离子源的功能和分类
GC-MASS的基本解析
二:质谱的特点与应用
• 1.优点: • (1)确定分子量准确,其它技术无法比。 • (2)灵敏度高,常规10-7—10-8g,单离子检测可达
10-12g。 • (3)样品元素组成。 • (4)复杂混合物的定性定量分析:LC/MS,
GC/MS,MS/MS对于难分离的混合物特别有效, 其它 技术无法胜任。 • (5)多功能,广泛适用于各类化合物。
RI 100 9.8 5.1 0.5
离子的主要类型
1、分子离子峰
M ＋e→ M+＋2e
M+称为分子离子或母离子(parrent ion），相应的质谱峰称 为分子离子峰或母峰。
大气压化学电离源的示意图
大气压化学电离源的特点
• 大气压化学电离源主要用来分析中等极性的化合 物。有些分析物由于结构和极性方面的原因，用 ESI不能产生足够强的离子，可以采用APCI方式 增加离子产率，可以认为APCI是ESI的补充。 APCI主要产生的是单电荷离子，所以分析的化合 物分子量一般小于1000Da。用这种电离源得到的 质谱很少有碎片离子，主要是准分子离子。
通常，质谱仪采用机械泵预抽真空，再用高效率扩散泵 连续地运行以保持真空。现代质谱仪采用分子泵可获得更 高的真空度。
六：质谱仪的主要技术指标
1.质量范围：指质谱仪所检测的单电荷离子的质荷比范围.
2.分辨率（Resolution）：分辨率是质谱仪分开相邻
两离子质量的能力。是两峰间的峰谷为峰高的10%时的 测定值，即两峰各以5%的高度重叠
（3）成分分离器和进样器组合进样：利用气相和液 相色谱的分离能力，进行多组份复杂混合物分析 (4)参考样品进样
2.离子源定义及分类:
1.使被分析样品的原子或分子离化为带电粒子(离 子)的装置,并对离子进行加速使其进入分析器， 根据离子化方式的不同,有机常用的有如下几种, 其中EI,ESI最常用。
离子源分类资料
离子能量 20-50eV
50-1500eV 50-1500eV 20-50eV 20-50eV 20-200eV
现状
应用
无中和器、等离子
体中性差、维护困
难、寿命短、不能 现较少采用
直接通入氧气、氮
气等
结构复杂、馈入氧
、氮等反应气体阴 极中毒、灯丝更换
不属主流、较少采用
困难
结构复杂、稳定性
差、价格昂贵、均 应用较多
无栅离子源
潘宁源 霍尔源 APS源
直流Leabharlann 发散能量（eV） 优点/缺点
200-3000
→高能小束流 →能量调节宽 ×栅极中毒 ×辐照区域小 ×均匀性差
20-200
→低能大束流 →无栅极中毒 →辐照区域大 →均匀性好 ×能量低 ×能量范围小
应用
离子束辅助镀膜 在线等离子体清洗 半导体 离子束直接镀膜
在线等离子体清洗 离子束辅助镀膜 离子束直接镀膜
无栅离子源
阳极膜
直流
聚焦 发散
潘宁源
束流范围 10-50A
考夫曼
射频离子源
霍尔离子源 空心阴极霍 尔离子源 APS源 阳极膜离子 源
0.35A
0.7A 5A 5A 0.5mA/cm2 15mA/cm
100-3000
→能量范围宽 →无灯丝 →无栅极 →免维护
在线等离子体清洗 离子束辅助镀膜 离子束直接镀膜
匀区较小
能量较低、调节范 围小、存在小污染
ID机，前处理
能量较低、调节范
围小
能量较低、调节范
围小，不适用反应
气体
100-2000eV
离子源分类
■离子源分类-
按能量
能量分类
离子源系统
离子源系统一、介绍离子源系统是一种重要的科学实验装置，用于产生和传输离子束。
离子源系统在物理、化学、生物、材料科学等领域的研究中起着至关重要的作用。
本文将对离子源系统的原理、分类、操作和应用进行全面、详细、完整且深入地探讨。
二、离子源系统的原理离子源系统的核心是离子源，它通过不同的物理原理将中性粒子转变为带电粒子。
常见的离子源有静电离子源、电离离子源、基于离子源的离子化学蒸发源等。
2.1 静电离子源静电离子源是最常见的离子源之一，它利用静电场的作用将中性粒子离子化。
静电离子源可以分为空间电荷限制离子源和离子轰击离子源。
2.1.1 空间电荷限制离子源空间电荷限制离子源是将中性粒子注入到电场中，使其在电场中受到空间电荷力并离子化。
常用的空间电荷限制离子源有电子冲击离子源和电子注入离子源。
