解读内存颗粒编号含义
教大家识别内存颗粒上的编号
教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。
该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。
其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。
比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。
2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
轻松识别DDR内存颗粒编号
轻松识别DDR内存颗粒编号！现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候，往往会选择性价比最高的内存，呵呵，DDR内存就是目前最好的选择了。
可是DDR到底是什么呀？（我倒～～～）DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。
由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。
DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。
但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。
（明白什么是DDR了吧！）既然我们现在已经知道了DDR为何物了，那么我们就开始选够吧。
可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生，为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者，我特地教给你们一手，如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存，不让JS的奸计得成！一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。
由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。
现代DDR内存：随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。
既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。
双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。
HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
NANYA内存颗粒编号代表什么意思
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
内存规范
DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
常用内存命名规则
常用内存命名规则常见内存芯片命名2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、Samsung内存具体含**释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G 代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
内存常用颗粒识别
内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
内存知识--颗粒编号
内存知识内存颗粒编号,内存知识具体含义解释：例：samsungk4h280838b-tcb0 主要含义：第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a 代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
现代SD内存颗粒编号含义
现代SD内存颗粒编号含义以现代为例，SDRAM芯片上的标识为以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM 。
第2个X代表工作电压，空白为5V，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：16： 16Mbits，4K Ref。
64： 64Mbits，8K Ref。
65： 64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。
是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为\"L\"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：JC ： 400mil SOJTC ： 400mil TSOP-ⅡTD ： 13mm TSOP-ⅡTG ： 16mm TSOP-Ⅱ最后几位为速度：7： 7ns (143MHz)8： 8ns (125MHz)10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)10s： 10ns (PC-100CL 3)10 ： 10ns (100MHz)12 ： 12ns (83MHz)15 ： 15ns (66MHz)注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4Krefresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、SamSUng内存具体含** 释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第 1 位——芯片功能K ，代表是内存芯片。
第 2 位——芯片类型4，代表DRAM 。
第 3 位——芯片的更进一步的类型说明，S 代表SDRAM 、H 代表DDR、G 代表SGRAM 。
第4、 5 位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A 代表64Mbit 的容量；28、27、2A 代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表256Mbit 的容量；51 代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08 代表8位数据；16代表16位数据；32 代表32 位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns; 70为7ns；7B为7.5ns(CL=3); 7C 为7.5ns(CL=2); 80 为8ns；10 为10ns(66MHz)°知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR 内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0 颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”表该颗粒是128MbitS ,第6、7位“08”表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128MbitS (兆数位)×16 片/8bits=256MB (兆字节)。
注：“bit为数位” “B w字节“byte,” 一个字节为8位则计算时除以&关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8 片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8 位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
内存颗粒识别大全
很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普
通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列 7、一般Biblioteka T 8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
学会识别内存的颗粒编号
学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。
1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。
二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。
1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。
DDR内存常用品牌颗粒识别
DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。
内存(图文并茂)
DDR内存
DDR=Double Data Rate双倍速率 同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫 DDR SDRAM，人们习惯称为DDR ； DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率 两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的 工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的 上升和下降沿都传输数据， 因此传输数据的等效频率 是工作频率的两倍。
DDR2内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它 在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更 快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 . 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是 采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式， 也就是说: DDR2内存每个时钟 能够以4倍外部总线的速度读/写数据， 并且能够以内部控制总线4倍的速度 运行。
3.存取时间 所谓存取时间，指的是CPU读或写内存内资料 的过程时间，也称为总线循环（bus cycle）。 以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要 求内存取用特定地址的特定资料，内存响应CPU 后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直到 CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。因 此，这整个过程简单地说便是CPU给出读取指令， 内存回复指令，并丢出资料给CPU的过程。我们 常说的6ns（纳秒，秒－9）就是指上述的过程所 花费的时间，而ns便是计算运算过程的时间单位。 我们平时习惯用存取时间的倒数来表示速度，比 如6ns的内存实际频率为1／6ns＝166MHz （如果是DDR就标DDR333，DDR2就标DDR2 6数据的 时间(单位一般用ns)来作为性能指标， 时间越短，速度就越快。普通内存速度 只能达到70ns～80ns，EDO内存速度 可达到60ns，而SDRAM内存速度则已 达到7ns。
教你辩识别内存颗粒
内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。
而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。
一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。
而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。
