Array制程与检测介绍
TFT-LCD ARRAY制程介绍
PVD
20040531
29
缺角欠損-PHO
GE_D
PVD膜完整無欠損
20040531
30
Al殘-PHO
GE_D GE_D GE_D
GE_D
GE_R
GE_R
樹枝狀異物 TEL PHO Ionizer噴嘴髒
20040531 31
Al殘-PVD
GE_D
GE_R
20040531 32
GOCO-PVD
學習目標
暸解TFT的結構 暸解TFT-LCD Array之製造流程 簡易Array相關缺陷介紹20040531来自1TFT產業結構
TFT基板 TFT基板 玻璃 彩色濾 光片 偏光片 CCFL TFT面板 液晶監視 器 液晶電視 背光模 組 控制IC 驅動IC 導光板 PCB 訊號傳 輸IC CCFFL
pvdthinfilm膜厚均一性均一性膜厚particle製程別製程別部門部門2004053120缺陷判斷之技巧與工具缺陷判斷之技巧與工具點線不良判定點線不良判定tft電性電性缺陷形狀缺陷形狀大小大小位置位置斷面元素比對元素比對缺陷形狀缺陷形狀大小斷面大小斷面斷面顏色顏色透光顏色顏色斑點透光斑點mura條紋條紋明暗明暗技巧技巧缺陷全檢再以缺陷全檢再以omreview顯示特性檢查顯示特性檢查缺陷正確位置確認缺陷正確位置確認taper量測缺陷成分比對缺陷成分比對量測3um以下之缺陷解析以下之缺陷解析3um以上之缺陷檢查以上之缺陷檢查快速快速明顯之缺陷檢查明顯之缺陷檢查適用範圍適用範圍點不良檢查機點不良檢查機tegfib斷面分析斷面分析eds成分分析成分分析semom顯微鏡顯微鏡斜光斜光目視目視工具工具方法方法2004053121例例1
Au as spattering metal.
Array工艺原理及工程检查-DE
HCｌ
39
SF6
40
SF6
41
谢谢!
42
化性、刺激性、毒性等 使用与存放：使用与存放时的注意事项
36
3.3 MSDS数据项目解释及说明
暴露防止措施：该化学品暴露在空气中时的允许浓度及须 采取的必要保护措施。
应急措施：当该化学品接触人体时采取的急救措施。 泄漏、火灾时措施：发生泄漏、火灾等情况时采取的措施。
37
HCｌ
38
功率 气体流量 压强 冷却板温度
工艺管理项目
Particle AOI检 E/R Rate（刻蚀速度） Channel段差（量产抽检） DEC还有TOK检
25
TYPE2
TYPE1
TYPE1减掉3300（D层厚度）就是CH刻蚀,TYPE2是D 层加上三层a-Si的厚度（还有少量被刻掉的G-SiNx）
DE工程
1
1.TN型工艺流程（4Mask）
TN型工艺流程(4 MASK)
GSP
PACVD
GPR
CPR
GWE
CDE
GPR剥离
CPR剥离
1st SiN CVD
PISP
三层CVD
PIPR
DSP
PIWE
DIPR
PIPR剥离
D1WE
I/PR DE
D2WE
CHDE
DIPR剥离 2
2.TN型平面及断面构造（15型）
ＲＦ電源
抽气泵
过滤装置
19
RIE (Reactive Ion Etching)
气体 气体 气体
Ｐｌａｓｍａ
基板
ＲＦ電源
抽气泵
基板放置于 RF电源侧 的壁板上方， 主要为 radical的化 学反应以及 ion的物理 撞击反应。
amoled array工艺流程
AMOLED Array工艺流程
AMOLED Array工艺流程主要包括以下几个步骤：
1.清洗：在开始制作AMOLED显示屏之前，需要对硅片进行清洗，以去除
表面的污垢和杂质。
2.涂覆光刻胶：在硅片表面涂覆一层光刻胶，作为掩膜，用于保护不需要进
行刻蚀的区域。
3.曝光：通过紫外线曝光的方式，将光刻胶上的图案转移到硅片上。
4.显影：使用化学试剂将曝光后的光刻胶去除，留下所需的图案。
5.刻蚀：使用化学或物理方法将硅片表面的材料去除，形成电路结构。
6.去胶：在完成刻蚀后，去除涂覆在硅片表面的光刻胶。
7.清洗和烘干：最后进行清洗和烘干，去除残留的化学物质和杂质，为后续
的工艺步骤做准备。
8.封装测试：最后，对制成的AMOLED显示屏进行封装和测试，确保其正
常工作。
以上是AMOLED Array工艺流程的基本步骤，具体工艺参数和细节可能会根据不同的制造厂商和生产工艺有所不同。