2.1.1.1 电子冲击离子源电子冲击离子源利用高能电子和中性粒子碰撞，使中性粒子失去电子从而变为带正电的离子。
电子冲击离子源具有较高的能量转化效率和较高的离子得到率。
2.1.1.2 电子注入离子源电子注入离子源通过电子束将能量输入到中性粒子系统中，使中性粒子失去电子并转化为离子。
2.1.2 离子轰击离子源离子轰击离子源利用离子束轰击中性粒子样品，将其离子化并引出离子源。
离子轰击离子源具有离子化效率高、操作简便等优点。
2.2 电离离子源电离离子源是另一种常见的离子源，它通过电离过程将中性粒子转化为带电离子。
电离离子源可以分为化学离子化和电离蒸发两种方式。
2.2.1 化学离子化化学离子化是使用化学反应将中性粒子离子化，常见的化学离子化方法有化学离子源、电化学离子源等。
2.2.2 电离蒸发电离蒸发是利用高能电子束或激光束的能量将中性粒子蒸发成离子。
电离蒸发具有高效率、高选择性的优点。
三、离子源系统的操作离子源系统的操作涉及到多个步骤，包括前处理、离子源调试、离子束传输和反应室控制等。
3.1 前处理前处理是指在离子源系统操作之前对样品进行处理。
离子源的功能和分类
离子源的功能和分类离子源是一种广泛应用于科研、工业和医学等领域的仪器，主要用于产生、加速和传输离子束。
它包含一个用于产生离子束的离子发生器和一个控制系统，用于调控离子束的能量、形状和方向。
离子源的功能主要包括产生离子束、加速离子束和传输离子束。
根据离子源中离子发生的方式和产生的离子种类，离子源可以分为多种不同的分类。
一、离子源的功能1.产生离子束：离子源的最基本功能是产生离子束。
离子源通过不同的方式用电场和热能等形式刺激固体、气体或液体样品，将其原子或分子转化为带正电荷的离子。
常见的离子源包括电子轰击离子源、激光脉冲离子源等。
2.加速离子束：离子束需要经过加速器进行加速，以便在实验或工业应用中达到特定的束流能量。
离子源配备了与加速器连接的加速装置，可通过改变加速电压和加速极性等参数来调节离子束的能量。
3.传输离子束：离子源通常还包含了离子束传输系统，用于保持和控制离子束的形状、方向和稳定性。
离子束传输系统包括导向磁场、聚焦透镜、碰撞细化装置等，可以对离子束进行聚焦、偏转和碰撞等操作，以满足实验或应用的需要。
二、离子源的分类根据离子源中离子发生的方式和产生的离子种类，离子源可以分为以下几种分类：1.电子轰击离子源：电子轰击离子源是利用高能电子束轰击样品表面产生离子的一种方法。
通过设定合适的加速电压和轰击电流，可以得到所需的离子束。
电子轰击离子源常用于表面硅化、氮化、氧化等薄膜沉积和材料改性等应用。
2.电化学离子源：电化学离子源是利用电化学反应产生离子的一种方法。
通过在电解质溶液中施加电压和电流，将溶液中的原子或分子转化为相应的离子。
电化学离子源广泛用于制备金属离子、有机离子和生物分子等。
3.激光脉冲离子源：激光脉冲离子源是利用激光脉冲激发样品产生离子的一种方法。
通过设定合适的激光参数，例如脉冲能量、脉冲宽度和重复频率等，可以实现对样品表面的局部激发，从而产生离子束。
激光脉冲离子源常用于材料表面分析、生物分子解析和制备纳米材料等应用。
质谱基本原理稻谷书苑
以磁分析器为例：
加速后离子的动能 :
1 m 2 eV
2
2V m e
电离室原理与结构
教学运质用量分析器原理与结构
16
在磁场存在下，带电离子按曲线轨迹飞行，存在如下关系式：
离心力 =向心力 离子运动半径：
m 2
R
H 0 eV
R m
eH 0
m 质谱方程式： e
H
2 0
R
2
2V
离子在磁场中的轨道半径R取决
于： m/e 、 H0 、 V，当加速电压和
磁场强度均固定时，不同m/e的离子
有不同的运动半径，即磁场可将不
同质量的离子按m/e的大小顺序分成
不同的离子束，即磁场的质量色散
作用。
教学运用
17
m 质谱方程式： e
H
2 0
R
2
2V
当仪器R固定时， 若保持磁场强度H0不 变，连续改变V(电压 扫描)，可使不同质量 的离子按m/e的大小顺 序通过狭缝到达检测
15 29
43 57
71
H3C CH2 CH2 CH2 CH2 CH3
71 57 43 29 15
正
己 71 H3C CH2 CH2 CH2 CH2
CH3
烷 57 H3C CH2 CH2 CH2
CH2 CH3
43 H3C CH2 CH2
CH2 CH2 CH3
