信息时代的信息功能材料仍是最活跃的领域(1)
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（1） 激光材料（20世纪60年代初）
激光：高亮度、单色、高方向性 红宝石（Cr+++:Al2O3 ） 掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG)
（2） 非线性光学晶体（变频晶体）
KDP（磷酸二氢钾）、KTP（磷酸钛氢钾） LN（铌酸锂）、BBO（偏硼酸铝）、 LBO（三硼酸锂）…
12
（3）红外探测材料（军用为主）
迈入21世纪新材料
2004 年 2 月
1
目录
序言 信息功能材料
– 半导体材料 – 光电子材料
能源功能材料
– 超导材料 – 磁性材料 – 贮能材料 – 燃料电池
2
生物材料与智能材料
– 医用生物材料 – 仿生材料 – 工业生产中的生物模拟 – 智能材料及智能系统
宇航及动力机械材料 材料制备工艺及检测 纳米材料科学技术 材料设计
1999ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
工艺水平（ m)
0.18
DRAM
256 M
硅片直径 (mm)
200
表面关键杂质 (At / cm 2) (10 9) 局部平坦度（nm)
光散射缺陷(个/ cm2)
13 180 0.29
2002 0.13 1G 300 7.5 130 0.14
2005 0.10 4G 300 5 100 0.06
液铀冷却 （强腐蚀），泄漏 污染 （副产物 P239,半衰期2.4万年）
法国超凤凰堆（1986－1995）
最近提出加速器驱动的核电站 （嬗变）可解决污染问题
25
可控热核聚变反应堆－永久能源 D2＋D2 T3 + P + 4.04 Mev
D2＋T3 He4 + n + 17.5 Mev
一吨海水所含D2相当300吨汽油
3
不同类型材料的发展
– 金属结构材料 – 工程陶瓷及其它无机非金属材料 – 有机高分子材料 – 先进复合材料 – 碳素材料
结束语
4
序言
21世纪时代特征:
(1) 人口、资源(能源)、环境（生态）三大压力; (2) 信息与经济的全球一体化; (3) 知识经济时代意味着科学技术与教育将受到更高的重视 (5) 国防与战争仍是促进科学技术发展的动力 (4) 人类社会在发生变化：
还有Cu2InSe2, CdTe, Cu2O, Cu2S, CdS 等
21
卫星用太阳能电池 双结电池（GaInP/GaAs）23.7％
三结电池（GaInP/GaAs/Ge）27.％ 四结电池（GaInP/GaAs/GaInNAs/Ge 40％理论）
一种设想：空间太阳能发电站 太阳能射向地球
2008 0.07 16 G 450 2.5 100 0.03
8
(2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物
GaAs 电子迁移率是Si的6倍（高速），禁带宽 （高温）广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、 耐高温、抗辐射器件。
GaAs用于集成电路其处理容量大100倍，能力 强10倍，抗辐射能力强2个量级，是携带电话的 主要材料。InP 的性能比 GaAs 性能更优越，用于 光纤通讯、微波、毫米波器件。
HgCdTe、 InSb、 CdZnTe、 CdTe
（4）半导体光电子材料，见表2
13
表2 主要化合物半导体及其用途
领域
材料
器件
微电子 GaAs、InP
超高速 IC
GaAs
FET
光电子 GaAs InP Sb InAs
LD
GaAs
红外 LED
GaP、GaAs、GaAsP、 GaAlAs、InGaAlP
表7－几种金属间化物贮氢材料
相对含氢密度
液氢（-235 ? ） Mg2 Ni H4
1
1.33
相对含氢量（%）
100
3.8
La Ni5 H6 1.48 1.4
Ti Fe H1.9 1.35 1.8
纳米碳管是最近发现的贮氢材料，正在研究开发中。
33
表8为几种典型电池反应机理与特性，当前 最有发展前景的是Ni－MH电池，但从比能量密度， 锂电池最好，而价格是前者3.5倍，其中塑料锂 电池具有重量轻，形状可任意改变，安全性更好 的特点，可能是21世纪开发的重点。
多模只适于小容量近距离（40Km,100M bps) 单模可传输调制后的信号≥40Gbps 到200Km， 而不需放大。
17
（7）记录材料
21世纪将是以信息存储为核心的计算机时代，在军事 方面，如何快速准确地获取记录、存储、交换与发送信 息是制胜的关键。
