模拟版图中的典型器件--青软教案资料
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模拟版图中的典型器件--青软
电阻 电容 BIPOLAR DIODE 电感
模拟版图中的典型器件
FUSE SEAL RING
PAD ESD
电阻
电阻（Resistance）作为集成电路模拟版图中最常见的器件，类型有多 种，版图设计要求也较高。电阻最常见的类型主要有：
Metal Res ：阻值非常低 Poly Res : 阻值较低 Diff Res ：阻值较高 Well Res ：阻值非常高 Netlist中的调用： RR1 A B 24000 $[RNDD] LVS Commandfile 中的定义： DEVICE R(RNDD) rndddev hvndr hvndr
电容的摆放也要注意，尽量均 匀、对称。（如右图，如果c1与c2 电容的个数是1：8，摆放就按右 图）。
电容上面严禁走线，尤其是 信号线。
在要求不是很 高的时候电容 的形状可以根 据block的摆 放调整。（注 意cap上面有 跑线）。
电容注意事项
有时会把电 容做成小的单位 电容，具体摆放 时可以根据不同 电路中电容的容 值摆放多个单位 电容来实现空间 的有效利用。
LVS Commandfile 中的定义：
DEVICE C(MP) pmcapdev pgate psd
电容
电容的形状一般是方形最好，但有时根据需要， 在保证有效面积不变的情况下，形状可以随意调整 （主要是根据block的形状与摆放做相应调整，保证 block为矩形）。
进行电容连线时要分清电容的正负极， 如右图，正极为|端。
Polyl Cap ：会用到两层Poly来实现
Mos Cap
: 利用Mos的Gate与其Source和Drain来实现
Mim Cap
：利用两层金属和其之间CTM来实现
Metal Cap ：利用两层甚至更多层金属层来实现，有时会利用Poly跟
metal来实现
Netlist中的调用：
CC1 A B 2.4p $[MP]
电容注意事项
在要求较 高的时候 电容的摆 放需要加 Dummy
一般把MIM电容划 为metal电容。
MIM电容
三、metal电容
画法：一般 是利用多层 metal之间的 相互寄生效 应来实现。
METAL电容
Metal电 容中的 “夹心” 电容。
METAL电容
Metal电容 中的“梳 妆”电容。 有些也叫 “手指状” 电容
METAL电容
电容注意事项
电容无论以何种方式做，都应该用ring圈起,与其他器件隔开。 电容与其相关的电路不易离太 远，在layout电容时，其面积要计 算清楚（有些是定义W/L）。
四、well电阻
1、nwell电阻
画法：两端用 ndiffusion cont接出， 有效部分是两端cont 间的部分，有效部分 加res dummylayer。
WELL电阻-PWELL电阻
四、well电阻
2、pwell电阻
画法：两端用 pdiffusion cont接出， 有效部分是两端cont 间的部分，有效部分 加res layer。（别忘 记pdiffusion要包 pimplant）
电阻及DUMMY的摆放
电阻与其Dummy要保持严格的方向一致，两侧的 Dummy长度要与电阻本身长度相同，两端的Dummy长度可 以根据实际情况调整。
电阻及DUMMY的摆放
Res Dummy 可以只用到电阻体层次，其它层次可以不用
电阻及DUMMY的摆放
电阻体两侧 Dummy 可以适当缩小Width，只保持与电阻 体的长度一致。
MOS电容
二、poly电容
画法：由poly1 和poly2组成， 需要用metal连 接出去，一般 poly2为正极。
POLY电容百度文库
二、poly电容
右图为poly电 容的剖面图
POLY电容
三、MIM电容
就是（MetalInsulator-Metal） 金属-绝缘体-金属 结构。
画法：一般是顶层 metal与倒数第二 层metal之间新加 了一层CTM层次。
一、Metal电阻