29 H3C CH2
CH2 CH2 CH2 CH3
3.用途：
①求精确分子量，从而确定分子式
②鉴定化合物
③推断结构
④推算Cl、Br、S等原子数
教学运用
3
4.发展史：
1911年: 世界第一台质谱装置（J.J. Thomson） 40年代: 用于同位素测定和无机元素分析 50年代： 开始有机物分析（分析石油） 60年代： 研究GC-MS联用技术 70年代： 计算机引入 80年代： 新的质谱技术出现：快原子轰击电离子源， 基质辅助激光解吸电离源，电喷雾电离源，大气压化学电
离子源
目前，气相质谱和液相质谱的联用已经越来越普及。
作为质谱仪中的一个重要组成部分—离子源有哪些种类以及各自不同的用途呢？首先对于气相质谱（GS/MS）来说，主要有电子轰击电离源（EI）、化学电离源（CI）和场致电离源（FI）及场解吸电离源（FD）。
EI是利用一定能量的电子与气相中的样品分子相互作用（轰击），使分子失去电子，电离成离子。
当分子离子具有的剩余能量大于其某些化学键的键能时，分子离子便发生碎裂，生成碎片离子。
其优点在于它是非选择性电离，只要样品能气化都能够离子化，且离子化效率高、灵敏度高；能够提供丰富飞结构信息，是化合物的指纹谱；有庞大的标准谱库供检索。
其缺点在于不适用于难挥发、热不稳定的样品，而且只能检测正离子，不检测负离子。
CI是指引入一定的反应气进入离子化室，反应气在具有一定能量的电子流的作用下电离或裂解，生成的离子和反应气分子进一步反应或和样品分子发生离子分子反应，通过质子交换使样品分子电离。
其优点在于可以通过控制反应，根据离子亲和力和电负性选择不用的反应试剂，用于不同化合物的选择性检测。
其缺点在于也不适用于难挥发和热不稳定样品，谱图重复性不如EI图谱，而且反应试剂容易形成较高的本底，影响检测限。
FI和FD是一种软电离方式，由一个电极和一组聚焦透镜组成，形成高达几千伏的强电场，使气态分子的电子被拉出而电离。
其优点在于几乎没有碎片离子，没有本底，图谱很干净。
缺点在于仅适用于扇形磁场质谱和飞行时间质谱仪，我们常见的四级杆质谱和离子肼质谱都不能配置FI和FD源，而且高压容易产生放电效应，操作也更难一些。
EI源是我们最常见的气质离子源。
对于液相质谱（LC/MS）来说，主要有大气压离子源（API）、快原子轰击源（FAB）和基质辅助激光解析电离源（MALDI）三种电离方式。
API主要给出分子量信息，一定条件下可以提供有限的信息结构，它又包括电喷雾电离（ESI）和大气压化学电离（APCI）。
ESI是指样品溶液从毛细管流出时，在电场及辅助气流的作用下喷成雾状的带电液滴，液滴中溶剂被蒸发，使液滴直径变小，发生“库伦爆炸”，把液滴炸碎，此过程不断重复，形成样品离子。
质谱主要的几种电离方式及离子源介绍
质谱主要的几种电离方式及离子源介绍质谱仪之间分类一般是按质量分析器来分，如通常我们所说的飞行时间质谱或者四级杆质谱等，但同一台质谱仪可以配几种离子源，如通常GC-MS会配电子轰击电离源（EI）和化学电离源（CI），本文就详细说下质谱主要的几种电离方式及离子源。
样品在离子源中电离成离子，比较常用的离子源有与GC串联的电子轰击电离源（EI）和化学电离源（CI），与LC串联质谱常用电喷雾离子化(ESI)、大气压化学电离(APCI)、大气压光电离(APPI)，以及基质辅助光解吸离子化（MALDI）等等。
1、电轰击电离（EI）一定能量的电子直接作用于样品分子，使其电离，且效率高，有助于质谱仪获得高灵敏度和高分辨率。
有机化合物电离能为10eV左右，50-100eV时，大多数分子电离界面最大。
70eV能量时，得到丰富的指纹图谱，灵敏度接近最大。
适当降低电离能，可得到较强的分子离子信号，某些情况有助于定性。
2、化学电离（CI）电子轰击的缺陷是分子离子信号变得很弱，甚至检测不到。
化学电离引入大量试剂气，使样品分子与电离离子不直接作用，利用活性反应离子实现电离，其反应热效应可能较低，使分子离子的碎裂少于电子轰击电离。
商用质谱仪一般采用组合EI/CI离子源。
试剂气一般采用甲烷气，也有N2,CO,Ar或混合气等。
试剂气的分压不同会使反应离子的强度发生变化，所以一般源压为0.5-1.0Torr。
3、大气压化学电离（APCI）在大气压下，化学电离反应速率更大，效率更高，能够产生丰富的离子。