磁记录在21世纪初仍有很强的生命力，通过垂直磁记 录技术和纳米单磁畴技术，再加先进磁头（如巨磁电阻） （GMR）的采用，有可能使每平方英寸的密度达100GB， 所用介质为氧化物磁粉（γ-Fe2O3及加 Co γ -Fe2O3、CrO2)，金属磁粉或钡铁氧体粉。
CdTe、CdZnTe、HgCdTe
LEP —
InSb、CdTe、HgCdTe、 — PbS、PbZnTe
GaAs、InP、GaSb
—
用途 电脑 携带电话 光通讯 遥控耦合器 出外显示器
热成像仪 红外探测器
太阳能电池
14
（5）显示材料
发光二级管（LED）如表 3
表3 LED 发光材料及可见光区
发光尺
敏感材料种类繁多，涉及半导体材料、功 能陶瓷、高分子、生物酶与核酸链（DNA） 等。限于篇幅不一一列举。
19
（二）能源功能材料将取得 突破性进展
化石能源日益枯竭（甲烷水化物） 环境要求越来越高 由于人口增长，生活水平提高，能源需求量大幅度
增加。 开源节流
（1）可再生能源的开发（水电不存在材料问题）
寿命延长(器官更换，生物工程) 生活水平提高(加速资源消耗) 交往频繁(信息网络、交通运输)
(6) 人的质量是社会进步的决定性因素（教育将受到重大重视， 创新环境十分重要）
5
(一)信息时代的信息功能材料仍是 最活跃的领域
信息功能材料 是指信息获取、传输、转换、 存储、 显
示或控制所需材料。 半导体材料 (1) 以硅为基础的微电子技术仍将占十分重要位置。芯片特 征尺寸以每三年缩小 计, 到2010年可能到极限(0.07μm)（量 子效应、磁场及热效应、制作困难、投资大）。
磁光记录：与磁记录不同之处在于记录传感元件是光头 而不是磁头。磁光盘的介质主要是稀土-过渡族金属，如 TbFeCo、GdTbFe、NdFeCo，最新的是Pb/Co多层调制膜或 Bi石榴石薄膜。磁光盘的特点在于可重写，可交换介质。
18
（8）敏感材料
计算机的控制灵敏度与精确度有赖于敏感 材料的灵敏度与稳定性。
30％大气反射 23％大气吸收
空间太阳能电站，微波传到地面, 一个10 万千瓦电站寿命10年
22
系统 空间太阳能 地面太阳能
占地 Km2 投资＄/kw 成本＄/kwh
4
3.770
8．6
26
20.000
45．0
美国2010年电价2.2＄/kwh
我国西北日照时间长，沙漠干旱设地面
太阳能电站： 入网 燃料电池 电解水－H2 储氢
液晶显示(LCD)材料(1968年发明)为21世纪上半叶主要显示材料
15
(6)光纤与光缆材料(网络)(表4)
一条光纤带宽所容纳信息量相当于全世界无线电带宽的 1000倍. (25 T bps vs 25 G bps )
表4 光纤发展阶段及所需材料
发展阶段 波长 (m) 第一阶段 0.85
模数 多模
（1m3 H2＝5度电） 化工原料
23
风能及风力发电
W＝1/2 PV3（V风速） 太阳能到地面有2％变风能
全球 1.3万亿KW 中国 32亿KW
潮汐、海水温差、地热能
24
（2）核能
目前核电站基于铀裂变（热中子反应维） 燃料U235，铀矿中占0.71％，U238为99.28％。 快中子增殖维： U238 ，效率60－79％
铁损（W/kg）
0.31
0.15
1.00
这些都属软磁材料，用于变压器，电动机在仪 表工业中用量更大的是软磁铁氧体，虽然已很成 熟但向高磁感强度（Bs），高磁导率（）低损耗 方向发展，仍有广阔发展前景。
29
硬磁材料发展很快，20世纪40年代AlNiCo， 50 年 代 铁 氧 体 ， 65 年 ReCO5,72 年 R2CO17 ， 83 年 NdFeB,磁能积提高了几十倍，从性能价格比来看， （表6）铁氧体永磁远比其它磁性材料更具有竞 争能力；
海水 D2=1013砘
已实现点火，处于物理研究所段，
材料问题：高温 抗辐射 氢脆
2050年或更长可实用化
26
（3）超导材料
低温（液氦温度）超导已产业化，价格问题 高温（液氮温度）超导已发现30多种
YBaCuO，Je≥10 5 A/cm2 （薄膜,块体） (Bi,Pb) Sr Ca Cu O (B1 2223/ Ag) 带丝线材生产稳定， 质量均一性未能解决， 2010年可望产业化
探索高温超导，及高温超导机理问题 趋导失超后的安全问题
27
(4) 磁 性 材 料
硅钢片是最重量要的软磁材料（全世界 650万吨）
铁基非晶态合金有明显优越性（表5）
特别用于：电焊机，节能，体积小（1/10） 作为结构材料：耐磨（作磁头），
耐蚀（代不锈钢） 冷轧硅钢片。
28
材料
Fe 81B13.5Si3.5C2 Fe80B15.9Si2.4Co0.9 Fe-3.2Si
