Array制程与检测介绍

Slit (extrusion) coating
薄膜生长制程
PVD
刻蚀
将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上， 形成由光刻技术定义的图形.
利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应—湿刻 利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分—干刻
Etching type
Substrate
新型显示技术
技术名称
半反射半透射技术 （Transflective） 多畴垂直取向/电极图形垂直 取向技术 (MVA/PVA)
优点
省电、室外显示效果好 视角广、对比度高、响应时间短、不需要 摩擦制程
缺点
制程复杂、良率降低 制程复杂、良率降低 制程复杂、良率降低、透过 率低、耗电量高
平面内转换技术 (IPS) 光学补偿弯曲排列技术 （OCB）
解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目
TFT工程
[Glass基板]
Cell工程
Module工程
[ＬＣＤ Panel]
绑定
［TFT基板］ ［CF］ [驱动IC]
成膜
[膜]
重 塗布 复
[Glass基板] [PR]
液晶滴下 真空贴合
装配
[连接电路] [保护板]
[Mask]
曝光 現像 刻蚀
满足产品个性化需求
制程复杂
數碼相機
數碼攝錄影機
汽車導航顯示器
筆記型電腦 數碼影音光碟機
液晶電視
桌上型顯示器
厂商
地区
韩国龟尾 第5代 第5代 第6代
尺寸
2002 1000X1200 1100X1250 1500X1850 1季度
投产日期 2003 2004 2005 设计产能 6万/月 1季度 4季度 6万/月 9万/月
[信号基板］
切割
[BLU］
剥離 検査
[TFT基板]
[LCD Panel]
[LCD Module]
Photo Process – Resist Coating
Resist dispenser Extrusion head Rotating glass Glass
Photoresist
Spin coating
1100X1250
1100X1300 1100X1300 730X920 1200X1300 1100X1300 1100X1250 1500X1800 1500X1800 1100X1250 1100X1300 730X920
2季度
2季度 1季度 2季度 1季度 2季度 2季度 1季度 2季度 1季度 4季度 2007.3季度
Defect type GC short
Repair method
用Block laser 将残留metal打掉 用Block laser 将残留 metal打掉
Metal residue
Metal residue
Metal residue
用Block laser 将残留metal 打掉
波长选择532nm
有机膜高开口率技术 （HAR）
视角广、低色移
响应速度快（包括低温情况）、视角广
制程复杂、良率降低、需要 预置电压
制程复杂、良率降低、增加 材料成本 发热量高 良率降低
开口率高、透过率高
成本更低、结构更紧凑、机械可靠性更高 产量提高、成本降低
非晶硅栅驱动器与有源矩阵 显示集成技术 （ASG）
4掩模版技术 （4 MASK） 异形panel
5万/月
7万/月 >6万/月 7万/月 6万/月 6万/月 3.5万/月 4.5万/月 1.5万/月 6万/月 4.5万/月 3万/月
奇美电子 中华映管 瀚宇彩晶 广辉电子 群创光电 夏普
台湾台南 中国台湾 台湾台南 台湾桃园 中国台湾 日本 日本
京东方 上广电-NEC 上天马
中国北京 中国上海 中国上海
Step 1：Spray Step 2：Dip
Dip 浸入
Good taper shape
AOI
3GB×44unit=132GB
AOI – Auto optical inspection
The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be reviewed precisely
3.PR灰化（Ashing） 反应方程：P源自文库+O2→
O2：利用等离子体方法去除PR
湿刻
• M1：Mo/AlNd • M2：Mo/Al/Mo • ITO
草酸（H2C2O4）
HNO3+CH3COOH +H3PO4
Etching mode
Spray 喷淋
Faster Etching rate Spray+Dip
1.a-Si的刻蚀 反应方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他
Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。
2.SiN的刻蚀 反应方程：SF6+He＋SiN→ SiF4↑+SiS2↑ +其他
SF6：F元素的供给源。 He：使等离子体均一化 O2：有利于形成Taper角
• • • • • PEP PEP PEP PEP PEP 1 Mo/AlNd wet etch 2 SiNx /α-Si/ n+-Si dry etch 3 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si wet/dry etch 4 SiNx dry etch 5 ITO wet etch
干刻用气体
Array制程与检测介绍
上海天马微电子有限公司
• TFT-LCD简介
1.何谓TFT-LCD： TFT─Thin Film Transistor 薄膜晶体管 LCD─Liquid Crystal Display 液晶显示器 2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、 低辐射、低耗电量、全彩化等优点 ，故已广泛使用于各类显示器材上
LG.Philips LCD
韩国龟尾 韩国龟尾
韩国天安
三星电子 韩国天安 韩国牙山
第5代
第5代 第7代
1100X1250
1100X1300 1870X2200
4季度
4季度 1季度
10万/月
10万/月 7万/月
友达光电
台湾龙潭
台湾龙潭
第5代
第5代 第5代 第4.5代 第5代 第5代 第5代 第6代 第6代 第5代 第5代 第4.5代
Dry etch Plasma Isotropic+Anisotropic
PR 膜 基板 基板
Wet etch Chemical Isotropic
PR 膜 PR 膜
Etchant 等方向浸 入造成 Side Etch
基板
Isotropic
Anisotropic
Etching type selection
← 2160mm →
←
2400mm
→
TEG prober and Tester
Array laser repair
Inlayer repair(PEP1)
Example: After Striper After laser repair
Metal
Data from AOI
Al/ND:532nm