通过一定手段将大气压力下产生的离子转移至高真空处（质量分析器中）。
早期为Ni63辐射电离离子源，另一种设计是电晕放电电离，允许载气流速达9L/S。
需要采取减少源壁吸附和溶剂分子干扰。
4、二次离子质谱（FAB/LSIMS）在材料分析上，人们利用高能量初级粒子轰击表面（涂有样品的金属钯），再对由此产生的二次离子进行质谱分析。
主要有快原子轰击（F AB）和液体二次离子质谱（LSIMS）两种电离技术,分别采用原子束和离子束作为高能量初级粒子。
离子源的功能和分类
离子源的功能和原理3、离子辅助镀膜的薄膜特性：1、镀层与工件表面同时存在物理气相沉积及化学反应，故镀层结合力高。
2、膜层均匀致密、韧性好；3、光谱特性稳定，温漂小4、吸水性减少5、折射率升高6、粗糙度降低7、激光阈值降低8、膜层发雾，光散射增加4、离子源参数、性能比较离子源简介－考夫曼离子源阴极钨丝加热发射热电子；电子与气体原子或分子碰撞；气体电离在放电室形成等离子体；多孔栅极产生加速电场；离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和钨丝产生电子；磁场对电子运动进行约束，增加离化率；中和电子对引出离子中和形成等离子体。
考夫曼离子源工作原理（Kaufman Ion Source）离子源简介－考夫曼离子源优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽结构较为简单缺点：×离子源结构仍复杂×馈入氧、氮等反应气体阴极中毒×更换阴极灯丝困难×不属主流，较少采用离子源简介－射频离子源射频离子源工作原理射频放电将气体电离在放电室形成等离子体多孔栅极产生加速电场；中和钨丝产生电子；离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和电子对引出离子中和形成等离子体。
离子源简介－射频离子源特点优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助主流缺点：×结构复杂，稳定性差×价格昂贵×栅极需经常维护×辐照均匀区较小离子源简介－霍耳离子源阴极钨丝发射热电子向阳极迁移电子与气体原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场离子被霍耳电场加速引出、加速阴极热电子对引出离子中和形成等离子体。
霍耳离子源工作原理（Hall Ion Source）离子源简介－霍耳离子源特点优点：PowerIon-C-10A 典型参数离子束流：5 A离子能量：20-50 eV无栅极、结构简单、维护简单适用反应气体离子束辅助主流产品离子束流大易于控制等离子体中性以低能大束流工作缺点：×能量较低、调节范围较小×存在较小污染离子源简介－Veeco 霍耳离子源技术指标离子源简介－PowerIon 系列霍耳离子源技术指标离子源简介－霍耳离子源空心阴极型霍耳离子源空心阴极替代灯丝发射热电子有效降低离子源污染离子源简介－APS源工作原理工作原理与霍耳离子源类似La6B阴极发射热电子向阳极迁移(3)电子与原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场(2)离子被霍耳电流产生电场加速引出、加速离子源简介－APS源特点优点：APS源典型参数离子束流：0.5 mA/cm2离子能量：20-200eV无栅极离子束流大以低能大束流工作以其为核心开发多种机型离子束辅助主流产品缺点：×能量较低、调节范围较小×不适用反应气体×等离子体中性？×使用成本高×存在污染射频rf离子源工作原理：射频放电将气体电离在放电室形成等离子体多孔栅极产生加速电场离子被加速电场引出、加速、获得能量中和钨丝产生电子中和电子对引出离子中和形成等离子体优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助效果明显缺点结构复杂价格昂贵栅极需经常维护辐照均匀区较小5、离子源价格：适合1m1镀膜机辅助镀膜的离子源价格考夫曼离子源16cm 8万霍尔离子源H10（16cm）5万-6万RF离子源160万。
半导体离子注入技术解析
半导体离子注入技术解析摘要离子注入技术是当今半导体行业对半导体进行掺杂的最主要方法。