ARRAY制程
ITO
此处充液晶， 形成液晶电容
CF层
通过导电晶球压破，使 CF和Common线导通
CF与Common线中 竖直方向的线导通
Array 5PEP 完整制作过程模拟
1PEP
成膜 ⇒涂光刻胶
⇒曝光 ⇒显影 ⇒刻蚀 ⇒剥离
光
SL
TFT
CS
2PEP
成膜
⇒涂光刻胶 ⇒曝光
⇒显影
⇒刻蚀
⇒剥离
1PEP俯视图
后续所有剖面图 是从此处剖开
Common线
Gate线
1 PEP 剖面图
1.金属膜材料: AL-Nd/Mo 2.成膜方式 : 溅射(PVD) 3.刻蚀方式: 湿蚀刻 4.作用：扫描电极，控制“开关” 的导通或断开。 PVD：物理气象沉积，即非化学反应成膜。
Gate线
玻璃基板
1PEP剖面图（2）
P-SINx
D 电极 ITO电极
第三层
第四层 第三层
第二层 第五层
Gate 电极
第一层
玻璃基板(Glass) GIN – a-Si GIN – N+a-Si GIN - SINx GI - SINx
工艺流程
Light Photo Resist Photo Mask Photo Resist Thin Film Thin Film Glass
Array制程、TFT等效电路介绍
Prepared by: update: 2012 ／11／28
Array 制程
素玻璃 重 复 五 次 （ 五 层 膜 ） 成膜 上光阻 统称黄光 剥膜 蚀刻 显影 曝光
基板测试 OK
NG
进行维修
送至Cell厂
合肥京东方array检测科工作内容
合肥京东方array检测科工作内容一、概述合肥京东方array检测科是京东方公司在合肥设立的一个科研团队，致力于研究和开发液晶显示器的array检测技术。
本文将详细介绍合肥京东方array检测科的工作内容。
二、array检测技术简介2.1 液晶显示器array结构液晶显示器是由一系列排列成矩阵的像素组成的，每个像素由一个液晶单元和一个驱动电路组成。
这些像素按照一定的规律排列在显示面板上，形成一个称为array 的结构。
2.2 array检测的重要性array检测是液晶显示器生产过程中的一项关键技术，它能够对显示面板上的每个像素进行检测和修正，确保显示效果的一致性和稳定性。
同时，array检测还可以提高液晶显示器的生产效率和降低不良品率。
三、array检测科的工作内容3.1 array检测算法研究为了实现对液晶显示器array的检测，合肥京东方array检测科的研究人员致力于开发高效准确的array检测算法。
他们研究和探索各种图像处理和模式识别技术，通过对array图像的处理和分析，提取出关键的检测特征，从而实现对array的自动检测和修正。
3.2 array检测系统开发合肥京东方array检测科的工作还包括开发array检测系统。
他们设计和实现了一套完整的array检测系统，包括硬件设备和软件平台。
该系统能够自动采集array 图像，并通过前面提到的array检测算法进行图像处理和分析，最终得出array的检测结果。
3.3 array检测技术应用合肥京东方array检测科的工作不仅仅停留在研究和开发阶段，他们还将array检测技术应用到实际生产中。
通过与液晶显示器生产线的对接，他们将array检测系统整合到生产流程中，实现对每个液晶显示器array的自动检测和修正。
四、array检测科的成果与影响4.1 科研成果合肥京东方array检测科的研究人员在array检测技术方面取得了一系列的科研成果。
Array工艺流程讲解-
SD 工艺
⇒ 1SD Wet Etch ⇒ 1SD Dry Etch ⇒ 2SD Wet Etch ⇒ 2SD Dry Etch ⇒ 剥离
工艺评价方式：CD、 Taper、 CD Loss、PI、MM
2W2D 工艺， B4 工艺特点
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
Array工艺SD&Active层 Etch工艺步骤
2W2D 模式 1W1D 模式
1st Wet Etch • Wet Etch设备
1st Wet Etch • Wet Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Channel SD层 • Wet Etch设备
