
稳压管的伏安特性曲线
正向 特性
2.稳压管主要参数
稳定电压VZ 指稳压管的反向击穿电压。 稳定电流IZ 指管子在正常工作时的参考电流值,其值在稳压区
域的最大电流IZmax与最小电流IZmin之间。当流过管子的电流小于 IZmin时管子不能起稳压作用。
最大稳定电流IZmax 指稳压管最大工作电流,超过IZmax时,管子
将过热损坏。
耗散功率PZM 指管子不致因热击穿而损坏的最大耗散功率。它近
似等于稳定电压与最大稳定电流的乘积,即PZM=VZ·IZmax。
动态电阻rZ 反映稳压管的稳压性能,动态电阻越小,稳压性能
越好。
温度系数k 温度系数反映由温度变化引起的稳定电压变化。
3.稳压二极管的检测
(1)检测方法与普通二极管相同, 但稳压二极管的正向电阻比普通二 极管的正向电阻要大一些
如果测得二极管的正、反向电阻都很小,甚至为零,表示管子 内部已短路。
如果测得二极管的正、反向电阻都很大,则表示内部已断路。
六、 特殊二极管
整流二极管、检波二极管、开关二极管具有相似的伏安特性曲 线,均属于普通二极管。为了适应各种不同功能的要求,许多特殊 二极管应运而生,如稳压管、发光管、光电管等。
6.4 变容二极管
变容二极管的图形符号
变容二极管像稳压二极管一样,工作于反向偏置状态。 实物及图形符号如图所示 。
任务
1、用指针式万用表测二极管正反向电阻 记录方法:型号、正反向电阻 2、用数字万用表测二极管正反向压降 记录方法:型号、正反向压降 3、用数字万用表测电容大小 记录方法:电容识读的参数、数字万用表测量
阻尼二极管
金属封装整流二极管
发光二极管
形形色色的二极管
发光二极管
形形色色的二极管
形形色色的二极管
形形色色的二极管
快
肖
恢
特
复
基
二
二
极
极
管
管
二极管的封装
用于电视机、收音机、电源装置等电子产品中
的各种不同外形的二极管如下图所示。二极管
通常用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,
外壳上一般印有标记以便区别正负电极。
光电二极管又称为光敏二极管。光电二极管也是由一个PN结构成,但是它 的PN结面积较大,通过管壳上的一个玻璃窗口来接收入射光。
当没有光照射时反向电阻很大,反向电流很小;当有光照射时,反向电阻 减小,反向电流增大。
光电二极管电路符号
光电二极管元件外形
6.3 光电二极管
光电二极管的工作原理及特性
光电二极管是在反向电压作用下工作的,
普通二极管、整流二极管、开关二极管、发光二极管、 按用途分类稳压二极管、检波二极管、混频二极管、光敏二极管、
便容二极管、光电二极管等
阳极 阴极
P型硅 N型硅片
正极引线
铝合金小球
金锑合金
金属支架
负极引线
阳极引线
金属触丝
管壳
N型锗片
阳极引线
二氧化硅保护层
N型硅
P型硅
阴极引线
负极引线
点接触型二极管特点:结面积小,因此结电容小,允许通
硅正(向Si)特性曲≈线0.向5 左移,0反.6~向1 特性曲线向下<0移.1。
锗(Ge) ≈0.1
0.2~0.5
几十
参数
半导体 二极管 的主要 参数
对器件性能的定量描述 器件使用的极限条件
两大类
最大整流电流IF 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR 管子使用时允许加的最大反向电压。
2 反向特性
OB段称为反向特性。这时二极
管加反向电压,反向电流很小。
当温度升高时,半导体中本征激发 UBR 增加,是少数载流子增多,故反向 B 电流增大,特性曲线向下降。
A
iD
D
C
o
uD
3 反向击穿特性
BA段称为反向击穿特性
当二极管外加反向电压大于一定数值时,反向电流 突然剧增,称为二极管反向击穿。
半导体二极管
东西湖职校电子电器 徐志远
学习内容
1.形形色色的二极管 2.半导体 3.半导体二极管的结构和类型 4.二极管的伏安特性曲线 5.二极管的主要参数 6.二极管的检测方法 7.二极管的等效电路及应用 8.稳压二极管 9.发光二极管
普通二极管
形形色色的二极管
整流管
开关管
形形色色的二极管
高频二极管
应用提示
●发光二极管的管脚引线以较长者为正极,较短者为负极。如管帽上有 凸起标志,那么靠近凸起标志的管脚就为正极。
高,主要用于信号检测、取样、小电流整流等
整流二极管(2CZ、2DZ等系列)的IFM较大,fM很
低,广泛使用在各种电源设备中作整流元件
开关二极管(2AK、2CK等系列)一般IFM较小,fM
较高,用于数字电路和控制电路中。
五、二极管的检测方法