本文从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及一些具体工艺等角度做了较为详细的介绍，同时介绍了该技术的一些新的应用领域。
关键字离子注入技术半导体掺杂1绪论离子注入技术提出于上世纪五十年代，刚提出时是应用在原子物理和核物理究领域。
后来，随着工艺的成熟，在1970年左右，这种技术被引进半导体制造行业。
离子注入技术有很多传统工艺所不具备的优点，比如：是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。
离子注入技术的应用，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展，从而使集成电路的生产进入了大规模及超大规模时代（ULSI）。
由此看来，这种技术的重要性不言而喻。
因此，了解这种技术进行在半导体制造行业以及其他新兴领域的应用是十分必要的。
2 基本原理和基本结构2.1 基本原理离子注入是对半导体进行掺杂的一种方法。
它是将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂。
离子具体的注入过程是：入射离子与半导体（靶）的原子核和电子不断发生碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停止在某处。
在这一过程中，涉及到“离子射程”、“”等几个问题，下面来具体分析。
2.1.1 离子射程图2.1.1（a ） 离子射程模型图图2.1.1（a ）是离子射入硅中路线的模型图。
其中，把离子从入射点到静止点所通过的总路程称为射程；射程的平均值，记为R ，简称平均射程 ；射程在入射方向上的投影长度，记为p x ,简称投影射程；投影射程的平均值，记为p R ，简称平均投影射程。
入射离子能量损失是由于离子受到核阻挡与电子阻挡。
定义在位移x 处这两种能量损失率分别为n S 和e S ：nn xdE S d =（1）ee e dE S k E dx==（2）则在dx 内总的能量损失为：()n e n e dE dE dE S S dx =+=+（3）P0000P 0n ed d d d d R E E E ER x E x S S ===+⎰⎰⎰（4）n S 的计算比较复杂，而且无法得到解析形式的结果。
离子源溅射原理
离子源（Ion Beam Sources）的分类及原理等离子体是指被激发的气体达到一定电离度（＞10-4），气体处于导电状态，这种状态的电离气体是由大量接近于自由运动的带电离子所组成的体系，在整体上是准中性的。
粒子运动与电磁场（外电场和粒子间的自洽场）是不可分割的，这种互相作用的电磁力是长程力，从而使等离子体显示出集体行为的特点，即电离气体中每一带电离子的运动都会影响到其周围带电离子，同时也受到其他带电粒子的约束。
由于电离气体整体行为表现为电中性，也就是电离气体内正负电荷数相等，这种气体状态为等离子体态简称等离子体。
有由于它独特行为与固态、液态、气态都截然不同，故又称之为物质的第四态。
离子源是离子束溅射(IBS)和离子束加工(IBF)设备的关键部件。
R&R公司的宽离子束源目前主要有Kaufman离子源、微波ECR离子源和RF离子源。
其工作原理是利用气体放电产生等离子体，等离子体由电子、离子和中性粒子所组成，并被引出成束，成为离子源。
R&R离子源有两个栅极（或者三个栅极），分别为屏栅和加速栅，两极之间加一电压，电压的正极接屏栅，负端接引出极，因此，在等离子体边界和引出电极之间就形成一个加速离子的电场，当离子从等离子体发射面发射出来以后，被电场加速，通过小孔，形成离子束，再经过中和器中和后直接轰击基板或靶。
中和器的目的是为了避免电荷在基板上聚集而产生对后续离子的排斥作用。
Kaufman离子源kaufman离子源是应用较早的离子源，属于栅格式离子源。
首先从热阴极发射出来的电子经过阴极鞘层被加速而获得相应于等离子与阴极电位差的能量，它与进入电离室的气体原子相碰撞，气体原子被碰撞电离，形成离子及二次电子，电子及离子形成放电室等离子体。
该放电等离子体在发散磁场作用下引向栅网离子光学作用区。
由于离子光学的作用，离子被拔出，并形成离子。
每个小孔形成的离子束经过发散混合及中和形成带能量、中性的宽离子束。