因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。
一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。
这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。
现代D43颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中，现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点，而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。
如果我们将它细分的话，D43内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。
其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好的。
三星UCCC内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者，它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒，1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。
UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用，后来才逐渐进入民用领域。
前期的产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。
但三星为了重夺高频内存之王的宝座，在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化，使得高频、海量、稳定三全齐美。
三星TCCC颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒，三星还有一TCCC颗粒，TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒，被用于三星原厂的“金条”中，它的价格要比TCCD便宜得多，而且兼容性也非常好，不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。
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现代内存颗粒编号含义现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。
其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。
现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。
A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二所示。
D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。
＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。
＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U 代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。
对于DDR内存，分别由＂64、66、28、56、57、12、1G＂来代表不同的容量和刷新设置。
其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。
第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。
分为4种情况，分别用＂4、8、16、32＂来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。
第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。
有三种情况，分别是＂1＂代表2 bank，＂2＂代表4 bank，＂4＂代表8 bank。
第7部分代表接口类型，由一个数字组成。
分为三种情况，分别是＂1＂代表SSTL_3，＂2＂代表SSTL_2；＂3＂代表SSTL_18。
第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成。
这部分的字母在26个字母中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，＂A＂表示第二版，依次类推，到第5版则有＂D＂来代表。
购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。
第9部分代表的是功耗。
如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了＂L＂字母，则代表该内存颗粒为低功耗。
第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。
由＂T＂代表TOSP封装，＂Q＂代表LOFP封装，＂F＂代表FBGA封装，＂FC＂代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装。
第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。
空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。
第12部分代表封装材料，由一个字母组成。
空白表示普通，＂P＂代表铅，＂H＂代表卤素，＂R＂代表铅和卤素。
总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。
那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，你也消楚的知道这款内存的真正的性能如何。
Micron的内存编码分析内存是计算机的重要部件，如果准备购买Micron品牌内存的消费者学会解读内存芯片的编码，可以避免购买到＂以假充真＂的伪劣产品。
Micron公司对各种内存芯片产品都采用统一的统一编号规则，所以学习Micron的内存编号并不复杂。
A字段由MT组成，代表Micron内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
4代表DRAM46代表DDR SDRAM47代表DDRII48代表SDRAM49代表RLDRAM。
C字段表示工作电压、生产技术。
C代表VCC电压为5V、CMOS工艺LC代表VDD电压为3.3V、CMOS工艺V代表VDD电压为2.5V、CMOS工艺H代表VDD电压为1.8V、CMOS工艺。
D字段表示密度与宽度，格式为：16M8，表示16Mbit密度，8位数据宽度。
这组字符是以字母区隔开，字母前面表示密度，字母表示密度的单位，字母后面表示数据宽度。
没有字母表示密度的单位为BitK表示密度的单位为KbitM表示密度的单位为MbitG表示密度的单位为Gbit。
E字段代表内存芯片的内核版本号，此字段也可能是空白。
F字段表示内存芯片的封装方式。
DJ表示SOJ封装;DW表示SOJ（Wide）;F表示FBGA（54针，4面封装）;FB表示FBGA（60针、84针8＊16）;FC表示FBGA（60针、90针和144针，11＊13）;FD表示FBGA（80针，9＊16）;FF表示FBGA（54针，8＊9）;FG表示FBGA（54针，8＊14）;FH表示FBGA（84针，11＊16）;FJ表示FBGA（60针，9＊16）;FK表示FBGA（60针，90针和144针，12＊12）;FM 表示FBGA（144针，11＊18.5）FN表示FBGA（60针，10＊12.5）;FT表示FBGA（92针，11＊19）;FW表示FBGA（135针，11＊13）;FX表示FBGA（60针，10＊18.25）;F1表示FBGA （62针，13＊13）;F2表示FBGA（84针，11＊15）;LG表示TQFPR1表示FBGA（62针，13＊13;）R2表示FBGA（84针，11＊15）;TG表示TSOP（Type II）;TH表示TSOP（Type II）扩大宽度;TG表示Stacked TSOPG字段表示内存芯片的时钟频率。
对于SDRAM内存芯片，-15代表66MHz;-12代表83MHz;-10代表100MHz;-8A代表125MHz （PC100）;-8C代表125MHz（PC100）;-8E代表125MHz（PC100）;-75代表133MHz（PC133）;-7E 代表133MHz（PC133）;-7代表143MHz（PC133）;-65代表150MHz-6代表167MHz;-6A代表167MHz;-55代表183MHz;-5代表200MHz。
对于DDR SDRAM内存芯片，-10代表100MHz （DDR200）；-8代表125MHz（DDR200）；-75代表133MHz（DDR266x）-75Z代表133MHz（DDR266B）；-75E代表133MHz（DDR266A）；-65代表150MHz（DDR333x）；-6G代表167MHz（DDR333x）；-6T代表167MHz（DDR333x）；-6代表167MHz（DDR333x）；-55代表183MHz-5代表200MHz。
对于DDR-II SDRAM内存芯片，-5代表200MHz-37代表267MHz。
对于RLDRAM内存芯片，-5代表200MHz-；4代表250MHz；-33代表300MHz。
H字段表示功耗，此字段也可能是空白。
L代表低功耗S代表自动更新。
I字段表示工作温度。
空白代表商业温度（0℃～+70℃）I代表工业温度（-40℃～+85℃）。
J字段为特殊处理的代码。
ES代表工程样品MS代表机械样品K代表过渡提供的样品H代表高速。
华邦内存的编号含义虽然我们在零售市场看不到华邦原厂的内存条，但是不少著名内存厂商都会采用华邦生产的内存芯片。
现在让我们一起来学习，华邦内存的编码含义。
A字段由W组成，代表华邦（Winbond）内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
98代表SDRAM内存94代表DDR SDRAM内存。
C字段表示内存芯片的容量。
16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit （8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。
要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。
D字段表示内存结构。
08代表＊816或G6代表＊1632或G2代表＊32。
E字段表示内存芯片的修正版本。
A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。
F字段表示内存芯片的封装方式。
B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封装D代表100-Pin LQFP封装H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封装。
G字段表示内存芯片的速度标识。
对于SDRAM而言：-5代表200MHz（CL=3）-6代表166MHz （CL=3）-7代表143MHz（CL=3）或PC133（CL=2）-75代表PC133（CL=3）-8H代表PC100（CL=2）。
对于DDR SDRAM而言：-4代表250MHz（CL=3/4）-5代表DDR400（CL=2.5）-5H 代表200MHz（CL=3）-55代表183MHz（CL=3）-6代表DDR333（CL=2.5）-7代表143MHz（CL=2.5）或DDR266（CL=2）-75代表DDR266（CL=2.5）。
H字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。
空白或L代表正常温度（0℃～70℃），I 代表工业温度（-40℃～85℃）或扩大温度（-25℃～85℃）。
金士顿内存编码含义分析与内存常见单位换算方法金士顿是世界著名的内存生产商，拥有一流的技术保证及优质的售后服务。