非对称半导体量子阱中的光学双稳态与多稳态

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△1 (l( + 3 3 ( ) IQ1(I . , } +△ △)) I Ql( + ) 十 c 2 2 I( 一 2 1 3 2 . )
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式 中:
为 括号 内前 两项 的 复共 轭 ; = 1 / ;2 = 3 氕分别 为相 应 能级跃 迁 R b 频率 的一 半 ; Qp 2 2 t 2 / 。 E 2 ai
面有着广 阔的应 用前景 , 此外 , 子体 系相 比, 和原 半导体 材料 易集成 , 试验 中更容 易操 作 。本研究 基于最新 的实 验工作 , 论和实践 方面都有着重要 的意 义和潜 在 的应用价值 。 在理
1 动 力 学 模 型
考虑的模型如图1图1a中l 和 1 为一对共振耦合的子能带, , () 口 b ) ) 在通过薄隧道势垒产生的强相干耦
6 6
华 东 交 通 大 学 学 报
2 1 年 01
和 ) 在 这 里 我 们 将 不 考 虑 两 个 场 的位 相 。 我 们 选 取 能 级 I 为 能 级 的 能 量 参 考 零 点 , 取 , , , 1 ) 并
= )I + ) I ∞ I( + 2 2 ∞) ( 为自由 l3 3 哈密顿量, 则在相互作用绘景和旋波近似下, 我们可得到系统的哈密顿
J 3则 是 与之对 应 的偶极 矩 阵元 ; △ 分别 为探 测场 和耦合 场 的频率 失谐 量 。 “ 、 2 2 △和 利用 刘维 方程 和密度 矩 阵可 以得 到下列 密度 矩阵 的运 动方程
2 = 2 pl 一 i p2 一 2 Qp 1 p2 + i 3 O

p2 Y12 3一 2 2 P
迁I 1 之间, 3 2 ) ) 我们用频率为 ∞ ,ai 率为 2 。 。R b,  ̄ 的控制场来驱动。能级 I 和 l 的衰变率分别为 ) Q 2 3 ) ) , II l l “ 一一 D ,
L一I _ 1 J )
() a (Fra Baidu bibliotek b
△ 。 。


第 2 卷第 3 8 期 21年6 0 1 月
文 章 编 号 :0 50 2 (0 10 —0 50 1 0 .5 3 2 1 )30 6 .4
华 东 交 通 大 学 学 报
J u na o Ea t Chi a Ja t n Un v r i or l f s n ioo g i e st y
进行耦合 , 研究结果显示系统可以出现无布局反转双色激光 。半导体量子阱有许多内在的优点, 如由小的有效 电子质量能够引起较大的电偶极矩、 较大的非线性系数 , 并且在选择材料和结构尺寸上也存在着较大的灵活性 , 尤为重要 的是在实践方 面 , 转换能 、 其 偶极子 和对 称 I都 已经 如人们所愿在 工程上实现 。基 于这些优 , 生 近年来 该 系统 中光学 双稳态特 性 的研究 也激起 了人 们 的兴 趣 】 文考察 了在 一个非对称 半导体量子 阱 内的光学双 。本 稳特 『 详细分 析 了系统 不 同的物 理参数对 光学双稳 态形成 的影 响。光 学双稳态 器件在光通讯 、 生, 光计算机等方
图 1 被 薄 隧 道 势 垒 隔开 的双 量 子 阱 的 结 构 图
Fi . S h m a i a d d a r m f o b ec u ld q n u we l s r c u e g1 c e tcb n i g a o u l o p e - ua t m ls t u t r d
近些年来 , 量子阱系统 中类似量 子相干和干涉 的现象 由于其在光 电子 和 固态量子信息科学方 面有潜 在的应 用价值 , 已经引起 了人们 的广泛关注 。最 近 , 于量子相 干和干涉 , 基 人们对三量子 阱系统 中的非线性现象 做了大 量的研究 。例 如 ,e等 L e 提出一个半导 体三量子 阱系统 , 一个基 能带和 三个 激发带通过 隧穿到 同一连续体来
收 稿 日期 :0 1 40 2 1- .2 0 基金项 目 : 国家 自然 科 学 基 金 项 目( 1 6 0 7 ; 西 省 教 育 厅 科 研 项 目( J0 3 ) 10 5 0 ) 江 GJ1 13
作者简介 : 陈爱喜 (9 4 , , 1 7 一)男 教授 , 士 , 博 研究方 向为激光物理 、 量子光学 。
() 2
3=j 2一f P2 3 3 3 Q P3 Q。 3一Y1 3 P
2一i 3一 _ O Pl f 1 : 2 1 = -i p1+ i2 p 2 A P1 2 Dp 1 ( 2 +/ 1 2
合作用下能带分裂为两个次能级I 和l , 3 2 与子能带的 ) ) 关系式为I =1 一 ) 和l=1 + ) 2 ()I) ) 口 6/ 3 () l) ) 口 6/
( 见图1b ) ()。在电偶极跃迁 『 『 之间, 2 1 ) ) 用频率为 C ,ai f 的探测场加以驱动, O R b, 7 ,  ̄ 2 在电偶极跃
、01 2 NO. , .8 3 J un.201 , 1
非 对 称 半 导体 量 子 阱 中的 光 学 双 稳 态 与 多稳 态
陈 爱喜 , 渊 , 绍 海 陈 杨
( 华东交通 大学基础科学学 院 , 江西 南 昌 3 0 1 ) 3 0 3 摘要 : 究 了一 个非 对称 半导体量子 阱结构 中基 于带间跃迁 的光学双稳 态与 多稳 态行 为。量子 阱结构被放 置在一个单 向环 研 形腔 中 , 与一个控制 场和一个探 测场 同时作用 , 细讨 论 了合作 参数 、 并 详 控制 场强度 、 频率 失谐 对 系统光 学双稳 态及 多稳 态 的影响。半导体量子 阱易集成、 易调 节 , 其光 学双稳 与 多稳特性具有 重要 实际应用价值 。 关键词 : 量子阱 ; 学双稳 态 ; 率失谐 光 频 中图分类号 : 3 . 04 1 2 文献标识码 : A
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