太阳能的利用：辐射于地球能量一万倍于人类所消 耗的能源（61017kwh）
密度低 1kwh/m2 气候影响大
20
两种利用形式
直接辐射能
热水器 热水发电
光伏电能
民用： 高效、长寿、价廉，需要储电系统。 -Si (12.7%) (理论24%) 多晶 17.7 %
单晶Si 23.1% GaAs 28.7％
9
（3）第三代半导体材料是禁带更宽的SiC、 GaN及金刚石。
（4）下一代集成电路的探索
光集成 原子操纵
10
光电子材料
21世纪光电子材料将得到更大发展
电子质量：10-31 Kg / 电子 电子运动：磁场、电阻热、电磁干扰、光高速、
传输（容量大、损耗低、高速、不受 电磁干扰、省材料）
11
光电子材料包括：
衰耗 (dB/km)
1.5
中继距离 (Km) 10
第二阶段 1.30
单模
0.8
60
第三阶段 1.55
单模
0.16
-4
500
16
光纤材料:
石英玻璃： SiO2、SiO2-GeO2、 SiO2-B2O3-F 多组分玻璃：SiO2-GaO-Na2O、 SiO2-B2O3–Na2O 红外玻璃： 重金属氧化物、卤化物 掺稀土元素玻璃： Er、Nd、…
NdFeB 则单位体积的性能比铁氧体高出10倍而得 到更快的发展，目前世界产量近万吨，中国占了 一半左右，但性能有待进一步提高。
下一代永磁发展目标是纳米技术的应用与新材料 的探索，如：SmFeN等。
过 去 每 10 年 提 高 40kJ/m3 ， 2010 年 达 可 到 600 － 800kJ/m3，
30
表6－永磁体价格 / 性能比（1995）
材料 比重 ( t / m3) 性能（kJ/m3） 价格（USD/t）104 价性比（USD/J）
NdFeB* 7.4 295 17 4.3
SmCo 8.4 191 28 12.3
AlNiCo 7.3
56 5.2 68
铁氧体 5.1
25.9 0.55 1.08
6
但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量 存在，并将有所发展。
* 在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOn Insulator) :功能低、低 漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于 便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。
* 集成系统（IS，Integrated System)：在单个芯片上完成 整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个 芯片 (System on a Chip)。
* 集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、 低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。 为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE，LPE， MOCVD 及 MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来 愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。
7
表1 集成电路发展对材料质量的要求
首批产品出现年代
Ga0.65Al0.35As GaAs0.35P0.65(N) GaAs0.1P0.9(N) GaAs0.1P0.9(N) GaP
衬底
GaAs GaP GaP GaP Gap
发光颜色
红 红 橙 黄 绿
波长（nm)
660 650 610 583 555
GaN
Α-Al2O3
蓝
490
SiC
SiC
蓝
480(全包显示屏)
* NdFeB最大磁能积512KJ/m3（理论值）
31
（5）贮能材料（贮氢与高能电池） 电网调峰与环保的需要，信息电子工业所必须， 与太阳能配套。 太阳能发电 电解水－氢－贮氢 电－蓄电池 也是机械能动力源
32
贮氢材料：金属间化物贮氢基本成熟（表7），但用于 汽车燃料存在比重大，易中毒和价格问题。
激光：高亮度、单色、高方向性 红宝石（Cr+++:Al2O3 ） 掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG)
（2） 非线性光学晶体（变频晶体）