画法：两端用Via接 出，或是直接Metal 连接。有效部分是两 端Via中间的部分， 附加res Dummy layer。这种电阻非常 少见，一般会用寄生 的方式实现。
METAL电阻
POLY电阻
二、poly电阻
画法：两端用 poly cont接出， 有效部分是两端 cont间的部分， 有效部分加res dummylayer。 （不同的制程层 次不一样）
电阻体两侧 Dummy 还 可以作为填 充的作用。
电阻及DUMMY的摆放
电阻及DUMMY的摆放
电阻矩阵可以很好的实现多个电阻阻值不同的有效摆放
电阻体有时 会覆盖一层 临近金属层 作为对电阻 的屏蔽保护 措施。
电阻
电阻
电阻注意事项 电阻注意事项
一、 画电阻时，要注意其阻值的算法，有经验的前端设计人员会明 确每个电阻的具体Width/Length数值。如果没有明确，可以根据lvs Commandfile中的定义算法自己算出所需数值。
二、电阻两端必须用metal引出，不能跳poly或diffusion。 三、电阻加dummy时，dummy电阻与电阻space要一致，长度也 要一致。电阻要单独围ring,与其他的device隔开。 四、多个电阻放置应朝同一个方向，尽量不要从电阻上走线，串 联的电阻要交叉对称放置。
电容
电容（Capacitance）同样是集成电路模拟版图中最常见的器件，类型也 有多种，常见的类型主要有：
NWELL的应用主要是起到更好的保护隔离作用。
三、diffusion电阻
画法：两端用 diffusion cont接出， 有效部分是两端cont 间的部分，有效部分 加res dummylayer。 有p/n diffusion之分 （不同的制程层次不 一样）
DIFFUSION电阻
WELL电阻-NWELL电阻
一、mos电容
画法：poly是电容 的一端，一般为正 极。 source&drain 接在一起做电容的 另一端，为负极。
还有另一种画法， 和普通mos画法一 样。(下页）
MOS电容
mos电容: Gate为正极 Source/Drain 为负极。 容值很小一般 作为Chip中 Power的高频 滤波之用。
电阻 电容 BIPOLAR DIODE 电感
模拟版图中的典型器件
FUSE SEAL RING
PAD ESD
电阻
电阻（Resistance）作为集成电路模拟版图中最常见的器件，类型有多 种，版图设计要求也较高。电阻最常见的类型主要有：
Metal Res ：阻值非常低 Poly Res : 阻值较低 Diff Res ：阻值较高 Well Res ：阻值非常高 Netlist中的调用： RR1 A B 24000 $[RNDD] LVS Commandfile 中的定义： DEVICE R(RNDD) rndddev hvndr hvndr
电容的摆放也要注意，尽量均 匀、对称。（如右图，如果c1与c2 电容的个数是1：8，摆放就按右 图）。
电容上面严禁走线，尤其是 信号线。
在要求不是很 高的时候电容 的形状可以根 据block的摆 放调整。（注 意cap上面有 跑线）。
电容注意事项
有时会把电 容做成小的单位 电容，具体摆放 时可以根据不同 电路中电容的容 值摆放多个单位 电容来实现空间 的有效利用。
LVS Commandfile 中的定义：
DEVICE C(MP) pmcapdev pgate psd
电容
电容的形状一般是方形最好，但有时根据需要， 在保证有效面积不变的情况下，形状可以随意调整 （主要是根据block的形状与摆放做相应调整，保证 block为矩形）。
进行电容连线时要分清电容的正负极， 如右图，正极为|端。
Polyl Cap ：会用到两层Poly来实现
Mos Cap
: 利用Mos的Gate与其Source和Drain来实现
Mim Cap
：利用两层金属和其之间CTM来实现
Metal Cap ：利用两层甚至更多层金属层来实现，有时会利用Poly跟
metal来实现
Netlist中的调用：
CC1 A B 2.4p $[MP]
电容注意事项
在要求较 高的时候 电容的摆 放需要加 Dummy
