模电答案童诗白版第四章
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电路童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础课件(童诗白)第四章
IREF Ic
R T0 ΣIB T Re Re 1 Ic1 T1 Re 2 Ic2 T2
IC 1 ≈ I E 1
Ic3 T3 Re 3
Re = I REF Re 1
Re = I REF Re 2
IC 2 ≈ I E 2
IC 3 ≈ I E 3
Re = I REF Re 3
多集电极管构成的多路电流源
V CC−U BE IR = R = I CO + 2 I B 0 = I CO + 2 I CO = I CO
IBO
IB1
β β +2
IC1 ICO
β
IR
IC1 IR
I C 1 = I CO ≈ I R
( β >> 2)
T
UR(IRR)
UB
IB0
二、比例电流源பைடு நூலகம்
Vcc IR ICO T0 ReO IBO IEO IB1 IE1 T1 Re1 R 2IB1 IC1
I E 0 Re 0 ≈ I E 1 Re1
β >> 2时有I EO ≈ I R
Reo IC1 = IR Re1 VCC − U BEO IR ≈ R + Reo
＃此电路有更好 的温度稳定性？
三、微电流源
Vcc IR ICO T0 IBO IB1 IE1 R IBO +IB1 IC1
U BEO − U BE1 I C 1 ≈ I E1 = Re
omccces差模开环放大倍数42集成运放中的电流源电路421基本电流源电路一镜像电流源电路b12ib1cocob12ib1eoccbeo此电路有更好的温度稳定性
第四章
集成运算放大器
模电-童诗白课后题全解
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2） 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
（1）S闭合。
（2）
波形如图所示。
60℃时ICBO≈32μA。
选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
解：由于 ，所以 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
电路如图所示，晶体管β=100， =100Ω。
(1)求电路的Q点、 、 和 ；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
ID＝（V－UD）/R＝，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝～Ω。
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
RL=∞时； 图
RL=3kΩ时；
输出电阻：
电路如图所示，晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、 、 和
模拟电子技术基础习题解答-童诗白
模拟电子技术基础(第四版)习题解答-童诗白(总137页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
童诗白模拟电路4课件
忽略基极电流，可得
+VCC
R IREF
2IB
IC1
T1
IB1 +
UBE1
R1
IC2
IB2 U+BE2 T2 R2
IC2
R1 R2
IC1
R1 R2
IREF
图 4.2.2
比例电流源
两个三极管的集电极电流之比近似与发射极电阻的
阻值成反比，故称为比例电流源。
童诗白模拟电路4
12
三、微电流源
实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路。
+ uid 输入级
中间级
输出级
uo
偏置电路
图 4.1.1 集成运算的基本组成
一、输入级 差分电路，大大减少温漂。
二、中间级 采用有源负载的共发射极电路，增益大。
三、输出级 互补对称 电路，带负载能力强
四、偏置电路 电流源电路，为各级提供合适的静态工作点。
第
4.集成运放的电压传输特性有什么特点？
四
版 童
5.如何评价集成运放的性能？有哪些主要指标？
诗 白
6.集成运放有哪些类型？如何选择？使用时应注意哪 些问题？
童诗白模拟电路4
4.1 集成运算放大电路概述
集成电路简称 IC (Integrated Circuit)
集成电路按 其功能分
数字集成电路 模拟集成电路
4.2.1 基本电流源电路
童诗白模拟电路4
10
一、镜像电流源 (电流镜 Current Mirror)
基准电流
+VCC
IREFVC
CUB R
E 1
由于 UBE1 = UBE2，T1与 T2 参数基本相同，则
模拟电路 童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，?=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEBbV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电路 童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
模拟电路(童四版)习题解答[1]
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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
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第四章 集成运算放大电路
自测题
一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A
二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×
三、μA 100BE1BE2CC C2=--=≈R