KDP（磷酸二氢钾）、KTP（磷酸钛氢钾） LN（铌酸锂）、BBO（偏硼酸铝）、 LBO（三硼酸锂）…
12
（3）红外探测材料（军用为主）
迈入21世纪新材料
2004 年 2 月
1
目录
序言 信息功能材料
– 半导体材料 – 光电子材料
能源功能材料
– 超导材料 – 磁性材料 – 贮能材料 – 燃料电池
2
生物材料与智能材料
– 医用生物材料 – 仿生材料 – 工业生产中的生物模拟 – 智能材料及智能系统
宇航及动力机械材料 材料制备工艺及检测 纳米材料科学技术 材料设计
1999ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
工艺水平（ m)
0.18
DRAM
256 M
硅片直径 (mm)
200
表面关键杂质 (At / cm 2) (10 9) 局部平坦度（nm)
光散射缺陷(个/ cm2)
13 180 0.29
2002 0.13 1G 300 7.5 130 0.14
2005 0.10 4G 300 5 100 0.06
液铀冷却 （强腐蚀），泄漏 污染 （副产物 P239,半衰期2.4万年）
法国超凤凰堆（1986－1995）
最近提出加速器驱动的核电站 （嬗变）可解决污染问题
25
可控热核聚变反应堆－永久能源 D2＋D2 T3 + P + 4.04 Mev
D2＋T3 He4 + n + 17.5 Mev
一吨海水所含D2相当300吨汽油
3
不同类型材料的发展
– 金属结构材料 – 工程陶瓷及其它无机非金属材料 – 有机高分子材料 – 先进复合材料 – 碳素材料
结束语
4
序言
21世纪时代特征:
(1) 人口、资源(能源)、环境（生态）三大压力; (2) 信息与经济的全球一体化; (3) 知识经济时代意味着科学技术与教育将受到更高的重视 (5) 国防与战争仍是促进科学技术发展的动力 (4) 人类社会在发生变化：
还有Cu2InSe2, CdTe, Cu2O, Cu2S, CdS 等
21
卫星用太阳能电池 双结电池（GaInP/GaAs）23.7％
三结电池（GaInP/GaAs/Ge）27.％ 四结电池（GaInP/GaAs/GaInNAs/Ge 40％理论）
一种设想：空间太阳能发电站 太阳能射向地球
2008 0.07 16 G 450 2.5 100 0.03
8
(2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物
GaAs 电子迁移率是Si的6倍（高速），禁带宽 （高温）广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、 耐高温、抗辐射器件。
GaAs用于集成电路其处理容量大100倍，能力 强10倍，抗辐射能力强2个量级，是携带电话的 主要材料。InP 的性能比 GaAs 性能更优越，用于 光纤通讯、微波、毫米波器件。
HgCdTe、 InSb、 CdZnTe、 CdTe
（4）半导体光电子材料，见表2
13
表2 主要化合物半导体及其用途
领域
材料
器件
微电子 GaAs、InP
超高速 IC
GaAs
FET
光电子 GaAs InP Sb InAs
LD
GaAs
红外 LED
GaP、GaAs、GaAsP、 GaAlAs、InGaAlP
表7－几种金属间化物贮氢材料
相对含氢密度
液氢（-235 ? ） Mg2 Ni H4
1
1.33
相对含氢量（%）
100
3.8
La Ni5 H6 1.48 1.4
Ti Fe H1.9 1.35 1.8
纳米碳管是最近发现的贮氢材料，正在研究开发中。
33
表8为几种典型电池反应机理与特性，当前 最有发展前景的是Ni－MH电池，但从比能量密度， 锂电池最好，而价格是前者3.5倍，其中塑料锂 电池具有重量轻，形状可任意改变，安全性更好 的特点，可能是21世纪开发的重点。
多模只适于小容量近距离（40Km,100M bps) 单模可传输调制后的信号≥40Gbps 到200Km， 而不需放大。
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（7）记录材料
21世纪将是以信息存储为核心的计算机时代，在军事 方面，如何快速准确地获取记录、存储、交换与发送信 息是制胜的关键。
磁记录在21世纪初仍有很强的生命力，通过垂直磁记 录技术和纳米单磁畴技术，再加先进磁头（如巨磁电阻） （GMR）的采用，有可能使每平方英寸的密度达100GB， 所用介质为氧化物磁粉（γ-Fe2O3及加 Co γ -Fe2O3、CrO2)，金属磁粉或钡铁氧体粉。
CdTe、CdZnTe、HgCdTe
LEP —