MF47型万用表检测方法 欧姆档 R×10、R×100、R×1K 说明:红为负,黑为正 数字万用表检测使用方法 检测二极管位置 说明:红为正,黑为负
五、二极管的检测
用万用表判断二极管极性 示意图如图所示
1、先将万用表电阻挡旋钮置于R×100或R×1k挡。
2、用万用表红、黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻 值。 3、交换万用表表笔再测量一次。如果二极管是好的话, 两次测量结果必定一大一小。 4、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的二极管一 端为正极,红表笔所接的二极管一端为负极。
的数据
1、用指针式万用表测二极管正反向电阻 记录方法:型号、正反向电阻
1N4007正向电阻9K
反向电阻20M以上
正向压降0.565V 反向压降1
1N4728正向电阻13
反向电阻20M以上
正向压降0.678V 反向压降1.589V
6.1稳压管
1.工作特性及应用
稳压管又称齐纳二极管,实物外形见下图。通常用文字“V”代表,它是一种 用特殊工艺制造的硅二极管,只要反向电流不超过极限电流,管子工作在击穿区 并不会损坏,属可逆击穿,这与普通二极管破坏性击穿是截然不同的。稳压管工 作在反向击穿区域时,利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。
反向电压: 阴极高电位 阳极低电位
1 正向特性
iD
D
OD段称为正向特性。
UBR
C
OC段,正向电压较小(小 B
O
uD
于0.5V),正向电流非常
小,只有当正向电压超过 A 某一数值时,才有明显的
正向电流,这个电压称为
死区电压,亦称开启电压。
CD段,当正向电压大于死区电压后,正向电流近似 以指数规律迅速增长,二极管呈现充分导通状态。
螺栓端为负极
塑料封装二极管 金属封装二极管
玻璃封装二极管
白环为负极
黑环为负极
几个概念
半导体
1.绝缘体 2.导体 3.半导体 4.举例说明(学生回答) 干木头、导线等
半导体二极管是由一个PN结及它所在的 结构 半导体再加上电极引线和管壳构成。
类型
按材料分类
硅管,锗管
点接触型 按结构分类
面接触型
硅平面型
稳压管的外形及电路符号
稳压管的伏安特性曲 线如的正向特性与普通二 极管相同。
反向特性曲线在击穿 区域比普通二极管更陡直, 这表明稳压管击穿后,通 过管子的电流变化(ΔIz)很 大,而管子两端电压变化 (ΔVz)很小,或说管子两端 击穿 电压基本保持一个固定值。 特性
稳压管在电路中主要 功能是起稳压作用。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
iD (mA)
-200 -100
~
100 75℃
80 60
20℃
40
20
o-10 1
-20 -30 (μA)
2 uD (v)
iD (mA)
-80 -40
100Hale Waihona Puke 806040
20
o 0.4
-0.1
0.8
uD(v)
-0.2
二材极料 管的开伏启电安压特(V性)对导温通度电压很(敏V)感,反温向度饱和升电高流(时μ,A)
反向电流IR 二极管未发生击穿时的反向电流值。
最大工作频率fM 二极管单向导电作用开始明显退化时的交流信号的频率。
四、二极管的使用常识
1、二极管的型号
二极管型号的读识
2
A
P
1
二极管 N型锗材料 普通管 器件序号
四半、导二体极二极管管的使用常识
2.二极管的选用
按材料分类,二极管主要有锗二极管和硅二极管 两大类。前者内部多为点接触型结构,允许的工 作温度较低,只能在100℃以下工作;后者内部多 为面接触型或平面型结构,允许的工作温度较高, 有的可达150~200℃。
五、二极管的检测
用万用表检测普通二极管的好坏 测试图如图所示
1、万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时,万用表的黑表
笔接二极管的正极,红表笔接二极管的负极。
2、万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时,万用表的红表
笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极。 3、根据二极管正、反向电阻阻值变化判断二极管的质量 好坏。
半导体二极管
小结:二极管的伏安特性
特点:非线性
I
反向击穿
电压U(BR)