离子源的主要作用及分类
离子源的主要作用及分类一、引言离子源是一种常见的实验室仪器，其主要作用是将固体样品中的分子转化为离子，并将其注入到质谱仪或其他分析设备中进行分析。
离子源在生物医学、环境科学、材料科学等领域都有广泛的应用。
二、离子源的分类离子源根据其工作原理和使用场景可以分为多种类型，常见的离子源包括电喷雾离子源（ESI）、大气压化学电离（APCI）、热喷雾（TH）和电喷雾静电陷阱（ESI-IT）等。
1. 电喷雾离子源（ESI）电喷雾是一种基于液滴形成和蒸发的方法，通过高压电场将样品溶液中的分子转化为带有电荷的气态粒子。
ESI适用于生物大分子如蛋白质、核酸等的质谱分析，具有高灵敏度和高选择性。
2. 大气压化学电离（APCI）APCI利用高能量反应将样品中的分子转化为带正负荷的气态粒子，适用于较大分子量的化合物，如脂质类物质、天然产物等。
APCI的操作简单，而且对样品的溶剂选择不敏感。
3. 热喷雾（TH）TH离子源是一种基于热蒸发的方法，将样品转化为气态粒子。
TH适用于易挥发性的小分子化合物，如药物、农药等，具有高灵敏度和高分辨率。
4. 电喷雾静电陷阱（ESI-IT）ESI-IT是一种结合了ESI和离子陷阱质谱仪技术的离子源。
它可以在不改变分析条件的情况下，对复杂样品进行多级质谱分析，并具有高灵敏度和高选择性。
三、离子源的作用离子源作为质谱仪中最核心的组成部分之一，其主要作用是将样品中的分子转化为带电粒子，并将其注入到质谱仪中进行分析。
离子源在样品预处理、定量分析、结构鉴定等方面都有重要作用。
1. 样品预处理离子源可以将样品中复杂混杂的化合物转化为单个带电粒子进行分析，避免了在样品处理过程中对化合物的破坏和失真。
2. 定量分析离子源可以将样品中的化合物转化为带电粒子，并通过质谱仪进行定量分析。
通过离子源的选择，可以实现对不同类型化合物的定量分析。
3. 结构鉴定离子源可以将样品中的化合物转化为带电粒子，并通过质谱仪进行结构鉴定。
加速器物理课件离子源
10 激光离子源
11，放射性核束离子源
Radioactive Nuclear Beam Ion Source
产生放射性核束的设备。一般采取两种不同的方法，即弹核碎裂 法(PF法)和在线同位素法(ISOL法)。 PF法: 利用中能或高能重离子束(50MeV/u～1GeV/u)打薄的核 靶，炮弹核发生碎裂，产生所需要的放射性核，并以与炮弹核相近的 速度向前方飞出。利用分离和输运系统，经过收集分离和纯化并形成 束流。由于一般中、高能重离子束流较弱(1011 ～1012 粒子/秒)只能用 薄靶，而且弹核碎裂的开放反应道很多，产生指定放射性核的截面小， 固放射性核束流强度低，目前一般在108 粒子/秒以下。而且，PF法的 放射性束流纯度低，束流品质差，束流能量固定，其每个核子能量与 初级重离子束能量相近，很难用于低能核物理研究。为了克服上述缺 点，把PF装置产生的放射性核束注入到储存环中去，进行进一步加工 或者加以冷却，以改善束流品质(即束流发射度和能量分辨 )，或者进 一步加速或减速以满足物理实验的要求。
2，电子回旋共振离子源（ECR）
基于磁场中电子回旋共振，微波加热电离的磁约束等离子体离子源。 ECR条件为BC＝0.0357f (T/GHz)，式中f为微波频率，BC为磁场强度。 它可分为产生高电荷态离子的ECR离子源（f>2.45 GHZ）和产生强 流单电荷离子的微波离子源（f2.45GHz）。两者磁场结构也不同。前者 按最小磁场原理，由轴向磁镜场叠加径向多极场而成，使放电室中央的 磁场强度最小，室壁附近最强，其间存在一个闭合的 ECR等磁场面。最 高场强越高越有利于高电荷态离子的产生，因此有的采用超导磁场结构。 微波离子源是简单的螺旋管磁镜场。当磁场强度略高于共振值，结 合高气压条件（>1Pa）实现不完全共振加热，可以更有效吸收微波能量， 从而达到1013／cm3的电子密度，引出很强离子流。这时微波窗的位置和 结构是影响离子源性能和寿命的关健问题。
GC-MASS的基本解析
根据分析目的选择适用的MS仪器
4.检测接收器
接收离子束流的装置, 有:二次电子倍增器 光电倍增管 微通道板
现代质谱仪一般都采用计算机对产生的信号通过 工作站进行快速接收与处理，同时对仪器条件等 进行严格的监控.