InSb、CdTe、HgCdTe、 — PbS、PbZnTe
GaAs、InP、GaSb
—
用途 电脑 携带电话 光通讯 遥控耦合器 出外显示器
热成像仪 红外探测器
太阳能电池
14
（5）显示材料
发光二级管（LED）如表 3
表3 LED 发光材料及可见光区
发光尺
敏感材料种类繁多，涉及半导体材料、功 能陶瓷、高分子、生物酶与核酸链（DNA） 等。限于篇幅不一一列举。
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（二）能源功能材料将取得 突破性进展
化石能源日益枯竭（甲烷水化物） 环境要求越来越高 由于人口增长，生活水平提高，能源需求量大幅度
增加。 开源节流
（1）可再生能源的开发（水电不存在材料问题）
寿命延长(器官更换，生物工程) 生活水平提高(加速资源消耗) 交往频繁(信息网络、交通运输)
(6) 人的质量是社会进步的决定性因素（教育将受到重大重视， 创新环境十分重要）
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(一)信息时代的信息功能材料仍是 最活跃的领域
信息功能材料 是指信息获取、传输、转换、 存储、 显
示或控制所需材料。 半导体材料 (1) 以硅为基础的微电子技术仍将占十分重要位置。芯片特 征尺寸以每三年缩小 计, 到2010年可能到极限(0.07μm)（量 子效应、磁场及热效应、制作困难、投资大）。
磁光记录：与磁记录不同之处在于记录传感元件是光头 而不是磁头。磁光盘的介质主要是稀土-过渡族金属，如 TbFeCo、GdTbFe、NdFeCo，最新的是Pb/Co多层调制膜或 Bi石榴石薄膜。磁光盘的特点在于可重写，可交换介质。
18
（8）敏感材料
计算机的控制灵敏度与精确度有赖于敏感 材料的灵敏度与稳定性。
30％大气反射 23％大气吸收
空间太阳能电站，微波传到地面, 一个10 万千瓦电站寿命10年
22
系统 空间太阳能 地面太阳能
占地 Km2 投资＄/kw 成本＄/kwh
4
3.770
8．6
26
20.000
45．0
美国2010年电价2.2＄/kwh
我国西北日照时间长，沙漠干旱设地面
太阳能电站： 入网 燃料电池 电解水－H2 储氢
液晶显示(LCD)材料(1968年发明)为21世纪上半叶主要显示材料
15
(6)光纤与光缆材料(网络)(表4)
一条光纤带宽所容纳信息量相当于全世界无线电带宽的 1000倍. (25 T bps vs 25 G bps )
表4 光纤发展阶段及所需材料
发展阶段 波长 (m) 第一阶段 0.85
模数 多模
（1m3 H2＝5度电） 化工原料
23
风能及风力发电
W＝1/2 PV3（V风速） 太阳能到地面有2％变风能
全球 1.3万亿KW 中国 32亿KW
潮汐、海水温差、地热能
24
（2）核能
目前核电站基于铀裂变（热中子反应维） 燃料U235，铀矿中占0.71％，U238为99.28％。 快中子增殖维： U238 ，效率60－79％
铁损（W/kg）
0.31
0.15
1.00
这些都属软磁材料，用于变压器，电动机在仪 表工业中用量更大的是软磁铁氧体，虽然已很成 熟但向高磁感强度（Bs），高磁导率（）低损耗 方向发展，仍有广阔发展前景。
29
硬磁材料发展很快，20世纪40年代AlNiCo， 50 年 代 铁 氧 体 ， 65 年 ReCO5,72 年 R2CO17 ， 83 年 NdFeB,磁能积提高了几十倍，从性能价格比来看， （表6）铁氧体永磁远比其它磁性材料更具有竞 争能力；
海水 D2=1013砘
已实现点火，处于物理研究所段，
材料问题：高温 抗辐射 氢脆
2050年或更长可实用化
26
（3）超导材料
低温（液氦温度）超导已产业化，价格问题 高温（液氮温度）超导已发现30多种
YBaCuO，Je≥10 5 A/cm2 （薄膜,块体） (Bi,Pb) Sr Ca Cu O (B1 2223/ Ag) 带丝线材生产稳定， 质量均一性未能解决， 2010年可望产业化
探索高温超导，及高温超导机理问题 趋导失超后的安全问题
27
(4) 磁 性 材 料
硅钢片是最重量要的软磁材料（全世界 650万吨）
铁基非晶态合金有明显优越性（表5）
特别用于：电焊机，节能，体积小（1/10） 作为结构材料：耐磨（作磁头），
耐蚀（代不锈钢） 冷轧硅钢片。
28
材料
Fe 81B13.5Si3.5C2 Fe80B15.9Si2.4Co0.9 Fe-3.2Si
太阳能的利用：辐射于地球能量一万倍于人类所消 耗的能源（61017kwh）
密度低 1kwh/m2 气候影响大
20
两种利用形式