U U V I I R 四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T 5、T 6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
第二级共射放大电路以T 7、T 8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。
第三级加偏置电路，利用D 1、D 2消除交越失真。
五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 习题
4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。
输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。
对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。
对中间级的要求：放大倍数大。
对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。
4.2 。
，5
od od 10dB 100lg 20==A A
u O 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V
4.3 A 1－通用型，A 2－高精度型，A 3－高阻型，A 4－高速型。
4.4。
时，＞＞当A μ1003)1( 3)1( 313μA 100C2C122C C C B C0B4C00BE BE4CC =≈=+⋅+++=++=++=+==--=
R R R R I I I I I I I I I I I I R
U U V I βββββββββ
4.5
A
μ3202A
μ160 A μ1601 V)7.0(μA 200C0C2C0C1C0C0C0B C EB EB CC =====+=+=+===-=
I I I I I I I I I I I U R
U V I R R R βββ
其中
4.6 )()(DS2DS1m I DS2DS1D I O r r g u r r i u u A u ∥∥-=∆∆-=∆∆=
4.7 在图（a ）（b ）所示电路中
)(2I21I O 1
D 1D 2D O 4D 3D 2D 1D u u i g i i i i i i i i m -∆∆-=∆-=∆-∆=∆∆=∆=∆-=∆，
图（a ）中：
)
(- )()
( )(DS4DS2m I2I1DS4DS2O I2I1r r g u u r r i u u u A O u ∥∥=-∆∆=-∆∆=
图（b ）中：)(- DS4DS2m r r g A u ∥=
4.8（1）T 1和T 2、组成的复合管为放大管，T 5和T 6为有源负载，双端输入、单端输出的差分放大电路。
（2）ββ)1(I
O +=∆∆=i i A i 4.9 同题4.8。
4.10（1）
2
1be3c2
2be1
3be c112u u u u u A A A r R A r r R A ⋅=⋅-=⋅
-=ββ∥ （2）当有共模输入电压时，u O =0。
R c1＞＞r D ，△u C1＝△u C2，因此△u BE3＝0，故u O =0。
4.11 （1）C （2）C （3）B （4）A
4.12 因为U BE3＋U CE1＝2U D ，U BE1≈U D ，U CE1≈U D ，所以U CB ≈0，反向电路为零，因此I CBO 对输入电流影响很小。
4.13（1）因为β＞＞2，所以i C2≈i C1≈i I2 。
（2） i B3＝i I1－i C2≈i I1－i I2
（3）
c 3B3O I2I1O c B33c C3O )(
R i u i i u A R i R i u ui ββ-=∆∆≈-∆∆=∆-=∆-=∆
4.14 图（a ）所示电路中，D 1、D 2使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。
R 为电流采样电阻，D 2对T 2起过流保护。
当T 2导通时，u D3＝u BE2＋i O R － u D1，未过流时i O R 较小， u D3因小于开启电压而截止；过流时u D3因大于开启电压而导通，为T 2基极分流。
D 4对T 4起过流保护，原因与上述相同。
图（b ）所示电路中，T 4、T 5使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。
R 2为电流采样电阻，T 6对T 2起过流保护。
当T 2导通时，u BE6＝u BE2＋i O R － u BE4，未过流时i O R 较小，因u BE6小于开启电压T 6截止；过流时6因大于开启电压T 6导通，为T 2基极分流。
T 7对T 3起过流保护，原因与上述相同。
4.15 （1）为T 1提供静态集电极电流、为T 2提供基极电流，并为T 1的有源负载。
（2）T 4截止。
因为u B4＝u C1＝u O ＋u R ＋u B2＋u B3，u E4＝u O ，u B4＜u E4。
（3）T 3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。
（4）保护电路。
u BE5＝i O R ，未过流时T 5电流很小；过流时使i E5＞50μA ，T 5更多地为T 5的基极分流。
4.16 T 1－共射电流的放大管，T 2和T 3－互补输出级，T 4、T 5、R 2－消除交越失失真。
4.17 （1）u 11为反相输入端，u 12为同相输入端。
（2）为T 1和T 2管的有源负载，将T 1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T 6设置静态电流，且为T 6的集电极有源负载。
（4）消除交越失真。
4.18 （1）由T 10、T 11、T 9、T 8、T 12、T 13、R 5构成。
（2）三级放大电路：
T 1～T 4－共集-共基差分放大电路，T 14～T 16－共集-共射-共集电路，T 23、T 24－互补输出级。
（3）消除交越失真。
U BE23＋U BE24＝U BE20＋U BE19。