一般把MIM电容划 为metal电容。
MIM电容
三、metal电容
画法：一般 是利用多层 metal之间的 相互寄生效 应来实现。
METAL电容
Metal电 容中的 “夹心” 电容。
METAL电容
Metal电容 中的“梳 妆”电容。 有些也叫 “手指状” 电容
METAL电容
电容注意事项
电容无论以何种方式做，都应该用ring圈起,与其他器件隔开。 电容与其相关的电路不易离太 远，在layout电容时，其面积要计 算清楚（有些是定义W/L）。
四、well电阻
1、nwell电阻
画法：两端用 ndiffusion cont接出， 有效部分是两端cont 间的部分，有效部分 加res dummylayer。
WELL电阻-PWELL电阻
四、well电阻
2、pwell电阻
画法：两端用 pdiffusion cont接出， 有效部分是两端cont 间的部分，有效部分 加res layer。（别忘 记pdiffusion要包 pimplant）
电阻及DUMMY的摆放
电阻与其Dummy要保持严格的方向一致，两侧的 Dummy长度要与电阻本身长度相同，两端的Dummy长度可 以根据实际情况调整。
电阻及DUMMY的摆放
Res Dummy 可以只用到电阻体层次，其它层次可以不用
电阻及DUMMY的摆放
电阻体两侧 Dummy 可以适当缩小Width，只保持与电阻 体的长度一致。
MOS电容
二、poly电容
画法：由poly1 和poly2组成， 需要用metal连 接出去，一般 poly2为正极。
POLY电容百度文库
二、poly电容
右图为poly电 容的剖面图
POLY电容
三、MIM电容
就是（MetalInsulator-Metal） 金属-绝缘体-金属 结构。
画法：一般是顶层 metal与倒数第二 层metal之间新加 了一层CTM层次。
一、Metal电阻
画法：两端用Via接 出，或是直接Metal 连接。有效部分是两 端Via中间的部分， 附加res Dummy layer。这种电阻非常 少见，一般会用寄生 的方式实现。
METAL电阻
POLY电阻
二、poly电阻
画法：两端用 poly cont接出， 有效部分是两端 cont间的部分， 有效部分加res dummylayer。 （不同的制程层 次不一样）
电阻体两侧 Dummy 还 可以作为填 充的作用。
电阻及DUMMY的摆放
电阻及DUMMY的摆放
电阻矩阵可以很好的实现多个电阻阻值不同的有效摆放
电阻体有时 会覆盖一层 临近金属层 作为对电阻 的屏蔽保护 措施。
电阻
电阻
电阻注意事项 电阻注意事项
一、 画电阻时，要注意其阻值的算法，有经验的前端设计人员会明 确每个电阻的具体Width/Length数值。如果没有明确，可以根据lvs Commandfile中的定义算法自己算出所需数值。
二、电阻两端必须用metal引出，不能跳poly或diffusion。 三、电阻加dummy时，dummy电阻与电阻space要一致，长度也 要一致。电阻要单独围ring,与其他的device隔开。 四、多个电阻放置应朝同一个方向，尽量不要从电阻上走线，串 联的电阻要交叉对称放置。
电容
电容（Capacitance）同样是集成电路模拟版图中最常见的器件，类型也 有多种，常见的类型主要有：
NWELL的应用主要是起到更好的保护隔离作用。
三、diffusion电阻
画法：两端用 diffusion cont接出， 有效部分是两端cont 间的部分，有效部分 加res dummylayer。 有p/n diffusion之分 （不同的制程层次不 一样）
DIFFUSION电阻
WELL电阻-NWELL电阻
一、mos电容
画法：poly是电容 的一端，一般为正 极。 source&drain 接在一起做电容的 另一端，为负极。
还有另一种画法， 和普通mos画法一 样。(下页）
MOS电容
mos电容: Gate为正极 Source/Drain 为负极。 容值很小一般 作为Chip中 Power的高频 滤波之用。