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
U 死区电压 硅管0.5V,
锗管0.1V。
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。
稳压管的伏安特性曲线
正向 特性
2.稳压管主要参数
稳定电压VZ 指稳压管的反向击穿电压。 稳定电流IZ 指管子在正常工作时的参考电流值,其值在稳压区
域的最大电流IZmax与最小电流IZmin之间。当流过管子的电流小于 IZmin时管子不能起稳压作用。
最大稳定电流IZmax 指稳压管最大工作电流,超过IZmax时,管子
将过热损坏。
耗散功率PZM 指管子不致因热击穿而损坏的最大耗散功率。它近
似等于稳定电压与最大稳定电流的乘积,即PZM=VZ·IZmax。
动态电阻rZ 反映稳压管的稳压性能,动态电阻越小,稳压性能
越好。
温度系数k 温度系数反映由温度变化引起的稳定电压变化。
3.稳压二极管的检测
(1)检测方法与普通二极管相同, 但稳压二极管的正向电阻比普通二 极管的正向电阻要大一些
如果测得二极管的正、反向电阻都很小,甚至为零,表示管子 内部已短路。
如果测得二极管的正、反向电阻都很大,则表示内部已断路。
六、 特殊二极管
整流二极管、检波二极管、开关二极管具有相似的伏安特性曲 线,均属于普通二极管。为了适应各种不同功能的要求,许多特殊 二极管应运而生,如稳压管、发光管、光电管等。
6.4 变容二极管
变容二极管的图形符号
变容二极管像稳压二极管一样,工作于反向偏置状态。 实物及图形符号如图所示 。
任务
1、用指针式万用表测二极管正反向电阻 记录方法:型号、正反向电阻 2、用数字万用表测二极管正反向压降 记录方法:型号、正反向压降 3、用数字万用表测电容大小 记录方法:电容识读的参数、数字万用表测量
阻尼二极管
金属封装整流二极管
发光二极管
形形色色的二极管
发光二极管
形形色色的二极管
形形色色的二极管
形形色色的二极管
快
肖
恢
特
复
基
二
二
极
极
管
管
二极管的封装
用于电视机、收音机、电源装置等电子产品中
的各种不同外形的二极管如下图所示。二极管
通常用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,
外壳上一般印有标记以便区别正负电极。
光电二极管又称为光敏二极管。光电二极管也是由一个PN结构成,但是它 的PN结面积较大,通过管壳上的一个玻璃窗口来接收入射光。
当没有光照射时反向电阻很大,反向电流很小;当有光照射时,反向电阻 减小,反向电流增大。
光电二极管电路符号
光电二极管元件外形
6.3 光电二极管
光电二极管的工作原理及特性
光电二极管是在反向电压作用下工作的,
普通二极管、整流二极管、开关二极管、发光二极管、 按用途分类稳压二极管、检波二极管、混频二极管、光敏二极管、
便容二极管、光电二极管等
阳极 阴极
P型硅 N型硅片
正极引线
铝合金小球
金锑合金
金属支架
负极引线
阳极引线
金属触丝
管壳
N型锗片
阳极引线
二氧化硅保护层
N型硅
P型硅
阴极引线
负极引线
点接触型二极管特点:结面积小,因此结电容小,允许通
硅正(向Si)特性曲≈线0.向5 左移,0反.6~向1 特性曲线向下<0移.1。
锗(Ge) ≈0.1
0.2~0.5
几十
参数
半导体 二极管 的主要 参数
对器件性能的定量描述 器件使用的极限条件
两大类
最大整流电流IF 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR 管子使用时允许加的最大反向电压。
2 反向特性
OB段称为反向特性。这时二极
管加反向电压,反向电流很小。
当温度升高时,半导体中本征激发 UBR 增加,是少数载流子增多,故反向 B 电流增大,特性曲线向下降。
A
iD
D
C
o
uD
3 反向击穿特性
BA段称为反向击穿特性
当二极管外加反向电压大于一定数值时,反向电流 突然剧增,称为二极管反向击穿。
半导体二极管
东西湖职校电子电器 徐志远
学习内容
1.形形色色的二极管 2.半导体 3.半导体二极管的结构和类型 4.二极管的伏安特性曲线 5.二极管的主要参数 6.二极管的检测方法 7.二极管的等效电路及应用 8.稳压二极管 9.发光二极管
普通二极管
形形色色的二极管
整流管
开关管
形形色色的二极管
高频二极管
应用提示
●发光二极管的管脚引线以较长者为正极,较短者为负极。如管帽上有 凸起标志,那么靠近凸起标志的管脚就为正极。