直接辐射能
热水器 热水发电
光伏电能
民用： 高效、长寿、价廉，需要储电系统。 -Si (12.7%) (理论24%) 多晶 17.7 %
单晶Si 23.1% GaAs 28.7％
9
（3）第三代半导体材料是禁带更宽的SiC、 GaN及金刚石。
（4）下一代集成电路的探索
光集成 原子操纵
10
光电子材料
21世纪光电子材料将得到更大发展
电子质量：10-31 Kg / 电子 电子运动：磁场、电阻热、电磁干扰、光高速、
传输（容量大、损耗低、高速、不受 电磁干扰、省材料）
11
光电子材料包括：
衰耗 (dB/km)
1.5
中继距离 (Km) 10
第二阶段 1.30
单模
0.8
60
第三阶段 1.55
单模
0.16
-4
500
16
光纤材料:
石英玻璃： SiO2、SiO2-GeO2、 SiO2-B2O3-F 多组分玻璃：SiO2-GaO-Na2O、 SiO2-B2O3–Na2O 红外玻璃： 重金属氧化物、卤化物 掺稀土元素玻璃： Er、Nd、…
NdFeB 则单位体积的性能比铁氧体高出10倍而得 到更快的发展，目前世界产量近万吨，中国占了 一半左右，但性能有待进一步提高。
下一代永磁发展目标是纳米技术的应用与新材料 的探索，如：SmFeN等。
过 去 每 10 年 提 高 40kJ/m3 ， 2010 年 达 可 到 600 － 800kJ/m3，
30
表6－永磁体价格 / 性能比（1995）
材料 比重 ( t / m3) 性能（kJ/m3） 价格（USD/t）104 价性比（USD/J）
NdFeB* 7.4 295 17 4.3
SmCo 8.4 191 28 12.3
AlNiCo 7.3
56 5.2 68
铁氧体 5.1
25.9 0.55 1.08
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但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量 存在，并将有所发展。
* 在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOn Insulator) :功能低、低 漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于 便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。
* 集成系统（IS，Integrated System)：在单个芯片上完成 整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个 芯片 (System on a Chip)。
* 集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、 低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。 为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE，LPE， MOCVD 及 MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来 愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。
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表1 集成电路发展对材料质量的要求
首批产品出现年代
Ga0.65Al0.35As GaAs0.35P0.65(N) GaAs0.1P0.9(N) GaAs0.1P0.9(N) GaP
衬底
GaAs GaP GaP GaP Gap
发光颜色
红 红 橙 黄 绿
波长（nm)
660 650 610 583 555
GaN
Α-Al2O3
蓝
490
SiC
SiC
蓝
480(全包显示屏)
* NdFeB最大磁能积512KJ/m3（理论值）
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（5）贮能材料（贮氢与高能电池） 电网调峰与环保的需要，信息电子工业所必须， 与太阳能配套。 太阳能发电 电解水－氢－贮氢 电－蓄电池 也是机械能动力源
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贮氢材料：金属间化物贮氢基本成熟（表7），但用于 汽车燃料存在比重大，易中毒和价格问题。