Channel SD 层 • Dry Etch设备
Sputter：Mo/Al/Mo 工艺评价方法：RS
工艺评价方法：CD（W目e标t Etch 值± 1μm）、重合精度工艺评价方式：CD，Taper （Spec： ± 1μm）
光
光
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
FGI成膜 ⇒ Multi 成膜 ⇒
SD 成膜 ⇒ 涂光刻胶 ⇒ 曝光 ⇒ 显影
SDT Mask
Pre Clean FGI Dep Multi Dep Pre Clean SD Dep SDT Mask 1st Wet Etch ACT/Ashing 2nd Wet Etch N+ Etch SDT Strip
PVX Mask
PVX Dep PVX Mask PVX Etch PVX Strip
Array工艺原理及工程检查-检查
Image computer
8bit AD Converter
Mouse Joystick
Machine controller
12
检查方法概略
①取得画像
例）
对Array基板全面扫描使用 Sensor进行取像
②画像处理 （比较）
例）
重复比较相邻画素图案
③获得缺陷情报
例）
Lot No Panel No 缺陷No X座標 Ｙ座標 Size Mode等
A to Ｄ
Max Peak1 Peak2
15
Min
D工程后象素图形
16
D工程后短路缺陷
17
TN的Array检查流程
使用设备
Array检查装置(岛津)
激光切断装置（NEC）
检查目的
检查TN型产品画素图形是否良好 测定方式是根据TFT的正负电压的变换而产生的二次电子量 进行检出 之后可以对检出的短路不良进行修复 画素短路 激光切断
20
激光切断 （短路）
检查的基本原理
高能量电子束打在TFT 基板上
Data Signal
给TFT基板加电压 入射电子
Gate Signal
二次电子从ITO上出射
测量 ITO 电极上的二次 电子信号
TFT
e
ITO
e
二次电子
Signal in normal TFT itself
非正常电压为基板上有 缺陷
Array检查概要
1
内容：
Array检查流程 检查项目及使用装置
TN的G检 TN的D检 TN的A检 TN的显影后检查
2
ARRAY 检查流程
TFT-LCD Array 制程介绍
LCD的動作原理
TFT LC
Cs 保持電容
•為何叫做Array
1.Array是陣列的意思 2.RGB 與 Pixel(像素） 3.TFT：薄膜電晶體
4.解析度（如XGA）
解析度 VGA SVGA XGA SXGA
水平 640 800 1024 1280
像素個數 垂直 480 600 768 1024
乾蝕刻（Dry Etch）
目的：利用電漿以化學反應的方式將沒有光阻保護的沈積層去除，使線路圖案成型 原理：於反應器中通入特定的氣體，形成高能電漿，藉由電漿的高能離子或自由基 擴散至晶片表面與未被光阻保護的沈積層產生化學反應，藉以達到蝕刻的目 的，主要有PE,RIE,ICP等三種不同原理的機台，下圖所描述者為PE(Plasma Etch, 電漿蝕刻機)
蝕刻
蝕刻液分子 生成物分子 蝕刻液分子運動方向 生成物分子運動方向
蝕刻溶液
薄膜
去光阻機（Stripper）
目的：將蝕刻完成的玻璃基板去除其線路圖案上的保護光阻，以完成該PEP的最終動 作，然後送至薄膜區沈積下一PEP所需的薄膜
Array 製程介紹
By FA/CP
Array 製程介紹
• • • 何謂TFT-LCD 為何叫做Array Array製程的介紹 1. 製程簡介 2. 薄膜（Thin Film）區 3. 黃光（Photo）區 4. 蝕刻（Etching）區 5. 測試（Array Test）區
•何謂 TFT-LCD
ARRAY
Photo
Etching
Cell Area
薄膜（Thin Film）區
共有三種主要機台
清洗機（Cleaner）
CVD（化學氣相沈積）
Array制程及设备介绍
2.3.2 TN像素结构及制作工艺流程-Island Mask 2：SE (岛状半导体形成)