特点：
1.适用于强极性，大分子量的样品分析 如肽， 蛋白质，糖等
2.产生的离子带有多电荷
3.主要用于液相色谱质谱联用仪
4.相对较低的LC流速;在溶液中必须离子化;在 高盐条件下会发生离子抑制; 产生加和离子 影响结果;有限的结构信息。
(4)大气压化学电离源（APCI)
原理：结构和电喷雾电离源相似，不同在于喷 嘴下放一针状放电电极，通过它的高压放电， 使空气中某些中性分子电离,产生H3O+, N2+,O2+,O+离子，这些离子与分析物分子进行离 子-分子反应，使分析物分子离子化，这些反应 过程包括由质子转移和电荷交换产生正离子， 质子脱离和电子捕获产生负离子等。
3.按联用方式分：气质联用；液质联用；质质联用
五:质谱仪的组成及原理
• 基本结构
• 质谱仪由以下几部分组成
•
•
数据及供电系统
• ┏━━━━┳━━━━━╋━━━━━━┓
• 进样系统 离子源 质量分析器 检测接收器
•
┗━━━━━╋━━━━━━┛
•
真空系统
1.进样系统:
把分析样品导入离子源的装置,包括: (1)直接探针进样:适于高沸点液体及固体样品 (2)间接进样: 适于气体、沸点低且易挥发的液体、 中等蒸汽压固体
镀膜设备中常用离子源介绍
陈智顺 2018-8-23
CONTENT
技术起源
原理及分类
工作原理：
工作气体或反应气体由阳极底部进入放电区内参与放电，放电区内由磁铁产生如图所示的锥形磁场，在放电区的上部安装有补偿或中和阴极。
根据工作要求该型号离子源的工作气体为氩气，反应气体可以使用氮气、氧气或碳氢等多种气体。
放电区上部阴极灯丝加热后产生热电子，当离子源的阳极施以正电位+UA时，电子在电场作用下向阳极运动，由于磁场的存在，电子绕磁力线以螺旋轨道前进，与工作气体或反应气体的原子发生碰撞使其离化。
离子在霍尔电场的作用下被加速获得相应的能量，与灯丝热阴极发射的部分热电子形成近等离子体，由等离子体源发射出来与基片发生作用达到清洗和辅助镀膜的目的。
•使用钨丝作为中和阴极
•结构简单、工作可靠
•维护简单，运行成本低廉
•工作时钨丝挥发
•存在微量污染
•钨丝寿命小于50小时
•离子能量约为阳极电压的65%~70% ev
•离子源用途：
用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。
广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等；•作用
能够改善薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温高速率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制；。
离子源的工作原理与作用
离子源的工作原理与作用一、离子源的定义和分类1.1 定义离子源是指能够产生离子束的设备或装置，它是离子束技术的关键组成部分。
1.2 分类离子源根据工作原理的不同，可以分为以下几类：1.热离子源：通过加热物质来产生离子束，如热阴极离子源和热阳极离子源。
2.电离源：通过电离过程产生离子束，如电子轰击电离源和化学电离源。
3.离子化源：通过气体放电等方式将中性粒子转化为离子束，如电喷雾离子源和电火花离子源。
4.加速器源：利用离子加速器将中性粒子加速并转化为离子束。
二、热离子源的工作原理与作用2.1 热阴极离子源热阴极离子源是利用阴极加热产生的热电子来电离气体分子从而产生离子束的一种离子源。
2.1.1 工作原理热阴极离子源的工作原理如下：1.阳极通电：在离子源中，阳极通电产生电场，用于加速离子束。
2.阴极加热：阴极加热产生高温，使阴极表面的材料发射热电子。
3.热电子发射：高温下，阴极表面的材料发射热电子，这些热电子被电场加速后，与气体分子发生碰撞，将其电离。
4.离子加速：被电离的气体分子在电场的作用下被加速形成离子束。
2.1.2 作用热阴极离子源的作用主要体现在以下几个方面：1.表面处理：离子束可以用于表面清洗、去除杂质、改变材料表面性质等，常用于材料表面处理和制造工艺中。
2.材料分析：离子束可以用于表面成分分析、材料结构分析等，常用于材料科学和表面分析领域。
