解读内存颗粒编号含义

现代内存颗粒编号含义

现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。

现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图

采用现代颗粒的内存颗粒特写

第1部分代表该颗粒的生产企业。＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。

第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U 代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压。

第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由＂64、66、28、56、57、12、1G＂来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。

第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用＂4、8、16、32＂来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。

第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是＂1＂代表2 bank，＂2＂代表4 bank，＂4＂代表8 bank。

第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是＂1＂代表SSTL_3，＂2＂代表SSTL_2；＂3＂代表SSTL_18。

第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成。这部分的字母在26个字母中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，＂A＂表示第二版，依次类推，到第5版则有＂D＂来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。

第9部分代表的是功耗。如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了＂L＂字母，则代表该内存颗粒为低功耗。

第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由＂T＂代表TOSP封装，＂Q＂代表LOFP封装，＂F＂代表FBGA封装，＂FC＂代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装。

第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表Hynix；K代表

M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。

第12部分代表封装材料，由一个字母组成。空白表示普通，＂P＂代表铅，＂H＂代表卤素，＂R＂代表铅和卤素。

总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，你也消楚的知道这款内存的真正的性能如何。

Micron的内存编码分析

内存是计算机的重要部件，如果准备购买Micron品牌内存的消费者学会解读内存芯片的编码，可以避免购买到＂以假充真＂的伪劣产品。Micron公司对各种内存芯片产品都采用统一的统一编号规则，所以学习Micron的内存编号并不复杂。

A字段由MT组成，代表Micron内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。4代表DRAM46代表DDR SDRAM47代表DDRII48代表SDRAM49代表RLDRAM。

C字段表示工作电压、生产技术。C代表VCC电压为5V、CMOS工艺LC代表VDD电压为3.3V、CMOS工艺V代表VDD电压为2.5V、CMOS工艺H代表VDD电压为1.8V、CMOS工艺。

D字段表示密度与宽度，格式为：16M8，表示16Mbit密度，8位数据宽度。

这组字符是以字母区隔开，字母前面表示密度，字母表示密度的单位，字母后面表示数据宽度。没有字母表示密度的单位为BitK表示密度的单位为KbitM表示密度的单位为MbitG表示密度的单位为Gbit。

E字段代表内存芯片的内核版本号，此字段也可能是空白。

F字段表示内存芯片的封装方式。

DJ表示SOJ封装;DW表示SOJ（Wide）;F表示FBGA（54针，4面封装）;FB表示FBGA（60针、84针8＊16）;FC表示FBGA（60针、90针和144针，11＊13）;FD表示FBGA（80针，9＊16）;FF表示FBGA（54针，8＊9）;FG表示FBGA（54针，8＊14）;FH表示FBGA（84针，11＊16）;FJ表示FBGA（60针，9＊16）;FK表示FBGA（60针，90针和144针，12＊12）;FM 表示FBGA（144针，11＊18.5）FN表示FBGA（60针，10＊12.5）;FT表示FBGA（92针，11＊19）;FW表示FBGA（135针，11＊13）;FX表示FBGA（60针，10＊18.25）;F1表示FBGA （62针，13＊13）;F2表示FBGA（84针，11＊15）;LG表示TQFPR1表示FBGA（62针，13＊13;）R2表示FBGA（84针，11＊15）;TG表示TSOP（Type II）;TH表示TSOP（Type II）扩大宽度;TG表示Stacked TSOP

G字段表示内存芯片的时钟频率。

对于SDRAM内存芯片，-15代表66MHz;-12代表83MHz;-10代表100MHz;-8A代表125MHz （PC100）;-8C代表125MHz（PC100）;-8E代表125MHz（PC100）;-75代表133MHz（PC133）;-7E 代表133MHz（PC133）;-7代表143MHz（PC133）;-65代表150MHz-6代表167MHz;-6A代表167MHz;-55代表183MHz;-5代表200MHz。对于DDR SDRAM内存芯片，-10代表100MHz （DDR200）；-8代表125MHz（DDR200）；-75代表133MHz（DDR266x）-75Z代表133MHz（DDR266B）；-75E代表133MHz（DDR266A）；-65代表150MHz（DDR333x）；-6G代表167MHz（DDR333x）；-6T代表167MHz（DDR333x）；-6代表167MHz（DDR333x）；-55代表183MHz-5代表200MHz。对于DDR-II SDRAM内存芯片，-5代表200MHz-37代表267MHz。对于RLDRAM内存芯片，-5代表200MHz-；4代表250MHz；-33代表300MHz。

H字段表示功耗，此字段也可能是空白。L代表低功耗S代表自动更新。

I字段表示工作温度。空白代表商业温度（0℃～+70℃）I代表工业温度（-40℃～+85℃）。

J字段为特殊处理的代码。ES代表工程样品MS代表机械样品K代表过渡提供的样品H代表高速。