A
Source Drain α-Si
Gate
A
ITO CH Gate insulator
A’
A
A’
1. 成膜SiNx 2. 成膜后洗净 3. 成膜SiNx/a-Si/n+Si 4. 光阻涂布/曝光/显影 5. 蚀刻(DRY) 6. 光阻去除 7. 检查
2.4
像素形成的过程
3
Array面板重要指标
Pixel Matrix
TFT 特性
面板 特性
所有像素点阵保持一致的电特性和显示特性
电子迁移率Mobility 临界电压Vth 开关比Ion/Ioff
开口率： (1)TFT Size; (2) Line CD(Critical dimension) (3)Cst; (4) 上下基板对位误差；(5)Disclination of LC
低hillock(毛刺凸起) 低阻、barrier性能
Pixel RE
ITO
像素电极导电材料
4.1.2.1 PECVD
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
（等离子体增强型化学气相沉积）
利用等离子体辅助活化反应气体，降低反应温度，改善薄膜质量。
Process Gas
plasma assisted Chemical reaction
Thin Film
4
Array设备及工艺简介
Gate TFT
Pixel Cs
COM
B’ Data
Source Drain α-Si
Gate
A
array阵列制程释义
array阵列制程释义array阵列制程是一种在电子设备制造过程中广泛应用的技术。
阵列制程是指将多个类似的元件放置在一个阵列状的结构中，通过统一的工艺来制造，以提高生产效率和降低成本。
本文将介绍array阵列制程的原理、应用和未来发展趋势。
在电子设备制造过程中，阵列制程是一项重要的技术。
它通过将多个相同的元件进行批量生产，并通过一系列的工艺步骤来制造这些元件。
这种批量生产的方式可以大大提高生产效率，降低生产成本。
不仅如此，阵列制程还可以增加产品的一致性和可靠性，提高产品的质量和性能。
阵列制程可以应用于各种电子元件的制造，比如集成电路芯片、平板显示器和太阳能电池等。
这些元件通常都具有相同的结构和功能，因此适合使用阵列制程进行生产。
通过将这些元件按照一定的排列方式放置在同一个基板上，并通过一系列的工艺步骤完成制造，可以实现高效和精确的生产。
在阵列制程中，制造工艺是关键的一环。
制造工艺包括多个步骤，例如光刻、薄膜沉积、蚀刻和封装等。
这些步骤需要精密的设备和严格的操作控制，以确保产品的质量和性能。
制造工艺的改进和创新对于提高产品的性能和降低成本至关重要。
阵列制程的应用非常广泛。
在集成电路制造中，阵列制程可以用于生产存储器芯片、处理器芯片和传感器芯片等。
在平板显示器制造中，阵列制程可以用于生产液晶面板和有机发光二极管（OLED）屏幕等。
在太阳能电池制造中，阵列制程可以用于生产光伏电池阵列。
通过应用阵列制程，这些产品可以以更高的效率和更低的成本进行生产，从而使得电子设备更加普及和便宜。
随着科技的不断发展，阵列制程也在不断进步和创新。
新的材料、新的工艺和新的设备不断涌现，为阵列制程的发展提供了新的机遇。
例如，三维堆叠技术可以将多个器件叠加在一起，实现更高的集成度和更小的体积。
纳米技术可以制造出尺寸更小、性能更好的电子元件。
这些新技术的引入将进一步推动阵列制程的发展。
总之，array阵列制程是一种在电子设备制造中应用广泛的技术。
array工艺流程
array工艺流程Array工艺流程是指将半导体芯片的电路结构通过一系列工艺步骤逐渐建立起来的过程。
通常包括晶圆加工、光刻、沉积、蚀刻、清洗等多个环节。
下面将详细介绍一下Array工艺流程的各个步骤及其重要性。
首先是晶圆加工。
晶圆加工是将制造芯片所需的电路结构在硅片上进行刻印和形成。
这一步骤的关键工艺是化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。
CVD是通过化学反应将气体沉积到晶圆表面上，形成所需的结构；而PVD是通过物理方式将有用元素沉积到晶圆表面。
这两种工艺在晶圆加工过程中是非常重要的，能够实现对晶圆表面进行修饰和成型。
然后是光刻。