3.离子植入：离子束可以用于离子植入技术，改变材料的物理、化学性质，常用于半导体器件制造和材料改性等领域。
2.2 热阳极离子源热阳极离子源是利用阳极加热产生的热电子来电离气体分子从而产生离子束的一种离子源。
2.2.1 工作原理热阳极离子源的工作原理如下：1.阳极通电：在离子源中，阳极通电产生电场，用于加速离子束。
2.阳极加热：阳极加热产生高温，使阳极表面的材料发射热电子。
3.热电子发射：高温下，阳极表面的材料发射热电子，这些热电子被电场加速后，与气体分子发生碰撞，将其电离。
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离子源的功能和原理
3、离子辅助镀膜的薄膜特性：
1、镀层与工件表面同时存在物理气相沉积及化学反应，故镀层结合力高。
2、膜层均匀致密、韧性好；
3、光谱特性稳定，温漂小
4、吸水性减少
5、折射率升高
6、粗糙度降低
7、激光阈值降低
8、膜层发雾，光散射增加
4、离子源参数、性能比较
离子源简介－考夫曼离子源
阴极钨丝加热发射热电子；电子与气体原子或分子碰撞；
气体电离在放电室形成等离子体；
多孔栅极产生加速电场；
离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和钨丝产生电子；
磁场对电子运动进行约束，增加离化率；
中和电子对引出离子中和形成等离子体。
考夫曼离子源工作原理
（Kaufman Ion Source）
离子源简介－考夫曼离子源
优点：
栅极加速能量大
离子可聚束能量调节围宽结构较为简单
缺点：
×离子源结构仍复杂×馈入氧、氮等反应气体阴极中毒
×更换阴极灯丝困难×不属主流，较少采用
离子源简介－射频离子源射频离子源工作原理
射频放电将气体电离
在放电室形成等离子体
多孔栅极产生加速电场；中和钨丝产生电子；
离子被加速电场引出、加速、获得能量；
中和电子对引出离子中和形成等离子体。
离子源简介－射频离子源
特点
优点：
栅极加速能量大
离子可聚束能量调节围宽适用反应气体离子束辅助主流
缺点：
×结构复杂，稳定性差×价格昂贵×栅极需经常维护×辐照均匀区较小离子源简介－霍耳离子源
阴极钨丝发射热电子向阳极迁移电子与气体原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场
离子被霍耳电场加速引出、加速
阴极热电子对引出离子中和形成等离子体。
霍耳离子源工作原理
（Hall Ion Source）
离子源简介－霍耳离子源特点
优点：
PowerIon-C-10A 典型参数
离子束流：5 A
离子能量：20-50 eV
无栅极、结构简单、维护简单
适用反应气体离子束辅助主流产品离子束流大易于控制等离子体中性以低能大束流工作
缺点：
×能量较低、调节围较小×存在较小污染
离子源简介－Veeco 霍耳离子源技术指标
离子源简介－PowerIon 系列霍耳离子源技术指标
离子源简介－霍耳离子源
空心阴极型霍耳离子源
空心阴极替代灯丝发射热电子有效降低离子源污染
离子源简介－APS源工作原理
工作原理与霍耳离子源类似
La6B阴极发射热电子向阳极迁移(3)
电子与原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场(2)
离子被霍耳电流产生电场加速引出、加速
离子源简介－APS源特点
优点：
APS源典型参数
离子束流：0.5 mA/cm2
离子能量：20-200eV
无栅极
离子束流大以低能大束流工作以其为核心开发多种机型离子束辅助主流产品
缺点：
×能量较低、调节围较小×不适用反应气体×等离子体中性？
×使用成本高×存在污染
射频rf离子源工作原理：
射频放电将气体电离在放电室形成等离子体
多孔栅极产生加速电场离子被加速电场引出、加速、获得能量中和钨丝产生电子中和电子对引出离子中和形成等离子体
优点：
栅极加速能量大离子可聚束能量调节围宽
适用反应气体离子束辅助效果明显
缺点
结构复杂价格昂贵栅极需经常维护辐照均匀区较小
5、离子源价格：
适合1m1镀膜机辅助镀膜的离子源价格
考夫曼离子源16cm 8万
霍尔离子源H10（16cm）5万-6万
RF离子源160万。