光刻是将芯片上所需的电路图案通过光刻胶印在晶圆上的过程。
光刻工艺中使用的设备主要有光刻机和掩膜。
光刻机利用光刻胶对晶圆进行曝光和显影，形成所需的图案。
掩膜则是一张覆盖在晶圆上的玻璃板，上面有了所需的电路图案，可以指导光刻机进行曝光。
光刻过程具有精度高、适应性强的特点，是芯片制造中非常重要的工艺步骤。
接下来是沉积。
沉积是将芯片上所需的金属或化合物材料沉积到晶圆上的过程。
沉积工艺中使用的设备主要有化学气相沉积设备和物理气相沉积设备。
化学气相沉积设备可以将金属气体或化合物气体沉积到晶圆上，形成所需的金属或化合物薄膜；物理气相沉积设备则是通过物理方法将金属或化合物材料沉积到晶圆上。
沉积工艺在芯片制造中起着非常重要的作用，可以实现对晶圆表面进行修饰和成型。
然后是蚀刻。
蚀刻是将晶圆上不需要的结构或物质通过化学或物理方法进行去除的过程。
蚀刻工艺中主要使用的设备有湿蚀刻设备和干蚀刻设备。
湿蚀刻设备是通过酸性或碱性溶液将晶圆上的杂质或不需要的结构腐蚀掉；干蚀刻设备则是利用高能粒子束将晶圆上的杂质或不需要的结构腐蚀掉。
蚀刻工艺能够实现对晶圆上的结构精确的控制和去除，是芯片制造中非常重要的一环。
最后是清洗。
清洗是将芯片制造过程中产生的杂质或污染物从晶圆上清除的过程。
清洗工艺中主要使用的设备有超纯水设备和化学清洗设备。
Array制程
SiH4(g) + H2(g)
பைடு நூலகம்
a-Si:H(s)
a-Si 製程條件:(unaxis) 壓力 1.2～1.6 mbar 溫度 280o 功率 90 W ~320W
PECVD應用：氮化矽 (Silicon Nitride)SiNx
反應氣體 (Gas Source)： SiH4(Silane)、NH3、N2、H2 SiH4(g) + NH3(g)
投影鏡頭
避震儀
FX-21S New Exposure Technology
光源 Mask
Lens
基板
周邊曝光
目的：將基板 周圍未曝到光部分，進行曝光。 光源：紫外光。
周邊曝光區域
Pattern已曝光區域
1蝕刻技術分類
WET etching -溼蝕刻技術 DRY etching -乾蝕刻技術
A’
A’
TFT元件製程結束 , 後流至ARRAY TESTER
CLC
S2
S3
Sn-1 Sn
ITO
Gate 線 液晶電容
儲存電容 Gm-1 Gm
com
Array 面板示意圖
S1 G1 G2 G3 S2 S3 Sn-2 Sn-1 Sn
Gm-2 Gm-1 Gm
TFT元件
液晶 加入電壓
保持電容
1.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch)，液晶元件的 作用類似一個電容，藉Switch的ON/OFF對電容儲存的 電壓值進行更新/保持。 2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外 時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。 3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持 特性。
《教学分析》-Array工艺过程
二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
三、 Sputter工艺简介
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
PECVD 绝缘四膜、、有PE源CV膜D成膜机理 工艺简介
---成膜机理 (1) SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体, 辉光放电生成等离子体
在衬底上成膜。 (2) a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中通过辉光放电，经过一系列初级、次级反应，生
Array工艺过程
品质、速度、团队
利用化学反应方式,将反应物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片 表面的薄膜沉积技术.
Layer Multi
名称 g-SiNx:H g-SiNx:L
膜厚 3500±10%Å 500±10%Å
使用气体
描述
SiH4+NH3+N2 对Gate信号线进行保护和 绝缘的作用
a-Si:L
500±15%Å
Glass
Coat & Exposure Development
TFT Panel
Six sigma for working smarter
Page 18
五、 Photo工艺简介
品质、速度、团队
三个主要步骤：他们是涂胶 Coater，曝光 Exposure，显影 Development
(1) 涂胶 Coater ： 将光刻胶通过涂胶这个步骤，均匀的涂在玻璃 基板上。
Page 11
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为
Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。
PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量， Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非r working smarter
Page 12
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效 率就越高。
合肥京东方array检测科工作内容
合肥京东方array检测科工作内容摘要：1.合肥京东方array检测科概述2.工作内容一：Array制程品质检测3.工作内容二：Array设备维护与保养4.工作内容三：品质改善与效率提升5.工作内容四：跨部门协同与技术支持6.合肥京东方array检测科工作成果及展望正文：合肥京东方是一家专注于显示器产业的知名企业，其array检测科在生产过程中发挥着至关重要的作用。
本文将详细介绍合肥京东方array检测科的工作内容。
首先，合肥京东方array检测科的主要职责是进行Array制程品质检测。
这一环节至关重要，因为array制程品质直接影响到最终显示器的性能和用户体验。
检测科工作人员会运用专业设备和技术，对生产过程中的array进行全面检测，确保产品品质达到企业标准。
其次，Array设备维护与保养也是合肥京东方array检测科的重要工作内容。
为了保证生产过程的稳定性和连续性，检测科工作人员需定期对Array设备进行维护和保养，及时发现并解决设备故障，降低设备故障率。
此外，品质改善与效率提升是合肥京东方array检测科持续关注的焦点。
通过不断优化检测流程、提高检测速度和准确率，以及引入新技术和方法，检测科工作人员致力于降低生产成本，提高生产效率，从而提升企业竞争力。
跨部门协同与技术支持也是合肥京东方array检测科的工作内容之一。
在生产过程中，array检测科需要与其他部门紧密协作，确保整个生产流程的顺利进行。
同时，检测科还需为其他部门提供必要的技术支持，协助解决技术问题。
综上所述，合肥京东方array检测科在品质检测、设备维护、品质改善、效率提升、跨部门协同和技术支持等方面发挥了关键作用。
Array 制程简介
2
InnoLux
All Rights Reserved
TFT Array structure
數據線 控制線
銀交點 對位mark
InnoLux Confidential
3
InnoLux
All Rights Reserved
TFT Array PEP
主製程 次製程
PVD CVD
Monitor Item
InnoLux Confidential
11
InnoLux
All Rights Reserved
TFT Device operation
Vgs Vth
S
D
G
元件示意圖
i) 在閘極(G)給予適當之電壓 : Vgs > Vth 使通道感應出電子,由源極(S)導通至汲極(D)
S
D
ON
G
ii) 當閘極(G)之電壓 Vgs < Vth 則感應不出電子,使得通道形成斷路
Array Test – after 5 PEP process
TEG 元件測試 Laser Repair 畫素修補 Array finish cell
1. TEG元件測試 :量測元件導通截止電流及量測電壓 電流曲線 2. Laser repair : 係利用雷射加工使得不良之產品 變為良品,以增加工廠良率與提升產品等級.
ITO
鍍上ITO(銦錫氧化物,透明畫素電極)
InnoLux Confidential
6
InnoLux
All Rights Reserved
TFT Array 5 PEP Process
PEP1 GE Layer
GE:4000Å
Cst
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解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目
TFT工程
[Glass基板]
Cell工程
Module工程
[ＬＣＤ Panel]
绑定
［TFT基板］ ［CF］ [驱动IC]
成膜
[膜]
重 塗布 复
[Glass基板] [PR]
液晶滴下 真空贴合
装配
[连接电路] [保护板]
[Mask]
曝光 現像 刻蚀
Defect type GC short
Repair method
用Block laser 将残留metal打掉 用Block laser 将残留 metal打掉
Metal residue
Metal residue
Metal residue
用Block laser 将残留metal 打掉
波长选择532nm
LG.Philips LCD
韩国龟尾 韩国龟尾
韩国天安
三星电子 韩国天安 韩国牙山
第5代
第5代 第7代
1100X1250
1100X1300 1870X2200
4季度
4季度 1季度
10万/月
10万/月 7万/月
友达光电
台湾龙潭
台湾龙潭
第5代
第5代 第5代 第4.5代 第5代 第5代 第5代 第6代 第6代 第5代 第5代 第4.5代
1.a-Si的刻蚀 反应方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他
Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。
2.SiN的刻蚀 反应方程：SF6+He＋SiN→ SiF4↑+SiS2↑ +其他
SF6：F元素的供给源。 He：使等离子体均一化 O2：有利于形成Taper角
Slit (extrusion) coating
薄膜生长制程
PVD
刻蚀
将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上， 形成由光刻技术定义的图形.
利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应—湿刻 利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分—干刻
Etching type
Substrate
[信号基板］
切割
[BLU］
剥離 検査
[TFT基板]
[LCD Panel]
[LCD Module]
Photo Process – Resist Coating
Resist dispenser Extrusion head Rotating glass Glass
Photoresist
Spin coating
新型显示技术
技术名称
半反射半透射技术 （Transflective） 多畴垂直取向/电极图形垂直 取向技术 (MVA/PVA)
优点
省电、室外显示效果好 视角广、对比度高、响应时间短、不需要 摩擦制程
缺点
制程复杂、良率降低 制程复杂、良率降低 制程复杂、良率降低、透过 率低、耗电量高
平面内转换技术 (IPS) 光学补偿弯曲排列技术 （OCB）
有机膜高开口率技术 （HAR）
视角广、低色移
响应速度快（包括低温情况）、视角广
制程复杂、良率降低、需要 预置电压
制程复杂、良率降低、增加 材料成本 发热量高 良率降低
开口率高、透过率高
成本更低、结构更紧凑、机械可靠性更高 产量提高、成本降低
非晶硅栅驱动器与有源矩阵 显示集成技术 （ASG）
4掩模版技术 （4 MASK） 异形panel
• • • • • PEP PEP PEP PEP PEP 1 Mo/AlNd wet etch 2 SiNx /α-Si/ n+-Si dry etch 3 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si wet/dry etch 4 SiNx dry etch 5 ITO wet etch
干刻用气体
1100X1250
1100X1300 1100X1300 730X920 1200X1300 1100X1300 1100X1250 1500X1800 1500X1800 1100X1250 1100X1300 730X920
2季度
2季度 1季度 2季度 1季度 2季度 2季度 1季度 2季度 1季度 4季度 2007.3季度
Dry etch Plasma Isotropic+Anisotropic
PR 膜 基板 基板
Wet etch Chemical Isotropic
PR 膜 PR 膜
Etchant 等方向浸 入造成 Side Etch
基板
Isotropic
Anisotropic
Etching type selection
Step 1：Spray Step 2：Dip
Dip 浸入
Good taper shape
AOI
3GB×44unit=132GB
AOI – Auto optical inspection
The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be reviewed precisely
3.PR灰化（Ashing） 反应方程：PR+O2→
O2：利用等离子体方法去除PR
湿刻
• M1：Mo/AlNd • M2：Mo/Al/Mo • ITO
草酸（H2C2O4）
HNO3+CH3COOH +H3PO4
Etching mode
Spray 喷淋
Faster Etching rate Spray+Dip
Array制程与检测介绍
上海天马微电子有限公司
• TFT-LCD简介
1.何谓TFT-LCD： TFT─Thin Film Transistor 薄膜晶体管 LCD─Liquid Crystal Display 液晶显示器 2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、 低辐射、低耗电量、全彩化等优点 ，故已广泛使用于各类显示器材上
← 2160mm →
←
2400mm
→
TEG prober and Tester
Array laser repair
Inlayer repair(PEP1)
Example: After Striper After laser repair
Metal
Data from AOI
Al/ND:532nm
5万/月
7万/月 >6万/月 7万/月 6万/月 6万/月 3.5万/月 4.5万/月 1.5万/月 6万/月 4.5万/月 3万/月
奇美电子 中华映管 瀚宇彩晶 广辉电子 群创光电 夏普
台湾台南 中国台湾 台湾台南 台湾桃园 中国台湾 日本 日本
京东方 上广电-NEC 上天马
中国北京 中国上海 中国上海
满足产品个性化需求
制程复杂
數碼相機
數碼攝錄影機
பைடு நூலகம்汽車導航顯示器
筆記型電腦 數碼影音光碟機
液晶電視
桌上型顯示器
厂商
地区
韩国龟尾 第5代 第5代 第6代
尺寸
2002 1000X1200 1100X1250 1500X1850 1季度
投产日期 2003 2004 2005 设计产能 6万/月 1季度 4季度 6万/月 9万/月